П 1 ст 64 ск рф: СК РФ Статья 64. Права и обязанности родителей по защите прав и интересов детей

Содержание

Прокурор разъясняет п. 1 ст. 3 Конвенции о правах ребенка

Пунктом 1 статьи 3 Конвенции о правах ребенка провозглашено, что во всех действиях в отношении детей независимо от того, предпринимаются они государственными или частными учреждениями, занимающимися вопросами социального обеспечения, судами, административными или законодательными органами, первоочередное внимание уделяется наилучшему обеспечению интересов ребенка.

Статьей 38 Конституции Российской Федерации установлено, что материнство и детство, семья находятся под защитой государства. Забота о детях, их воспитание - равное право и обязанность родителей. Родители являются законными представителями ребенка (п. 1 ст. 64 СК РФ).
В соответствии с п. 1 ст. 63 СК РФ родители несут ответственность за воспитание и развитие своих детей. Они обязаны заботиться о здоровье,
физическом, психическом, духовном и нравственном развитии своих детей.

Реализация родительских прав, связанных с воспитанием и развитием детей, предполагает решение родителями вопросов в том числе и по обеспечению отдыха детей, и по принятию решения о выезде ребенка за границу. Согласно п. 1 ст. 65 СК РФ родительские права не могут осуществляться в противоречии с интересами детей. Обеспечение интересов детей должно быть предметом основной заботы их родителей. При осуществлении родительских прав родители не вправе причинять вред физическому и психическому здоровью детей, их нравственному развитию.

Часто случается так, что отношения между бывшими супругами плохие, а хочется вывезти ребенка куда-нибудь на отдых.
Если ребенок выезжает без сопровождения родителей (усыновителей, опекунов или попечителей), то он должен иметь при себе, кроме паспорта,
нотариально оформленное согласие указанных лиц (не одного лица, а обоих) на выезд несовершеннолетнего гражданина РФ с указанием срока выезда и государства (государств), которое (которые) он намерен посетить. Это установлено ст. 20 Федерального закона от 15.08.1996 N 114-ФЗ "О порядке выезда из Российской Федерации и въезда в Российскую Федерацию".

В этой статье также указано: "Несовершеннолетний гражданин Российской Федерации, как правило, выезжает из Российской Федерации совместно хотя бы с одним из родителей, усыновителей, опекунов или попечителей". Если ребенок выезжает хотя бы с одним из родителей, то согласия второго не требуется - если он прямо не заявил о своем несогласии. Это следует из закона. В письме от 27.06.2007 N 21/7/1/3 ФСБ России разъясняет: "Информируем, что в случае выезда из Российской Федерации несовершеннолетнего гражданина Российской

Федерации совместно с одним из родителей согласия на выезд ребенка за границу от второго родителя не требуется, если от него не поступало заявления о несогласии на выезд из Российской Федерации своих детей, оформленного в соответствии с положениями Постановления Правительства Российской Федерации от 12 мая 2003 г. N 273 "Об утверждении Правил подачи заявления о несогласии на выезд из Российской Федерации несовершеннолетнего гражданина Российской Федерации".

Настоящие Правила определяют в соответствии со статьей 21 Федерального закона "О порядке выезда из Российской Федерации и въезда в Российскую Федерацию" порядок подачи заявления о несогласии на выезд из Российской Федерации несовершеннолетнего гражданина Российской Федерации (далее именуется - заявление).

Заявление подается лично одним из родителей, усыновителем, опекуном или попечителем несовершеннолетнего гражданина Российской Федерации (далее именуется - заявитель) в территориальный орган Федеральной миграционной службы по месту жительства (пребывания), либо в орган пограничного контроля, либо в дипломатическое представительство (консульское учреждение) Российской Федерации в случае, если заявитель постоянно проживает за пределами Российской Федерации.

Таким образом, в случае отсутствия заявления о несогласии на выезд из Российской Федерации несовершеннолетнего гражданина Российской Федерации совместно с одним из родителей, согласия на выезд ребенка за границу от второго родителя не требуется.

Прием детей до 15 лет

Уважаемые родители !
Администрация ГАУЗ МО «Химкинская стоматологическая поликлиника» просит во избежание конфликтных ситуаций внимательно ознакомиться с данной информацией.

  • В детской поликлинике не допускается оказание медицинской помощи (опрос, осмотр, медицинские манипуляции, исследования, лечебные процедуры и т.д.) несовершеннолетним детям без присутствия родителей или законных представителей, поскольку:
  • Забота о детях – обязанность родителей (ст.38 Конституции РФ)
    Ребенок имеет право на защиту своих прав и законных интересов, которые осуществляют родители или законные представители (ст. 56 Семейного кодекса РФ).
  • Информированное добровольное согласие на медицинское вмешательство или отказ от него дает один из родителей или иной законный представитель несовершеннолетнего (ч.2 ст.20 Федерального закона № 323-ФЗ).
  • Несовершеннолетние дети старше 15 лет вправе самостоятельно оформлять согласие на медицинское вмешательство.  (ст.20 Федерального закона № 323-ФЗ «Об основах охраны здоровья граждан в РФ»).
  • Законными представителями несовершеннолетних являются родители, усыновители, опекуны (ст. 28 ГК РФ, ст. 64 СК РФ).
  • Неисполнение или ненадлежащее исполнение родителями (законными представителями) обязанностей, в том числе по защите прав и интересов несовершеннолетних, влечет предупреждение или наложение административного штрафа (ст. 5.35 КоАП РФ).

Дополнительно информируем:

  • Медицинские вмешательства несовершеннолетним без согласия родителей (законных представителей) допускаются только по экстренным показаниям, для устранения угрозы жизни человека и если его состояние не позволяет выразить свою волю (ст.20 Федерального закона № 323-ФЗ «Об основах охраны здоровья граждан в РФ»).
  • Родственники несовершеннолетних, не являющиеся родителями, опекунами или попечителями (бабушки, дедушки, братья, сестры, няни и т.д.) вправе знакомиться с медицинской документацией несовершеннолетнего, а также получать информацию о состоянии его здоровья исключительно с согласия законного представителя, оформленного надлежащим образом (п.4 ч.4 ст.13, п.4 ст.22 Федерального закона № 323-ФЗ),но не принимать решение о медицинском вмешательстве( осмотр, анестезия ,лечение,удаление, снятие слепков и т. д.)

 

статья 64 Семейного кодекса РФ с комментариями 2021 года

К важнейшим обязанностям родителей причисляется защита прав и интересов их малолетнего или несовершеннолетнего ребенка. Возлагая такого рода ответственность, государство подчеркивает, что в данном вопросе важен гражданский долг матери и отца, потому что дети – одна из самых незащищенных социальных категорий.

Содержание статьи:

Обязательства родителей по защите интересов и прав несовершеннолетнего

Статья 64 Семейного кодекса РФ, в частности ч. 1,  регламентирует ответственность родителей перед своими несовершеннолетними чадами в вопросах защиты их прав и интересов, предоставляя статус законных представителей. Данная ответственность возникает в силу того, что дети не являются с точки зрения закона дееспособными в полной мере, а все граждане до 6 лет расцениваются как абсолютно недееспособные.

В качестве представителя мать или отец автоматически получают полномочия защищать права и интересы в разбирательствах в суде или в спорных ситуациях, возникающих с посторонними лицами. Для этого не требуется составлять доверенность и заверять ее у нотариуса, достаточно просто предоставить свидетельство о рождении ребенка и документы, удостоверяющие личность.

Также Семейный кодекс, ст. 64 закрепляет принцип равенства, который в одинаковой мере накладывает обязательства по защите детей на отца и мать, позволяет им выступать представителями одновременно. Такого рода протекция может иметь различные формы и способы, которые будут зависеть от возраста подзащитного, совершенного в его адрес правонарушения, содержания применимой к конкретной ситуации статьи.

Если, по мнению гражданина, его опекуны злоупотребляют своими обязанностями, он может обратиться в органы опеки, а при наступлении 14-летнего возраста – направить соответствующее заявление в суд.  Его обращение будет проверено и, как часто происходит в подобных ситуациях, компетентные органы определяют наличие противоречий между детьми и их попечителями. В связи с этим часто обязанности матери и отца прекращаются, поскольку их исполнение может нанести ущерб интересам или правам несовершеннолетнего.

Законом установлено, что представителями не могут выступать те родители, которые были лишены родительского права частично или полностью. Также в аспекте гражданских правовых отношений полномочия попечителей регламентируются Гражданским кодексом Российской Федерации, а именно статьями 26, 28, 37, ст. 38 и 182. Мать или отец вправе оформлять сделки от лица детей до наступления их 14-летия, а после должны давать свое согласие (только в письменном виде) на осуществление тех манипуляций, которые ребенок не может выполнить самостоятельно.

Особенности статьи № 64 Семейного кодекса

Действующая редакция статьи № 64 имеет две части. В соответствии с ними, права и интересы несовершеннолетних должны защищаться родителями. Они выступают законными представителями в спорах с физическими или юридическими лицами, а также в судебных разбирательствах. Если органы опеки и попечительства определили факт разногласий в интересах детей и родителей, то последние лишаются своего права. В данной ситуации орган должен назначить иное лицо, которое сможет выступать на стороне подзащитного.

Достаточно серьезным аспектом выступает неопределенность в том, кто должен представлять интересы отпрыска, если его мать и отец живут раздельно. Поэтому нормы действующего закона подлежат более подробному рассмотрению. В случае возникновения вопросов лучше обратиться к юридическому консультанту, который хорошо знает систему судопроизводства.

Комментарий к статье о защите прав и интересов несовершеннолетних

Отстаивание прав и интересов ребенка в судебном порядке гарантируется каждому гражданину РФ, независимо от его возраста, что закреплено в статье 46 Конституции РФ и в семейном законодательстве. А основной юрисдикционной формой протекции несовершеннолетних является именно судебная. Комментарий к ст. 64 дает емкое пояснение закону и состоит из таких пунктов:

  1. В п.1 подчеркивается, что именно попечители обязаны выступать в роли защитников интересов своих отпрысков. Это право распространяется на все сферы общественной жизни и может быть использовано на территории любого государства.

Такая протекция не требует специальных полномочий, а именно –доверенности. Необходимо лишь предоставить документ, который подтвердит происхождение ребенка.

  1. Обязанностью матери и отца является защита интересов именно детей, а не своих собственных. В случае, когда были установлены факты противоречий (к примеру, в процессе приватизации жилья), то органы опеки и попечительства обязаны выбрать и назначить других объективных представителей для несовершеннолетнего.

Степень полномочий лица, представляющего интересы гражданина, определяется той правовой отраслью, которая задействуется в каждой конкретной ситуации.

Если речь идет о судебном разбирательстве, то государственная пошлина за процесс по защите прав и интересов детей не взимается.

Судебная практика


Решение по судебному разбирательству 2-226/2018. Гражданка М. направила иск в Дзержинский районный суд города Волгограда на имя гражданина П.. В нем была выражена просьба об установлении места жительства ребенка с описанием следующей ситуации. Истец и ответчик состояли в законном браке в период с 15.09.2015 по 23.03.2017 года. В это же время был рожден первый сын А.. После развода ответчик П. не участвовал в его обеспечении и воспитании, алиментное пособие не выплачивал.

Спустя короткое время отец проявил интерес к сыну и обратился к гражданке М. с просьбой забирать его к себе максимально на два выходных дня. Она такому общению не препятствовала и была рада любой помощи со стороны П.. Но в средине января 2018 года ответчик забрал несовершеннолетнего к себе и прекратил поддерживать связь с его матерью. Установить его местонахождение она не может. Обращение в органы опеки и попечительства, а также в правоохранительные структуры не дало никаких результатов.

Гражданка М. полагает, что П. удерживает сына незаконно, а также располагает информацией о том, что он не способен стать ответственным отцом и создать здоровую атмосферу для роста и развития подзащитного. Действия ответчика нарушают права А. на общение с матерью. Потому она просит суд установить место нахождения ребенка в данный момент, обязать П. вернуть несовершеннолетнего под ее опеку и определить место его постоянного проживания по адресу матери.

Согласно ст. 64 и 65 СК РФ, обязанность родителей защищать права и интересы своего отпрыска не может выполняться во вред физическому или психическому здоровью последнего. Учитывая необходимость общения сына и с матерью, и с отцом, но принимая во внимание тот факт, что отец не в состоянии обеспечивать ребенка, суд полностью удовлетворил иск гражданки М.. Позиция ответчика по делу была изучена следственным комитетом, и  считается голословной и безосновательной.

В судебной и юридической практике распространены случаи, когда дети нуждаются в защите от самих родителей, а не от посторонних лиц. Потому данную статью закона в конкретной ситуации нужно применять с учетом комментария по пункту 2 ст. 56 Семейного кодекса, что позволяет ребенку самостоятельно направлять жалобу в органы опеки или в суд.

Ставропольский социальный приют для детей и подростков "Росинка"

Права и обязанности родителей в отношении детей.
Осуществление родительских прав
 
Основанием возникновения прав и обязанностей родителей и детей является происхождение детей от родителей, удостоверенные в установленном законом порядке (ст. 47 СК РФ). При этом родительское правоотношение возникает между ребенком и каждым из родителей. Родители, как участники родительского правоотношения, наделены правами и обязанностями. Несовершеннолетних детей, закон наделяет только правами, их обязанности законом не предусмотрены. Большинство прав ребенка соотносится с обязанностями родителей.
Родительские права и обязанности имеют определенные особенности, которые обладают равными правами и несут равные обязанности в отношении своих детей (п. 1 ст. 61 СК РФ), при этом не имеет значения в зарегистрированном браке родился ребенок или нет, признано отцовство в добровольном порядке или установлено судом; родительские права и обязанности ограничены во времени, они прекращаются при достижении ребенком совершеннолетия либо приобретении ребенком полной дееспособности ранее восемнадцати лет (при эмансипации и вступлении в брак при снижении брачного возраста). Поскольку с момента приобретения дееспособности в полном объеме гражданин может своими действиями приобретать и осуществлять гражданские права, создавать для себя гражданские обязанности и исполнять их.

Правам родителей соответствуют их определенные обязанности: права и обязанности родителей по воспитанию и образованию детей (ст. 63 СК РФ), права и обязанности родителей по защите прав и интересов детей (ст. 64 СК РФ). Поэтому осуществление родительских прав является одновременно и исполнением обязанностей родителей.
В Семейном кодексе РФ закреплены следующие виды личных прав и обязанностей родителей:
1. Родители имеют право и обязаны воспитывать своих детей (п. 1 ст. 63 СК РФ).
2. Родители имеют преимущественное право на воспитание своих детей перед всеми другими лицами, включая и близких родственников ребенка (п. 1 ст. 63 СК РФ).
3. Родители обязаны заботиться о здоровье, физическом, психическом, духовном и нравственном развитии своих детей (п. 1 ст. 63 СК РФ). При этом родители не вправе причинять вред психическому и физическому здоровью своих детей и их нравственному развитию (п. 1 ст. 65 СК РФ).
4. Родители обязаны обеспечить получение детьми основного общего образования (п. 2 ст. 63 СК РФ).
5. Родители, с учетом мнения детей, имеют право выбора образовательного учреждения и формы обучения детей до получения ими основного общего образования (п. 2 ст. 63 СК РФ).
6. Родители имеют право и обязаны защищать права и интересы своих детей без специальных на то полномочий (п. 1 ст. 64 СК РФ).
7. Родители имеют право требовать возврата своего ребенка от любого лица, удерживающего его у себя не на основаниях закона или судебного решения (п. 1 ст. 68 СК РФ).
8. Родитель, проживающий отдельно от ребенка, имеет право на общее с ребенком, участие в его воспитании и решении вопросов получения ребенком образования (п. 1 ст. 66 СК РФ), а родитель, с которым проживает ребенок, не должен препятствовать реализации этого права.
9. Родитель, проживающий отдельно от ребенка, имеет право на получение информации о нем из воспитательных, лечебных учреждений, учреждений социальной защиты населения и других (п. 4 ст. 66 СК РФ).
В соответствии с Семейным кодексом РФ родители не только обязаны воспитывать своих детей, но и имеют на это право, тогда как ранее действовавший КоБС РСФСР (ст. 52) предусматривал только обязанность родителей по воспитанию своих детей. Под воспитанием ребенка понимается воздействие на его духовное и физическое развитие, обучение правилам поведения, обеспечение образования ребенка.
Родители имеют преимущественное право лично воспитывать своих детей. Будучи свободными в выборе методов и способов воспитания, они при этом должны исходить из интересов ребенка, общества и государства. Государство в свою очередь принимает меры по оказанию помощи родителям и другим лицам, воспитывающим детей.
Выполняя обязанность по получению детьми основного общего образования, родители имеют право выбора образовательного учреждения и формы обучения детей с учетом их мнения (п. 2 ст. 63 СК РФ). Данное право основано на положении ст. 26 Декларации прав человека о приоритетном праве родителей в выборе вида образования для своих малолетних детей. Закон РФ «Об образовании» в редакции Федерального закона от 13 января 1996 г. также предоставляет родителям право Однако необходимо учитывать, что избранная форма образования должна соответствовать единому государственному образовательному стандарту (ст. 10 Закона РФ «Об образовании»).
Права и обязанности родителей по защите прав и интересов детей (ст. 64 СК РФ) соотносятся с правом ребенка на защиту своих прав и законных интересов, закрепленного в ст. 56 СК РФ. Родители защищают не только права детей, предусмотренные семейным законодательством, но и права, закрепленные в нормах других отраслей права, а также интересы, которые вообще не входят в сферу правового регулирования. К предмету правового регулирования иных отраслей относятся жилищные права ребенка, наследственные права, право на охрану его жизни и здоровья, право на социальное обеспечение, право на защиту чести и достоинства и другие.
Родители являются законными представителями своих детей и выступают в защиту их прав и интересов в отношениях с любыми физическими и юридическими лицами, Способы защиты законных прав и интересов детей могут быть самыми разнообразными: родители могут принимать меры к предупреждению нарушений прав ребенка, могут требовать восстановления нарушенного права ребенка, могут выступать от имени несовершеннолетних в суде и т.п.
Исключением из правила, предусмотренного п. 1 ст. 64 СК РФ, являются случаи, когда между интересами родителей и детей имеются противоречия. В таких ситуациях родители не вправе представлять интересы ребенка в силу нормы п. 2 ст. 64 СК РФ. При наличии разногласий между родителями и детьми орган опеки и попечительства обязан назначить представителя для защиты прав и интересов детей.

Защита прав детей в семейных конфликтах « Управление образования, физической культуры, спорта и молодежной политики АКМР КЧР

Служба опеки и попечительства предназначена для осуществления исполнительно-распорядительных функций по опеке и попечительству над несовершеннолетними, в пределах переданных государственных полномочий, на территории Карачаевского муниципального района, обеспечения защиты личных неимущественных и имущественных прав и законных интересов детей-сирот и детей, оставшихся без попечения родителей, и несовершеннолетних, родители которых не обеспечивают их надлежащего воспитания и содержания, нуждающихся в поддержке государства; осуществление контроля за содержанием, воспитанием и образованием этой категории несовершеннолетних.
Ребенком является каждое человеческое существо до достижения восемнадцатилетнего возраста, если по закону, применимому к данному ребенку, он не достигает совершеннолетия ранее. Основным актом о правах ребёнка на международном уровне является Конвенция о правах ребенка. Конвенция принята в Нью-Йорке 20 ноября 1989 г. Она включает 54 статьи, которые детализируют индивидуальные права детей. Все права, входящие в Конвенцию, распространяются на всех детей.
В Конвенции ребенок впервые рассматривается как личность, имеющая права, которые государства, ратифицировавшие Конвенцию, обязаны «уважать и гарантировать «. Данное положение свидетельствует о том, что ребенок является особо уязвимым членом общества и потому, требует и заслуживает специальной защиты.
Конвенцией ребенок рассматривается как независимая личность. Конвенция характеризует ребенка как лицо, наделенное конкретными правами: право на жизнь (ст. 6), иметь семью (ст. 9), на имя и гражданство (ст. 7), на образование (ст.28), на защиту от насилия (ст. 19), на равенство, на свободу мысли и слова (ст. 13), на отдых и досуг (ст. 31), на медицинское обслуживание и заботу о здоровье (ст. 24), на помощь государства (ст. 18-27) и др.
Согласно данному документу все дети имеют право на развитие своих возможностей, свободу от голода и нужды, а также жестокости и других форм злоупотребления.
Конвенция о правах ребенка связывает возможности детей со всеми правами и обязанностями родителей или лиц, несущих за них ответственность. Исходя из этого, дети могут участвовать в принятии решений, которые способны затрагивать его настоящее и будущее.
Конвенция делает возможной для ребенка защиту своих прав с помощью национальных судебных или административных процедур (ст. 12).
Конвенция утверждает приоритет интересов детей, рассматривает принцип соблюдения прав и интересов всех детей без каких-либо исключений или какой-либо дискриминации (ст. 2). При этом согласно ст.ст. 5, 12 Конвенции, реализация ряда прав ребенка зависит от его возраста, зрелости и степени его развития; а согласно ст.ст. 20, 23, особые потребности признаются Конвенцией за инвалидами и детьми, постоянно или временно лишенными семьи.
Российская Федерация ратифицировала Конвенцию о правах ребенка 16 августа 1990 г.
За время прошедшее с момента ратификации Конвенции Россией, законодателями были предприняты значительные усилия по приведению российского законодательства в соответствие с Конвенцией.
Права ребенка в России регулируются такими законодательными документами, как:
• Конституция РФ; Семейный кодекс РФ;
• Законодательство РФ об охране здоровья граждан;
• Закон об основных гарантиях прав ребенка в РФ;
• Федеральный закон «Об образовании»;
• Закон о дополнительных гарантиях защиты детей-сирот и детей, оставшихся без родителей;
• Закон о социальной защите инвалидов в РФ.
• Федеральный закон об опеке и попечительстве
В развитие положения Конституции РФ о защите материнства, детства и семьи государством (ст. 38), гражданское, уголовное, административное и другие отрасли законодательства содержат нормы о защите прав ребенка.
Анализ действующего сегодня семейного законодательства России позволяет заключить, что оно было приведено в соответствие международным обязательствам России. Реализуя один из основных принципов и приоритетов российского семейного законодательства — законодательное обеспечение прав ребенка, Семейный кодекс РФ 1995 г. отводит правам несовершеннолетних детей целую главу (гл. 11 СК РФ).
Практически все нормы о защите семейных прав ребенка, закрепленные в ней, так или иначе, отражают требования Конвенции.
Глава 11 (ст. 54-60) Семейного Кодекса закрепляет за детьми такие основные права:
• право жить и воспитываться в семье;
• право на общение с родителями и родственниками;
• право на защиту;
• право на имя, отчество и фамилию;
• право выражать свое мнение;
• право на имя, отчество и фамилию;
• имущественные права, включая права собственника.
Обязанности детей в семье законодательно не определяются. Они устанавливаются только нормами нравственности, закон принудить ребенка к исполнению каких-либо обязанностей в семье не может.
Наиболее полная разработка прав ребенка в РФ представлена в законе об основных гарантиях прав ребенка.
Закон формулирует цели государственной политики в интересах детей (ст. 4), основные направления обеспечения прав ребенка в РФ (ст. 6-15).
В целом российское законодательство закрепляет все права, гарантированные ребенку Конвенцией.
В соответствии с п. 1 ст. 56 СК РФ ребенок тоже имеет право на защиту своих прав и законных интересов. Конечно же, он как особый субъект права в основном не в состоянии самостоятельно защищать свои права, прибегая к конкретным формам защиты. Но все же в соответствии со ст. 56 СК РФ ребенку предоставляется самостоятельная возможность обратиться в орган опеки и попечительства, а по достижении возраста 14 лет — в суд в случае нарушения его прав и интересов со стороны родителей и иных законных представителей, а равно при невыполнении или ненадлежащем выполнении родителями (одним из них) обязанностей по воспитанию, образованию, либо при злоупотреблении родительскими правами.
В целях восполнения недостающей у детей дееспособности закон вводит институт их законных представителей, которые и обязаны защищать права и интересы ребенка. Институт представительства регулирует отношения, в рамках которых одно лицо (представитель) в пределах имеющихся у него полномочий совершает юридически значимые действия от имени и в интересах другого лица (представляемого). При этом степень и границы участия законного представителя зависят от таких обстоятельств, как возраст ребенка, вид и основание связи между ребенком и законными представителями, правовое положение ребенка.
Так, п. 1 ст. 64 СК РФ возлагает защиту прав и интересов детей на их родителей: «Родители являются законными представителями своих детей и выступают в защиту их прав и интересов в отношениях с любыми физическими и юридическими лицами, в том числе в судах, без специальных полномочий».
Правовой защите со стороны родителей подлежит более широкий круг прав детей, чем содержащийся в СК РФ. Так, к ним относятся жилищные права ребенка, наследственные права, право на охрану его жизни и здоровья, право на социальное обеспечение, право на защиту чести и достоинства, а также другие права. Исключением из правила, предусмотренного п. 1 ст. 64 СК РФ, являются случаи, когда между интересами родителей и детей имеются противоречия. В таких ситуациях родители не вправе представлять интересы ребенка в силу нормы п. 2 ст. 64 СК РФ. Для защиты прав и интересов ребенка органами опеки и попечительства назначается представитель.
В соответствующих случаях законными представителями ребенка являются его усыновители, опекуны, попечители. Когда же родителей (лиц, их заменяющих) нет или они не выполняют своей миссии, обязанности по защите прав детей возлагаются на органы опеки и попечительства, прокурора и суд (п. 1 ст. 56 СК РФ).
Гарантией надлежащей защиты прав ребенка является установленная в п. 3 ст. 56 СК РФ обязанность всех должностных лиц или граждан, которым стало известно о нарушении прав ребенка, угрозе его жизни или здоровью, сообщить об этом органу опеки и попечительства по месту фактического нахождения ребенка.
Однако, учитывая то, что данная обязанность законодательно не подкреплена возможностью применения каких-либо санкций в отношении указанных лиц ее следует рассматривать лишь как закрепление должного поведения в интересах защиты прав и интересов детей и общества.
С момента принятия Конвенции о правах ребенка в 1989 году прошло более двадцати лет. Тем не менее, интерес к этому документу во всем мире не угасает. В настоящее время Конвенция является наиболее широко признанным международным документом по вопросам прав человека.
Особую актуальность Конвенция приобретает для России.
Государство признает детство важным этапом жизни человека и исходит из принципов приоритетности подготовки детей к полноценной жизни в обществе, развития у них общественно значимой и творческой активности, воспитания в них высоких нравственных качеств, патриотизма и гражданственности.
Дети являются неоценимым капиталом современного общества, поскольку связь поколений и взаимопонимание поколений — залог будущего — непременное условие стабильности мира, а значит ответственности сегодняшнего поколения перед потомками.
Существующий в государстве механизм защиты прав ребенка — это система социальных и правовых средств, применяемых для обеспечения реализации его прав.
Обеспечение функционирования данного механизма в значительной мере зависит от эффективности деятельности субъектов, осуществляющих защиту прав ребенка, и реализуемых ими форм.
На сегодняшний день проблему нарушения прав детей в обществе нельзя назвать полностью решенной. Политику по этому вопросу необходимо развивать и дальше, пересмотром и дополнением уже действующего законодательства, ужесточить наказание за насильственные действия над детьми, чаще проводить мероприятия по профилактике детского насилия среди взрослых, родителей и персонала, задействованного в сфере работы с детьми.
Особое внимание необходимо обратить на правовые аспекты проблемы раздельного проживания родителей, имеющих несовершеннолетнего ребенка, представляется весьма актуальным. При этом наибольший интерес представляет вопрос об особенностях осуществления родительских прав каждым из раздельно проживающих родителей. Место жительства ребенка при раздельном проживании родителей, например вследствие расторжения брака, может определяться по соглашению между родителями, а если таковое не достигнуто — в судебном порядке.
Последние годы увеличилось число рассмотренных судами споров по иску одного родителя к другому об определении места жительства ребенка:
Стремление родителей определить место жительства ребенка в судебном порядке обусловлено различными причинами.
Во-первых, наличие тяжелой конфликтной обстановки предшествует самой процедуре расторжения брака, которая является основным препятствием решения всех семейных вопросов во внесудебном порядке. Как правило, родители обращаются в суд именно потому, что не могут договориться
Во-вторых, разводящиеся супруги стремятся раз и навсегда разрешить конфликтную ситуацию, связанную с ребенком, надеясь, что после вынесения судом соответствующего решения спор о ребенке будет исчерпан.
В-третьих, бывшие супруги, которые не решили вопрос о месте жительства ребенка одновременно с расторжением брака, по прошествии времени обращаются в суд, стремясь к юридической определенности сложившейся ситуации.
В-четвертых, родители зачастую полагают, что с определением места жительства ребенка все вопросы его воспитания будут решаться тем из них, с которым проживает ребенок, в то время как проживающий отдельно родитель будет обязан только содержать ребенка и при этом не вправе будет вмешиваться в процесс воспитания.
Перечисленные причины выявлены специалистами в процессе изучения судебной практики по спорам о детях. Следует отметить, что общим, объединяющим все названные причины, является намерение родителя, желающего, чтобы ребенок проживал с ним, и обратившегося в суд с соответствующим иском, получить право единоличной опеки над ребенком, наличие которого позволило бы этому родителю самостоятельно, без согласования с проживающим отдельно родителем решать все вопросы, касающиеся ребенка. Тем самым побочным результатом определения места жительства ребенка зачастую становится разрыв отношений как между родителями, так и между отдельно проживающим родителем и ребенком.
В статье 66 СК РФ говорится о родителе, с которым проживает ребенок, и отдельно проживающем родителе. Это обстоятельство, а также само название статьи «Осуществление родительских прав родителем, проживающим отдельно от ребенка» делают возможным предположение, что отдельно проживающий родитель обладает меньшим объемом родительских прав в сравнении с родителем, который проживает с ребенком. Между тем из закона не следует, что после определения места жительства ребенка объем родительских прав каждого из родителей меняется. Более того, принцип равноправия родителей имеет особые формы реализации, одной из которых является выражение взаимного согласия
В соответствии с п. 2 ст. 65 СК РФ все вопросы, касающиеся воспитания и образования детей, решаются родителями по взаимному согласию, исходя из интересов детей и с учетом мнения детей. Законодатель предусматривает различные правовые конструкции выражения и учета взаимного согласия родителей при осуществлении ими родительских прав . Выражение взаимного согласия как форма реализации принципа равноправия родителей.
На самом деле отдельно проживающий родитель обладает меньшими возможностями при осуществлении родительских прав хотя бы потому, что другой родитель зачастую препятствует его общению с ребенком. Поэтому ст. 66 СК РФ направлена на защиту, а не на ограничение прав отдельно проживающего родителя независимо от того, имеется ли судебное решение об определении места жительства ребенка или нет. Полагаем, что судебное решение не только определяет место жительства ребенка, но и юридически закрепляет статус каждого из родителей, хотя формально равенство прав и обязанностей родителей сохраняется. Однако, решение вопроса о месте жительства ребенка влияет на объем осуществления родительских прав, в связи с чем наиболее полно правомочия по воспитанию ребенка осуществляет тот из родителей, с которым остался проживать ребенок.

Порядок и условия предоставления медицинской помощи

Порядок и условия предоставления населению медицинской помощи в государственном автономном учреждении здравоохранения «Краевой клинический кожно-венерологический диспансер».

Приказ об утверждении порядка и условий предоставления медицинской помощи в ГАУЗ «КККВД»

Приказ (pdf 5 mb)

Согласно Федеральному закону от 21.11.2011 № 323-ФЗ «Об основах охраны здоровья граждан в Российской Федерации», любые родственники ребенка на прием к врачу должны идти только со специальным согласием, от родителей или законных представителей, составленным письменно, причем заверять у нотариуса документ не обязательно.

Самостоятельное посещение врача подростком, без сопровождения родителей и без наличия доверенности (согласия) от них только в том случае, если ребенку уже исполнилось 15 лет. Несовершеннолетние старше 15 лет вправе самостоятельно оформлять согласие на медицинское вмешательство.

В случае если на приёме у доктора находится несовершеннолетний в возрасте до 15 лет без сопровождения взрослого и возникает необходимость назначения лечения, проведения каких-либо манипуляций, то без присутствия законного представителя врач этого сделать не сможет.

  • Родственники несовершеннолетних, не являющиеся родителями, опекунами или попечителями (бабушки, дедушки, братья, сестры, няни и т.д.) вправе знакомиться с медицинской документацией несовершеннолетнего, а также получать информацию о состоянии его здоровья исключительно с согласия законного представителя, оформленного надлежащим образом (п.4 ч.4 ст.13, п.4 ст.22 Федерального закона № 323-ФЗ).
  • Родственники несовершеннолетних, не являющиеся родителями, опекунами или попечителями (бабушки, дедушки, братья, сестры и т.д.) вправе знакомиться с медицинской документацией несовершеннолетнего, а также получать информацию, составляющую врачебную тайну (о состоянии здоровья и диагнозе несовершеннолетнего, о результатах обследования, наличии заболевания и прогнозе, методах лечения, связанном с ними риске, возможных вариантах медицинского вмешательства, их последствиях, результатах проведенного лечения и т.д.) исключительно с согласия законного представителя, оформленного надлежащим образом (п.4 ч.4 ст.13, п.4 ст.22 Федерального закона № 323-ФЗ «Об основах охраны здоровья граждан в Российской Федерации).
  • Информированное добровольное согласие на медицинское вмешательство или отказ от него дает один из родителей или иной законный представитель несовершеннолетнего (ч.2 ст.20 Федерального закона № 323-ФЗ).
  • Несовершеннолетние в возрасте старше пятнадцати лет или больные наркоманией несовершеннолетние в возрасте старше шестнадцати лет имеют право на информированное добровольное согласие на медицинское вмешательство или на отказ от него в соответствии с Федеральным законом № 323-ФЗ.
  • Медицинские вмешательства несовершеннолетним без согласия родителей (законных представителей) допускаются только по экстренным показаниям, для устранения угрозы жизни человека и если его состояние не позволяет выразить свою волю (ст.20 Федерального закона № 323-ФЗ «Об основах охраны здоровья граждан в РФ»).
  • Законными представителями несовершеннолетних, не достигших 14-ти лет (малолетних), являются родители, усыновители, опекуны (ст. 28 ГК РФ, ст. 64 СК РФ).
  • Законными представителями несовершеннолетних в возрасте от 14 до 18 лет являются родители, усыновители, попечители (ст. 26 ГК РФ, ст. 64 СК РФ).
  • В детской поликлинике не допускается оказание медицинской помощи (опрос, осмотр, медицинские манипуляции, исследования, лечебные процедуры и т.д.) несовершеннолетним детям без присутствия родителей или законных представителей, поскольку:
    • Забота о детях – обязанность родителей (ст.38 Конституции РФ)
    • Ребенок имеет право на защиту своих прав и законных интересов, которые осуществляют родители или законные представители (ст. 56 Семейного кодекса РФ).

Неисполнение или ненадлежащее исполнение родителями (законными представителями) обязанностей, в том числе по защите прав и интересов несовершеннолетних, влечет предупреждение или наложение административного штрафа (ст. 5.35 КоАП РФ).

Законно ли ограничение доступа родителей в здание образовательного учреждения (школы/детского сада)? //

Как это согласуется с законным правом родителя представлять и защищать интересы своего ребенка?

В соответствии с ч. 1 ст. 64 СК РФ защита прав и интересов детей возлагается на их родителей. Родители являются законными представителями своих детей и выступают в защиту их прав и интересов в отношениях с любыми физическими и юридическими лицами, в том числе в судах, без специальных полномочий.

Согласно ч. 1 ст. 63 СК РФ родители имеют право и обязаны воспитывать своих детей, несут ответственность за их воспитание и развитие. Родители обязаны заботиться о здоровье, физическом, психическом, духовном и нравственном развитии своих детей. Кроме того, на основании ч. 2 ст. 63 СК РФ родители обязаны обеспечить получение детьми общего образования.

Положениями п. 31 ст. 2 Федерального закона от 29 декабря 2012 г. N 273-ФЗ "Об образовании в Российской Федерации" (далее — Закон N 273-ФЗ) определен круг лиц, признанных участниками образовательных отношений, в состав которых входят: обучающиеся, родители (законные представители) несовершеннолетних обучающихся, педагогические работники и их представители, организации, осуществляющие образовательную деятельность.

Перечень прав и обязанностей родителей, законных представителей несовершеннолетних в сфере образования установлен положениями ст. 44 Закона N 273-ФЗ. Так, в силу прямого указания п. 2 ч. 4 ст. 44 Закона N 273-ФЗ родители обязаны соблюдать правила внутреннего распорядка организации, осуществляющей образовательную деятельность, правила проживания обучающихся в интернатах, требования локальных нормативных актов, которые устанавливают режим занятий обучающихся, порядок регламентации образовательных отношений между образовательной организацией и обучающимися и (или) их родителями (законными представителями) и оформления возникновения, приостановления и прекращения этих отношений.

Отметим, что согласно ч. 1 ст. 28 Закона N 273-ФЗ образовательная организация обладает автономией, под которой понимается самостоятельность в осуществлении образовательной, научной, административной, финансово-экономической деятельности, разработке и принятии локальных нормативных актов в соответствии с Законом N 273-ФЗ, иными нормативными правовыми актами Российской Федерации и уставом образовательной организации. Таким образом, разработка и принятие правил внутреннего распорядка обучающихся, правил внутреннего трудового распорядка, иных локальных нормативных актов относятся к компетенции образовательной организации в установленной сфере деятельности (п. 1 ч. 3 ст. 28 Закона N 273-ФЗ).

При этом в силу п. 2 ч. 6 ст. 28 Закона N 273-ФЗ образовательная организация обязана создавать безопасные условия обучения, воспитания обучающихся, присмотра и ухода за обучающимися, их содержания в соответствии с установленными нормами, обеспечивающими жизнь и здоровье обучающихся, работников образовательной организации. Так, например, согласно п. 1 ч. 13 ст. 30 Федерального закона от 30 декабря 2009 г. N 384-ФЗ "Технический регламент о безопасности зданий и сооружений" для обеспечения защиты от несанкционированного вторжения в здания и сооружения в зданиях образовательных организаций должны быть предусмотрены меры, направленные на уменьшение возможности криминальных проявлений и их последствий.

Отметим, что ни Закон N 273-ФЗ, ни иные нормативно-правовые акты не содержат прямой нормы, предоставляющей право беспрепятственного прохода родителей в здание образовательной организации (детского сада, школы, интерната и т.д.). Не следует это и из положений ст. 64 СК РФ о законном представительстве родителей и других норм Семейного кодекса РФ. В этой связи рекомендуем обратить внимание на судебную практику, например апелляционное определение СК по гражданским делам Астраханского областного суда от 12 августа 2015 г. по делу N 33-2400/2015.

Вместе с тем родители не лишены возможности посещения образовательной организации при условии соблюдения ими правил внутреннего распорядка, утвержденных самой образовательной организацией, в том числе с учетом пропускного режима и установленного времени для общения с педагогами и руководством образовательного учреждения.

При этом согласно п. 2, 7, 8 ч. 3 ст. 44 Закона N 273-ФЗ родители (законные представители) несовершеннолетних обучающихся имеют право знакомиться с уставом организации, осуществляющей образовательную деятельность, лицензией на осуществление образовательной деятельности, со свидетельством о государственной аккредитации, с учебно-программной документацией и другими документами, регламентирующими организацию и осуществление образовательной деятельности, принимать участие в управлении организацией, осуществляющей образовательную деятельность, в форме, определяемой уставом этой организации, а также присутствовать при обследовании детей психолого-медико-педагогической комиссией, обсуждении результатов обследования и рекомендаций, полученных по результатам обследования, высказывать свое мнение относительно предлагаемых условий для организации обучения и воспитания детей.

На основании ч. 1 ст. 45 Закона N 273-ФЗ родители (законные представители) обучающихся также вправе:

1) направлять в органы управления организацией, осуществляющей образовательную деятельность, обращения о применении к работникам указанных организаций, нарушающим и (или) ущемляющим права обучающихся, родителей (законных представителей) несовершеннолетних обучающихся, дисциплинарных взысканий. Такие обращения подлежат обязательному рассмотрению указанными органами с привлечением обучающихся, родителей (законных представителей) несовершеннолетних обучающихся;

2) обращаться в комиссию по урегулированию споров между участниками образовательных отношений, в том числе по вопросам о наличии или об отсутствии конфликта интересов педагогического работника;

3) использовать не запрещенные законодательством Российской Федерации иные способы защиты прав и законных интересов.

Также следует отметить, что в соответствии с ч. 2 ст. 63 СК РФ, п. 1 ч. 3 ст. 44 Закона N 273-ФЗ родители имеют право выбора образовательной организации, формы получения детьми образования и формы их обучения с учетом мнения детей до получения ими основного общего образования. Поэтому при несогласии родителей (законных представителей) с условиями обучения, в том числе и с правилами внутреннего распорядка в конкретной образовательной организации, они вправе выбрать иное образовательное учреждение. Кроме того, при возникновении споров между образовательной организацией и родителями (законными представителями) последние в силу ч. 1 ст. 64 СК РФ, п. 5 ч. 3 ст. 44 Закона N 273-ФЗ вправе защищать права и законные интересы обучающихся, в том числе и в судебном порядке.

Ответ подготовил:

Эксперт службы Правового консалтинга ГАРАНТ

Парасоцкая Елена

Информационное правовое обеспечение ГАРАНТ

http://www.garant.ru

Многоканальный телефон: (347) 292-44-44

Свидетельство внезапного увеличения размера ядра протонного серебра-96

  • 1.

    Уорнер Д. Д., Бентли М. А. и Исакер П. В. Роль изоспиновой симметрии в коллективной ядерной структуре. Nat. Phys. 2 , 311–318 (2006).

    CAS Статья Google Scholar

  • 2.

    Cederwall, B. et al. Свидетельства наличия выровненной по спину спаренной фазы нейтрон-протон из структуры уровней 92 Pd. Природа 469 , 68–71 (2011).

    ADS CAS PubMed PubMed Central Статья Google Scholar

  • 3.

    Batist, L. et al. Изомерия в 96 Ag и нон-ираст уровни в 96 Pd и 95 Rh, изученные в распаде β . Nucl. Phys. А 720 , 245–273 (2003).

    ADS Статья CAS Google Scholar

  • 4.

    Mărginean, N. et al. Изомеры Yrast в 95 Ag, 95 Pd и 94 Pd. Phys. Ред. C 67 , 061301 (2003).

    ADS Статья CAS Google Scholar

  • 5.

    Lorusso, G. et al. Периоды полураспада основного и изомерного состояний в 97 Cd и астрофизическое происхождение 96 Ru. Phys. Lett. В 699 , 141–144 (2011).

    ADS CAS Статья Google Scholar

  • 6.

    Park, J. et al. Свойства распадающихся изомеров γ и изомерные отношения в области 100 Sn. Phys. Ред. C 96 , 044311 (2017).

    ADS Статья Google Scholar

  • 7.

    Муха И. и др. Протон-протонные корреляции наблюдаются в двухпротонной радиоактивности 94 Ag. Природа 439 , 298–302 (2006).

    ADS CAS PubMed PubMed Central Статья Google Scholar

  • 8.

    Schatz, H. et al. Конечная точка процесса r p по аккреции нейтронных звезд. Phys. Rev. Lett. 86 , 3471–3474 (2001).

    ADS CAS PubMed PubMed Central Статья Google Scholar

  • 9.

    Парих А., Хосе Дж., Сала Г. и Илиадис К. Нуклеосинтез при рентгеновских вспышках I типа. Прогр. Часть. Nucl. Phys. 69 , 225–253 (2013).

    ADS CAS Статья Google Scholar

  • 10.

    Фаэстерманн Т., Горска М. и Граве Х. Строение 100 Sn и соседних ядер. Прогр. Часть. Nucl. Phys. 69 , 85–130 (2013).

    ADS CAS Статья Google Scholar

  • 11.

    Кэмпбелл П., Мур И. Д. и Пирсон М. Р. Лазерная спектроскопия в физике ядерной структуры. Прогр. Часть. Nucl. Phys. 86 , 127–180 (2016).

    ADS CAS Статья Google Scholar

  • 12.

    Kreim, K. et al. Радиусы ядерных зарядов изотопов калия выше N = 28. Phys. Lett. В 731 , 97–102 (2014).

    ADS CAS Статья Google Scholar

  • 13.

    de Groote, R.P. et al. Измерение и микроскопическое описание нечетно-четного разнесения зарядовых радиусов экзотических изотопов меди. Nat. Phys. 16 , 620–624 (2020).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 14.

    Marsh, B.A. et al. Характеристика эффекта изменения формы в ядрах ртути. Nat. Phys. 14 , 1163–1167 (2018).

    CAS Статья Google Scholar

  • 15.

    Ekström, A. et al. Точные радиусы ядер и энергии связи за счет хирального взаимодействия. Phys. Ред. C 91 , 051301 (2015).

    ADS Статья CAS Google Scholar

  • 16.

    Гарсия Руис, Р. Ф. и др. Неожиданно большие зарядовые радиусы нейтронно-богатых изотопов кальция. Nat. Phys. 12 , 594–598 (2016).

    CAS Статья Google Scholar

  • 17.

    Елисеев С.С. и др. Фазовые измерения ионного циклотронного резонанса для короткоживущих нуклидов. Phys. Rev. Lett. 110 , 082501 (2013).

    ADS CAS PubMed PubMed Central Статья Google Scholar

  • 18.

    Мур, И. Д., Дендувен, П. и Эрье, Дж. Методика IGISOL - три десятилетия разработок. Сверхтонкое взаимодействие. 223 , 17–62 (2014).

    ADS CAS Статья Google Scholar

  • 19.

    Ferrer, R. et al. Лазерная ионизационная спектроскопия в газовой ячейке в окрестности 100 Sn: магнитные моменты и среднеквадратичный радиус заряда Н = 50-54 Ag. Phys. Lett. В 728 , 191–197 (2014).

    ADS CAS Статья Google Scholar

  • 20.

    Мишин В.В. и др. Химически селективный лазерный источник ионов для онлайн-установки масс-сепаратора CERN-ISOLDE. Nucl. Inst. Методы Phys. Res. В 73 , 550–560 (1993).

    ADS Статья Google Scholar

  • 21.

    Janas, Z. et al. Бета-распад нового изотопа 101 Sn. Phys. Scr. T56 , 262–265 (1995).

    ADS CAS Статья Google Scholar

  • 22.

    Кирхнер Р. Об эффективности выделения и ионизации систем улавливатель-источник ионов при разделении изотопов в оперативном режиме. Nucl. Instrum. Методы Phys. Res. Разд. B Луч Взаимодействие. Матер. Атомы 70 , 186–199 (1992).

    ADS Статья Google Scholar

  • 23.

    Reponen, M. et al. Лазерный источник ионов с горячим резонатором и индуктивным нагревом. Rev. Sci. Instrum. 86 , 123501 (2015).

    ADS CAS PubMed PubMed Central Статья Google Scholar

  • 24.

    Eronen, T. et al. JYFLTRAP: ловушка Пеннинга для прецизионной масс-спектроскопии и изобарной очистки. евро. Phys. J. A 48 , 46 (2012).

    ADS Статья CAS Google Scholar

  • 25.

    Döring, J. et al. Идентификация изомеров в ядре N = Z +1 95 Ag. Phys. Ред. C 68 , 034306 (2003).

    ADS Статья CAS Google Scholar

  • 26.

    Hornung, C. et al. Исследования изомеров в окрестности дважды магического ядра 100 Sn: обнаружение нового низколежащего изомерного состояния в 97 Ag. Phys. Lett. В 802 , 135200 (2020).

    CAS Статья Google Scholar

  • 27.

    Хагино, К., Роули, Н. и Круппа, А. Т. Программа для расчетов связанных каналов со связями всех порядков для реакций синтеза тяжелых ионов. Comput. Phys. Commun. 123 , 143–152 (1999).

    ADS CAS МАТЕМАТИКА Статья Google Scholar

  • 28.

    Чарити, Р. Джемини: код для моделирования распада составного ядра посредством серии бинарных распадов.Конференция INDC (NDS) –0530, МАГАТЭ, Международный центр теоретической физики Триест. http://inis.iaea.org/Search/search.aspx?orig_q=RN:40048000 (2008 г.).

  • 29.

    Бланк, Б., Канчел, Г., Сейс, Ф. и Делахай, П. Оценка расчетов сечения термоядерного испарения. Nucl. Instrum. Методы Phys. Res. Разд. B Луч Взаимодействие. Матер. Атомы 416 , 41–49 (2018).

    ADS CAS Статья Google Scholar

  • 30.

    Dinger, U. et al. Ядерные моменты и изменение зарядовых радиусов нейтронодефицитных изотопов серебра. Nucl. Phys. А 503 , 331–348 (1989).

    ADS Статья Google Scholar

  • 31.

    Cheal, B., Cocolios, T. E. и Fritzsche, S. Лазерная спектроскопия радиоактивных изотопов: роль и ограничения точных расчетов изотопного сдвига. Phys. Ред. A 86 , 042501 (2012).

    ADS Статья CAS Google Scholar

  • 32.

    Fricke, G. & Heilig, K. Радиусы ядерного заряда (Springer-Verlag, 2004).

    Google Scholar

  • 33.

    Анджели И. и Маринова К. П. Таблица экспериментальных радиусов заряда основного состояния ядра: обновление. атомных данных Nucl. Таблицы данных 99 , 69–95 (2013).

    ADS CAS Статья Google Scholar

  • 34.

    Гельдхоф, С. Разработки в области лазерной спектроскопии высокого разрешения и приложения к изотопам палладия. Диссертации, JYU 216. http://urn.fi/URN:ISBN:978-951-39-8156-3 (2020).

  • 35.

    Hammen, M. et al. От кальция к кадмию: проверка функции спаривания путем измерения радиусов заряда 100–130 Cd. Phys. Rev. Lett. 121 , 102501 (2018).

    ADS CAS Статья Google Scholar

  • 36.

    Gorges, C. et al. Лазерная спектроскопия нейтронно-богатых изотопов олова: неоднородность зарядовых радиусов на замыкании оболочки N = 82. Phys. Rev. Lett. 122 , 1 (2019).

    ADS CAS Статья Google Scholar

  • 37.

    Taniuchi, R. et al. 78 Ni раскрывается как дважды магическая твердыня против ядерной деформации. Природа 569 , 53–58 (2019).

    ADS CAS Статья Google Scholar

  • 38.

    Xie, L. et al. Зарядовые радиусы ядер 62−80 Zn и их зависимость от межоболочечных протонных возбуждений. Phys. Lett. В 797 , 134805 (2019).

    CAS Статья Google Scholar

  • 39.

    Charlwood, F.C. et al. Зарядовые радиусы ядер осколков деления молибдена. Phys. Lett. В 674 , 23–27 (2009).

    ADS CAS Статья Google Scholar

  • 40.

    Фаянс, С., Толоконников, С., Трыков, Э. и Завиша, Д. Ядерные изотопные сдвиги в рамках подхода с использованием локального функционала плотности энергии. Nucl. Phys. А 676 , 49–119 (2000).

    ADS Статья Google Scholar

  • 41.

    Кортелайнен, М.и другие. Оптимизация плотности ядерной энергии. Phys. Ред. C 82 , 024313 (2010).

    ADS Статья CAS Google Scholar

  • 42.

    Kortelainen, M. et al. Оптимизация плотности ядерной энергии: оболочечная структура. Phys. Ред. C 89 , 054314 (2014).

    ADS Статья CAS Google Scholar

  • 43.

    Рейнхард П.-Г., Назаревич, В. и Гарсиа Руис, Р. Ф. За пределами радиуса заряда: информационное содержание четвертого радиального момента. Phys. Ред. C 101 , 021301 (2020).

    ADS CAS Статья Google Scholar

  • 44.

    Miller, A.J. et al. Сверхтекучесть протонов и зарядовые радиусы в протонных изотопах кальция. Nat. Phys. 15 , 432–436 (2019).

    CAS Статья Google Scholar

  • 45.

    Koszorús, Á. и другие. Зарядные радиусы экзотических изотопов калия бросают вызов ядерной теории и магическому характеру N = 32. Nat. Phys. 17 , 439–443 (2021).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 46.

    Kirchner, R. et al. Интенсивные пучки изотопов индия, олова, таллия и свинца с разделением по массе, нейтронодефицитными. Nucl. Instrum. Методы Phys. Res. Разд. Accel. Спектром. Детекторы Associated Equip. 234 , 224–229 (1985).

    ADS Статья Google Scholar

  • 47.

    Schmidt, K. et al. Последние разработки в области массового сепаратора онлайн GSI. Nucl. Phys. А 701 , 272–277 (2002).

    ADS Статья Google Scholar

  • 48.

    Szerypo, J. et al. Бета-распад нейтронно-дефицитных изотопов индия четной массы: свидетельство заселения высоковозбужденных состояний в дочерних ядрах кадмия. Nucl. Phys. А 584 , 221–240 (1995).

    ADS Статья Google Scholar

  • 49.

    Schmidt, K. et al. Свойства распада очень нейтронодефицитных изотопов серебра и кадмия. Nucl. Phys. А 624 , 185–209 (1997).

    ADS Статья Google Scholar

  • 50.

    Schmidt, K. et al. Бета-распад 93 Pd. Европейский физический журнал A 8 , 303–306 (2000).

    ADS CAS Статья Google Scholar

  • 51.

    Федосеев В.В. и др. Получение ионных пучков и изучение радиоактивных изотопов с помощью лазерного источника ионов в ISOLDE. J. Phys. G Nucl. Часть. Phys. 44 , 084006 (2017).

    ADS Статья CAS Google Scholar

  • 52.

    Крон Т., Лю Ю., Рихтер С., Шнайдер Ф. и Вендт К. Высокоэффективная резонансная ионизация палладия титан-сапфировыми лазерами. J. Phys. B Atomic Mol. Опт. Phys. 49 , 185003 (2016).

    ADS Статья CAS Google Scholar

  • 53.

    Канеко, К., Сан, Й. и де Анжелис, Г. Повышение высокоспиновой коллективности в ядрах N = Z за счет изоскалярного нейтронно-протонного спаривания. Nucl. Phys. А 957 , 144–153 (2017).

    ADS CAS Статья Google Scholar

  • 54.

    Bissell, M. et al. Корреляции протон-нейтронного спаривания в самосопряженном ядре 38 K исследованы путем прямого измерения изомерного сдвига. Phys. Rev. Lett. 113 , 052502 (2014).

    ADS CAS PubMed PubMed Central Статья Google Scholar

  • 55.

    Ромеро, А. М., Добачевски, Дж. И Пасторе, А. Восстановление симметрии при описании спаривания протонов и нейтронов средним полем. Phys. Lett. В 795 , 177–182 (2019).

    MathSciNet CAS Статья Google Scholar

  • 56.

    Hinke, C. B. et al. Сверхразрешенный гамов-теллеровский распад дважды магического ядра 100 Sn. Природа 486 , 341–345 (2012).

    ADS CAS PubMed PubMed Central Статья Google Scholar

  • 57.{+} \) Переходные силы в Sn 106 и Sn 108 . Phys. Rev. Lett. 101 , 012502 (2008).

    ADS PubMed PubMed Central Статья CAS Google Scholar

  • 59.

    Morris, T. D. et al. Структура легчайших изотопов олова. Phys. Rev. Lett. 120 , 152503 (2018).

    ADS CAS PubMed PubMed Central Статья Google Scholar

  • 60.

    Дженкинс, Д. Г. Обзор свидетельств двухпротонного излучения высокоспинового изомера в 94 Ag. Phys. Ред. C 80 , 054303 (2009).

    ADS Статья CAS Google Scholar

  • 61.

    Зонненшайн, В., Мур, И. Д., Хан, Х., Похьялайнен, И. и Репонен, М. Определение характеристик двухэталонного Ti: сапфирового лазера с помощью резонансной ионизационной спектроскопии стабильных изотопов меди. Сверхтонкое взаимодействие. 227 , 113–123 (2014).

    ADS CAS Статья Google Scholar

  • 62.

    Verlinde, M. et al. О характеристиках измерителей длины волны: Часть 1 - последствия для лазерной спектроскопии среднего и высокого разрешения. заявл. Phys. В 126 , 85 (2020).

    ADS CAS Статья Google Scholar

  • 63.

    Кирхнер Р., Буркард К.Х., Хюллер, В. и Клеппер, О. Источники ионов для онлайн-сепаратора GSI. Nucl. Instrum. Методы Phys. Res. 186 , 295–305 (1981).

    ADS CAS Статья Google Scholar

  • 64.

    Rothe, S. et al. Достижения в области подавления поверхностных ионов от RILIS: к времяпролетному лазерному источнику ионов (ToF-LIS). Nucl. Instrum. Методы Phys. Res. Разд. B Луч Взаимодействие. Матер. Атомы 376 , 86–90 (2016).

    ADS CAS Статья Google Scholar

  • 65.

    Koivisto, H. et al. Новый ионный источник электронно-циклотронного резонанса с частотой 18 ГГц для высокозаряженных ионных пучков. Rev. Sci. Instrum. 91 , 023303 (2020).

    ADS CAS PubMed PubMed Central Статья Google Scholar

  • 66.

    Тарасов О.Б., Базин Д.LISE ++: изготовление экзотических пучков с разделителями фрагментов и их конструкция. Nucl. Instrum. Методы Phys. Res. Разд. B Луч Взаимодействие. Матер. Атомы 376 , 185–187 (2016).

    ADS CAS Статья Google Scholar

  • 67.

    Karvonen, P. et al. Секступольный ионный пучок для повышения эффективности и качества пучка в IGISOL. Nucl. Instrum. Методы Phys. Res. Разд. B Луч Взаимодействие. Матер. Атомы 266 , 4794–4807 (2008).

    ADS CAS Статья Google Scholar

  • 68.

    Nieminen, A. et al. Оперативное охлаждение и группировка ионов для коллинеарной лазерной спектроскопии. Phys. Rev. Lett. 88 , 094801 (2002).

    ADS CAS PubMed PubMed Central Статья Google Scholar

  • 69.

    Choi, H. et al. Лазерная ионизационная спектроскопия в газовой ячейке изотопов 195,196 Os с использованием многоотражательного времяпролетного масс-спектрографа. Phys. Ред. C 102 , 034309 (2020).

    ADS CAS Статья Google Scholar

  • 70.

    Нестеренко Д.А. и др. Метод ионно-циклотронного резонанса фазовой визуализации на масс-спектрометре с двойной ловушкой пеннинга JYFLTRAP. евро. Phys. J. A 54 , 154 (2018).

    ADS Статья CAS Google Scholar

  • 71.

    Savard, G.и другие. Новый метод охлаждения тяжелых ионов в ловушке Пеннинга. Phys. Lett. А 158 , 247–252 (1991).

    ADS CAS Статья Google Scholar

  • 72.

    Gins, W. et al. Анализ данных подсчета: разработка пакета SATLAS Python. Comput. Phys. Commun. 222 , 286–294 (2018).

    ADS CAS Статья Google Scholar

  • 73.

    Vormawah, L. J. et al. Изотопные сдвиги по данным коллинеарной лазерной спектроскопии двухзарядных изотопов иттрия. Phys. Ред. A 97 , 042504 (2018).

    ADS CAS Статья Google Scholar

  • 74.

    de Groote, R. et al. Модернизация эксперимента по коллинеарной лазерной спектроскопии в IGISOL. Nucl. Instrum. Методы Phys. Res. Разд. B Луч Взаимодействие. Матер. Атомы 463 , 437–440 (2020).

    ADS Статья CAS Google Scholar

  • 75.

    Стойцов М. и др. Аксиально деформированное решение уравнений Скирма-Хартри-Фока-Боголюбова с использованием преобразованного базиса гармонического осциллятора (ii) hfbtho v2.00d: новая версия программы. Comput. Phys. Commun. 184 , 1592 (2013).

    ADS CAS Статья Google Scholar

  • 76.

    Перес-Мартин, С. & Робледо, Л. М. Микроскопическое обоснование приближения равного заполнения. Phys. Ред. C 78 , 014304 (2008).

    ADS Статья CAS Google Scholar

  • STSW-LINK009 - ST-LINK, ST-LINK / V2, ST-LINK / V2-1, STLINK-V3 Драйвер USB, подписанный для Windows7, Windows8, Windows10

    Икс

    Что-то пошло не так с запросом сервера.Пожалуйста, попробуйте снова через пару минут.

    Описание проекта:

    Требуется описание проекта.

    Приложение:

    Требуется приложение.

    Конечное приложение:

    Пожалуйста, выберите дополнительное приложение Требуется конечное приложение.

    Характер деятельности:

    Учебный институт / университетДругой исследовательский центрИнвесторыКонсультантЧастный / личный пользовательПроизводитель оборудования OEMАутсорсинговый производительДистрибьютор компонентовРитейлеры Требуется характер бизнеса.

    По военным вопросам:

    Да Нет Наличие военного статуса.

    Страна / регион, в котором будет использоваться Программное обеспечение:

    AfghanistanAland IslandsAlbaniaAlgeriaAmerican SamoaAndorraAngolaAnguillaAntarticaAntigua и BarbudaArgentinaArmeniaArubaAscension IslandAustraliaAustriaAzerbaijanBahamasBahrainBangladeshBarbadosBelarusBelgiumBelizeBeninBermudaBhutanBissauBoliviaBonaire Синт-Эстатиус и SabaBosnia и HerzegovinaBotswanaBouvet islandBrazilBritish в Индийском океане TerritoryBritish Virgin IslandsBrunei DarussalamBulgariaBurkina FasoBurmaBurundiCambodiaCameroonCanadaCape VerdeCayman islandsCentral Африка RepublicChadChileChinaChristmas IslandCoco IslandsColombiaComorosCook IslandsCosta RicaCroatiaCubaCuracaoCyprusCzech RepublicDemocratic Республика CongoDenmarkDiego GarciaDjiboutiDominicaDominican RepublicEast TimorEcuadorEgyptEl SalvadorEquatorial GuineaEritreaEstoniaEthiopiaFaeroe IslandsFalkland IslandsFijiFinlandFranceFrench GuianaFrench PolynesiaFrench Южный и антарктический TerritoriesGabonGambiaGeorgiaGermanyGhanaGibraltarGreeceGreenlandGrenadaGuadeloupeGuamGuatemalaGuernseyGuineaGuyanaHaitiHeard I sland и McDonald IslandsHondurasHong KongHungaryIcelandIndiaIndonesiaIranIraqIrelandIsle из ManIsraelItalyIvory CoastJamaicaJapanJerseyJordanKazakhstanKenyaKiribatiKoreaKuwaitKyrgyzstanLaoLatviaLebanonLesothoLiberiaLibyaLiechtensteinLithuaniaLuxembourgMacaoMacedoniaMadagascarMalawiMalaysiaMaldivesMaliMaltaMarshall IslandsMartiniqueMauritaniaMauritiusMayotteMexicoMicronesiaMoldovaMonacoMongoliaMontenegroMontserratMoroccoMozambiqueMyanmarNamibiaNauruNepalNetherlandsNew CaledoniaNew ZealandNicaraguaNigerNigeriaNiueNorfolk IslandNorthern KoreaNorthern Mariana IslandsNorwayOmanPakistanPalauPalestinian territoriesPanamaPapua Нового GuineaParaguayPeruPhilippinesPitcairnPolandPortugalPuerto RicoQatarRepublic из CongoRéunionRomaniaRussiaRwandaSaint elenaSaint Китса и NevisSaint LuciaSaint Пьера и MiquelonSaint Винсента и GrenadinesSamoaSan MarinoSao Том и PrincipeSaudi ArabiaSenegalSerbiaSerbia и MontenegroSeychellesSierra LeoneSingaporesint maartenSlovakiaSloveniaSolomon IslandsS омалияЮжная АфрикаЮжная Грузия и Южные Сандвичевы островаЮжный СуданИспанияШри-ЛанкаСуданСуринамШпицберген и Ян-МайенСвазилендШвецияШвейцарияСирияТайваньТаджикистанТанзанияТаиландТимор-ЛестеТогоТокелауТонгаТринидад и острова ТобагоТунисТунисЮжные Виргинские островаУгандаУкраинаОбъединенные Арабские ЭмиратыВеликобританияСоединенные ШтатыМалые отдаленные острова СШАУругвайУзбекистанВануатуВатиканВенесуэлаВьетнамОстров УэйкУоллис и ФутунаЗападная СахараЙеменЗамбияЗимбабве Требуется страна / регион использования 908

    Запрос на программное обеспечение успешно отправлен.Процесс утверждения может занять до 48 часов. После утверждения вы должны получить ссылку на запрошенное программное обеспечение по электронной почте.

    Использование неионизирующих электромагнитных полей для лечения рака

    1. Дж. Дж. Тернер. Эд Командование ракетной артиллерии армии США. Уиппани, Нью-Джерси (1962)

    2. Arsonval: Influence de Ielectricite sur la cellule microbienne. Arch Physiol Norm Pathol 5, 664-669 (1893)

    3.Arsonval, A Charrin: Action des diverses modalites electriques sur les toxines bacteriennes. C R Seances Soc Biol Fil 3, 96-99 (1893)

    4. A Gosset, A. Gutmann, G Lakhovsky, I. Magrou: Essai de therapeutique du Cance Experiment des Plantes. C R Seances Soc Biol Fil 91, 626-628 (1924)

    5. Дж. Шерещевский: Действие токов очень высокой частоты на клетку ткани. Pub Health Rep 43, 927-945 (1928)
    DOI: 10.2307 / 4578796

    6.У. Кертис, Ф. Диккенс, С. Ф. Эванс: Специфическое действие ультракоротких беспроводных волн. Nature 138, 63-65, 591, 110-1101 (1936)
    DOI: 10.1038 / 1381100b0
    DOI: 10.1038 / 138063a0

    7. Р. В. Кристи: экспериментальное исследование диатермии. VI. Проведение высокочастотных токов через живую клетку. J Exp Med 48, 235-246 (1928)
    DOI: 10.1084 / jem.48.2.235
    PMid: 19869480 PMCid: PMC2131452

    8. В. Т. Шимановски, Р. А. Хикс: Биологическое действие токов сверхвысокой частоты. J Infect Dis 50, 1-25 (1932)
    DOI: 10.1093 / infdis / 50.1.1

    9. Патент США. Патент США 1.6.28.4.66 (1927)

    10. Патент США. Патент США 2.2.50.5.11 (1941)

    11. Ф. Х. Крузен, Дж. Ф. Херрик, К. Г. Ваким: Микрокиматотерапия: предварительный отчет об экспериментальных исследованиях тепловых эффектов микроволн (радаров) в живых тканях. . Встреча сотрудников Proc Mayo Clin 22, 209-224 (1947)

    12. Р. Х. Дж. Фоллис: Исследования биологического действия высокочастотных радиоволн (радар) AM J Physiol 147, 281 (1946)

    13.Патент США. Патент США 2.5.42.9.66 (1951)

    14. П.А. Рыжий: изобретение резонаторного магнетрона и его внедрение в Канаде и США. Phys Can , 321-328 (2001)

    15. Дж. Циммерман, Х. Хименес, MJ Pennison, I. Brezovich, D Morgan, A Mudry, FP Costa, A Barbault, B Pasche: Целевое лечение рака с помощью радиочастотных электромагнитных полей, амплитудно-модулированных на частотах, специфичных для опухоли. Chin J Cancer 32, 573-581 (2013)
    DOI: 10.5732 / cjc.013.10177
    PMid: 24206915 PMCid: PMC3845545

    16. К. Г. Ваким, Дж. Ф. Херрик, Г. М. Мартин, Ф. Х. Крузен: терапевтические возможности микроволн. J Am Med Assoc 139, 989-993 (1949)
    DOI: 10.1001 / jama.1949.020019006
    PMid: 18113906

    17. E L Ginzton: Microwaves. Science 127, 841-851 (1958)
    DOI: 10.1126 / science.127.3303.841
    PMid: 17733817

    18. Дж. Т. Маклафлин: Разрушение тканей и смерть от микроволнового излучения (радар) Calif Med 86, 336- 339 (1957)
    DOI: 10.1097 / 00006534-195708000-00021

    19. CI Barron, AA Baraff: Медицинские аспекты воздействия микроволн (радар) J AM Med Assoc 168, 1194-1199 (1958)
    DOI: 10.1001 / jama.1958.030000

  • 006
    PMid : 13587196

    20. П. Бейли: Радиация высокой интенсивности вызывает судороги и смерть обезьяны. Авиационная неделя 29-30 мая (1959)

    21. В. Савицкий, К. Островский: Нетепловое воздействие микроволнового излучения in vitro на тучные клетки брюшины крысы. Am J Phys Med 47, 225-234 (1968)
    DOI: 10.1097 / 00002060-196810000-00002
    PMid: 4175787

    22. Дж. Р. Хамер: Влияние низкоуровневых низкочастотных электрических полей на время реакции человека. Commun Behav Biol 2, 217-222 (1968)

    23. Р. Дж. Гавалас, Д. О. Вальтер, Дж. Р. Хамер, В. Р. Адей: Влияние низкоуровневых и низкочастотных электрических полей на ЭЭГ и поведение неместрины макаки. Brain Res 18, 491-501 (1970)
    DOI: 10.1016 / 0006-8993 (70)

    -0

    24.С. М. Бавин, Р. Дж. Гавалас-Медичи, В. Р. Адей: Влияние модулированных высокочастотных полей на определенные ритмы мозга у кошек. Brain Res 58, 365-384 (1973)
    DOI: 10.1016 / 0006-8993 (73)

    -5

    25. С. М. Бавин, Л. К. Качмарек, В. Р. Адей: Влияние модулированной УКВ на центральную нервную систему. Ann. Акад. Sci. 28, 74-81 (1975)
    DOI: 10.1111 / j.1749-6632.1975.tb35984.x

    26. Шеппард А.Р., Бавин С.М., Адей WR: Модели дальнего порядка в макромолекулах головного мозга: Влияние суб- КНЧ и модулированных полей УКВ и УВЧ. Radio Sci 6s, 141-145 (1979)
    DOI: 10.1029 / RS014i06Sp00141

    27. RJ Gavalas, DO Walter, J Hamer, WR Adey: Влияние низкоуровневых низкочастотных электрических полей на ЭЭГ и поведение в Macaca nemestrina. Brain Res. Bull 18, 491-501 (1970)
    DOI: 10.1016 / 0006-8993 (70)

    -0

    28. А.Г. Суббота: Влияние импульсного электромагнитного поля сверхвысокой частоты (СВЧ) на высшую нервную деятельность. собак. Bull Exp Biol Med. 46, 1206-1211 (1957)
    DOI: 10.1007 / BF00788065

    29. learnurselfece. Цифровая электроника Базовая электроника, встроенные системы и СБИС (2012)

    30. Ч. Ф. Блэкман: ​​Лечение рака с помощью амплитудно-модулированных электромагнитных полей: опять же потенциальный сдвиг парадигмы? Br J Cancer 106, 241-242 (2012)
    DOI: 10.1038 / bjc.2011.576
    PMid: 22251967 PMCid: PMC3261673

    31. FP Costa, AC Oliveira, R Meirelles, MCC Machado, T. Zanesco, R Surjan, MC Chammas, M Souza Rocha, D Morgan, A Cantor, J Zimmerman, I. Brezovich, N Kuster, A Barbault, B Pasche: Лечение прогрессирующей гепатоцеллюлярной карциномы с очень низкими уровнями амплитудно-модулированных электромагнитных полей. Br J Cancer 105, 640-648 (2011)
    DOI: 10.1038 / bjc.2011.292
    PMid: 21829195 PMCid: PMC3188936

    32. CF Blackman, SG Benane, JA Elder, DE House, JA Lampe, JM Faulk: Индукция оттока ионов кальция из ткани мозга радиочастотным излучением: влияние количества образцов и частоты модуляции на окно плотности мощности. Bioelectromagnetics 1, 35-43 (1980)
    DOI: 10.1002 / bem.2250010104
    PMid: 7284014

    33. WT Joines, CF Blackman: Детерминанты плотности мощности, интенсивности поля и несущей частоты кальция, индуцированного радиочастотной энергией. -ионный отток из тканей головного мозга. Bioelectromagnetics 1, 271-275 (1980)
    DOI: 10.1002 / bem.2250010303
    PMid: 7284025

    34. CF Blackman, SG Benane, DE House, WT Joines: эффекты ELF (1-120Hz) и Modulated ( 50 Гц) РЧ поля на выходе иона кальция из ткани мозга In vitro . Bioelectromagnetics 6, 1-11 (1985)
    DOI: 10.1002 / bem.2250060102
    DOI: 10.1002 / bem.2250060402
    PMid: 3977964

    35. SK Dutta, A Subramoniam, B Ghosh, R Parsha индуцированный отток ионов кальция из клеток нейробластомы человека в культуре. Bioelectromagnetics 5, 71-78 (1984)
    DOI: 10.1002 / bem.2250050108
    PMid: 6712751

    36. JL Schwartz, DE House, GAR Mealing: Воздействие на лягушачьи сердца CW или амплитудно-модулированные селективные поля VHF Выход ионов кальция на частоте 16 Гц. Bioelectromagnetics 11, 349-358 (1990)
    DOI: 10.1002 / bem.2250110409
    PMid: 2285418

    37. J Beik, Z Abed, FS Ghoreishi, S Hosseini-Nami, S. Mehrzadi, A Shakeri-Zade Камрава: Нанотехнологии в гипертермической терапии рака: от фундаментальных принципов к передовым приложениям. J Control Release 235, 205-221 (2016)
    DOI: 10.1016 / j.jconrel.2016.05.062
    PMid: 27264551

    38. Curley, SA, Marra, P., Beaty, K., Ellis, LM , Вотхи, Дж. Н., Абдалла, Е. К., Скайф, К., Раут, К., Вольф, Р., Чой, Х., Лойер, Э. Валлоне, П., Фиоре, Ф., Скордино, Ф., Де Роса , В., Орландо, Р., Пигната, С., Даниэле, Б., и Иззо, Ф. Ранние и поздние осложнения после радиочастотной абляции злокачественных опухолей печени у 608 пациентов. Ann Surg 239, 450-458 (2004)
    DOI: 10.1097 / 01.sla.0000118373.31781.f2
    PMid: 15024305 PMCid: PMC1356249

    39. Джиндал, Г., Фридман, М., Локкин, Дж. И Вуд, Б. Дж. Паллиативная радиочастотная абляция при рецидивирующем раке простаты. Cardiovasc Intervent Radiol 29, 482-485 (2006)
    DOI: 10.1007 / s00270-004-0200-8
    PMid: 16010507 PMCid: PMC2386884

    40. Rejinold, NS, Jayakumar, R. & Kim, Y.- С. Радиочастотно-чувствительные нанобиоматериалы для лечения рака. J Control Release 204, 85-97 (2015)
    DOI: 10.1016 / j.jconrel.2015.02.036
    PMid: 25744825

    41. Гэннон, С.Дж., Черукури, П., Якобсон, Б.И., Коннет, Л., Канциус, Дж. С., Киттрелл, К., Вейсман, Р. Б., Паскуали, М., Шмидт, Х. К., Смолли, Р. Э. и Керли, С. А. Термическое разрушение раковых клеток с помощью углеродных нанотрубок в неинвазивном радиочастотном поле. Рак 110 (2007)
    DOI: 10.1002 / cncr.23155

    42. Тамаров К.П., Осминкина Л.А., Зиновьев С.В., Максимова К.А., Каргина Ю.В., Гонгальский М.Б., Рябчиков, Ю., Аль-каттан, А., Свиридов, А.П., Сентис, М., Иванов, А.В., Никифоров, В.Н., Кабашин, А.В., Тимошенко, В.Ю. на основе сенсибилизирует для легкой терапии рака. Sci Rep 4 (2014)

    43. Коллинз, К. Б., Маккой, Р. С., Акерсон, Б. Дж., Коллинз, Г. Дж. И Акерсон, К. Дж. Пути радиочастотного нагрева наночастиц золота. нанометровый 6, 8459-8472 (2014)
    DOI: 10.1039 / C4NR00464G
    PMid: 24962620 PMCid: PMC4624276

    44.Моран, К. Х., Вайнерди, С. М., Черукури, Т. К., Киттрелл, К. и Уайли, Б. Дж. Джоулев нагрев наночастиц золота в зависимости от размера с использованием емкостно связанных радиочастотных полей. Nano Res 2, 400-405 (2009)
    DOI: 10.1007 / s12274-009-9048-1

    45. Reite, M., Higgs, L., Lebet, JP, Barbault, A., Rossel, C. ., Кустер, Н., Дафни, У., Амато, Д., и Паше, Б. Сон-индуцирующий эффект терапии с низким уровнем выбросов энергии. Bioelectromagnetics 15, 67-75 (1994)
    DOI: 10.1002 / bem.2250150110
    PMid: 8155071

    46. Лебет, Дж. П., Барбо, А., Россель, К., Томич, З., Райт, М., Хиггс, Л., Дафни, У., Амато, Д. ., & Паше, Б. Электроэнцефалографические изменения после низкоэнергетической эмиссионной терапии. Ann Biomed Eng 24, 424-429 (1996)
    DOI: 10.1007 / BF02660891
    PMid: 8734063

    47. Паше Б., Эрман М. и Митлер М. Диагностика и лечение бессонницы. N Engl J Med 323, 486-487 (1990)
    DOI: 10.1056 / NEJM1963230714
    PMid: 2374572

    48.Паше, Б., Эрман, М., Гайдук, Р., Митлер, М.М., Райт, М., Хиггс, Л., Кустер, Н., Россель, К., Дафни, У., Амато, Д., Барбо , А., и Лебет, Дж. П. Эффекты низкоэнергетической эмиссионной терапии при хронической психофизиологической бессоннице. Sleep 19, 327-336 (1996)

    49. Barbault, A., Costa, PF, Bottger, B., Munden, RF, Bomholt, F., Kuster, N., Pasche, B. Амплитудно-модулированный электромагнитные поля для лечения рака: открытие специфичных для опухолей частот и оценка нового терапевтического подхода. J Exp Clin Cancer Res 28, 51 (2009)

    50. Llovet, JM, Ricci, S., Mazzaferro, V., Hilgard, P., Gane, E., Blanc, JF, Oliveira, AC, Santoro , A., Raoul, JL, Forner, A., Schwartz, M., Porta, C., Zeuzem, S., Bolondi, L., Greten, TF, Galle, PR, Seitz, JF, Borbath, I., Хауссинджер, Д., Джаннарис, Т., Шан, М., Московичи, М., Волиотис, Д., и Бруикс, Дж. Сорафениб в запущенной гепатоцеллюлярной карциноме. N Engl J Med 359, 378-390 (2008)
    DOI: 10.1056 / NEJMoa0708857
    PMid: 18650514

    51. Cheng, AL, Kang, YK, Tsao, CJ, Qin, S., Kim, JS, Luo, R., Feng, J., Ye, S., Yang, TS , Сюй, Дж., Сун, Ю., Лян, Х., Лю, Дж., Ван, Дж., Так, Вайоминг, Пан, Х., Бурок, К., Цзоу, Дж., Волиотис, Д., И Гуан З. Эффективность и безопасность сорафениба у пациентов в Азиатско-Тихоокеанском регионе с запущенной гепатоцеллюлярной карциномой: рандомизированное, двойное слепое, плацебо-контролируемое исследование фазы III. Ланцет Онкол 10, 25-34 (2009)
    DOI: 10.1016 / S1470-2045 (08) 70285-7

    52. Циммерман, Дж. В., Пеннисон, М. Дж., Брезович, И., Йи, Н., Янг, Коннектикут, Рамакер, Р., Абшер, Д., Майерс, Р. М. , Kuster, N., Costa, FP, Barbault, A., & Pasche, B. Пролиферация раковых клеток ингибируется определенными частотами модуляции. Br J Cancer 106, 307-313 (2012)
    DOI: 10.1038 / bjc.2011.523
    PMid: 22134506 PMCid: PMC3261663

    53. Wong, ET, Lok, E., Swanson, KD, Gautam, S., Энгельгард, Х.Х., Либерман, Ф., Тайлиберт, С., Ram, Z. & Villano, J. L. Оценка ответа NovoTTF-100A по сравнению с химиотерапией по выбору врача при рецидивирующей глиобластоме. Cancer Med 3, 592-602 (2014)
    DOI: 10.1002 / cam4.210
    PMid: 24574359 PMCid: PMC4101750

    54. Davies, AM, Weinberg, U. & Palti, Y. Области лечения опухолей: новое рубеж в терапии рака. Ann N Y Acad Sci 1291, 86-95 (2013)
    DOI: 10.1111 / nyas.12112
    PMid: 23659608

    55. Novocure. (Сент-Хелиер, Джерси, 2014 г.)

    56.Ступп, Р., Тайлиберт, С., Каннер, А.А., Кесари, С., Стейнберг, Д.М., Томс, С.А., Тейлор, Л.П., Либерман, Ф., Сильвани, А., Финк, К.Л., Барнетт, Г.Х., Чжу , JJ, Henson, JW, Engelhard, HH, Chen, TC, Tran, DD, Sroubek, J., Tran, ND, Sroubek, J., Tran, ND, Hottinger, AF, Landolfi, J., Desai, R. , Caroli, M., Kew, Y., Honnorat, J., Idbaih, A., Kirson, ED, Weinberg, U., Palti, Y., Hegi, ME, & Ram, Z. Поддерживающая терапия с лечением опухолей Поля плюс темозоломид против одного темозоломида для глиобластомы JAMA 314, 2535-2543 (2015)

    57.Гилади, М., Шнейдерман, Р.С., Волошин, Т., Порат, Ю., Мюнстер, М., Блат, Р., Шербо, С., Бомзон, З., Урман, Н., Ицхаки, А., Кахал , S., Shteingauz, A., Chaudhry, A., Kirson, ED, Weinberg, U., & Palti, Y. Нарушение митотического веретена чередующимися электрическими полями приводит к неправильной сегрегации хромосом и митотической катастрофе в раковых клетках. Sci Rep 5, 16 (2015)
    DOI: 10.1038 / srep18046
    PMid: 26658786 PMCid: PMC4676010

    58. Хьюстон, Р. Л. Обзор электромагнитной активности в клеточной механике. Adv Biosci Biotechnol 7, 360-371 (2016)
    DOI: 10.4236 / abb.2016.79035

    59. Kawanabe, Y. & Nauli, S. M. Участие внеклеточного притока Ca2 + через независимые от напряжения каналы Ca2 + в функции эндотелина-1. Cell Signal 17, 911-916 (2005)
    DOI: 10.1016 / j.cellsig.2005.01.001
    PMid: 15894164

    60. Мамо, Я., Ангус, Дж., Зиогас, Дж., Содинг, П. Ф. и Райт , CE Роль кальциевых каналов, управляемых и не управляемых напряжением, в вызванном эндотелином вазоконстрикции церебральных артерий крыс. Eur J Pharmacol 742, 65-73 (2014)
    DOI: 10.1016 / j.ejphar.2014.09.002
    PMid: 25218985

    61. Buckner, CA, Buckner, AL, Koren, SA, Persinger, MA & Lafrenie , RM Подавление роста раковых клеток воздействием определенного изменяющегося во времени электромагнитного поля с участием кальциевых каналов T-типа. PLoS ONE 10 (2015)
    DOI: 10.1371 / journal.pone.0124136

    62. Томас, А.В., Кавальерс, М., Прато, Ф.С. и Оссенкопп, К.П. Импульсные магнитные поля, индуцированные «анальгезией» наземных улиток. Cepaea nemoralis, и эффекты µ, d и k агониста / антагониста опиоидных рецепторов. Пептиды 18, 703-709 (1997)
    DOI: 10.1016 / S0196-9781 (97) 00004-1

    63. Zamponi, GW, Lory, P. & Perez-Reyes, E. Роль потенциалзависимого кальция каналы при эпилепсии. Pflugers Arch 460, 395-403 (2010)
    DOI: 10.1007 / s00424-009-0772-x
    PMid: 200

    PMCid: PMC3312315

    64. See, V., Rajala, NKM, G., SD & White , MRH Кальций-зависимая регуляция клеточного цикла с помощью нового пути MAPK-NF-kappB в швейцарских клетках 3T3. J Cell Biol 166 (2004)

    65.Резенде, Р. Р., Адхикари, А., Коста, Дж. Л., Лоренкон, Э., Ладейра, М. С., Гуатимосим, ​​С., Кихара, А. Х., Ладейра, Л. О. Влияние спонтанных кальциевых событий на развитие клеточного цикла в эмбриональной карциноме и взрослых стволовых клетках. Biochim Biophys Acta 1803, 246-260 (2010)
    DOI: 10.1016 / j.bbamcr.2009.11.008
    PMid: 19958796

    66. Amato, D. & Pasche, B. Оценка безопасности низкой энергии эмиссионная терапия (опечатка опубликована в Compr Ther 1994; 20 (12): 681) Compr.Ther. 19, 242-247 (1993)

    67. Lee, J., Kim, D. & Shin, H.-S. Отсутствие дельта-волн и нарушения сна во время сна с медленным движением глаз у мышей, лишенных субъединицы a1g кальциевых каналов Т-типа. PNAS 101, 18195-18199 (2004)
    DOI: 10.1073 / pnas.0408089101
    PMid: 15601764 PMCid: PMC539778

    68. Bawin, SM & Adey, WR Чувствительность связывания кальция в низкочастотной колебательной ткани головного мозга в окружающей среде Электрические поля. Proc Natl Acad Sci USA 73, 1999-2003 (1976)
    DOI: 10.1073 / pnas.73.6.1999
    PMid: 1064869 PMCid: PMC430435

    69. Адей, У. Р., Бавин, С. М. и Лоуренс, А. Ф. Влияние слабых амплитудно-модулированных микроволновых полей на отток кальция из коры головного мозга бодрствующей кошки. Bioelectromagnetics 3, 295-307 (1982)
    DOI: 10.1002 / bem.2250030302
    PMid: 6812594

    70. Blackman, CF, Elder, JA, Weil, CM, Benane, SG, Eichinger, DC, & House, Д.Е. Индукция оттока ионов кальция из тканей мозга радиочастотным излучением. Bioelectromagnetics 1, 277-283 (1979)
    DOI: 10.1002 / bem.2250010304

    71. Blackman, CF, Benane, S., Kinney, LS, Joines, WT & House, DE Влияние полей КНЧ на кальций. ионный отток из тканей мозга in vitro . Radiat Res 92, 510-520 (1982)
    DOI: 10.2307 / 3575923
    PMid: 7178417

    72. Blackman, CF, Benane, SG, House, DE & Joines, WT Эффект ELF (1–120 Гц) и модулированные (50 Гц) радиочастотные поля на выходе ионов кальция из ткани мозга in vitro. Bioelectromagnetics 6, 1-11 (1985)
    DOI: 10.1002 / bem.2250060102
    DOI: 10.1002 / bem.2250060402
    PMid: 3977964

    73. Kirson, ED, Gurvich, Z., Schnekiderman, R. , Э., Ицхаки, А., Вассерман, Ю., Шацбергер, Р., и Палти, Ю. Нарушение репликации раковых клеток с помощью переменных электрических полей. Cancer Res 64, 3288-3295 (2004)
    DOI: 10.1158 / 0008-5472.CAN-04-0083
    PMid: 15126372

    74. Кирсон, Э. Д., Гилади, М., Гурвич, З., Ицхаки, А., Мордехович, Д., Шнайдерман, Р.С., Вассерман, Ю., Райффель, Б., Голдешер, Д., и Палти, Ю. Переменные электрические поля (TTFields) препятствуют метастатическому распространению солидных опухолей в легкие. . Clin Exp Metastasis 26, 633-640 (2009)
    DOI: 10.1007 / s10585-009-9262-y
    PMid: 19387848 PMCid: PMC2776150

    8230_series_after.pdf

    % PDF-1.6 % 11 0 объект > эндобдж 8 0 объект > поток 2018-10-20T21: 34: 09-04: 002018-10-20T21: 34: 44-04: 00Adobe Graphics Manager2018-10-20T21: 34: 44-04: 00Acrobat Distiller 10.Приложение 1.1 (Macintosh) / pdf

  • Дэвид Льюис
  • 8230_series_after.pdf
  • uuid: c8d04840-2bff-3041-8844-d458dc26a6a3uuid: d6eea6dd-7c1c-0e40-a434-2a23f29d4169 конечный поток эндобдж 12 0 объект > эндобдж 2 0 obj > эндобдж 4 0 obj > эндобдж 13 0 объект > эндобдж 88 0 объект > эндобдж 89 0 объект > эндобдж 107 0 объект > / ExtGState> / Font> / ProcSet [/ PDF / Text] >> эндобдж 78 0 объект > эндобдж 80 0 объект > эндобдж 81 0 объект > эндобдж 79 0 объект > эндобдж 82 0 объект > эндобдж 119 0 объект > эндобдж 120 0 объект > поток h ޼ {| sm & $ dA1 "" %% vXV44TC (bii + R "mFҪZUji {rIwbsyysN # 4Dw`sJ19YW ۆ" -? zc ֒ 7 D $.u Ph

    Введение в МЭМС и ВЧ-МЭМС: От первых дней микросистем до современных пассивных ВЧ-МЭМС - Глава книги

    Размышляя об электронике и задаваясь вопросом о сложности путей, с помощью которых она изменила наши привычки, ожидания и способы живя в последние несколько десятилетий, связь изобретения транзистора (Джоном Бардином, Уолтером Браттейном и Уильямом Шокли из Bell Labs в 1947 году) кажется довольно спонтанной как для людей, обладающих техническими навыками в полупроводниковых технологиях, так и для широкой публики. .Совершенно очевидно, что транзистор, как элементарный строительный блок любой электронной схемы, был и остается сегодня ключевым элементом, позволяющим реализовать более сложные и все более сложные функции / функции smart , выполняемые меньшими, более интегрированными и менее масштабными. энергоемкие устройства.

    Тем не менее, прежде чем перейти к обсуждению мира микросистем, необходимо вывести на первый план весьма важное соображение. В довольно эффективной попытке уменьшить сложность сильно разветвленного сценария транзистор выполняет две основные функции, поскольку он может использоваться как реле, т.е.е. переключатель ВКЛ / ВЫКЛ или в качестве усилителя, то есть устройства, способного увеличивать амплитуду электрического сигнала в соответствии с определенным законом пропорциональности. Ни одна из этих функций не была задействована, или изобрел транзистором. Первый переключатель или реле с электрическим приводом приписывают американскому ученому Джозефу Генри в 1835 году. Его разработка была обусловлена ​​развитием телеграфных технологий. С другой стороны, первый термоэмиссионный клапан для целей усиления был изобретен Джоном Амброузом Флемингом в 1904 году.Принимая во внимание этот сценарий, очевидно, что транзисторы и, в более общем плане, полупроводниковые технологии играли ключевую роль в разработке электронных устройств на протяжении десятилетий, без какого-либо влияния на новизну или сложность функции, реализуемой одним устройство по сравнению с его традиционным аналогом с вакуумным клапаном. Фактически ключевой особенностью полупроводниковых компонентов является миниатюризация, тесно связанная с простотой интеграции. Чтобы дать простую визуальную интерпретацию последней концепции, достаточно сосредоточиться на том факте, что вычислительная мощность современного смартфона 55 или 60 лет назад потребовала бы квартиры среднего размера, полной термоэмиссионных клапанов, реле и т. Д. провода и силовые кабели, подлежащие реализации.Фактически, миниатюризация и интеграция, обеспечиваемые полупроводниковыми технологиями, вызвали неумолимую тенденцию к увеличению реализованной сложности, уравновешенную умеренным и, следовательно, доступным разбросом производственных и производственных затрат, что хорошо отражено в законе Мура [1] . Что касается полноты, в последнем говорится, что с развитием технологий количество транзисторов, которые могут быть интегрированы в квадратный дюйм кремния, удваивается примерно каждые два года.

    С другой стороны, развитие микросистемных технологий шло по пути, который демонстрирует несколько общих факторов с полупроводниками, но также отличается от таких технологий по многим другим важным аспектам.

    Микросистемы, которые повсеместно упоминаются аббревиатурой MEMS (MicroElectroMechanical-Systems), представляют собой устройства миллиметрового / субмиллиметрового диапазона, реализующие определенную функцию преобразования между двумя (или более) отдельными физическими доменами, среди которых всегда задействован механический. Проще говоря, независимо от конкретной функции, для которой оно задумано, устройство МЭМС всегда имеет крошечные структурные части, которые перемещаются, изгибаются, растягиваются, деформируются и / или контактируют друг с другом. Эти особенности делают микросистемные устройства особенно подходящими для реализации самых разнообразных микродатчиков и исполнительных механизмов.

    На основе этих основных концепций теперь можно разработать несколько соображений относительно различий и сходств МЭМС и полупроводниковых технологий. Исходя из наиболее очевидных различий, в то время как полупроводниковые устройства активны, то есть способны усиливать электрический сигнал, МЭМС исключительно пассивны, то есть могут просто ослаблять электрический сигнал. Однако транзисторы не имеют подвижных или деформируемых частей, то есть они никогда не используют механическую / структурную область для реализации функций преобразования.

    С технологической точки зрения, МЭМС и полупроводники разделяют большинство этапов микропроизводства, как будет обсуждаться позже более подробно. Обе модели обладают селективным осаждением / удалением проводящих / изолирующих тонких пленок с помощью литографии, несмотря на несколько специфических этапов и последовательностей изготовления, которые типичны только для МЭМС.

    И МЭМС, и полупроводники преследуют концепцию миниатюризации. Однако, если полупроводниковые устройства, помимо уменьшения масштаба, реализуют в электрической / электронной области мультифизическую функцию традиционных компонентов, МЭМС часто миниатюризируют классические объекты, сохраняя их трансдукцию в физических областях.В этом отношении пример вышеупомянутого реле вполне объяснителен. Традиционный переключатель с электрическим приводом использует преобразование между электрической и механической областями для реализации функции ВКЛ / ВЫКЛ. Транзистор (когда он используется в качестве переключателя) полностью выполняет такую ​​функцию в электрической / электронной области. Напротив, переключатель MEMS коммутирует между состоянием ВКЛ / ВЫКЛ, соединяя механическую и электрическую области, аналогично традиционному устройству, несмотря на то, что первое на два или даже три порядка меньше по сравнению со вторым.

    Кроме того, что важно, концепция миниатюризации радикально разнообразна, когда речь идет о полупроводниковых и микросистемных (МЭМС) устройствах. В первом случае, как упоминалось ранее, тенденция к уменьшению масштабов сохраняется на протяжении десятилетий. Чтобы создать более обоснованную идею, в технологии комплементарных металлооксидных полупроводников (CMOS) эталонной геометрической характеристикой, характеризующей транзистор, является длина канала. В середине 1980-х годов такая длина составляла около 4 мкм, в середине 1990-х она составляла примерно 600 нм, в 2010 году достигла 30 нм, а в настоящее время значительно меньше 20 нм [2].Эта тенденция, в широком смысле, рассматривается с помощью фразы « More Moore », что указывает на существенную силу закона Мура.

    Концепция миниатюризации , воспроизводимая микросистемными технологиями, полностью отличается от описанного выше сценария. Во-первых, не существует такой вещи, как тенденция развития технологий и процессов с целью уменьшения размеров одного и того же устройства МЭМС из года в год. Вместо этого существует сильная движущая сила для реализации все большего количества функций, возможно, переносящих их из макро- в микромир.Другими словами, если бы транзистор был одним и тем же устройством в течение нескольких десятилетий, получая выгоду от того, что он все меньше и меньше по мере того, как он становится быстрее, потребляет меньше энергии, более интегрирован и т. Д., МЭМС представляет собой миниатюрный объект, который выигрывает от реализации большего и / или различные функции восприятия / приведения в действие / преобразование с помощью устройства примерно одинакового размера. Из-за этих характеристик микросистемы, а также другие нестандартные технологии, не упомянутые здесь для краткости, обычно обозначаются оборотом фразы « Больше, чем Мур » [3], что указывает на то, что их эволюция во времени не следует за Муром. закон, поскольку они не могут быть стандартизированы в соответствии с тенденцией развития, основанной исключительно на постоянном уменьшении размеров.

    В конце концов, с другой точки зрения, концепция миниатюризации радикально отличается в количественном отношении, а также в отношении полупроводников, а не микросистем. В то время как КМОП-транзисторы, как упоминалось ранее, сегодня имеют размер в несколько десятков нанометров, МЭМС-датчик / исполнительный механизм может иметь диапазон от нескольких микрометров (размеры в плоскости) до сотен микрометров или даже до нескольких миллиметров. Следовательно, если переключатель MEMS почти невидим невооруженным глазом по сравнению с традиционным реле, он будет массивным, если поместить его рядом с транзистором CMOS.

    В следующих подразделах будут рассмотрены несколько ключевых соображений, касающихся первых дней МЭМС, наиболее распространенных технологий микропроизводства и их рыночных приложений. Такие концепции помогут понять основную тему этой работы, которая будет представлена ​​сразу после, то есть MEMS для радиочастотных приложений, широко известных как RF-MEMS.

    1.1.1. Генезис МЭМС

    Как уже говорилось, возникла нестандартная особенность микросистем по отношению к полупроводникам.По этой причине развитие МЭМС в целом не шло по устоявшемуся пути, что затрудняло определение точного момента времени, соответствующего концепции микросистем.

    С технологической точки зрения этапы изготовления ключей развивались вместе с развитием полупроводниковых технологий, начиная с 1950-х годов. Тем не менее, использование таких технологий, направленных на производство микросистем, началось позже, в начале 1970-х годов. Развитие полупроводниковой технологии на основе кремния побудило научное сообщество исследовать, помимо критических аспектов, связанных с электрическими / электронными характеристиками, механические свойства материалов, используемых при производстве полупроводников.В этом отношении значительный вклад можно найти, например, в ценных работах нескольких авторов, касающихся механических свойств как объемных материалов [4], так и осажденных тонких слоев [5–7], датируемых с середины 1950-х до середины ХХ века. -1960-е гг. Тем не менее использование таких технологий, направленных на изготовление микроустройств с подвижными частями и мембранами, появилось позже, в период со второй половины 1970-х до начала 1980-х годов.

    Примеры использования анизотропного травления для получения различных трехмерных подвесных структур из кремниевой подложки приведены в [8].Такие методы, вместе с теми, которые обычно используются для изготовления транзисторов и интегральных схем (ИС), привели к реализации миниатюрных датчиков давления [9], акселерометров [10,11], переключателей [12,13] и других устройств для различные приложения, например, в оптической и биомедицинской областях. Замечательная статья, суммирующая современные микросистемные технологии и обеспечивающая всесторонний обзор различных приложений, была написана Петерсеном [14] в начале 1980-х годов.

    Тем не менее, именно с дальнейшим совершенствованием технологии изготовления поверхностной микромеханической обработки [15], развитие микросистем начало получать значительный импульс, что привело к концепции датчиков и исполнительных механизмов МЭМС, какими мы их знаем сегодня. Соответствующий вклад представлен работой Хоу и Мюллера [16] в 1983 г., в которой микрокантилеверы и балки с двойной опорой были реализованы в поликристаллическом кремнии и высвобождались в подвешенном состоянии над подложкой через оксид кремния, используемый в качестве расходуемого слоя.С тех пор было разработано, испытано и опубликовано в литературе большое количество датчиков, исполнительных механизмов и различных механизмов на основе МЭМС, таких как шестерни и микродвигатели [17–19].

    В дополнение к тому, что только что было описано, возникает еще один важный элемент различия между полупроводниковыми и микросистемными технологиями. Интеграция транзисторов в кремниевые подложки, с одной стороны, и новизна электрических / электронных свойств полупроводниковых материалов, с другой стороны, на протяжении десятилетий стимулировали агрегирование и укрепление отчетливой и беспрецедентной мультидисциплинарной области наука.В нем сошлись классическая физика и химия, в основном благодаря развитию технологий, а также математике и электротехнике, необходимых для функционального понимания новых устройств. Это привело к ускорению развития дисциплины в области электроники, которая сегодня включает в себя компьютерные коды для проектирования схем и систем, а также квантовую теорию для описания физического поведения современных полупроводниковых устройств. .

    С другой стороны, микросистемы вначале не процветали как хорошо структурированная дисциплина.По сути, возможность реализации механических микроустройств вначале рассматривалась как своего рода побочная ветвь все более стандартизированного потока производства полупроводников. Поскольку небольшое научное сообщество, работающее в области МЭМС, было в основном вовлечено в разработку транзисторов и активных устройств, консолидированный фон в области механики и строительной механики практически отсутствовал. Тем не менее, сообщество инженеров-механиков / инженеров-строителей не особо интересовалось и даже не восхищалось идеей перенести часть своего опыта в микромир , особенно с середины 1950-х до 1960-х годов, когда массовое развитие современных самолетов двигало исследование.Лишь намного позже, примерно в первой половине 1990-х годов, МЭМС начала формироваться как самостоятельная дисциплина, в которой базовые знания физики, химии, электроники и производства начали сочетаться со строительной механикой, электрооборудованием. механика и функциональная надежность. Такое утверждение подтверждается тем фактом, что в те годы начали появляться первые книги, научные журналы и международные конференции, явно посвященные микросистемам, чему способствовал рост отраслевого сообщества исследователей, дизайнеров, инженеров и разработчиков.

    1.1.2. Платформы для микропроизводства

    Производство полупроводниковых компонентов, таких как транзисторы, состоит из последовательности этапов, в которых различные дозы легирующих материалов выборочно имплантируются / рассеиваются внутри подложки (обычно кремния) для получения (локально) определенных электрических свойств. Такая же имплантация / диффузия или, альтернативно, рытье глубоких траншей могут быть выполнены для усиления изоляции и уменьшения перекрестных помех между соседними устройствами.Кроме того, проводящие и изолирующие слои выборочно осаждаются / выращиваются или осаждаются / выращиваются повсюду, а затем выборочно удаляются, чтобы перераспределить электрические сигналы от внутренних устройств во внешний мир. Наиболее важными этапами производства ИС являются ионная имплантация, диффузия, эпитаксиальный рост, химическое осаждение из паровой фазы / физическое осаждение из паровой фазы и их вариации, влажное и сухое травление, распыление, испарение и электроосаждение металлов. Выбор областей, которые должны пройти один или несколько из ранее перечисленных этапов, достигается с помощью литографии [20].Типичное поперечное сечение КМОП-транзисторов схематически показано на рисунке 1.1.

    Приблизить Уменьшить Сбросить размер изображения

    Рисунок 1.1. Схема КМОП транзисторов в разрезе [21].

    Загрузить рисунок:

    Стандартный образ Изображение высокого разрешения

    Глядя на поперечное сечение, необходимо учесть несколько соображений. Во-первых, внутреннее устройство выполнено из кремния , где различные легированные области (с различными электрическими / электронными свойствами) получают посредством вышеупомянутых этапов изготовления.Во-вторых, сами транзисторы очень малы, а металлические и изолирующие слои, расположенные над ними, необходимые для перераспределения электрических сигналов от каждого вывода транзистора во внешний мир, могут в несколько раз превышать размеры внутренних полупроводниковых устройств. На рисунке 1.1 стек завершен сверху металлическим шаром, необходимым для интеграции на уровне микросхемы, то есть для монтажа / сопряжения схемы CMOS в более сложную систему или подсистему.

    Микросистемы, как упоминалось ранее, производятся на основе (по большей части) этапов изготовления, обычно используемых при обработке полупроводников, даже несмотря на то, что они организованы в соответствии с различными последовательностями.Несмотря на то, что технология МЭМС не столь стандартизирована, как КМОП, можно выделить две различные последовательности обработки, которые являются наиболее распространенными как в исследованиях, так и в коммерческом производстве микросистем. Для полноты картины также существуют специализированные технологические платформы, сильно ориентированные на производство МЭМС. Такие решения позволяют достичь очень высоких соотношений сторон и чрезвычайно точных геометрических характеристик. Тем не менее, их ярко выраженная индивидуальная настройка заставляет их отвлекаться от CMOS-подобных процессов, что приводит к значительно более высоким затратам и более четко сформулированным проблемам с точки зрения интеграции с другими технологиями.Из-за их пригодности для нишевых приложений эти решения не будут обсуждаться в данной работе. Однако просто упомяну, что процесс литографии, гальваники и формования (на немецком языке, Lithographie, Galvanoformung, Abformung - LIGA) является одной из самых известных высокотехнологичных технологий производства МЭМС [22, 23].

    Возвращаясь к наиболее распространенным вышеупомянутым процессам изготовления МЭМС, их по существу два: поверхностная микрообработка и объемная микрообработка .

    В процессах микрообработки поверхности подложка (силикон или другие материалы) используется как своего рода плоскость первого этажа . Все селективное осаждение / удаление проводящих / изолирующих слоев выполняется над подложкой с помощью методов и этапов, упомянутых выше. С концептуальной точки зрения процесс поверхностной микрообработки принципиально не отличается от наложения слоев вышеупомянутой КМОП, изображенной на рисунке 1.1. Существенным дополнением к процессу микрообработки поверхности MEMS является то, что мембраны и подвижные части необходимо подвешивать в воздухе.Для этого необходим временный слой для механической поддержки микромембран во время их изготовления (например, посредством электроосаждения или распыления). Затем его необходимо удалить путем травления, чтобы освободить так называемые воздушные зазоры, то есть мембраны, подвешенные над подложкой и, следовательно, свободные для движения. Такая временная опора называется жертвенным слоем и может быть фоторезистивным материалом или тонкой пленкой, нанесенной в процессе обработки [24, 25]. Соответственно, можно констатировать, что при микрообработке поверхности устройства МЭМС изготавливаются поверх кремния .

    Типичное схематическое поперечное сечение процесса микрообработки поверхности MEMS показано на рисунке 1.2 (a), а микрофотография физических устройств MEMS на основе золота, изготовленных с использованием такого технологического решения [26], показана на рисунке 1.2 (b ).

    Приблизить Уменьшить Сбросить размер изображения

    Рисунок 1.2. (a) Схематическое сечение типичного процесса МЭМС микрообработки поверхности. (б) Микрофотография физических устройств MEMS, реализованных с помощью процесса поверхностной микрообработки на основе золота [26].

    Загрузить рисунок:

    Стандартный образ Изображение высокого разрешения

    В этом примере толщина кремниевой подложки составляет 625 мкм, воздушные зазоры составляют около 3 мкм, а толщина подвешенной золотой мембраны составляет от 2 мкм до 5 мкм. Каждая из МЭМС на рисунке 1.2 (b) имеет размеры в плоскости 2 мм на 0,7 мм.

    В процессах объемной микрообработки сама подложка (обычно, но не ограничиваясь этим, кремний) используется для реализации структурных частей МЭМС.Посредством выполнения селективного травления (удаления) специфических областей подложки, например На основе мокрого травления на основе гидроксида тетраметиламмония (TMAH) [27] или сухого травления методом глубокого реактивного ионного травления (DRIE) выпускаются тонкие и деформируемые мембраны [28]. Все еще сохраняя то же идиоматическое выражение, что и выше, можно сказать, что при объемной микрообработке устройства MEMS состоят из кремния . В свете обсуждений, развившихся до этого момента, объемная микрообработка МЭМС отличается от стандартных полупроводниковых процессов больше, чем поверхностная микрообработка.Если последнее решение для простых структур МЭМС является расширением набора слоев вышеупомянутого КМОП, то в первом случае в качестве конструкционного материала будет использоваться кремний (и его механические свойства). Совершенно очевидно, что кремниевые механические структуры устройств МЭМС, изготовленные с помощью объемной микрообработки, могут быть выполнены путем выборочного осаждения проводящих / изолирующих слоев, чтобы развернуть надлежащие электроды и линии питания, чтобы обеспечить электромеханическое преобразование.

    Типичное схематическое поперечное сечение процесса объемной микрообработки MEMS показано на рисунке 1.3 (a), в то время как изображение с помощью сканирующей электронной микроскопии (SEM) физического кремниевого EH-MEMS (MEMS для сбора энергии), реализованного с помощью такой технологии [29], показано на рисунке 1.3 (b).

    Приблизить Уменьшить Сбросить размер изображения

    Рисунок 1.3. (a) Схематическое сечение типичного процесса МЭМС объемной микрообработки. (b) СЭМ-изображение физических устройств EH-MEMS (MEMS для сбора энергии), реализованных с помощью процесса объемной микрообработки на основе кремния [29].

    Загрузить рисунок:

    Стандартный образ Изображение высокого разрешения

    В приведенном примере толщина исходной кремниевой подложки составляет 390 мкм, а после стадии травления кремниевые деформируемые мембраны имеют толщину 20 мкм. Диаметр подвешенного механического резонатора на рисунке 1.3 (b) составляет 8 мм.

    1.1.3. Применение датчиков и исполнительных механизмов МЭМС

    Чтобы завершить обзор технологий микросистем с общей точки зрения, и прежде чем приступить к углубленному обсуждению РЧ-МЭМС, приведем несколько ссылок и примеров рыночного использования датчиков МЭМС и исполнительных механизмов. будет кратко предоставлено.

    Прежде всего, следует отметить, что если микросистемные технологии начали развиваться в 1970-х годах (как обсуждалось ранее), то первый коммерческий продукт на основе МЭМС, а именно поверхностный микромашинный акселерометр от Analog Devices [30], только появился в начале 1990-х, почти два десятилетия спустя. Обоснование длительного срока вывода на рынок, характеризующего раннее использование МЭМС в области датчиков и исполнительных механизмов, представляет собой значительную мозаику, состоящую из множества плиток, которые характеризуются такими ключевыми моментами, как надежность [31], упаковка, интеграция, а также затраты и, наконец, что не менее важно, готовность рынка.Эти аспекты будут рассмотрены более подробно позже, при обсуждении RF-MEMS.

    Начиная с первого коммерческого акселерометра, упомянутого в [30], датчики и исполнительные механизмы на основе МЭМС начали распространяться в различные системы и устройства, обеспечивая их присутствие в значительных сегментах рынка. Сами акселерометры, например, в 1990-е годы стали фактическим стандартом в автомобильном секторе, использовав их в качестве датчиков замедления, активирующих надувание подушек безопасности в случае автомобильной аварии [32].Что касается актуаторов на основе микросистем, еще одно успешное использование технологии MEMS связано с микрозеркалами и, в частности, с их расположением в матрицах высокой плотности отдельных микроустройств. Микрозеркала MEMS используются в коммерческих целях со второй половины 1990-х годов для формирования оптических изображений на линзах проекторов, а также на экранах кинотеатров. В связи с этим хорошо известны цифровые микрозеркальные устройства (DMD) и названы так, потому что они управляются не аналоговым способом, а с помощью управляющих сигналов с двумя состояниями (ВКЛ / ВЫКЛ) [33, 34].

    В последние годы акселерометры и гироскопы MEMS, то есть инерционные устройства, чувствительные к вращению вокруг осей и к силе тяжести, испытали рост объемов рынка, значительно превышающий традиционное использование в автомобильном секторе. В последнее десятилетие, с появлением домашних игровых консолей, взаимодействующих с движением человека, а затем с массовым распространением смартфонов и планшетов, блоки инерциальных измерений (IMU) на основе MEMS стали стандартными компонентами, предоставляемыми широким кругом производителей оригинального оборудования. (OEM) [35].

    Просто упомянув несколько других классов устройств, МЭМС распространяются в области коммутации / мультиплексирования оптических сигналов (исполнительные механизмы), миниатюрных микрофонов (датчиков) и, несмотря на то, что они еще не полностью развиты, громкоговорителей (исполнительные механизмы), сборщиков энергии (EH). ) для источников окружающей среды (датчиков), датчиков давления / газа / температуры, тензодатчиков / датчиков деформации и т. д. Целевые области применения весьма разнообразны: от автомобильной до бытовой электроники, а также от космоса / обороны до медицины / здравоохранения.

    В конечном итоге можно с определенной уверенностью сказать, что в ближайшие годы тенденции в использовании МЭМС будут расти. Важнейшие парадигмы Интернета вещей (IoT) [36] и Интернета всего (IoE) потребуют наличия более компактных, дешевых, менее энергоемких, многофункциональных и более специализированных датчиков и исполнительных механизмов, которые должны быть интегрированы. во все возрастающем количестве в умных городах, зданиях, устройствах, фабриках, автомобилях, объектах, а также в человеческом теле, e.г. через Body Area Networks (BAN).

    Принимая во внимание сценарий, описанный ранее, исследования микросистемных технологий для реализации пассивных ВЧ компонентов являются более поздними. Первые научные достижения, связанные с использованием этапов технологии, подобных МЭМС, для ВЧ пассивных устройств, начали появляться в мире в начале 1990-х годов, то есть в то время, когда МЭМС-акселерометры зарекомендовали себя как ценные коммерческие продукты. Однако первые примеры реальных устройств RF-MEMS начали появляться в научной литературе только во второй половине 1990-х годов.

    На ранней стадии миниатюризация линий передачи микроволнового и миллиметрового диапазонов и их реализация в технологиях микромеханической обработки на основе кремния стала весьма многообещающей областью исследований [37] благодаря выдающимся характеристикам с точки зрения низких потерь и компактности. , по сравнению с традиционными решениями [38]. Возможность интеграции фиксированных функций манипулирования радиочастотным сигналом, например за счет реализации шлейфов [39], появившихся как дополнительная прочность кремниевых волноводов.Среди различных семейств доступных конфигураций линий передачи, хорошо известных на протяжении десятилетий [40], технологии микротехнологии особенно подходят для плоских устройств. Поэтому большая часть внимания и интереса к их миниатюризации была связана с реализациями линий передачи с копланарным волноводом (CPW) и микрополосками.

    Исходя из этих предпосылок, основные принципы вышеупомянутых конфигураций волноводов будут изложены синтетически. Трехмерное схематическое изображение волновода в компланарной (CPW) и микрополосковой конфигурации показано на рисунке 1.4 (а) и рисунок 1.4 (б) соответственно. В первом случае центральная металлизация действует как линии радиочастотного сигнала, в то время как два более широких металлизированных участка предназначены для использования в качестве опорных заземляющих поверхностей для проходящего радиочастотного сигнала. Центральная линия и плоскости заземления разделены зазором, и все металлические слои лежат на одной стороне подложки [41]. Когда радиочастотный сигнал распространяется по волноводу, электромагнитное поле ограничивается между центральной линией и плоскостями заземления, частично через диэлектрический материал под металлическими слоями и частично через воздух над ними.Очень часто тонкий изолирующий слой наносится на подложку перед гальваникой / испарением самого CPW. Это помогает снизить потери на субстрат. Вместо этого в микрополосковой конфигурации линия радиочастотного сигнала размещается поверх подложки, а уникальная эталонная заземляющая поверхность металлизируется на противоположной стороне пластины. В этом случае, когда радиочастотный сигнал распространяется по волноводу, электромагнитное поле в основном ограничено внутри подложки, между двумя металлическими слоями (сигнальная линия и заземляющая плоскость).

    Приблизить Уменьшить Сбросить размер изображения

    Рисунок 1.4. (a) Схематический трехмерный вид линии передачи в конфигурации копланарного волновода (CPW). (b) Схематический трехмерный вид линии передачи в микрополосковой конфигурации. (c) Эквивалентная сеть с сосредоточенными элементами линии CPW / микрополосковой линии. P 1 и P 2 - это оконечные устройства ввода / вывода соответственно. (d) Типичные S-параметры в зависимости от частотной характеристики CPW / микрополосковой линии, касающиеся отражения (S11 на P 1 ) и потерь через линию (S21 на P 2 ).

    Загрузить рисунок:

    Стандартный образ Изображение высокого разрешения

    Базовое описание сети с сосредоточенными элементами, полезное для моделирования радиочастотного поведения CPW и микрополосковых линий, предложено в [42] и показано на рисунке 1.4 (c). Через входные и выходные порты волновода P 1 и P 2 вставлены сопротивление и индуктивность, представляющие последовательный резистивный ( R линия ) и индуктивный ( L линия ) вклады металла. ВЧ линии соответственно.С другой стороны, емкость и сопротивление между шунтом и землей моделируют емкостную связь ( C gnd ) и резистивные потери ( R gnd ) между ВЧ линией и землей, соответственно. , через материал подложки и через воздух. Значения резистивной и реактивной составляющих на рисунке 1.4 (c) коррелируют с физическими свойствами линии передачи и могут быть параметризованы довольно просто, чтобы учесть наиболее важные геометрические особенности CPW или микрополосковой линии. волновода, такие как длина, зазор, толщина подложки и так далее [43].

    ВЧ поведение типичной CPW / микрополосковой линии с точки зрения параметров рассеяния (S-параметров) в зависимости от частоты [42] показано на рисунке 1.4 (d). Кривые получены в результате моделирования CPW с помощью программного инструмента метода конечных элементов (FEM) в диапазоне частот от постоянного тока до 60 ГГц. Параметр S11 указывает долю РЧ-сигнала, отраженного на входном порте CPW; и поскольку он невелик во всем диапазоне частот (лучше, чем -22 дБ), большая часть радиочастотного сигнала проходит в волновод.S11 и S22 (отражение на входных и выходных портах соответственно) особенно подходят для обеспечения индикации соответствия между характеристическим импедансом источника RF и линии передачи. Низкие значения S11 / S22 действительно означают хорошее согласование импеданса. Параметр S21 указывает количество РЧ-мощности, достигающей выходного порта CPW. Поскольку его наихудшее значение (около -0,9 дБ) довольно близко к 0 дБ (т. Е. Идеальным нулевым потерям), затухание РЧ-сигнала, вводимого через волновод, ограничено в целом по анализируемому диапазону частот.

    Помимо использования типичного этапа микрообработки поверхности, такого как выборочное осаждение тонких металлических пленок, начали изучаться дополнительные методы с целью улучшения радиочастотных характеристик миниатюрных CPW и микрополосковых линий. Например, в промежутке между линией радиочастотного сигнала и опорными заземляющими поверхностями были вытравлены мелкие траншеи, чтобы уменьшить потери из-за проникновения электромагнитного поля через подложку, как сообщается в [44]. В других примерах объемная микрообработка использовалась для удаления большей части кремниевой подложки, в результате чего получали CPW, подвешенные над тонкой мембраной, что приводило к значительному снижению потерь и паразитных эффектов связи, как обсуждалось в [45, 46].Вскоре после этого технология MEMS начала демонстрироваться для реализации микропереключателей [47] и переменных конденсаторов (варакторов) [48], а также настраиваемых фильтров [49], резонаторов [49] и программируемых фазовращателей [50], таким образом, мы приступаем к рассмотрению важной особенности реконфигурируемости. Все эти аспекты будут рассмотрены более подробно в следующих подразделах.

    1.2.1. Переключатели и простые пассивные элементы в технологии RF-MEMS

    На основании обсуждения, развитого в предыдущих разделах, очевидно, что реконфигурируемость определенного микросистемного устройства может быть обеспечена путем включения этапов изготовления, специально разработанных для такой цели.Вспоминая то, что было упомянуто в начале, в случае, когда используется процесс поверхностной микрообработки, таким этапом является использование временного слоя, предназначенного для определения, а затем освобождения подвешенных структур. Напротив, при объемной микрообработке структура МЭМС должна быть должным образом протравлена, чтобы ее можно было высвободить и дать ей возможность двигаться.

    На следующих страницах мы напомним несколько фундаментальных понятий, касающихся исполнительных механизмов. Далее будут рассмотрены примеры физических базовых пассивных компонентов RF-MEMS.

    Краткий обзор исполнительных механизмов

    С функциональной точки зрения мультифизическая связь, посредством которой контролируется механическое поведение подвижных частей RF-MEMS (и их характеристики изменяются), может происходить в основном в соответствии с четырьмя различными принципами срабатывания: электростатические, электромагнитные, пьезоэлектрические и термоэлектрические [51]. Мы кратко объясним эти различные механизмы.

    Электростатическое срабатывание .Необходимы два электрода, один фиксированный и один подвижный, и они должны быть обращены друг к другу, как в типичной конфигурации емкости с параллельными пластинами. Когда падение напряжения прикладывается к двум граням, сила электростатического притяжения заставляет подвижный электрод приближаться к неподвижному. Выше определенного порога смещения, называемого «втягивающим напряжением», подвижная часть схлопывается на нижележащую фиксированную. На рис. 1.5 показано схематическое поперечное сечение кантилеверного омического переключателя серии MEMS с электростатическим управлением [52].

    Приблизить Уменьшить Сбросить размер изображения

    Рисунок 1.5. (a) Схематическое сечение консольного омического переключателя серии MEMS, управляемого по электростатическому принципу, в исходном положении (выключенное состояние). (b) Схематическое поперечное сечение приведенного в действие или втянутого положения (состояние ВКЛ), когда напряжение смещения приложено между неподвижным и плавающим электродом.

    Загрузить рисунок:

    Стандартный образ Изображение высокого разрешения

    Более подробно рисунок 1.5 (а) сообщает о консольном переключателе в исходном положении (без смещения). В последнем состоянии клеммы ввода / вывода (T 1 и T 2 ) отключены, и микрореле находится в выключенном состоянии, что обозначено символом переключателя над схемой. Однако, когда между подвижным (Act 1 ) и фиксированным (Act 2 ) электродами возникает напряжение V смещения , превышающее порог втягивания, контакт между T 1 и T 2 замкнут, и переключатель переключается в состояние ВКЛ, как показано на рисунке 1.5 (б).

    Электромагнитное срабатывание . Подвешенная мембрана MEMS должна быть изготовлена ​​из ферромагнитного материала или покрыта им, чтобы быть чувствительной к изменениям магнитного поля. Кроме того, магнитное поле должно создаваться путем пропускания тока через катушку, и первая должна окружать деформируемую мембрану. Таким образом, при наложении тока смещения часть MEMS деформируется из-за взаимодействия между магниточувствительным материалом и внешним индуцированным магнитным полем [53].Схематическое поперечное сечение омического МЭМС-переключателя консольного типа, приводимого в действие посредством электромагнитного срабатывания, показано на рисунке 1.6.

    Приблизить Уменьшить Сбросить размер изображения

    Рисунок 1.6. (a) Схематический разрез консольного омического переключателя серии MEMS, управляемого по электромагнитному принципу, в исходном положении (состояние ВЫКЛ). (b) Схематическое поперечное сечение включенного или втянутого положения (включенное состояние), когда через катушку пропускается ток смещения, который индуцирует магнитное поле вокруг подвижной мембраны MEMS (покрытой сегнетоэлектрическим материалом).

    Загрузить рисунок:

    Стандартный образ Изображение высокого разрешения

    В частности, на рисунке 1.6 (a) схематично показан переключатель MEMS в исходном положении, то есть когда ток смещения не проходит через выводы Act 1 и Act 2 . В этом случае обнаруживается высокий импеданс между портами входа и выхода переключателя, названными T 1 и T 2 , и переключатель находится в ОТКРЫТОМ состоянии (состояние ВЫКЛЮЧЕНО). С другой стороны, когда через катушку проходит ток, вокруг МЭМС создается магнитное поле, и последняя деформируется, пока не достигнет втягивания, как показано на рисунке 1.6 (б). В таких обстоятельствах импеданс между T 1 и T 2 переключается на очень низкое значение из-за физического контакта между двумя металлическими участками под свободным концом консоли, и переключатель находится в ЗАКРЫТОМ состоянии (состояние ВКЛ.) .

    Пьезоэлектрический привод . Подвешенная мембрана MEMS должна быть покрыта тонкой пленкой материала, обладающего пьезоэлектрическими свойствами. Как известно, пьезоэлектрические материалы, которые в основном ведут себя электрически как изоляторы, проявляют свойство деформироваться / расширяться при падении напряжения на их противоположных поверхностях [54].Поскольку пьезоэлектрическая тонкая пленка обычно формируется над структурной частью МЭМС (сделанной из золота, серебра, меди и т. Д.), Ее расширение из-за пьезоэлектрического эффекта приводит к смещению вниз (индуцированному импульсом) [55]. Схематическое сечение консольного омического МЭМС-переключателя с пьезоэлектрическим срабатыванием показано на рисунке 1.7.

    Приблизить Уменьшить Сбросить размер изображения

    Рисунок 1.7. (a) Схематическое сечение консольного омического переключателя серии MEMS, управляемого по пьезоэлектрическому принципу, в исходном положении (выключенное состояние). (b) Схематическое поперечное сечение приведенного в действие или втянутого положения (включенного состояния), когда пьезоэлектрическая пленка подвергается действию напряжения смещения.

    Загрузить рисунок:

    Стандартный образ Изображение высокого разрешения

    В исходном положении MEMS, изображенном на рисунке 1.7 (a), переключатель находится в ОТКРЫТОМ (ВЫКЛЮЧЕННОМ) состоянии. Напротив, когда напряжение смещения накладывается между Act 1 и Act 2 , пьезоэлектрический материал расширяется и вызывает переключение микрореле в состояние ЗАКРЫТО (состояние ВКЛ) между T 1 и T 2 , как схематично показано на рисунке 1.7 (б).

    Термоэлектрический привод . В этом случае свойство теплового расширения материалов используется для приведения в движение подвижных частей МЭМС. Электрический ток проходит через подвешенную мембрану, которая нагревается из-за своего сопротивления и, следовательно, расширяется из-за повышения температуры [56]. В качестве альтернативы, тепловое расширение подвешенной мембраны также может быть вызвано генерированием тепла не непосредственно в самой части MEMS, а, например, путем встраивания микронагревателей под устройством.Это последнее решение позволяет использовать материалы с гораздо более высоким удельным сопротивлением (например, поликристаллический кремний), чем металлы, обычно используемые для структурных частей микросистемы (например, золото, медь, алюминий и т. Д.). Следовательно, достаточно пропустить через нагреватель достаточно слабый ток, чтобы получить желаемое повышение температуры [57, 58]. Схематическое поперечное сечение омического МЭМС-переключателя с кантилевером, приводимого в действие термоэлектрическим возбуждением, показано на рисунке 1.8.

    Приблизить Уменьшить Сбросить размер изображения

    Рисунок 1.8. (a) Схематическое сечение консольного омического переключателя серии MEMS, управляемого по термоэлектрическому принципу, в исходном положении (выключенное состояние). (b) Схематическое поперечное сечение задействованного или втянутого положения (состояние ВКЛ), когда ток смещения проходит через подвешенную мембрану, вызывая нагрев и последующее тепловое расширение структуры МЭМС.

    Загрузить рисунок:

    Стандартный образ Изображение высокого разрешения

    Более подробно на рисунке 1.8 (a) показано переключение в остальном, т.е.е. ОТКРЫТО, положение (состояние ВЫКЛЮЧЕНО). Напротив, когда напряжение смещения накладывается на Act 1 и Act 2 , ток проходит через MEMS, и выделяемое тепло приводит к переключению микрореле в положение ЗАКРЫТО (состояние ВКЛ), показанное схематично. на рисунке 1.8 (b).

    Среди рассмотренных механизмов электростатическое срабатывание, безусловно, является наиболее часто используемым для управления устройствами RF-MEMS. У этого выбора есть несколько причин. Одна из причин заключается в том, что на технологическом уровне электростатическое срабатывание не требует нанесения экзотических материалов, например.г. с пьезоэлектрическими или ферромагнитными свойствами, что упрощает производственный процесс и снижает затраты. Кроме того, на рабочем уровне такой метод управления не вызывает необратимых изменений механических свойств MEMS, которые могут произойти, например, при термоэлектрическом срабатывании. Кроме того, затраты энергии на управление устройствами MEMS ниже по сравнению с другими методами, среди которых термоэлектрические и электромагнитные срабатывания, безусловно, потребляют больше всего энергии.Как и в случае МЭМС с электростатическим управлением, необходимо избегать физического контакта между подвижным и неподвижным электродами, чтобы предотвратить короткое замыкание, чтобы ток не протекал через устройство, что приводило к фактическому нулевому потреблению энергии микрореле в обоих режимах ВКЛ. / ВЫКЛ. Фактически, небольшие утечки тока всегда присутствуют вдоль линий смещения постоянного тока. Тем не менее, они в любом случае приводят к очень ограниченному количеству энергии, необходимой для управления МЭМС. Кроме того, электростатическое срабатывание МЭМС будет часто упоминаться в практических примерах, показанных далее в этой работе.В свете всех этих соображений ниже кратко изложено дальнейшее техническое обсуждение электростатики.

    Электростатически управляемое устройство MEMS может быть эффективно представлено как конденсатор с параллельными пластинами, с одной фиксированной и одной подвижной пластинами, как описано в [59] и показано на рисунке 1.9.

    Приблизить Уменьшить Сбросить размер изображения

    Рисунок 1.9. (a) Схема устройства MEMS с электростатическим управлением в виде конденсатора с параллельными пластинами, с одной фиксированной пластиной, а другой подвижной, когда напряжение смещения не приложено ( В, b = 0).(b) Смещенная подвижная пластина, когда напряжение смещения ниже порога втягивания ( В b PI ) прикладывается к двум пластинам. (c) Свернутая (втянутая) подвижная пластина, когда напряжение смещения, равное или превышающее пороговое значение втягивания ( В b ≥ В PI ), приложено к двум пластинам.

    Загрузить рисунок:

    Стандартный образ Изображение высокого разрешения

    Схема параллельной пластины с одной степенью свободы (1 степень свободы) показана на рисунке 1.9 (а). Нижняя пластина закреплена механически, а верхняя соединена с механической пружиной, постоянная упругости которой составляет k . Пружина допускает перемещение по вертикальной оси x . Площадь обеих пластин составляет A , а их начальное расстояние составляет x 0 . Они погружены в воздух (диэлектрическая проницаемость ε воздух ), и влиянием силы тяжести на верхнюю пластину и пружину можно не учитывать.

    Когда напряжение смещения В b приложено к двум пластинам, и когда оно ниже порога втягивания ( В b PI ), ситуация описывается в фигура 1.9 (б). Из-за электростатического взаимодействия верхняя пластина перемещается вниз на x 1 . Сила электростатического притяжения F el выражается уравнением (1.1).

    В то же время, по-прежнему ссылаясь на рисунок 1.9 (b), пружина удлиняется на x 1 , создавая механическую восстанавливающую силу F mech , в отличие от F el , выражается законом Гука следующим образом:

    Такая ситуация относится к состоянию равновесия, поскольку при заданном V b PI , F mech противодействует F el , и подвижная пластина остается устойчиво на расстоянии, равном x 0 - x 1 от нижележащего неподвижного электрода.Тем не менее, следует отметить, что, в то время как F mech линейно зависит от расстояния между пластинами, обычно называемого воздушным зазором, F el зависит от его квадратного значения. Решая систему уравнений (1.1) и (1.2) относительно напряжения, можно получить втягивающее напряжение ( В PI ), выраженное следующим образом:

    Такой пороговый уровень смещения составляет подвижная пластина резко обрушивается над лежащей ниже неподвижной пластиной, как показано на рисунке 1.9 (в). Другими словами, вертикальное смещение верхней пластины к нижней можно регулировать аналогично, пока V b PI , что соответствует одной трети начального воздушного зазора ( x 0 ). С физической точки зрения, V PI является предельным уровнем, для которого F el становится слишком большим, чтобы противодействовать ему F , механизм , и система становится нестабильной.Поскольку рисунок 1.9 (c) представляет собой упрощенную схему, между двумя сложенными пластинами не обозначен изолирующий слой. Фактически, при втягивании следует избегать физического контакта, так как это приведет к короткому замыканию двух пластин. По этой причине в реальных МЭМС тонкий изолирующий слой (толщиной t ins ) всегда наносится над нижележащим неподвижным электродом. В качестве альтернативы или в сочетании с таким слоем, электрически плавающие стопоры (то есть возвышенные стойки) также могут быть развернуты, чтобы обеспечить зазор между втянутыми электродами.Как только происходит втягивание, если напряжение смещения постепенно уменьшается, существует другое пороговое значение, соответствующее освобождению (отсоединению) сжатой пластины, называемое напряжением отрыва ( В PO ), которое выражается как следующим образом:

    Как упоминалось ранее, поскольку F el зависит от квадрата приложенного напряжения, В PO обычно намного меньше, чем В PI . Это означает, что характеристика втягивания / вытягивания (срабатывание / отпускание) устройства МЭМС с электростатическим управлением демонстрирует определенный гистерезис, как это ясно видно из графика на рисунке 1.10.

    Приблизить Уменьшить Сбросить размер изображения

    Рисунок 1.10. Типичная характеристика втягивания / вытягивания, т. Е. Вертикальное смещение по сравнению с наложенным смещением, для устройства MEMS с электростатическим управлением.

    Загрузить рисунок:

    Стандартный образ Изображение высокого разрешения

    При уменьшении напряжения смещения сразу после отключения характеристика вертикального смещения повторно соединяется с ранее полученной для повышения В b уровней (конечно, ниже, чем В PI ).В конечном итоге, поскольку F el зависит от квадрата наложенного напряжения, как указано уравнением (1.1), характеристика втягивания / вытягивания не изменяется, если применяются уровни положительного или отрицательного смещения. Эта характеристика очевидна, если посмотреть на график на рисунке 1.10, который симметричен относительно вертикальной оси 0 В.

    Далее будут представлены примеры физических простых компонентов RF-MEMS, обсуждаемых в литературе. Ради единообразия в объяснении, все фотографии показанных физических образцов относятся к электростатически управляемым RF-MEMS устройствам, реализованным на той же платформе технологии поверхностной микрообработки, подробно описанной в [60, 61].На всех следующих микрофотографиях устройства MEMS и CPW / микрополосковые линии изготовлены из электроосажденного золота толщиной от 2 до 5 мкм. Толщина защитного слоя и, следовательно, воздушных зазоров всегда составляет около 3 мкм. Скрытый слой поликристаллического кремния (с высоким сопротивлением) используется для реализации фиксированных электродов смещения постоянного тока под подвешенными мембранами MEMS. Кроме того, дополнительный скрытый алюминиевый слой (с низким сопротивлением) используется для создания проходов радиочастотного сигнала и контактных площадок.Схематический разрез этой технологии ранее был представлен на рисунке 1.2 (а). Тем не менее, будут также представлены примеры, относящиеся к другим технологиям, обсуждаемым в литературе.

    Омические и емкостные переключатели RF-MEMS

    Вкратце резюмируя то, что обсуждалось ранее, микротехнологии позволяют изготавливать миниатюрные волноводы, в основном в CPW и микрополосковой конфигурации. Добавляя специальные этапы изготовления MEMS, можно реализовать подвешенные тонкие мембраны, которыми можно управлять / управлять в соответствии с различными механизмами преобразования.Основное внимание в этой работе уделяется ВЧ-МЭМС с электростатическим управлением. Поэтому большинство примеров, которые будут обсуждаться ниже, будут относиться к такому типу мультифизической связи.

    При этом фундаментальный строительный блок, который обеспечивает возможность реконфигурируемости RF-MEMS, представлен микрореле (или переключателем). Функция переключения, несмотря на то, что она основана на конфигурации с двумя состояниями (ОТКРЫТО / ЗАКРЫТО), может быть реализована по-разному, поскольку она может быть омической или емкостной, а также последовательной или шунтирующей [62].Конечно, эти перечисленные функции могут быть объединены во все возможные комбинации. В качестве репрезентативных примеров мы подробно обсудим последовательные омические и шунтирующие емкостные ВЧ-МЭМС переключатели.

    На рисунке 1.11 показана микрофотография консольного омического переключателя серии RF-MEMS с электростатическим управлением в конфигурации CPW.

    Приблизить Уменьшить Сбросить размер изображения

    Рисунок 1.11. (a) Микрофотография консольного последовательного омического переключателя RF-MEMS в конфигурации CPW. (б) Крупный план микрореле. Подвешенный кантилевер имеет длину 180 мкм и ширину 100 мкм.

    Загрузить рисунок:

    Стандартный образ Изображение высокого разрешения

    Подвижная мембрана размещается на пути радиосигнала. Он закреплен с одной стороны и может свободно перемещаться с другой, как показано на рисунке 1.11 (b) крупным планом. Поскольку контактная площадка находится под подвешенным наконечником, контакт металл-металл устанавливается при втягивании МЭМС.Следовательно, переключатель ОТКРЫТ, когда МЭМС выключен (положение покоя), и ЗАКРЫТО, когда МЭМС включен (втянут), как показано на упрощенных схемах на рис. 1.12 (a) и рис. 1.12 (b). соответственно. Кантилевер показывает измеренные напряжения втягивания и вытягивания 65 В и 50 В соответственно. Экспериментальное поведение РЧ с точки зрения S-параметров также показано на рисунке 1.12 и относится к диапазону частот от постоянного тока до 40 ГГц. В частности, на рисунке 1.12 (c) показано отражение (S11) и развязка (S21), когда микрореле MEMS выключено, а на рисунке 1.12 (d) сообщает об отражении (S11) и потерях (S21), когда микрореле MEMS включено.

    Приблизить Уменьшить Сбросить размер изображения

    Рисунок 1.12. (a) Упрощенная схема последовательного омического микрореле на рисунке 1.11 в ОТКРЫТОМ состоянии (переключатель MEMS ВЫКЛЮЧЕН). (b) Упрощенная схема микрореле в ЗАКРЫТОМ состоянии (переключатель MEMS включен). (c) Измеренное отражение (S11) и изоляция (S21) микрореле в ОТКРЫТОМ состоянии (переключатель MEMS ВЫКЛ) от постоянного тока до 40 ГГц.(d) Измеренные отражение (S11) и потери (S21) микрореле в ЗАКРЫТОМ состоянии (переключатель MEMS включен) от постоянного тока до 40 ГГц.

    Загрузить рисунок:

    Стандартный образ Изображение высокого разрешения

    В ОТКРЫТОМ состоянии большая часть мощности отражается, как показано S11 на рисунке 1.12 (c), которое находится в диапазоне от ~ 0 дБ до -0,6 дБ. Изоляция (S21) лучше -25 дБ до 10 ГГц и лучше -10 дБ до 40 ГГц. S21 ухудшается с увеличением частоты, потому что между подвешенным концом кантилевера MEMS и лежащей под ним контактной областью присутствует паразитное последовательное сопротивление.В состоянии ЗАКРЫТО S11 лучше, чем –25 дБ до 40 ГГц, что указывает на довольно хорошее согласование импеданса между источником РЧ и устройством MEMS (см. Рисунок 1.12 (d)). С другой стороны, потери (S21) очень ограничены и составляют лучше -0,5 дБ до 40 ГГц. Этот результат указывает на хорошее качество омического контакта между втянутой МЭМС и находящейся под ним металлической областью.

    На рисунке 1.13 показана микрофотография шунтирующего емкостного переключателя RF-MEMS в конфигурации CPW. В этом случае микрореле MEMS представляет собой мембрану, шарнирно прикрепленную с обоих концов (конфигурация с зажимом-зажимом) к плоскостям заземления, размещенной поперек ВЧ линии.

    Приблизить Уменьшить Сбросить размер изображения

    Рисунок 1.13. (a) Микрофотография шунтирующего емкостного переключателя RF-MEMS с фиксатором-фиксатором в конфигурации CPW. (б) Крупный план микрореле. Подвесная двухшарнирная мембрана имеет длину 180 мкм и ширину 100 мкм.

    Загрузить рисунок:

    Стандартный образ Изображение высокого разрешения

    Поведение шунтирующего емкостного переключателя двойственно по сравнению с последовательным омическим переключателем.Во-первых, не устанавливается омический контакт между подвижной мембраной MEMS и ВЧ-туннелем в любой из конфигураций ВКЛ / ВЫКЛ, а вместо этого устанавливается конденсатор с 2 состояниями. Тогда емкость реализует путь переменного импеданса к земле RF, а не между входом и выходом [62]. Более подробная информация представлена ​​на рисунке 1.14. Когда МЭМС выключен, расстояние между пластиной плавающей емкости и нижележащей пластиной максимально, поэтому шунтирующая емкость минимальна ( C мин ), как показано на рисунке 1.14 (а). Такая малая емкость обеспечивает путь к земле с высоким импедансом, который позволяет большей части радиочастотного сигнала проходить между входом и выходом устройства (переключатель ЗАКРЫТЬ). С другой стороны, когда MEMS включен (втянут), шунтирующая емкость достигает максимального значения ( C max ), как показано на рисунке 1.14 (b). В этом случае большая емкость создает путь с низким сопротивлением к земле, который отклоняет большую часть радиочастотного сигнала, проходящего через устройство, замыкая его на землю (переключатель OPEN).Измеренные S-параметры шунтирующего емкостного переключателя на рисунке 1.13 представлены на рисунке 1.14 в диапазоне от постоянного тока до 40 ГГц.

    Приблизить Уменьшить Сбросить размер изображения

    Рисунок 1.14. (a) Упрощенная схема шунтирующего емкостного микрореле на рисунке 1.13 в ЗАКРЫТОМ состоянии (переключатель MEMS ВЫКЛЮЧЕН). (b) Упрощенная схема микрореле в ОТКРЫТОМ состоянии (переключатель MEMS включен).(c) Измеренное отражение (S11) и потери (S21) микрореле в ЗАКРЫТОМ состоянии (выключение MEMS) от постоянного тока до 40 ГГц. (d) Измеренное отражение (S11) и изоляция (S21) микрореле в ОТКРЫТОМ состоянии (переключатель MEMS включен) от постоянного тока до 40 ГГц.

    Загрузить рисунок:

    Стандартный образ Изображение высокого разрешения

    В частности, S-параметры для MEMS в выключенном состоянии (переключатель ЗАКРЫТО) указаны на рисунке 1.14 (c). Отражение (S11) лучше -20 дБ до 40 ГГц, что свидетельствует о хорошем согласовании импеданса устройства.Более того, потери (S21) лучше -0,8 дБ до 40 ГГц. В отличие от обсуждавшегося ранее омического переключателя, S21 для переключателя ЗАКРЫТЬ демонстрирует возрастающие потери в верхней части диапазона. Это связано с емкостью шунта, которая, несмотря на низкую ( C мин ), вызывает короткое замыкание на землю небольшой части сигнала. В любом случае потери лучше -1 дБ на частотах до 40 ГГц - это очень хороший результат для рабочих характеристик. На рисунке 1.14 (d) показаны S-параметры для MEMS в состоянии ON (переключатель OPEN).Начиная с нескольких ГГц, большая часть радиочастотного сигнала отражается, как показано кривой S11. С другой стороны, изоляция (S21) демонстрирует наилучшее значение, то есть -30 дБ, около 15 ГГц. Совершенно очевидно, что на емкостные переключатели, в отличие от омических микрореле, существенно влияет резонансное поведение реактивных элементов [61, 62]. Следовательно, они не могут показывать выдающиеся результаты на очень широком диапазоне. Тем не менее, используя их резонансные характеристики, они могут быть оптимизированы, чтобы превзойти омические устройства в очень четко определенных диапазонах частот.

    Как упоминалось выше, микрореле - это фундаментальные блоки, обеспечивающие явную реконфигурируемость технологии RF-MEMS. В свете этого соображения микропереключатели всегда широко обсуждались в литературе, с первых дней существования ВЧ-МЭМС, в отношении различных аспектов их конструкции, топологии, радиочастотных и электромеханических характеристик, надежности, управления мощностью и т. Д. на. Например, в работе [63] обсуждается коммутационный блок RF-MEMS с ярко выраженной долговременной работоспособностью и цикличностью до 1 миллиарда в K-диапазоне (18–27 ГГц).Более того, концепция коммутатора, обсуждаемая в [64], относится к коммерческому RF-MEMS-устройству, входящему в комплект поставки, подходящему для мобильных приложений 4G. С другой стороны, в [65, 66] обсуждаются новые реализации переключателей RF-MEMS с улучшенными характеристиками. Что касается снижения напряжения втягивания, в литературе были продемонстрированы конструкции, демонстрирующие уровни срабатывания всего 5–7 В [67].

    Переменные конденсаторы RF-MEMS (варакторы)

    С концептуальной точки зрения переменный конденсатор RF-MEMS (обычно называемый варактором) существенно не отличается от емкостного переключателя.Следовательно, когда переменная емкость вставляется в конфигурацию «шунт-земля», ее поведение хорошо описывается упрощенными схемами, показанными ранее на рисунках 1.14 (a) и 1.14 (b). Принимая во внимание обсуждение, ранее развивавшееся вокруг эффекта втягивания в электростатически управляемой МЭМС, варактор можно настраивать аналоговым способом (т. Е. Непрерывно) только от положения покоя (нулевое смещение) до порога втягивания, т.е. одна треть общего воздушного зазора.После втягивания емкость резко переключится на максимальное значение.

    На микрофотографии на рис. 1.15 (a) показан варактор RF-MEMS на основе плавающего золотого электрода с электростатическим управлением, подвешенного на четырех гибких балках в форме меандра.

    Приблизить Уменьшить Сбросить размер изображения

    Рисунок 1.15. (a) Микрофотография шунтирующего переменного конденсатора RF-MEMS с зажимом-зажимом (варактор) в конфигурации CPW.(b) Измеренная характеристика зависимости емкости от напряжения смещения ( C – V ). Емкостью можно управлять аналогично, пока не будет достигнут порог втягивания.

    Загрузить рисунок:

    Стандартный образ Изображение высокого разрешения

    Фиксированный противоэлектрод, расположенный под подвижной MEMS, реализует вторую пластину конденсатора [67]. График на рисунке 1.15 (b) показывает зависимость измеренной емкости от напряжения смещения ( C – V ). Перед включением емкость находится в диапазоне от ~ 170 до 210 фФ (правая вертикальная ось), и ее можно регулировать непрерывно.Вместо этого при втягивании емкость резко увеличивается до ~ 2,4 пФ (левая вертикальная ось). Следовательно, соотношение между емкостью состояния ВКЛ и ВЫКЛ ( C на / C off ) варактора на рисунке 1.15 составляет около 14, то есть больше, чем на один порядок величины.

    Что касается переключателей RF-MEMS, научная литература всегда была заполнена несколькими публикациями, касающимися варакторов. С этой целью в [68] обсуждается альтернативная конструкция, позволяющая использовать низковольтный управляемый варактор.С другой стороны, фокусируясь на расширении диапазона настройки варактора, решение, описанное в [69], использует внутреннее внутреннее напряжение материала, из которого изготовлен МЭМС, в то время как [70] предлагает решение на проектном уровне с двойным срабатыванием. механизм. Опять же, что касается улучшения линейности отклика варакторов RF-MEMS, в работе, обсуждаемой в [71], используется двойной варактор с контролем антисмещения для улучшения такой характеристики. По другой теме, со стороны средне- / долгосрочной надежности, в [72] сообщается о двойном импульсе смещения постоянного тока с целью уменьшения количества заряда, удерживаемого в изолирующем слое, и, в свою очередь, уменьшения заряда. называется экранированием напряжения (т.е. дрейф характеристики втягивания / вытягивания из-за инжекции заряда и ориентации диполей внутри изоляторов).

    РЧ-МЭМС (переменные) индукторы

    С учетом обсуждений, развернутых к настоящему времени, очевидно, что технология РЧ-МЭМС также подходит для реализации высокопроизводительных катушек индуктивности. Возможность получения подвешенных катушек, например, посредством процесса поверхностной микрообработки с использованием временного слоя, а также изготовления металлических линий над тонкой подложкой, что может быть выполнено путем травления подложки с обратной стороны (объемная микрообработка), приводит к значительное снижение паразитарных воздействий и, как следствие, повышение добротности (добротности).На микрофотографии на рис. 1.16 (а) изображена подвесная катушка индуктивности в конфигурации CPW. График на рисунке 1.16 (b) показывает характеристическое сопротивление катушки индуктивности (S11) на диаграмме Смита со ссылкой на частотный диапазон от постоянного тока до 30 ГГц.

    Приблизить Уменьшить Сбросить размер изображения

    Рисунок 1.16. (a) Микрофотография индуктора с подвешенной катушкой RF-MEMS в конфигурации CPW.(b) Диаграмма Смита входного характеристического импеданса (S11) от постоянного тока до 30 ГГц.

    Загрузить рисунок:

    Стандартный образ Изображение высокого разрешения

    Характеристика всегда преимущественно индуктивная, что подтверждается главным образом вращающейся кривой в верхней половине диаграммы Смита. Другой пример индуктора с воздушной подвеской, основанный на другой конструкции катушки, приведен в [73]. Несмотря на то, что характеристика настраиваемости не так важна для катушек индуктивности, как для конденсаторов, в литературе описаны различные подходы к настройке индуктивности, обусловленные гибкостью технологии RF-MEMS.Достаточно популярным подходом для обеспечения возможности настройки индукторов RF-MEMS является использование подвешенных катушек непланарности, вызванной остаточным напряжением в материале с рисунком. Это приводит к смещению соседних витков катушки вне плоскости (т. Е. По вертикали), вызывая уменьшение индуктивности по сравнению со случаем планарности. Однако, пропуская через катушку постоянный ток, нагрев вызывает снятие внутреннего напряжения, что временно улучшает плоскостность и, следовательно, увеличивает значение индуктивности.Точно так же можно, начиная с плоского устройства в исходном положении, вызвать деформацию вне плоскости с помощью тока смещения, который снижает индуктивность. Оба эти решения обсуждаются в [74] и [75] соответственно. Более экзотический метод достижения перестройки индуктора описан в [76]. В этом случае в сердечник впрыскивается жидкость, что изменяет его проницаемость и, следовательно, общее значение индуктивности. Дополнительная информация и примеры, касающиеся высокопроизводительных (настраиваемых) индукторов RF-MEMS, приведены в [77].

    1.2.2. Сложные реконфигурируемые пассивные элементы в технологии RF-MEMS

    Обсуждение, проведенное в предыдущем подразделе, позволило выделить наиболее распространенные классы базовых компонентов, реализованных в технологии RF-MEMS. Общим знаменателем таких групп является реализация основной функции переключения ВКЛ / ВЫКЛ (достижимой различными способами) и / или функции срабатывания, которая обеспечивает непрерывную (аналоговую) возможность настройки в определенном диапазоне. Используя вышеупомянутые базовые компоненты и дублируя или комбинируя их в соответствии с определенными критериями в рамках уникального физического устройства, можно реализовать более сложные пассивные устройства и сети RF-MEMS, способные реализовывать функции управления / обработки радиочастот / микроволн / миллиметров. -волновые сигналы с ярко выраженной настраиваемостью / реконфигурируемостью.В следующих разделах будут описаны наиболее распространенные классы сложных сетей RF-MEMS.

    Коммутационные блоки и матрицы RF-MEMS

    Начиная с самого элементарного компонента RF-MEMS, то есть микрореле, его дублирование и расположение в уникальном устройстве позволяет расширить функцию переключения от конфигурации ВКЛ / ВЫКЛ между одним завершение ввода и вывода для нескольких ветвей ввода и вывода. Микрофотография, представленная на рисунке 1.17 (a), показывает однополюсный двухканальный (SPDT) RF-MEMS в конфигурации CPW.Таким образом, это переключатель Т-типа с одним входом и двумя выходами, каждый из которых управляется омическим переключателем серии RF-MEMS с электростатическим приводом. В зависимости от конфигурации ВКЛ / ВЫКЛ двух (независимо управляемых) микрореле входной сигнал может подаваться на каждый из двух выходов, на оба или ни на один из них.

    Приблизить Уменьшить Сбросить размер изображения

    Рисунок 1.17. (a) Микрофотография RF-MEMS однополюсного двойного выброса (SPDT) в конфигурации CPW. (b) Измеренные значения отражения, потерь и развязки между соседними каналами (т. е. перекрестные помехи) в диапазоне от постоянного тока до 40 ГГц.

    Загрузить рисунок:

    Стандартный образ Изображение высокого разрешения

    График на рисунке 1.17 (b) показывает измеренное поведение S-параметра SPDT в диапазоне частот от постоянного тока до 40 ГГц и относится к конфигурации, в которой один выходной канал включен (переключатель ЗАКРЫТЬ; втянут), в то время как другой выключен (переключатель ОТКРЫТО; положение покоя).Потери (S21) между входом и проводящей выходной ветвью лучше, чем -1,1 дБ, а отражение (S11) лучше, чем -22 дБ, до 40 ГГц. Более того, изоляция между двумя выходными каналами (S23), обычно называемая перекрестными помехами, находится в диапазоне от -75 дБ до -27 дБ и всегда лучше, чем от -45 дБ до 35 ГГц.

    Сложность коммутационного блока может быть увеличена, что расширит порядок реализуемой функции. Начиная с конфигурации, показанной на рисунке 1.17, количество выходных ветвей может быть увеличено, например, до коммутационных блоков однополюсного четырехходового типа (SP4T), в которых имеется четыре выходных терминала, а также, в более общем случае, Конфигурации с однополюсным и многонаправленным выбросом (SPMT).Кроме того, коммутация может выполняться через несколько входов и выходов, что приводит к фактическим коммутационным матрицам (например, 2 × 2, 4 × 4 или N × N ), которые могут быть эффективно спроектированы и изготовлены. в технологии RF-MEMS. В литературе приведено несколько примеров, подтверждающих достижение замечательных характеристик как для более простых коммутационных блоков, таких как SP4T [78–80], так и для матриц переключения различного порядка [81–84].

    Настраиваемые фильтры RF-MEMS

    Следуя тому же подходу, то есть добавляя функции переключения, можно включить настраиваемость для других классов пассивных устройств, как в случае фильтров RF. Например, конфигурация шпилечного фильтра хорошо известна в сообществе ВЧ-инженеров и обычно используется для формирования определенной характеристики полосы пропускания между входным и выходным окончаниями [85]. Такой класс фильтров стал настраиваемым, реализовав его в технологии RF-MEMS, как обсуждалось в [86] и изображено на микрофотографии на рисунке 1.18 (а).

    Приблизить Уменьшить Сбросить размер изображения

    Рисунок 1.18. (a) Микрофотография шпилечного фильтра RF-MEMS в микрополосковой конфигурации. (b) Измеренная характеристика полосы пропускания (S21) в двух различных сетевых конфигурациях.

    Загрузить рисунок:

    Стандартный образ Изображение высокого разрешения

    Шпильчатый фильтр использует индуктивный вклад U-образных изгибов и их емкостную связь для формирования полосы пропускания.В фильтре «шпилька» RF-MEMS (микрополосковая конфигурация) на рисунке 1.18 длина каждого U-образного элемента может быть увеличена путем добавления участка, выбираемого консольными последовательными омическими переключателями, аналогично устройству, ранее показанному на рисунке 1.11 (a). Такое изменение геометрии изменяет импеданс каждого U-образного элемента, что приводит к смещению полосы пропускания. Измеренная характеристика пропускания (S21) фильтра показана на рисунке 1.18 (b). Когда переключатели MEMS не задействованы (короткие U-образные элементы), проходная полоса центрируется вокруг 6.3 ГГц. С другой стороны, когда микропереключатели MEMS втянуты (длинные U-образные элементы), ширина полосы пропускания центрируется около 5,5 ГГц, то есть примерно на 1 ГГц ниже.

    В научной литературе имеется множество значительных работ по использованию устройств RF-MEMS для реализации высокопроизводительных настраиваемых / переключаемых RF-фильтров. В отличие от других классов сложных сетей RF-MEMS, гибридизация / интеграция MEMS с другими технологиями исследована довольно широко. В связи с этим сообщается несколько примеров реконфигурируемых фильтров, полностью реализованных в технологии RF-MEMS [87–89].Помимо этой опции, были также исследованы различные способы получения интегрированных микропереключателей RF-MEMS (имеющихся в продаже) с фильтрами, реализованными, например, в технологии печатных плат (PCB), чтобы обеспечить желаемую настраиваемость [90–93 ]. Кроме того, еще одно технологическое решение, представляющее особый интерес, касается реализации трехмерных резонансных резонаторов с высокой добротностью, в которых используются настраиваемые элементы RF-MEMS (в основном варакторы) для изменения полосовой характеристики фильтра [94–97].

    Реконфигурируемые фазовращатели RF-MEMS

    Другой класс пассивных устройств, который значительно выигрывает от использования технологии RF-MEMS, - это реконфигурируемые фазовращатели, особенно подходящие в цепи возбуждения антенн с электронным управлением. Пример 5-битного реконфигурируемого фазовращателя RF-MEMS в микрополосковой конфигурации обсуждается в [98], а его микрофотография показана на рисунке 1.19 (a). Устройство имеет 5 переключаемых ступеней (т.е.5 бит), в котором можно выбрать два тракта разной длины (для каждого модуля) с помощью омических переключателей серии RF-MEMS. Чем длиннее обозначает путь, по которому должен пройти РЧ-сигнал, и чем больше обозначает фазовый сдвиг выходного сигнала по отношению к входному, наблюдаемый с помощью параметра S21. Реконфигурируемый фазовый сдвиг каждого каскада (бита) добавляется к другим, поскольку 5 блоков каскадированы, что приводит к 32 возможным конфигурациям.

    Приблизить Уменьшить Сбросить размер изображения

    Рисунок 1.19. (a) Микрофотография 5-битного реконфигурируемого фазовращателя RF-MEMS в микрополосковой конфигурации. (b) Фазовый сдвиг ввода / вывода (S21) для различных сетевых конфигураций от 15 ГГц до 25 ГГц.

    Загрузить рисунок:

    Стандартный образ Изображение высокого разрешения

    График на рисунке 1.19 (b) показывает измеренный фазовый сдвиг (S21) сети RF-MEMS для нескольких различных конфигураций в диапазоне частот от 15 ГГц до 25 ГГц. Помимо ранее рассмотренного примера, в научной литературе сообщается о большом разнообразии фазовращателей RF-MEMS с несколькими состояниями.В частности, соответствующие усилия были посвящены разработке цифровых устройств с несколькими состояниями [99–101], а также постоянно настраиваемых сетей [102–103]. Также интересно, что сообщается о монолитных решениях, в которых фазовращатель RF-MEMS спроектирован и изготовлен вместе с миниатюрными реконфигурируемыми антеннами в рамках той же технологической платформы [104–106].

    RF-MEMS-тюнеры для согласования импеданса

    Наличие высокоэффективных настраиваемых реактивных компонентов, таких как варакторы и индукторы, а также простота выбора / отмены фиксированных емкостей / индуктивностей с высокой добротностью с помощью омических элементов с малыми потерями. переключатели, также стимулировали использование технологии RF-MEMS для реализации тюнеров согласования импеданса.Пример схемы согласования импеданса, полностью реализованной в технологии RF-MEMS, обсуждается в [107], а микрофотография физического образца представлена ​​на рисунке 1.20 (a). Устройство, разработанное в конфигурации CPW, имеет 8 ступеней переключения на основе омических переключателей RF-MEMS консольного типа, которые, в зависимости от их конфигурации ВКЛ / ВЫКЛ, выбирают различные реактивные компоненты, которые нагружают ВЧ линию.

    Приблизить Уменьшить Сбросить размер изображения

    Рисунок 1.20. (a) Микрофотография 8-битного тюнера RF-MEMS с настраиваемым согласованием импеданса в конфигурации CPW. (b) Диаграмма Смита, показывающая преобразование, осуществляемое устройством между входным (S11) и выходным (S22) характеристическим импедансом в нескольких конфигурациях на частоте 10 ГГц.

    Загрузить рисунок:

    Стандартный образ Изображение высокого разрешения

    Сеть RF-MEMS снабжена двумя батареями реактивных компонентов, то есть конденсаторами металл-изолятор-металл (MIM), как показано в верхней части рисунка 1.20 (а), и индукторы с воздушной подвеской, как видно в нижней части рисунка 1.20 (а). Эти реактивные элементы предназначены для последовательного или шунтирующего включения в центральную ВЧ-линию, в зависимости от того, какие переключатели втянуты, а какие остаются в исходном положении. Таким образом, сеть RF-MEMS реализует двойную каскадную лестничную схему LC [85], в которой любой последовательный или шунтирующий реактивный элемент может быть емкостным, индуктивным, как параллельно, так и ни один из них не может быть выбран, что обеспечивает возможность 256 различных преобразований импеданса.Диаграмма Смита, показанная на рисунке 1.20 (b), показывает лишь некоторые из всех функций, выполняемых тюнером импеданса. На графике каждая стрелка показывает, как для каждой конфигурации входное характеристическое сопротивление (S11) преобразуется на выходе (S22).

    Несмотря на то, что они не являются густонаселенными, как в случае с другими классами устройств, в научной литературе обсуждается несколько соответствующих примеров RF-MEMS-тюнеров с согласованием импеданса, что доказывает довольно обширный охват диаграммы Смита [108–111].

    Программируемые аттенюаторы мощности с РЧ-МЭМС

    Категория сложных сетей, которые, несмотря на то, что спорадически изучались в первые годы РЧ-МЭМС и в последнее время привлекают больше внимания в исследовательском и промышленном научном сообществе, относятся к категории программируемых (ступенчатых) сетей. аттенюаторы для сигналов ВЧ, СВЧ и миллиметрового диапазона. Один из первых примеров, обсуждаемых в литературе, приведен в [112], а микрофотография изготовленной сети RF-MEMS показана на рисунке 1.21 (а).

    Приблизить Уменьшить Сбросить размер изображения

    Рисунок 1.21. (a) Микрофотография 4-битного программируемого ступенчатого аттенюатора RF-MEMS в конфигурации CPW. (b) Измеренное затухание (S21), реализованное устройством в нескольких конфигурациях, от постоянного тока до 30 ГГц.

    Загрузить рисунок:

    Стандартный образ Изображение высокого разрешения

    Сеть RF-MEMS состоит из поликристаллических кремниевых заглубленных резисторов различных номиналов, вставленных вдоль линии RF (последовательная конфигурация).Кроме того, омические МЭМС-переключатели консольного типа с контактными пальцами до и после каждого нагрузочного резистора размещаются поперечно вдоль устройства. Когда переключатель MEMS приводится в действие (втягивается), пальцы устанавливают омический контакт с нижними металлическими площадками, и путь с очень низким сопротивлением заставляет радиочастотный сигнал течь через саму мембрану золотого переключателя, а не через заглубленный резистор из поликристаллического кремния. . Другими словами, нагрузочный резистор закорочен, и поэтому ослабление, реализуемое всей сетью, уменьшается.С особым обращением к устройству на рисунке 1.21 (a), полное затухание может быть ступенчато в соответствии с 4-битным, то есть 16 различными уровнями затухания. График на рисунке 1.21 (b) показывает измеренное затухание (S21) в нескольких сетевых конфигурациях в диапазоне от постоянного тока до 30 ГГц. Несмотря на то, что охарактеризованный частотный диапазон довольно широк, все трассы имеют довольно плоскую характеристику и уровни затухания, которые могут быть установлены в пределах от -3 дБ до -20 дБ.

    Другие реализации в технологии RF-MEMS ступенчатых аттенюаторов с несколькими состояниями были недавно продемонстрированы в литературе, в некоторых случаях для измеренных диапазонов частот до 110 ГГц [113–115].

    Разное RF-MEMS

    Чтобы завершить эту вводную главу, посвященную технологии RF-MEMS, мы кратко перечислим другие примеры базовых компонентов и сложных сетей, не охваченные ранее описанными классами.

    Первая категория - это механические резонаторы на основе технологии MEMS. Причины, по которым они не всегда классифицируются как RF-MEMS, многочисленны. Во-первых, часто рабочая частота находится не в диапазоне радиочастот / микроволн / миллиметрового диапазона, а ниже.Кроме того, механические резонаторы MEMS редко настраиваются, и они обычно не имеют волноводной конфигурации и не имеют переключателей или варакторов. Помимо этих соображений, относящихся исключительно к определению, механические резонаторы MEMS представляют собой высокопроизводительные преобразователи, использующие двойное преобразование между физическими областями, чтобы управлять выбором частоты в очень узком диапазоне. Более подробно, сигнал с определенным спектром питает резонатор, выполняя преобразование от электрического к механическому.Устройство MEMS резонирует на определенной механической частоте, которая преобразуется обратно из механической области в электрическую. Выходной электрический сигнал имеет очень узкую полосу по сравнению с входным, а выбор частоты зависит от механических характеристик резонатора MEMS. Такая очень избирательная функция фильтрации имеет решающее значение для таких устройств, как генераторы, которые предназначены для генерации опорной (RF) частоты с ярко выраженной стабильностью во времени и максимально узкой полосой пропускания вокруг несущей.Механические резонаторы MEMS с высокой добротностью и замечательной стабильностью во времени и температуре широко описаны в литературе [116–120]. Принцип прямого и обратного преобразования между электрической и механической областями используется также в других классах устройств фильтрации частоты, таких как так называемые поверхностные акустические волны (SAW), фильтры объемных акустических волн (BAW) и (тонкие) пленочные объемные фильтры. Акустические резонаторы (FBAR). В этом случае входной электрический сигнал (с определенным спектром) преобразуется в акустическую волну, которая проходит через определенный материал, а затем преобразуется обратно в узкополосный электрический сигнал [121–124].

    Другая категория устройств RF-MEMS - это электромагнитные резонаторы и LC-резервуары, необходимые, например, для точного выбора частоты RF, генерируемой генераторами, управляемыми напряжением (VCO). В отличие от механических резонаторов, в этом случае отсутствует преобразование из электрической / электромагнитной в механическую область для работы функции выбора. Реактивные (емкостные и индуктивные) характеристики устройства определяют его удельный резонанс, который, следовательно, формирует выходной сигнал.Электромагнитные резонаторы и LC-резервуары значительно выигрывают от внутренней реконфигурируемости RF-MEMS, подробно описанной выше. Например, достаточно реализовать часть емкостного вклада LC-резервуаров с помощью варактора RF-MEMS, чтобы обеспечить широкую настраиваемость функции фильтрации, управляемой всем устройством. В научной литературе описаны различные реализации электромагнитных резонаторов и LC-резервуаров в технологии RF-MEMS, как в отношении концепций проектирования в планарной технологии [125, 126], так и в отношении использования трехмерных резонансных резонаторов (нестационарный режим) с настраиваемыми элементами [127, 128]. ].

    Другие ВЧ-МЭМС-устройства, представляющие интерес в современных ВЧ-компонентах и ​​системах, - это направленные ответвители / разветвители. Эти пассивные элементы предназначены для объединения различных сигналов для выполнения определенных функций микширования, например критически важны в РЧ-передатчиках / приемниках (трансиверах), а также в системах автоматизированного испытательного оборудования (ATE), таких как векторные анализаторы цепей (VNA). Как легко предположить, внутренняя настраиваемость RF-MEMS обеспечивает явную реконфигурируемость ответвителей / разветвителей, как в отношении выбора различных RF-сигналов для смешивания вместе, так и в отношении степени (в единицах дБ) в соответствии с какие такие сигналы должны быть объединены или разделены.Что касается других категорий RF-MEMS, научная литература по направленным ответвителям / разветвителям содержит несколько важных статей, в которых обсуждаются различные концепции дизайна и разнообразные решения с точки зрения технологических платформ микротехнологии [129–135].

    Возвращаясь к программируемым фазовращателям, подклассом устройств RF-MEMS являются так называемые линии истинной задержки (TTDL). Эти реконфигурируемые сети фактически являются фазовращателями с довольно выраженной линейностью фазового сдвига по частоте.Эта характеристика обеспечивает задержку истинного времени (TTD), которая является постоянной (т. Е. Инвариантной) задержкой по отношению к частоте. В соответствующих статьях обсуждаются TTDL в технологии RF-MEMS, а также достигнутые замечательные характеристики с точки зрения реконфигурируемости [136–140].

    Наконец, в заключение этой главы, однозначно проявилась гибкость технологии RF-MEMS в реализации функций обработки сигналов RF / микроволнового / миллиметрового диапазона, обеспечивающая высокопроизводительную, выраженную реконфигурируемость / настраиваемость и широкополосную работу по частоте.В следующих подходах, подобных тем, которые обсуждались в предыдущих разделах, разработчики и инженеры ВЧ-систем теперь имеют возможность разработать инновационные концепции проектирования, посвященные реализации пассивных ВЧ-МЭМС с характеристиками, превосходящими те, о которых сообщалось до сих пор. Кроме того, сочетание дополнительных функций, таких как, например, реконфигурируемый фазовый сдвиг с многоуровневым ступенчатым затуханием, в одном физическом устройстве RF-MEMS также является жизнеспособным вариантом, обладающим не столь скрытым потенциалом, особенно с учетом будущего Приложения 5G.

    В этой главе развернуто общее обсуждение технологий MEMS (MicroElectroMechanical-Systems) и RF-MEMS (MEMS для пассивных радиочастот). Во-первых, возникновение концепции микросистем было проанализировано со ссылкой на эволюцию полупроводниковых технологий, выделены общие черты, а также то, как их можно различить. В связи с этим было проведено краткое обсуждение эволюции (стандартных) полупроводниковых технологий, включая движущую тенденцию закона Мура, который в основном описывает и все еще описывает десятилетия эволюции технологии транзисторов.Также было отмечено, что параллельно с созреванием и консолидацией стандартных полупроводниковых технологий в конце 1960-х годов начались эксперименты с этапами микротехнологии, посвященными получению микросистем, то есть микроустройств с механическими свойствами. Затем были обсуждены первые примеры реальных устройств MEMS, о которых сообщалось в литературе во второй половине 1970-х годов.

    Были также описаны наиболее широко используемые технологические процессы для реализации МЭМС, а именно поверхностная и объемная микрообработка, с акцентом на их основные характеристики и типичные особенности, отличающие друг от друга.Все еще ссылаясь на сложную взаимосвязь между МЭМС и стандартными полупроводниковыми технологиями, обсуждались концепции « More Moore » и « More than Moore », обращая внимание на противоположные тенденции, которым следуют микросистемы и полупроводники в отношении миниатюризации и настройки. .

    Затем была представлена ​​концепция RF-MEMS, подчеркнув относительную новизну использования этого вида микросистем по сравнению с датчиками и исполнительными механизмами, такими как, например, инерциальные датчики (акселерометры и гироскопы) и микрозеркала.

    Были рассмотрены четыре основных механизма управления устройствами RF-MEMS (электростатический; электромагнитный; пьезоэлектрический; термоэлектрический). Были также включены фундаментальные физические соображения относительно электростатического срабатывания ВЧ-МЭМС, который является одним из наиболее распространенных, а также используется в практических примерах, которые будут перечислены в этой книге.

    Впоследствии были введены наиболее распространенные категории устройств RF-MEMS с упором как на простые компоненты, так и на сложные реконфигурируемые сети высокого порядка.В отношении первых сообщалось о микрореле (или переключателях), переменных конденсаторах (варакторах) и индукторах. Что касается последнего, вместо этого были обсуждены несколько классов сложных сетей RF-MEMS, среди которых сложные коммутационные блоки, программируемые ступенчатые аттенюаторы, тюнеры согласования импеданса и так далее. Для всех вышеупомянутых категорий ВЧ-МЭМС показаны типовые проектные реализации и экспериментально наблюдаемые рабочие характеристики / характеристики.

    Является ли ревматоидный фактор (РФ) специфичным для ревматоидного артрита (РА)?

  • [Рекомендации] Алетаха Д., Неоги Т., Силман А.Дж. и др.Критерии классификации ревматоидного артрита 2010 года: совместная инициатива Американского колледжа ревматологии / Европейской лиги против ревматизма. Rheum артрита . 2010 сентябрь 62 (9): 2569-81. [Медлайн]. [Полный текст].

  • [Руководство] Андерсон Дж., Каплан Л., Яздани Дж. И др. Для Американского колледжа ревматологии. Измерения активности ревматоидного артрита: Рекомендации Американского колледжа ревматологии для использования в клинической практике. Центр по уходу за артритом (Хобокен) .2012. 64: 640-7. [Медлайн]. [Полный текст].

  • [Рекомендации] Фелсон Д.Т., Смолен Дж. С., Уэллс Дж., Чжан Б., ван Туйл Л. Х. и др. Американский колледж ревматологии / Европейская лига против ревматизма: предварительное определение ремиссии ревматоидного артрита для клинических испытаний. Rheum артрита . 2011 Март 63 (3): 573-86. [Медлайн]. [Полный текст].

  • [Рекомендации] Singh JA, Saag KG, et al. Руководство Американского колледжа ревматологии по лечению ревматоидного артрита, 2015 г.http://dx.doi.org/10.1002/art.39480 (2015). Уход и исследования артрита . 2015. [Medline]. [Полный текст].

  • [Рекомендации] Smolen JS, Landewé RBM, Bijlsma JWJ, et al. Рекомендации EULAR по лечению ревматоидного артрита с помощью синтетических и биологических противоревматических препаратов, модифицирующих болезнь: обновление 2019 г. Энн Рум Дис . 2020, 22 января. 73 (3): 492-509. [Медлайн]. [Полный текст].

  • Донахью К.Е., Джонас Д.Е., Хансен Р.А., Руби Р., Джонас Б., Люкс Л.Дж. и др.Агентство медицинских исследований и качества. Выбор лекарств от ревматоидного артрита. 2012 апр. [Medline]. [Полный текст].

  • Келли Дж. Ревматоидный артрит: выпущены обновленные рекомендации. Медицинские новости Medscape. Доступно на http://www.medscape.com/viewarticle/845495. 28 мая 2015 г .; Дата обращения: 30 июня 2015 г.

  • [Рекомендации] Смолен Дж. С., Бридвелд ФК, Бурместер Г. Р., Бикерк В., Дугадос М. и др. Целевое лечение ревматоидного артрита: обновление 2014 г. рекомендаций международной целевой группы. Энн Рум Дис . 2015 12 мая. [Medline]. [Полный текст].

  • Пол Б.Дж., Канди Х.И., Кришнан В. Преревматоидный артрит и его профилактика. Eur J Rheumatol . 2017 июн. 4 (2): 161-165. [Медлайн]. [Полный текст].

  • Дин К.Д., Холерс В.М. Патогенез, прогноз и профилактика ревматоидного артрита: новый сдвиг парадигмы. Ревматический артрит . 2021 Февраль 73 (2): 181-193. [Медлайн].

  • Бартон А., Уортингтон Дж.Генетическая предрасположенность к ревматоидному артриту: новая картина. Rheum артрита . 2009 15 октября. 61 (10): 1441-6. [Медлайн].

  • Бегович А.Б., Карлтон В.Е., Хонигберг Л.А. и др. Миссенс-однонуклеотидный полиморфизм в гене, кодирующем протеинтирозинфосфатазу (PTPN22), связан с ревматоидным артритом. Am J Hum Genet . 2004 августа 75 (2): 330-7. [Медлайн].

  • Potter C, Eyre S, Cope A, Worthington J, Barton A.Исследование связи между генами семейства TRAF и восприимчивостью к РА. Энн Рум Дис . 2007 Октябрь, 66 (10): 1322-6. [Медлайн].

  • Праккен Б., Албани С., Мартини А. Ювенильный идиопатический артрит. Ланцет . 2011 июн. 377 (9783): 2138-49. [Медлайн].

  • Hinks A, Ke X, Barton A, Eyre S, Bowes J, Worthington J. Ассоциация гена IL2RA / CD25 с ювенильным идиопатическим артритом. Rheum артрита .2009 Январь 60 (1): 251-7. [Медлайн].

  • Альмен М., Свенссон Б., Альбертссон К., Форслинд К., Хафстром И. Влияние пола на оценки активности и функции заболевания при раннем ревматоидном артрите в связи с рентгенографическим повреждением суставов. Энн Рум Дис . 2010 Январь 69 (1): 230-3. [Медлайн].

  • Areskoug-Josefsson K, Oberg U. Обзор литературы по сексуальному здоровью женщин с ревматоидным артритом. Уход за опорно-двигательным аппаратом .2009 Декабрь 7 (4): 219-26. [Медлайн].

  • Martin-Trujillo A, van Rietschoten JG, Timmer TC, et al. Потеря импринтинга IGF2 характеризует фибробластоподобные синовиоциты с высоким уровнем экспрессии мРНК IGF2 при ревматоидном артрите. Энн Рум Дис . 2010 июн.69 (6): 1239-42. [Медлайн].

  • Zhou X, Chen W., Swartz MD, et al. Совместный анализ сцепления и импринтинга данных о ревматоидном артрите GAW15 и экспрессии генов. BMC Proc .2007. 1 Приложение 1: S53. [Медлайн].

  • Барлоу Д.П. Геномный импринтинг: модель эпигенетического открытия млекопитающих. Анну Рев Генет . 2011. 45: 379-403. [Медлайн].

  • Hitchon CA, Chandad F, Ferucci ED, et al. Антитела к porphyromonas gingivalis связаны с антителами к антицитруллинированному белку у пациентов с ревматоидным артритом и их родственников. Дж. Ревматол . 2010 июн. 37 (6): 1105-12. [Медлайн].

  • Routsias JG, Goules JD, Goules A, Charalampakis G, Pikazis D.Автопатогенная взаимосвязь пародонтита и ревматоидного артрита. Ревматология (Оксфорд) . 2011 июл.50 (7): 1189-93. [Медлайн].

  • Барретт Дж. Х., Бреннан П., Скрипач М., Силман А. Дж. Спускается ли ревматоидный артрит во время беременности и рецидив в послеродовом периоде? Результаты общенационального исследования, проведенного в Соединенном Королевстве, были выполнены проспективно на поздних сроках беременности. Rheum артрита . 1999 июн. 42 (6): 1219-27. [Медлайн].

  • Carlens C, Hergens MP, Grunewald J, et al.Курение, употребление влажного нюхательного табака и риск хронических воспалительных заболеваний. Am J Respir Crit Care Med . 1 июня 2010 г. 181 (11): 1217-22. [Медлайн].

  • Jorgensen KT, Pedersen BV, Jacobsen S, Biggar RJ, Frisch M. Национальное когортное исследование репродуктивных факторов риска ревматоидного артрита в Дании: роль гиперемезиса, гестационной гипертензии и преэклампсии ?. Энн Рум Дис . 2010 Февраль 69 (2): 358-63. [Медлайн].

  • Guthrie KA, Dugowson CE, Voigt LF, Koepsell TD, Nelson JL.Обеспечивает ли беременность вакциноподобную защиту от ревматоидного артрита? Rheum артрита . 2010 июл.62 (7): 1842-8. [Медлайн]. [Полный текст].

  • Шах А., Сент-Клер EW. Ревматоидный артрит. В: Kasper DL, Fauci AS, Hauser SL, Longo DL, Jameson JL, Loscalzo J, Eds. Принципы внутренней медицины Харрисона . 19 изд. Нью-Йорк, Нью-Йорк: образование Макгроу-Хилл; 2016.

  • Gremese E, Salaffi F, Bosello SL и др. Очень ранний ревматоидный артрит как предиктор ремиссии: многоцентровое проспективное исследование в реальной жизни. Энн Рум Дис . 2013 июн.72 (6): 858-62. [Медлайн].

  • Weinblatt ME, Keystone EC, Cohen MD, et al. Факторы, связанные с рентгенологическим прогрессированием у пациентов с ревматоидным артритом, получавших метотрексат. Дж. Ревматол . 2011 Февраль 38 (2): 242-6. [Медлайн].

  • Агравал С., Мисра Р., Аггарвал А. Аутоантитела при ревматоидном артрите: связь с тяжестью заболевания при установленном РА. Clin Rheumatol .2007 26 февраля (2): 201-4. [Медлайн].

  • Vencovsky J, Machacek S, Sedova L, et al. Аутоантитела могут быть прогностическими маркерами эрозивного заболевания при раннем ревматоидном артрите. Энн Рум Дис . 2003 май. 62 (5): 427-30. [Медлайн].

  • Сокка Т., Каутиайнен Х., Моттонен Т., Ханнонен П. Нетрудоспособность при ревматоидном артрите через 10 лет после постановки диагноза. Дж. Ревматол . 1999 26 августа (8): 1681-5. [Медлайн].

  • Mollard E, Pedro S, Chakravarty E, Clowse M, Schumacher R, Michaud K.Влияние менопаузы на функциональное состояние у женщин с ревматоидным артритом. Ревматология . 29 января 2018 г. [Полный текст].

  • Lindhardsen J, Ahlehoff O, Gislason GH, et al. Риск фибрилляции предсердий и инсульта при ревматоидном артрите: датское общенациональное когортное исследование. BMJ . 2012. 344: e1257. [Медлайн].

  • Хоули Диджей. Психолого-педагогические вмешательства при лечении артрита. Baillieres Clin Rheumatol .1995 ноября, 9 (4): 803-23. [Медлайн].

  • Такер М., Кирван-младший. Обладает ли обучение пациентов ревматоидному артриту терапевтическим потенциалом? Энн Рум Дис . 1991 июн 50, приложение 3: 422-8. [Медлайн]. [Полный текст].

  • Томпсон А. Практические аспекты терапевтического вмешательства при ревматоидном артрите. J Rheumatol Suppl . 2009 июн. 82: 39-41. [Медлайн].

  • Комано Й, Харигаи М., Коике Р., Сугияма Х., Огава Дж., Сайто К.Пневмоцистная пневмония у пациентов с ревматоидным артритом, получавших инфликсимаб: ретроспективный обзор и исследование случай-контроль с участием 21 пациента. Rheum артрита . 2009 15 марта. 61 (3): 305-12. [Медлайн].

  • Алетаха Д., Неоги Т., Силман А.Дж., Фуновиц Дж., Фелсон Д.Т., Бингхэм СО 3-й. Критерии классификации ревматоидного артрита 2010 года: совместная инициатива Американского колледжа ревматологии / Европейской лиги против ревматизма. Энн Рум Дис .2010 сентябрь 69 (9): 1580-8. [Медлайн].

  • Radner H, Neogi T, Smolen JS, Aletaha D. Выполнение критериев классификации ревматоидного артрита 2010 ACR / EULAR: систематический обзор литературы. Энн Рум Дис . 2014 Январь 73 (1): 114-23. [Медлайн].

  • Katchamart W, Johnson S, Lin HJ, Phumethum V, Salliot C, Bombardier C. Предикторы ремиссии у пациентов с ревматоидным артритом: систематический обзор. Центр по уходу за артритом (Хобокен) .2010 августа 62 (8): 1128-43. [Медлайн].

  • Varache S, Narbonne V, Jousse-Joulin S и др. Полезен ли рутинный вирусный скрининг у пациентов с недавно начавшимся полиартритом продолжительностью не менее 6 недель? Результаты общенационального проспективного когортного исследования. Центр по уходу за артритом (Хобокен) . 2011 ноябрь 63 (11): 1565-70. [Медлайн].

  • Алетаха Д., Аласти Ф, Смолен Ю.С. Ревматоидный фактор определяет структурное прогрессирование ревматоидного артрита в зависимости и независимо от активности заболевания. Энн Рум Дис . 13 июля 2012 г. [Medline].

  • Скотт И.С., Стир С., Льюис К.М., Коуп А.П. Предрасполагающие и поддерживающие факторы иммунопатологии ревматоидного артрита: связь триады генетической предрасположенности, факторов риска окружающей среды и аутоиммунитета с патогенезом заболевания. Best Practices Clin Rheumatol . 2011 25 августа (4): 447-68. [Медлайн].

  • Daha NA, Toes RE. Ревматоидный артрит: ACPA-положительный и ACPA-отрицательный РА - одно и то же заболевание? Нат Ревматол . 2011 Апрель 7 (4): 202-3. [Медлайн].

  • van Venrooij WJ, van Beers JJ, Pruijn GJ. Антитела против CCP: прошлое, настоящее и будущее. Нат Ревматол . 2011, 7 июня. 7 (7): 391-8. [Медлайн].

  • Mjaavatten MD, van der Heijde DM, Uhlig T, et al. Следует ли повторно оценивать статус антител к цитруллинированному белку и ревматоидного фактора в течение первого года наблюдения при недавно начавшемся артрите? Продольное исследование. Дж. Ревматол . 2011 ноябрь 38 (11): 2336-41. [Медлайн].

  • Bang H, Egerer K, Gauliard A, et al. Мутация и цитруллинирование превращают виментин в новый аутоантиген при ревматоидном артрите. Rheum артрита . 2007. 56 (8): 2503–11. [Медлайн].

  • Coenen D, Verschueren P, Westhovens R, Bossuyt X. Технические и диагностические характеристики 6 анализов для измерения антител к цитруллинированному белку / пептиду в диагностике ревматоидного артрита. Clin Chem . 2007. 53 (3): 498–504. [Медлайн].

  • Soos L, Szekanecz Z, Szabo Z, et al. Клиническая оценка антимутантного цитруллинированного виментина с помощью ELISA при ревматоидном артрите. Дж. Ревматол . 2007. 34 (8): 1658–63. [Медлайн].

  • Szekanecz Z, Soos L, Szabo Z, et al. Антитела к цитруллинированному белку при ревматоидном артрите: насколько хорошо? Clin Rev Allergy Immunol . 2008. 34 (1): 26–31. [Медлайн].

  • Goodman A. Новые биомаркеры улучшают диагностику раннего РА. Medscape Medical News . 20 июня 2013 г. [Полный текст].

  • Де Винтер Л., Хансен В., Гёзенс П. и др. Новые аутоантитела как биомаркеры раннего и серонегативного ревматоидного артрита [аннотация OP0181]. Представлено на: EULAR 2013, Ежегодном конгрессе Европейской лиги против ревматизма; Мадрид, Испания; 14 июня 2013 г. Ann Rheum Dis . 2013. 72 (приложение 3): 114.[Полный текст].

  • van der Heijde DM. Радиографические изображения: «золотой стандарт» для оценки прогрессирования ревматоидного артрита. Ревматология (Оксфорд) . 2000 июн. 39 приложение 1: 9-16. [Медлайн].

  • Тан Ю.К., Конаган П.Г. Визуализация при ревматоидном артрите. Best Practices Clin Rheumatol . 2011 25 августа (4): 569-84. [Медлайн].

  • Wells AF, Haddad RH. Растущая роль ультразвукового исследования при ревматоидном артрите: оптимизация диагностики, измерение активности заболевания и выявление прогностических факторов. Ультразвук Мед Биол . 2011 августа 37 (8): 1173-84. [Медлайн].

  • Bruno MA, Wakefield RJ. Глава 5: Ультразвук ревматоидного артрита. Бруно М.А., Мошер Т.Дж., Gold GE. Цветной артрит: расширенная визуализация артрита . Филадельфия, Пенсильвания: Сондерс-Эльзевьер; 2009. 96-122.

  • Cheung PP, Dougados M, Gossec L. Надежность ультразвукового исследования для выявления синовита при ревматоидном артрите: систематический обзор литературы 35 исследований (1415 пациентов). Центр по уходу за артритом (Хобокен) . 2010 Март 62 (3): 323-34. [Медлайн].

  • Fiocco U, Ferro F, Vezzu M и др. Ревматоидный и псориатический синовит коленного сустава: клиническая картина, оценка реакции на этанерцепт с помощью ультразвуковой допплерографии и ультразвуковой допплерографии. Энн Рум Дис . 2005 июн. 64 (6): 899-905. [Медлайн]. [Полный текст].

  • Suter LG, Fraenkel L, Braithwaite RS. Роль магнитно-резонансной томографии в диагностике и прогнозе ревматоидного артрита. Центр по уходу за артритом (Хобокен) . 2011 Май. 63 (5): 675-88. [Медлайн].

  • Cyteval C. Допплерография и динамическая магнитно-резонансная томография для оценки синовита кисти и запястья у пациентов с ревматоидным артритом. Semin Musculoskelet Radiol . 2009 марта 13 (1): 66-73. [Медлайн].

  • Fukae J, Kon Y, Henmi M, Sakamoto F, Narita A, Shimizu M. Изменение синовиальной васкуляризации в суставе одного пальца, оцененное с помощью энергетической допплерографии, коррелировало с рентгенологическими изменениями при ревматоидном артрите: сравнительное исследование новой количественной оценки с полуколичественный балл. Центр по уходу за артритом (Хобокен) . 2010 май. 62 (5): 657-63. [Медлайн].

  • Заят А.С., Конаган П.Г., Шариф М. и др. Оказывают ли нестероидные противовоспалительные препараты значительное влияние на выявление и классификацию синовита, обнаруженного при УЗИ, у пациентов с ревматоидным артритом? Результаты рандомизированного исследования. Энн Рум Дис . 2011 Октябрь 70 (10): 1746-51. [Медлайн].

  • Kelleher MO, McEvoy L, Yang JP, Kamel MH, Bolger C.Боковая фиксация масс винтами в сложных случаях позвоночника: проспективное клиническое исследование. Бр. Дж. Нейросург . 2008 22 октября (5): 663-8. [Медлайн].

  • Cakir B, Kafer W., Reichel H, Schmidt R. Хирургия шейного отдела позвоночника при ревматоидном артрите. Диагностика и индикация. Ортопад . 2008 г., 37 (11): 1127-40; викторина 1141. [Medline].

  • Narvaez JA, Narvaez J, Serrallonga M, et al. Поражение шейного отдела позвоночника при ревматоидном артрите: корреляция между неврологическими проявлениями и данными магнитно-резонансной томографии. Ревматология (Оксфорд) . 2008 декабрь 47 (12): 1814-9. [Медлайн].

  • Verstappen SM, Albada-Kuipers GA, Bijlsma JW и др., Для Утрехтской когортной группы по изучению ревматоидного артрита (SRU). Хороший ответ на раннее лечение БПВП у пациентов с ревматоидным артритом в первый год прогнозирует ремиссию во время последующего наблюдения. Энн Рум Дис . 2005. 64: 38-43. [Медлайн].

  • Алетаха Д., Фуновиц Дж., Keystone EC, Смолен Ю.С. Активность заболевания на ранней стадии лечения позволяет прогнозировать ответ на терапию у пациентов с ревматоидным артритом через год. Rheum артрита . 2007. 56: 3226-35. [Медлайн].

  • Verschueren P, Esselens G, Westhovens R. Предикторы ремиссии, нормализации физических функций и изменений в рабочей ситуации во время наблюдения за пациентами с ранним ревматоидным артритом: обсервационное исследование. Scand J Rheumatol . 2009. 38: 166-72. [Медлайн].

  • [Руководство] Сингх Дж. А., Ферст Д. Е., Бхарат А., Кертис Дж. Р., Кавано А. Ф. и др. Обновление 2012 г. рекомендаций Американского колледжа ревматологов 2008 г. по использованию модифицирующих болезнь противоревматических препаратов и биологических агентов при лечении ревматоидного артрита. Центр по уходу за артритом (Хобокен) . 2012 май. 64 (5): 625-39. [Медлайн]. [Полный текст].

  • Callhoff J, Weiss A, Zink A, Listing J. Влияние биологической терапии на функциональный статус у пациентов с ревматоидным артритом - метаанализ. Ревматология (Оксфорд) . 2013 Декабрь 52 (12): 2127-35. [Медлайн].

  • Bili A, Sartorius JA, Kirchner HL, et al. Использование гидроксихлорохина и снижение риска диабета у пациентов с ревматоидным артритом. Дж. Клин Ревматол . 2011 Апрель 17 (3): 115-20. [Медлайн].

  • Соломон Д.Х., Массаротти Э., Гарг Р. и др. Связь между модифицирующими болезнь противоревматическими препаратами и риском диабета у пациентов с ревматоидным артритом и псориазом. ЯМА . 2011, 22 июня. 305 (24): 2525-31. [Медлайн].

  • Lane JCE, Weaver J, Kostka K и др .; Консорциум OHDSI-COVID-19. Риск применения гидроксихлорохина отдельно и в комбинации с азитромицином при лечении ревматоидного артрита: многонациональное ретроспективное исследование. Ланцет Ревматол . 2020 21 августа [Medline]. [Полный текст].

  • Brooks M. FDA OKs Автоинжектор с метотрексатом (Otrexup). Medscape Medical News . 18 октября 2013 г. [Полный текст].

  • Глен С. Хазлвуд, Шерил Барнаб, Джордж Томлинсон, Дебора Маршалл, Дэн Дево, Клэр Бомбардье. Монотерапия метотрексатом и комбинированная терапия метотрексатом с традиционными и модифицирующими биологическое заболевание противоревматическими препаратами при ревматоидном артрите: сокращенный Кокрановский систематический обзор и сетевой метаанализ. BMJ . 2016. 353: [Medline].

  • Furst DE, Breedveld FC, Kalden JR и др. Обновленное согласованное заявление о биологических агентах для лечения ревматических заболеваний, 2007 г. Ann Rheum Dis . 2007 ноябрь 66, приложение 3: iii2-22. [Медлайн].

  • Garces S, Demengeot J, Benito-Garcia E. Иммуногенность терапии против TNF при иммуноопосредованных воспалительных заболеваниях: систематический обзор литературы с метаанализом. Энн Рум Дис . 2013 Декабрь 72 (12): 1947-55. [Медлайн].

  • Галлоуэй Дж. Б., Хайрих К. Л., Мерсер Л. К. и др. Риск септического артрита у пациентов с ревматоидным артритом и эффект анти-TNF терапии: результаты из Регистра биологических препаратов Британского общества ревматологии. Энн Рум Дис . 2011 Октябрь 70 (10): 1810-1814. [Медлайн]. [Полный текст].

  • Lan JL, Chen YM, Hsieh TY и др. Кинетика вирусной нагрузки и риск реактивации вируса гепатита В у пациентов с ревматоидным артритом, положительным по ядру гепатита В, проходящих терапию противоопухолевым фактором некроза альфа. Энн Рум Дис . 2011 Октябрь 70 (10): 1719-25. [Медлайн].

  • Асклинг Дж., Ван Волленховен РФ, Гранат Ф. и др. Риск рака у пациентов с ревматоидным артритом, получающих терапию противоопухолевым фактором некроза альфа: изменяется ли риск со временем с начала лечения? Rheum артрита . 2009 ноябрь 60 (11): 3180-9. [Медлайн].

  • Finzel S, Rech J, Schmidt S, et al. Восстановление эрозий костей при ревматоидном артрите, леченном ингибиторами фактора некроза опухолей, основано на наложении костей в основании эрозии. Энн Рум Дис . 2011 Сентябрь 70 (9): 1587-93. [Медлайн].

  • van Vollenhoven RF, Ernestam S, Geborek P, Petersson IF, Coster L, Waltbrand E. Добавление инфликсимаба по сравнению с добавлением сульфасалазина и гидроксихлорохина к метотрексату у пациентов с ранним ревматоидным артритом (исследование Swefot): рандомизированное испытание. Ланцет . 2009 8 августа. 374 (9688): 459-66. [Медлайн].

  • Visser K, van der Heijde D.Оптимальная дозировка и способ применения метотрексата при ревматоидном артрите: систематический обзор литературы. Энн Рум Дис . 2009 июл.68 (7): 1094-9. [Медлайн]. [Полный текст].

  • Keystone EC, Kavanaugh A, Weinblatt ME, Patra K, Pangan AL. Клинические последствия отсроченного добавления адалимумаба к терапии метотрексатом более 5 лет у пациентов с ревматоидным артритом. Дж. Ревматол . 2011 Май. 38 (5): 855-62. [Медлайн].

  • Келли Дж.Ревматоидный артрит: установлен целевой уровень адалимумаба. Медицинские новости Medscape. Доступно на http://www.medscape.com/viewarticle/818102. Доступ: 23 декабря 2013 г.

  • Pouw MF, Krieckaert CL, Nurmohamed MT, et al. Основные результаты по оптимизации лечения адалимумабом: кривая концентрация-эффект. Энн Рум Дис . 2015 Март 74 (3): 513-8. [Медлайн].

  • Fleischmann R, Vencovsky J, van Vollenhoven RF, Borenstein D, Box J, Coteur G.Эффективность и безопасность монотерапии цертолизумабом пеголом каждые 4 недели у пациентов с ревматоидным артритом, не прошедших предыдущую модифицирующую болезнь противоревматическую терапию: исследование FAST4WARD. Энн Рум Дис . 2009 июн.68 (6): 805-11. [Медлайн]. [Полный текст].

  • Smolen J, Landewe RB, Mease P, Brzezicki J, Mason D, Luijtens K. Эффективность и безопасность цертолизумаба пегола плюс метотрексат при активном ревматоидном артрите: исследование RAPID 2. Рандомизированное контролируемое исследование. Энн Рум Дис . 2009 июн. 68 (6): 797-804. [Медлайн]. [Полный текст].

  • Emery P, Fleischmann RM, Moreland LW, Hsia EC, Strusberg I, Durez P. Голимумаб, человеческое моноклональное антитело против фактора некроза опухоли альфа, вводимое подкожно каждые четыре недели пациентам с активным ревматоидным артритом, ранее не получавшим метотрексат: результаты четырехнедельного многоцентрового рандомизированного двойного слепого плацебо-контролируемого исследования фазы III голимумаба перед метотрексатом в качестве терапии первой линии для лечения ревматоидного артрита с ранним началом. Rheum артрита . 2009 августа 60 (8): 2272-83. [Медлайн].

  • Brown T. FDA одобрило внутривенное введение голимумаба (Simponi Aria) при ревматоидном артрите. Medscape Medical News . 18 июля 2013 г. [Полный текст].

  • Janssen Biotech, Inc. Simponi Aria (голимумаб) для инфузий получила одобрение FDA для лечения умеренно или сильно активного ревматоидного артрита [пресс-релиз]. 18 июля 2013 г. [Полный текст].

  • Weinblatt ME, Bingham CO 3rd, Mendelsohn AM, et al.Внутривенное введение голимумаба эффективно у пациентов с активным ревматоидным артритом, несмотря на терапию метотрексатом, с ответом уже на 2-й неделе: результаты фазы 3 рандомизированного многоцентрового двойного слепого плацебо-контролируемого исследования GO-FURTHER. Энн Рум Дис . 2013 Март 72 (3): 381-9. [Медлайн].

  • Edwards JC, Szczepanski L, Szechinski J, Filipowicz-Sosnowska A, Emery P, Close DR. Эффективность В-клеточной терапии ритуксимабом у пациентов с ревматоидным артритом. N Engl J Med . 2004, 17 июня. 350 (25): 2572-81. [Медлайн].

  • Петерфи С., Эмери П., Так П.П., Остергаард М., ДиКарло Дж., Отса К. и др. МРТ-оценка подавления структурных повреждений у пациентов с ревматоидным артритом, получающих ритуксимаб: результаты рандомизированного плацебо-контролируемого двойного слепого исследования RA-SCORE. Энн Рум Дис . 2016 Январь 75 (1): 170-7. [Медлайн]. [Полный текст].

  • Эмери П., Готтенберг Дж. Э., Рубберт-Рот А. и др.Ритуксимаб по сравнению с альтернативным ингибитором TNF у пациентов с ревматоидным артритом, которые не ответили на один предыдущий ингибитор TNF: SWITCH-RA, глобальное обсервационное сравнительное исследование эффективности. Энн Рум Дис . 2015 июн. 74 (6): 979-84. [Медлайн].

  • Портер Д., ван Мелкебеке Дж., Дейл Дж., Мессоу К.М., МакКонначи А., Уокер А. и др. Ингибирование фактора некроза опухоли по сравнению с ритуксимабом у пациентов с ревматоидным артритом, которым требуется биологическое лечение (ОРБИТ): открытое рандомизированное контролируемое исследование не меньшей эффективности. Ланцет . 2016 16 июля. 388 (10041): 239-47. [Медлайн].

  • Bingham CO 3rd, Looney RJ, Deodhar A, Halsey N, Greenwald M, Codding C. Ответы на иммунизацию пациентов с ревматоидным артритом, получавших ритуксимаб: результаты контролируемого клинического испытания. Rheum артрита . 2010 Январь 62 (1): 64-74. [Медлайн].

  • Orencia (абатацепт) [листок-вкладыш]. Принстон, Нью-Джерси: Бристол-Майерс Сквибб. 2011. Доступно в [Полный текст].

  • Genovese MC, Schiff M, Luggen M и др. Долгосрочная безопасность и эффективность абатацепта через 5 лет лечения у пациентов с ревматоидным артритом и неадекватным ответом на терапию ингибиторами фактора некроза опухоли. Дж. Ревматол . Август 2012. 39 (8): 1546-54. [Медлайн].

  • Weinblatt ME, Schiff M, Valente R, et al. Прямое сравнение подкожного абатацепта и адалимумаба при ревматоидном артрите: результаты международного проспективного рандомизированного исследования фазы IIIb. Rheum артрита . 2013 Январь 65 (1): 28-38. [Медлайн].

  • Дугадос М., Киссель К., Ширан Т. и др. Добавление тоцилизумаба или переход на монотерапию тоцилизумабом у лиц с недостаточным ответом на метотрексат: 24-недельные симптоматические и структурные результаты 2-летнего рандомизированного контролируемого исследования стратегии лечения ревматоидного артрита (ACT-RAY). Энн Рум Дис . 7 июля 2012 г. [Medline].

  • Strand V, Burmester GR, Ogale S, Devenport J, John A, Emery P.Улучшение связанного со здоровьем качества жизни после лечения тоцилизумабом у пациентов с ревматоидным артритом, резистентным к ингибиторам фактора некроза опухоли: результаты 24-недельного рандомизированного контролируемого исследования RADIATE. Ревматология (Оксфорд) . 28 июня 2012 г. [Medline].

  • Burmester GR, Rubbert-Roth A, Cantagrel A, et al. Рандомизированное двойное слепое исследование в параллельных группах безопасности и эффективности подкожного тоцилизумаба по сравнению с внутривенным тоцилизумабом в сочетании с традиционными модифицирующими течение заболевания противоревматическими препаратами у пациентов с умеренным и тяжелым ревматоидным артритом (исследование SUMMACTA). Энн Рум Дис . 2014 Январь 73 (1): 69-74. [Медлайн].

  • Smolen JS, Schoels MM, Nishimoto N, et al. Консенсусное заявление о блокировании эффектов интерлейкина-6 и, в частности, ингибирования рецепторов интерлейкина-6 при ревматоидном артрите и других воспалительных состояниях. Энн Рум Дис . 2013 Апрель 72 (4): 482-92. [Медлайн].

  • Genovese MC, Fleischmann R, Kivitz AJ, Rell-Bakalarska M, Martincova R, Fiore S, et al.Сарилумаб плюс метотрексат у пациентов с активным ревматоидным артритом и неадекватным ответом на метотрексат: результаты исследования фазы III. Ревматический артрит . 2015 июн. 67 (6): 1424-37. [Медлайн]. [Полный текст].

  • Fleischmann R, van Adelsberg J, Lin Y, Castelar-Pinheiro GD, Brzezicki J, Hrycaj P, et al. Сарилумаб и антиревматические препараты, не изменяющие биологическое заболевание, у пациентов с активным ревматоидным артритом и неадекватным ответом или непереносимостью ингибиторов фактора некроза опухоли. Ревматический артрит . 2017 Февраль 69 (2): 277-290. [Медлайн]. [Полный текст].

  • Fleischmann R. Новые низкомолекулярные препараты для лечения ревматоидного артрита. Curr Opin Rheumatol . 2012 май. 24 (3): 335-41. [Медлайн].

  • FDA одобрило Xeljanz для лечения ревматоидного артрита [пресс-релиз]. 6 ноября 2012 г. Доступно по адресу http://www.fda.gov/NewsEvents/Newsroom/PressAnnouncements/ucm327152.htm. Доступ: 28 ноября 2012 г.

  • van der Heijde D, Tanaka Y, Fleischmann R, et al; ORAL Scan Investigators.Тофацитиниб (CP-690,550) у пациентов с ревматоидным артритом, получающих метотрексат: данные за 12 месяцев из 24-месячного рандомизированного рентгенографического исследования фазы III. Rheum артрита . 2013 Март 65 (3): 559-70. [Медлайн].

  • Fleischmann R, Kremer J, Cush J, et al. Плацебо-контролируемое исследование монотерапии тофацитинибом при ревматоидном артрите. N Engl J Med . 9 августа 2012 г. 367 (6): 495-507. [Медлайн].

  • ван Волленховен РФ, Флейшманн Р., Коэн С. и др.Тофацитиниб или адалимумаб в сравнении с плацебо при ревматоидном артрите. N Engl J Med . 9 августа 2012 г. 367 (6): 508-19. [Медлайн].

  • Brown T. FDA одобрило применение барицитиниба для лечения ревматоидного артрита. Medscape Medical News . 1 июня 2018 г. Доступно по адресу https://www.medscape.com/viewarticle/897516.

  • Dougados M, van der Heijde D, Chen YC, Greenwald M, Drescher E, Liu J и др. Барицитиниб у пациентов с неадекватным ответом или непереносимостью обычных синтетических БПВП: результаты исследования RA-BUILD. Энн Рум Дис . 2017 Январь 76 (1): 88-95. [Медлайн]. [Полный текст].

  • van der Heijde D, Dougados M, Chen YC, Greenwald M, Drescher E, Klar R, et al. Влияние барицитиниба на рентгенологическое прогрессирование структурных повреждений суставов через 1 год у пациентов с ревматоидным артритом и неадекватный ответ на обычные синтетические противоревматические препараты, модифицирующие болезнь. RMD Открыть . 2018. 4 (1): e000662. [Медлайн]. [Полный текст].

  • Smolen JS, Kremer JM, Gaich CL, DeLozier AM, Schlichting DE, Xie L, et al.Сообщенные пациентами результаты рандомизированного исследования III фазы барицитиниба у пациентов с ревматоидным артритом и неадекватным ответом на биологические агенты (RA-BEACON). Энн Рум Дис . 2017 Апрель 76 (4): 694-700. [Медлайн]. [Полный текст].

  • Смолен Дж. С., Панган А. Л., Эмери П., Ригби В., Танака Ю., Варгас Дж. И. и др. Упадацитиниб в качестве монотерапии у пациентов с активным ревматоидным артритом и неадекватным ответом на метотрексат (SELECT-MONOTHERAPY): рандомизированное плацебо-контролируемое двойное слепое исследование фазы 3. Ланцет . 8 июня 2019 г. 393 (10188): 2303-2311. [Медлайн].

  • Fleischmann RM, Genovese MC, Enejosa JV, Mysler E, Bessette L, Peterfy C, et al. Безопасность и эффективность упадацитиниба или адалимумаба в сочетании с метотрексатом у пациентов с ревматоидным артритом в течение 48 недель с переходом на альтернативную терапию у пациентов с недостаточным ответом. Энн Рум Дис . 30 июля 2019 г. [Medline]. [Полный текст].

  • Тош Дж. С., Вайло А. Дж., Скотт Д. Л., Дейтон К. М..Экономическая эффективность комбинированных небиологических модифицирующих заболевание антиревматических препаратов у пациентов с ранним ревматоидным артритом. Дж. Ревматол . 2011 августа 38 (8): 1593-600. [Медлайн].

  • Lipsky PE, van der Heijde DM, St Clair EW, et al. Инфликсимаб и метотрексат в лечении ревматоидного артрита. Испытание противоопухолевого фактора некроза при ревматоидном артрите с группой исследования сопутствующей терапии. N Engl J Med . 2000, 30 ноября. 343 (22): 1594-602.[Медлайн].

  • Ригби В., Ферраччиоли Дж., Гринвальд М. и др. Влияние ритуксимаба на физическую функцию и качество жизни у пациентов с ревматоидным артритом, ранее не получавших метотрексата. Центр по уходу за артритом (Хобокен) . 2011 Май. 63 (5): 711-20. [Медлайн].

  • O'Dell JR, Haire CE, Erikson N, et al. Лечение ревматоидного артрита одним метотрексатом, сульфасалазином и гидроксихлорохином или комбинацией всех трех препаратов. N Engl J Med . 1996 16 мая. 334 (20): 1287-91. [Медлайн].

  • Эмери П., Хортон С., Думитру Р. Б., Нараги К., ван дер Хейде Д., Уэйкфилд Р. Дж. И др. Прагматическое рандомизированное контролируемое исследование очень раннего этанерцепта и метотрексата по сравнению с метотрексатом с отсроченным этанерцептом при РА: исследование VEDERA. Энн Рум Дис . 2020 29 января. [Medline]. [Полный текст].

  • Джонс СК. Глазная токсичность и гидроксихлорохин: рекомендации по скринингу. Br J Dermatol .1999, январь 140 (1): 3-7. [Медлайн].

  • Bongartz T, Sutton AJ, Sweeting MJ, Buchan I, Matteson EL, Montori V. Терапия антителами против TNF при ревматоидном артрите и риск серьезных инфекций и злокачественных новообразований: систематический обзор и метаанализ редких вредных эффектов в рандомизированных контролируемых испытания. ЯМА . 2006 17 мая. 295 (19): 2275-85. [Медлайн].

  • Sohl S, Renner R, Winter U, et al. [Лекарственная красная волчанка во время лечения адалимумабом]. Hautarzt . 2009 Октябрь 60 (10): 826-9. [Медлайн].

  • Ramos-Casals M, Brito-Zeron P, Soto MJ, Cuadrado MJ, Khamashta MA. Аутоиммунные заболевания, вызванные терапией, направленной на TNF. Best Practices Clin Rheumatol . 2008 22 октября (5): 847-61. [Медлайн].

  • Lunt M, Watson KD, Dixon WG, Symmons DP, Hyrich KL. Нет доказательств связи между лечением противоопухолевым фактором некроза и смертностью пациентов с ревматоидным артритом: результаты из Регистра биологических препаратов Британского общества ревматологии. Rheum артрита . 2010 ноябрь 62 (11): 3145-53. [Медлайн].

  • Thompson AE, Rieder SW, Pope J.E. Терапия фактором некроза опухолей и риск серьезной инфекции и злокачественных новообразований у пациентов с ранним ревматоидным артритом: метаанализ рандомизированных контролируемых исследований. Rheum артрита . 2011 июн.63 (6): 1479-85. [Медлайн].

  • Mariette X, Matucci-Cerinic M, Pavelka K и др. Злокачественные новообразования, связанные с ингибиторами фактора некроза опухолей, в реестрах и проспективных обсервационных исследованиях: систематический обзор и метаанализ. Энн Рум Дис . 2011 ноябрь 70 (11): 1895-904. [Медлайн].

  • Hoes JN, Jacobs JW, Buttgereit F, Bijlsma JW. Современный взгляд на совместную терапию глюкокортикоидами с БПВП при ревматоидном артрите. Нат Ревматол . 2010 Декабрь 6 (12): 693-702. [Медлайн].

  • Buttgereit F, Doering G, Schaeffler A, et al. Эффективность модифицированного высвобождения по сравнению со стандартным преднизоном для уменьшения продолжительности утренней скованности суставов при ревматоидном артрите (CAPRA-1): двойное слепое рандомизированное контролируемое исследование. Ланцет . 19 января 2008 г. 371 (9608): 205-14. [Медлайн].

  • Buttgereit F, Doering G, Schaeffler A, et al. Ориентация на патофизиологические ритмы: хронотерапия преднизоном показывает устойчивую эффективность при ревматоидном артрите. Энн Рум Дис . Июль 2010 г. 69 (7): 1275-80. [Медлайн]. [Полный текст].

  • Buttgereit F, Mehta D, Kirwan J и др. Хронотерапия низкими дозами преднизона при ревматоидном артрите: рандомизированное клиническое исследование (CAPRA-2). Энн Рум Дис . 2013 Февраль 72 (2): 204-10. [Медлайн]. [Полный текст].

  • Boggs W. Инфликсимаб, стероиды предлагают аналогичные показатели ремиссии РА. Medscape Medical News . 28 августа 2013 г. [Полный текст].

  • Nam JL, Villeneuve E, Hensor EM, et al. Индукция ремиссии при сравнении инфликсимаба и высоких доз внутривенного стероида с последующим лечением до цели: двойное слепое рандомизированное контролируемое испытание при впервые возникшем ревматоидном артрите, не получавшем лечения (исследование IDEA). Энн Рум Дис . 2014 Январь 73 (1): 75-85. [Медлайн].

  • Мясоедова Э., Crowson CS, Никола П.Дж. и др. Влияние характеристик заболевания ревматоидным артритом на сердечную недостаточность. Дж. Ревматол . 2011 августа 38 (8): 1601-6. [Медлайн].

  • Соломон С.Д., Виттес Дж., Финн П.В. и др., Для Группы оценки безопасности перекрестных испытаний. Сердечно-сосудистый риск целекоксиба в 6 рандомизированных плацебо-контролируемых исследованиях: перекрестный анализ безопасности. Тираж . 2008, 22 апреля. 117 (16): 2104-13. [Медлайн].

  • Weinblatt ME, Kavanaugh A, Genovese MC, Musser TK, Grossbard EB, Magilavy DB. Оральный ингибитор тирозинкиназы селезенки (Syk) при ревматоидном артрите. N Engl J Med . 2010 сентябрь 363 (14): 1303-12. [Медлайн].

  • Ince-Askan H, Dolhain RJ. Беременность и ревматоидный артрит. Best Practices Clin Rheumatol . 2015 авг-дек. 29 (4-5): 580-96. [Медлайн].

  • Остенсен М., Форгер Ф, Нельсон Дж. Л., Шухмахер А., Хебиш Г., Виллигер П. М.. Беременность у пациентов с ревматическими заболеваниями: противовоспалительные цитокины повышаются во время беременности и уменьшаются в послеродовом периоде. Энн Рум Дис . 2005 июн. 64 (6): 839-44. [Медлайн].

  • Макол А., Райт К., Амин С. Ревматоидный артрит и беременность: соображения безопасности при фармакологическом лечении. Наркотики . 2011, 22 октября. 71 (15): 1973-87. [Медлайн].

  • Parke A, West B. Гидроксихлорохин у беременных с системной красной волчанкой. Дж. Ревматол . 1996 23 октября (10): 1715-8. [Медлайн].

  • Temprano KK, Bandlamudi R, Moore TL. Противоревматические препараты при беременности и кормлении грудью. Семин Arthritis Rheum . 2005 Октябрь, 35 (2): 112-21. [Медлайн].

  • Androulakis I, Zavos C, Christopoulos P, Mastorakos G, Gazouli M. Безопасность терапии противоопухолевым фактором некроза во время беременности у пациентов с воспалительным заболеванием кишечника. Мир Дж. Гастроэнтерол . 2015 21 декабря. 21 (47): 13205-11. [Медлайн].

  • Bröms G, Granath F, Ekbom A, Hellgren K, Pedersen L, Sørensen HT и др. Низкий риск врожденных пороков у младенцев, матери которых лечатся препаратами против фактора некроза опухолей во время беременности. Клин Гастроэнтерол Гепатол . 2016 14 февраля (2): 234-41.e1-5. [Медлайн].

  • Лукмани Р., Хеннелл С., Эстрах С. и др. Руководство Британского общества ревматологов и британских медицинских специалистов по ревматологии по лечению ревматоидного артрита (после первых 2 лет). Ревматология (Оксфорд) . 2009 апр. 48 (4): 436-9. [Медлайн].

  • Гоксель Каратепе А., Гунайдин Р., Туркмен Г., Кая Т. Влияние программы упражнений на дому на функциональный статус и качество жизни пациентов с ревматоидным артритом: последующее исследование в течение 1 года. Ревматол Инт . 2011 Февраля 31 (2): 171-6. [Медлайн].

  • Камиока Х., Цутани К., Окуидзуми Х., Муто Й., Охта М., Ханда С. Эффективность водных упражнений и бальнеотерапии: резюме систематических обзоров, основанных на рандомизированных контролируемых испытаниях методов лечения с погружением в воду. J Эпидемиол . 2010. 20 (1): 2-12. [Медлайн].

  • Кац П., Маргареттен М., Грегорич С., Трупин Л. Физическая активность для снижения утомляемости при ревматоидном артрите: рандомизированное контролируемое исследование. Центр по уходу за артритом (Хобокен) . 2017 5 апреля. [Medline].

  • Лемми А.Б., Маркора С.М., Честер К., Уилсон С., Казанова Ф., Мэддисон П.Дж. Эффекты высокоинтенсивных тренировок с отягощениями у пациентов с ревматоидным артритом: рандомизированное контролируемое исследование. Rheum артрита . 2009 15 декабря. 61 (12): 1726-34. [Медлайн].

  • О'Брайен ET. Хирургические принципы и планирование ревматоидной кисти и запястья. Clin Plast Surg . 1996 июл.23 (3): 407-20. [Медлайн].

  • Маседо AM, Oakley SP, Panayi GS, Kirkham BW. Функциональные и трудовые результаты улучшаются у пациентов с ревматоидным артритом, получающих целенаправленную комплексную профессиональную терапию. Rheum артрита . 2009 15 ноя.61 (11): 1522-30. [Медлайн].

  • Уильямс С.Б., Брэнд КА, Хилл К.Д., Хант С.Б., Моран Х. Возможность и результаты программы домашних упражнений по улучшению баланса и стабильности походки у женщин с остеоартритом нижних конечностей или ревматоидным артритом: пилотное исследование. Arch Phys Med Rehabil . 2010 январь 91 (1): 106-14. [Медлайн].

  • [Рекомендации] Комб Б., Ландеве Р., Дайен С.И. и др. Обновление рекомендаций EULAR по ведению раннего артрита в 2016 г. Энн Рум Дис . 2016 15 декабря. [Medline]. [Полный текст].

  • Nordberg LB, Lillegraven S, Lie E, Aga AB, Olsen IC, Hammer HB и др. Пациенты с серонегативным РА имеют более выраженную воспалительную активность по сравнению с пациентами с серопозитивным РА в исходной когорте пациентов, ранее не получавших БПВП, классифицированных в соответствии с критериями ACR / EULAR 2010 года. Энн Рум Дис . 2017 Февраль 76 (2): 341-345. [Медлайн].

  • Альмен М., Свенссон Б., Альбертссон К., Форслинд К., Хафстром И., Исследовательская группа БАРФОТ.Влияние пола на оценку активности и функции заболевания при раннем ревматоидном артрите в связи с рентгенологическим поражением суставов. Энн Рум Дис . 2010 Январь 69 (1): 230-3. [Медлайн].

  • Кинерет [вкладыш в упаковке] [вкладыш в упаковке]. Amgen. Личное общение с Kijung Sung-Thay, PharmD. 2008.

  • Аксельсен М.Б., Эшед И., Хорслев-Петерсен К. и др .; Учебная группа ОПЕРЫ. Стратегия лечения до цели с метотрексатом и внутрисуставным триамцинолоном с адалимумабом или без него эффективно снижает МРТ-синовит, остит и теносиновит и останавливает прогрессирование структурных повреждений при раннем ревматоидном артрите: результаты рандомизированного контролируемого исследования OPERA. Энн Рум Дис . 2015 май. 74 (5): 867-75. [Медлайн].

  • Callhoff J, Weiss A, Zink A, Listing J. Влияние биологической терапии на функциональный статус у пациентов с ревматоидным артритом - метаанализ. Ревматология (Оксфорд) . 2013 Декабрь 52 (12): 2127-35. [Медлайн].

  • Chambers CD, Johnson DL, Luo Y, Xu R, Jones KL. Исходы беременности у женщин, подвергшихся воздействию адалимумаба: обновленная информация о проекте OTIS Autoimmune Diseases in Pregnancy.Американский колледж ревматологии. Доступно по адресу http://acrabstracts.org/abstract/pregnancy-outcome-in-women-treated-with-adalimumab-for-the-treatment-of-rheumatoid-arthritis-an-update/. Ежегодное собрание ACR / ARHP 2014 г. Номер аннотации: 821; Доступ: 6 апреля 2017 г.

  • [Рекомендации] Саммаритано Л.Р., Бермас Б.Л., Чакраварти Е.Е. и др. Руководство Американского колледжа ревматологии по управлению репродуктивным здоровьем при ревматических и скелетно-мышечных заболеваниях, 2020 г. Ревматический артрит .2020 23 февраля. [Medline]. [Полный текст].

  • Общие аноректальные состояния: Часть II. Поражения

    1. Коутский Л.А., Галлоуэй Д.А., Холмс К.К. Эпидемиология генитальных инфекций, вызванных вирусом папилломы человека. Epidemiol Rev . 1998; 10: 122–63 ....

    2. Pfenninger JL. Андроскопия: методика обследования мужчин на кондиломы. J Fam Pract . 1989; 29: 286–8.

    3. Центры по контролю и профилактике заболеваний.Папилломавирусная инфекция. Руководство 1993 г. по лечению болезней, передающихся половым путем. MMWR Morb Mortal Wkly Rep . 1993; 42: 83–8.

    4. Клинг АР. Остроконечные кондиломы - терапия. Семин дерматол . 1992; 11: 247–55.

    5. Бейтнер К.Р., Тайринг СК, Трофаттер К.Ф., Дуглас Дж. М., Spruance S, Оуэнс М.Л., и другие. Имиквимод, применяемый пациентами модификатор иммунного ответа для лечения наружных остроконечных кондилом. Противомикробные агенты Chemother . 1998. 42: 789–94.

    6. Бейтнер К.Р., Конант М.А., Фридман-Кин А.Е., Иллеман М, Артман Н.Н., Тистед Р.А., и другие. Больной применял подофилокс для лечения кондилом. Ланцет . 1989; 1: 831–4.

    7. Франко Э.Л., Рохан Т.Э., Вилла LL. Эпидемиологические данные и инфекция вируса папилломы человека как необходимая причина рака шейки матки. Национальный институт рака . 1999; 91: 506–11.

    8. Ноффсингер А, Витте Д, Fenoglio-Preiser CM. Связь вирусов папилломы человека с аноректальной неоплазией. Рак . 1992; 70: 1276–87.

    9. Голди С.Дж., Кунц К.М., Вайнштейн MC, Фридберг К.А., Велтон М.Л., Палефски JM. Клиническая эффективность и рентабельность скрининга плоскоклеточных интраэпителиальных поражений заднего прохода у гомосексуальных и бисексуальных ВИЧ-положительных мужчин. JAMA . 1999; 281: 1822–9.

    10. Surrell JA. Анальная трещина / латеральная сфинктеротомия. В: Pfenninger J, Fowler G, eds. Процедуры для врачей первичного звена. Сент-Луис: Мосби, 1994: 958–63.

    11. Lund JN, Scholefield JH. Рандомизированное проспективное двойное слепое плацебо-контролируемое исследование мази с тринитратом глицерина при лечении трещин заднего прохода. Ланцет . 1997; 349: 11–4 [Опубликованная ошибка появляется в Lancet 1997; 349: 656].

    12.Лодер ПБ, Камм М.А., Николс Р.Дж., Филлипс РК. «Обратимая химическая сфинктеротомия» путем местного применения тринитрата глицерина. Br J Surg . 1994; 81: 1386–9.

    13. Sharp RF. Отбор пациентов и методы лечения хронической анальной трещины. Am J Surg . 1996. 171: 512–5.

    14. Горфин SR. Местная терапия нитроглицерином при анальных трещинах и язвах [Письмо]. N Engl J Med . 1995; 333: 1156–7.

    15. Altomare DF, Ринальди М, Милито Г, Аркана F, Спинелли Ф, Нарделли Н, и другие. Глицерилтринитрат при хронической трещине заднего прохода - заживление или головная боль? Результаты многоцентрового рандомизированного плацебо-контролируемого двойного слепого исследования. Диск прямой кишки . 2000; 43: 174–81.

    16. Ричард К.С., Грегуар Р, Plewes EA, Сильверман Р, Бурул Ц, Резник Р, и другие.Внутренняя сфинктеротомия превосходит местный нитроглицерин в лечении хронической анальной трещины: результаты рандомизированного контролируемого исследования Канадской группы исследований по колоректальной хирургии. Диск прямой кишки . 2000; 43: 1048–58.

    17. Антрополи C, Перротти П., Рубино М, Мартино А, Де Стефано Дж., Мильоре Г, и другие. Нифедипин для местного применения при консервативном лечении трещин заднего прохода: предварительные результаты многоцентрового исследования. Диск прямой кишки . 1999; 42: 1011–5.

    18. Карапети Е.А., Камм М.А., Эванс Б.К., Филлипс РК. Дилтиазем и бетанекол для местного применения снижают давление анального сфинктера без побочных эффектов. Кишечник . 1999; 45: 719–22.

    19. Jost WH, Шимригк К. Терапия анальной трещины ботулотоксином. Диск прямой кишки . 1994; 37: 1321–4.

    20. Pfenninger JL, Суррелл Дж. Варианты консервативного лечения внутреннего геморроя. Am Fam Врач . 1995; 52: 821–34 839–41 [Опубликованная ошибка появляется в Am Fam Physician 1996; 53: 866].

    21. Макрей Х.М., McLeod RS. Сравнение методов лечения геморроя. Метаанализ. Диск прямой кишки . 1995; 38: 687–94.

    22. Йохансон Дж. Ф., Римм А. Оптимальное консервативное лечение геморроя: сравнительный анализ инфракрасной коагуляции, перевязки резинкой и инъекционной склеротерапии. Ам Дж. Гастроэнтерол .1992; 87: 1600–6.

    23. Pfenninger JL. Современные методы лечения внутреннего геморроя [От редакции]. BMJ . 1997; 314: 1211–2.

    24. Pfenninger JL. Современные методы лечения внутреннего геморроя [Ответ]. BMJ . 1997; 314: 882.

    25. Stonelake PS, Хендрикс CW. Современное лечение внутреннего геморроя. Судебный процесс резиновой лентой эффективен и действенен [Письмо]. BMJ . 1997; 315: 881–2.

    26. Карапети Э, Филлипс РК. Современное лечение внутреннего геморроя. Дневная хирургия предлагает постоянное излечение. [Письмо]. BMJ . 1997; 315: 881.

    27. Целевая группа по стандартам Американского общества хирургов толстой и прямой кишки. Параметры практики лечения геморроя. Диск прямой кишки . 1993; 36: 1118–20.

    28. Simmang CL, Сенатор П., Лоури А, Хикс Т, Бернштейн М, Дентсман Ф, и другие.Параметры практики для обнаружения колоректальных новообразований. Комитет по стандартам, Американское общество хирургов толстой и прямой кишки. Dis Colon Rect . 1999; 42: 1123–9.

    29. Provenzale D, Гарретт Дж. В., Кондон ЮВ, Sandler RS. Риск аденомы толстой кишки у пациентов с ректосигмоидными гиперпластическими полипами. Энн Интерн Мед. . 1990; 113: 760–3.

    30. Прочтите TE, Прочтите JD, Маслянистый LF. Важность аденом диаметром 5 мм и менее, обнаруженных при ректороманоскопии. Новый английский J Med . 1997. 336: 8–12.

    31. Вайзи С.Дж., ван ден Богерде JB, Эммануэль А.В., Talbot IC, Николс Р.Дж., Камм М.А. Синдром солитарной язвы прямой кишки. Br J Surg . 1998. 85: 1617–23.

    32. Лерман С, Хьюз С, Трок Би Джей, Майерс RE, Главная D, Бонни А, и другие.

    Оставить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *