Крф статья 29: Статья 29 / КонсультантПлюс

Профиль инвестора russianlove | Тинькофф Инвестиции Пульс

🇷🇺🇷🇺🇷🇺Почему российский рынок такой дешёвый несмотря на несметные богатства? Все дело в статусе нашей страны, по факту Россия — колония, этим все сказано в конституции (высшем законе, на основании которого принимаются все остальные законы). Экономику страны, которую сдерживают — не развивается. Крупный бизнес также находится в офшорах и частном владении🇷🇺🇷🇺🇷🇺 Несколько объективных фактов:     ⛔ 1. Советский Союз проиграл многолетнюю «холодную» 46-летнюю войну США в 1991 году. В результате этой геополитической войны произошло расчленение государства на 15 частей, а сама Россия и бывшие ССР стали территориями , с которых все богатства уходят на запад к нашим врагам.     ⛔ 2. статья 15 пункт 4 Конституции РФ: «Общепризнанные принципы и нормы международного права и международные договоры Российской Федерации являются составной частью ее правовой системы. Если международным договором Российской Федерации установлены иные правила, чем предусмотренные законом, то применяются правила международного договора.

» 💥Важно ! По статье 15 пункт 4 был верховный пленум № 5 от 10.10.2003 года -объективное доказательство , что Россия -колония.     ⛔  3. статья 9 пункт 2 Конституции РФ: «Земля и другие природные ресурсы могут находиться в частной, государственной, муниципальной и ИНЫХ формах собственности.» «ИНЫХ» можно заменить на «ИНОСТРАННЫХ». По Конституции международное право преобладает над интересами нации и продает наши ресурсы( газ, нефть , лес, золото и др.) и земли в своих интересах и управляет нами тоже в своих интересах!     ⛔  4. статья 13 пункт 2 Конституции РФ: «Никакая идеология не может устанавливаться в качестве государственной или обязательной.» Нам запрещена Государственная идеология в интересах нации -т.е. стратегическое развитие институтов и общества, разработка стратегий и написание законов. Законодательная власть находиться в Вашингтоне согдасно этой статьи , дума в России и остальные ветви- исполнительная власть , которая выполняет указания законодательной власти . Поэтому Россия и не может развиваться.    ⛔  5. статья 10 Конституции РФ: «Государственная власть в Российской Федерации осуществляется на основе разделения на законодательную, исполнительную и судебную. Органы законодательной, исполнительной и судебной власти самостоятельны.» Это говорит о том , что эти 3 власти разделены, т.е. «независимы»и самостоятельны , т.е. «не подчиняются друг другу». На основании 15 статьи пункта 4 эти три власти находяться под внешним управлением, следовательно действуют в интересах международного права. И на основании статьи 13 пункта 2 законодательная власть находиться в Вашингтоне, т.к. государственная идеология в России ЗАПРЕЩЕНА. Так же на основании этой статьи Президент Российской Федерации был лишен юридических полномочий влиять на судьбу страны.   ⛔   6. статья 29 пункт 5 Конституции РФ: «Гарантируется свобода массовой информации. Цензура запрещается.» На основании этой статьи СМИ разрешена ложь и полуправда, Российской Федерации запрещено контролировать СМИ и фильтровать их информацию. На основании ст. 13 п.2 нам также запрещено агитировать государственную идиологию через СМИ. СМИ — частный бизнес в руках олигархов, которые влияют на нас в интересах запада.   ⛔   7. статья 75 пункт 2 : «Защита и обеспечение устойчивости рубля — основная функция Центрального банка Российской Федерации, которую он осуществляет независимо от других органов государственной власти. » Ключевое слово «НЕЗАВИСИМО», т.е. не принадлежит России и не подчиняется в России никому. Другими словами » государство в государстве» А на основании ст.15 п.4 ЦБ РФ исполняет решения международных специализированных организаций, то есть является филиалом ФРС (Федеральной резервной системы).

Региональный портал государственных и муниципальных услуг

Вы можете изменить регион:

АбинскАбинский районАбрау-ДюрсоАгойскийАдагумскийАдлерскийАзовскийАлександровскийАлександровскийАлексее-ТенгинскийАлексеевскийАнапаАнапскийАнапский районАнастасиевскийАндрюковскийАпшеронскАпшеронский районАрмавирАрхангельскийАрхипо-ОсиповскийАтаманскийаул Агуй-Шапсугаул Большое Псеушхоаул Большой Кичмайаул Калежаул Коноковскийаул Кургоковскийаул Лыготхаул Малое Псеушхоаул Малый Кичмайаул Наджигоаул Псебеаул Тхагапшаул Урупскийаул ХаджикоАфипскийАхметовскийАхтанизовскийАхтарскийАхтырскийАчуевоАчуевскийБаговскийБакинскийБарановскийБатуринскийБезводныйБезымянныйБейсугскийБейсужекскийБелоглинскийБелоглинский районБелореченскБелореченский районБелохуторскойБеноковскийБерезанскийБерезовскийБесленеевскийБесскорбненскийБесстрашненскийБжедуховскийБлагодарненскийБойкопонурскийБольшебейсугскийБольшекозинскийБородинскийБратковскийБратскийБратскийБриньковскийБрюховецкийБрюховецкий районБузиновскийБураковскийВанновскийВарениковскийВарнавинскийВасюринскийВеликовечненскийВельяминовскийВенцы ЗаряВерхнебаканскийВерхнекубанскийВерхнелооскийВеселовскийВеселовскийВимовскийВиноградныйВладимирскийВоздвиженскийВознесенскийВолковскийВольненскийВоронежскийВоскресенскийВосточныйВосточныйВосточныйВыселковскийВыселковский районВышестеблиевскийГазырскийГайдукскийГайкодзорскийГеймановскийГеленджикГеоргиевскийГирейГлафировскийГлебовскийГолубая НиваГолубицкийГорькобалковскийГорячий КлючГостагаевскийГривенскийГригорьевскийГришковскийГубскийГулькевичиГулькевичский районДербентскийДжигинскийДжубга кпДжумайловскийДивноморскийДинскойДинской районДмитриевскийДнепровскийДолжанскийДружненскийДядьковскийЕйскЕйскийЕйский районЕйскоукрепленскийЕкатериновскийЕлизаветинскийЕремизино-БорисовскийЖелезныйЖуравскийЗабойскийЗаветныйЗападныйЗападныйЗапорожскийЗассовскийИвановскийИльинскийИльинскийИльскийим М ГорькогоИмеретинскийИрклиевскийКабардинскийКабардинскийКавказскийКавказский районКазанскийКаладжинскийКалининоКалининскийКалининскийКалининский районКалниболотскийКалужскийКамышеватскийКаневскийКаневский районКанеловскийКарасунскийКеслеровскийКиевскийКировскийКирпильскийКисляковскийКичмайскийКовалевскийКомсомольскийКоноковскийКонстантиновскийКопанскойКореновскКореновский районКоржевскийКоржовскийКостромскойКрасная ПолянаКрасноармейскийКрасноармейский районКрасногвардейскийКрасногвардейскийКраснодарКраснокутскийКрасносельскийКрасносельскийКрасносельскийКраснострельскийКропоткинКрупскийКрыловскийКрыловскийКрыловский районКрымскКрымский районКубанецКубанскийКубанскийКубанскостепнойКубаньКугоейскийКудепстинскийКуйбышевскийКуйбышевскийКуликовскийКурганинскКурганинский районКургоковскийКуринскийКурчанскийКутаисКутаисскийКухаривскийКущевскийКущевский районЛабинскЛабинский районЛадожскийЛазаревскийЛенинградскийЛенинградский районЛенинскийЛовлинскийЛосевскийЛучевойЛыготхскийЛьвовскийЛяпинскийМаевскийМаламинскийМалотенгинскийМарьинскийМарьянскийМахошевскийМаякскийМедведовскийМезмайскийМерчанскийМингрельскийМирскойМихайловскийМихайловскийМичуринскийМолдаванскийМолдовскийМоревскийМостовский районМостовскойМысхакскийНадежненскийНатухаевскийНезаймановскийНезамаевскийНезамаевскийНекрасовскийНефтегорскНижегородскийНижнебаканскийНижнебаканскийНиколаевскийНиколаевскийНиколенскийНовоалексеевскийНовобейсугскийНовоберезанскийНововеличковскийНововладимировскийНоводеревянковскийНоводжерелиевскийНоводмитриевскийНовоивановскийНовокорсунскийНовокубанскНовокубанский районНоволабинскийНоволенинскийНоволеушковскийНовомалороссийскийНовоминскийНовомихайловскийНовомихайловский кпНовомышастовскийНовониколаевскийНовопавловскийНовопашковскийНовопетровскийНовопластуновскийНовоплатнировскийНовопокровскийНовопокровскийНовопокровский районНовополянскийНоворежетскийНоворождественскийНовороссийскНовосельскийНовосельскийНовосергиевскийНовотаманскийНовотитаровскийНовоукраинскийНовоуманскийНовощербиновскийНовоясенскийОбразцовыйОктябрьскийОктябрьскийОктябрьскийОктябрьскийОльгинскийОтважненскийОтрадненскийОтрадненскийОтрадненский районОтрадо-КубанскийОтрадо-Ольгинскийп 8 Мартап Агрономп Андрее-Дмитриевскийп Артющенкоп Асфальтовая Горап Ахтарскийп Базы Отдыха «Ласточка»п Батарейкап Бейсугп Белозерныйп Береговойп Береговойп Березовыйп Бичевыйп Ближнеейскийп Ближнийп Большевикп Большелугскийп Ботаникап Братскийп Братскийп Бригадныйп Бугунжап Бурдатскийп Бурныйп Венцып Верхнебаканскийп Верхневеденеевскийп Верхнее Джеметеп Веселовкап Веселыйп Веселыйп Веселыйп Веселыйп Веселыйп Вимовецп Виноградныйп Виноградныйп Виноградныйп Вишневыйп Вишнякип Водныйп Водораздельныйп Возрождениеп Волнап Волна Революциип Восточныйп Восточныйп Восточныйп Восточныйп Восточныйп Восточныйп Восточныйп Восточныйп Восходп Восходп Впередп Встречныйп Высокийп Высотныйп Высотныйп Газырьп Ганжинскийп Гаркушап Глубокийп Голубая Нивап Горныйп Горскийп Горькийп Гражданскийп Грачевкап Дальнийп Дальнийп Дальнийп Дальнийп Двубратскийп Десятихаткап Десятихаткап Дивныйп Дома Отдыха «Кубань»п Донскойп Дорожныйп Дружелюбныйп Дружелюбныйп Дружныйп Дружныйп Дубравныйп Дунайскийп Ерикп ж/д Платформы Коцебуп ж/д рзд Ачкасовоп ж/д рзд Впередп ж/д рзд Кара-Джалгап ж/д рзд Меклетап ж/д рзд Редутскийп ж/д рзд Тихонькийп ж/д рзд Чеконп Ж/д ст Васюринскаяп Ж/д ст Порошинскаяп Жемчужныйп Животноводп За Родинуп Забойскийп Заветноеп Заветныйп Заветы Ильичап Заводскойп Закубанскийп Западныйп Западныйп Западныйп Западныйп Западныйп Запрудныйп Заречныйп Заречныйп Заречныйп Заречныйп Заречныйп Зарождениеп Заряп Заряп Заряп Заряп Заряп Звездап Зеленопольскийп Зеленопольскийп Зеленыйп Зерновойп Знаменскийп Знаменскийп Зональныйп Зональныйп Зорькап Известковыйп Изобильныйп Ильичп им М Горькогоп Индустриальныйп Индустриальныйп Казачий Ерикп Каменныйп Кировскийп Кирпичныйп Кирпичныйп Кирпичныйп Кисляковкап Ключевойп Ковалевкап Колосистыйп Коммунарп Комсомольскийп Комсомольскийп Комсомольскийп Комсомольскийп Комсомольскийп Комсомольскийп Комсомольскийп Комсомольскийп Коренная Балкап Кочетинскийп Красная Заряп Красноармейскийп Красноармейскийп Красноармейскийп Красноармейскийп Красногвардеецп Краснодарскийп Краснодарскийп Краснодарскийп Красное Полеп Краснолитп Краснополянскийп Краснофлотскийп Красныйп Красныйп Красныйп Красныйп Красный Борецп Красный Лесп Красный Октябрьп Крутойп Кубанецп Кубанская Степьп Кубанскийп Кубаньп Куйбышевап Кура-Промыселп Кура-Транспортныйп Кутаисп Кучугурып Лазурныйп Лазурныйп Лаштованныйп Лебяжий Островп Лесничествоп Лесничество Абрау-Дюрсоп Леснойп Леснойп Лесодачап Лесхозп Лиманскийп Луговойп Лучп Лучезарныйп Магистральныйп Майскийп Максима Горькогоп Малокубанскийп Малороссийскийп Малый Утришп Маякп Маякп Мезмайп Мирап Мирныйп Мирныйп Мирныйп Мирныйп Мирныйп Мирныйп Мирныйп Мирныйп Мирныйп Мирныйп Мирныйп Мирныйп Мирскойп Мирскойп Мичуринскийп Молодежныйп Морскойп Моторныйп МТФ N 1 клх им Ленинап МТФ N 2 клх им Ленинап МТФ N 8 клх «Путь к Коммунизму»п Набережныйп Набережныйп Найдорфп Незамаевскийп Нефтекачкап Нефтепромыселп Нефтепромысловыйп Нижневеденеевскийп Никитиноп Новоберезанскийп Новоивановскийп Новолабинскийп Новопетровскийп Новопокровскийп Новосадовыйп Новые Полянып Новыйп Новыйп Новыйп Новый Режетп Обильныйп Образцовыйп Овощной Отделения N 2 свх «Челбасский»п Огородныйп Озерныйп Октябрьскийп Октябрьскийп Октябрьскийп Октябрьскийп Октябрьскийп Октябрьскийп Октябрьскийп Октябрьскийп Октябрьскийп Октябрьскийп Октябрьскийп Октябрьскийп Октябрьскийп Октябрьскийп Октябрьскийп Октябрьскийп Октябрьскийп Ордынскийп Орлово-Кубанскийп Отважныйп Отдаленныйп Отделения N 1 свх «Новосергиевский»п Отделения N 2 свх «Белоглинский»п Отделения N 2 свх «Новосергиевский»п Отделения N 2 СКЗНИИСиВп Отделения N 3 ОПХ КНИИСХп Отделения N 3 СКЗНИИСиВп Отделения N 4 свх «Пашковский»п Отделения N 4 свх «Пашковский»п Отделения N 5 свх «Новосергиевский»п Отделения N 6 свх «Новосергиевский»п Отрадо-Тенгинскийп Пансионата «Весна»п Пансионата «Гизельдере»п Пансионата «Небуг»п Пансионата «Ольгинка»п Пансионата «Южный»п Парковыйп Партизанскийп Пенькозаводп Первенецп Первомайскийп Первомайскийп Первомайскийп Первомайскийп Первомайскийп Первомайскийп Первомайскийп Первомайскийп Первомайскийп Первомайскийп Первомайскийп Первомайскийп Первомайского Лесничествап Перевалкап Передовойп Пересыпьп Песчаныйп Планческая Щельп Плодородныйп Плодородныйп Победительп Победительп Подбельскийп Подгорныйп Подлесныйп Подлесныйп Подлесныйп Подсобного Производственного Хозяйства Биофабрикип Подсобного Производственного Хозяйства Биофабрикип Полевойп Полтавскийп Предгорныйп Приазовскийп Прибрежныйп Привольныйп Пригородныйп Пригородныйп Придорожныйп Прикубанскийп Прилиманскийп Приморскийп Приморскийп Приозерныйп Приреченскийп Приречьеп Прогрессп Прогрессп Пролетарийп Пролетарскийп Пролетарскийп Промысловыйп Просторныйп Проточныйп Прохладныйп Пчелап Пятихаткип Раздольныйп Раздольныйп Разьездп Рассветп Расцветп Режетп Решетиловскийп Рисовыйп Рисоопытныйп Ровныйп Рогачевскийп Родникип Розовыйп Российскийп Российскийп Садовыйп Садовыйп Садовыйп Садовыйп Садовыйп Садовыйп Садовыйп Садовыйп Санатория «Агрия»п Санатория «Черноморье»п Саукдереп Светлыйп Светлыйп Светлый Путь Ленинап Свободныйп Свободныйп Северныйп Северныйп Северныйп Северныйп Северныйп Северныйп Северныйп Северо-Кавказской Зональной Опытной Станции ВНИИЛРп Селекционныйп Семеноводческийп Сеннойп Синегорскп Смелыйп Советскийп Советскийп Советскийп Советскийп Советскийп Совхозныйп Соленыйп Солнечныйп Сосновая Рощап Сосновыйп Соцгородокп Спортлагеря «Электрон»п Спутникп Станционныйп Степнойп Степнойп Степнойп Степнойп Степнойп Степнойп Степнойп Степнойп Степнойп Степнойп Стрелкап Суворов-Черкесскийп Таманскийп Темпп Теплыйп Терновыйп Транспортныйп Трудовойп Трудовойп Турбазы «Приморская»п Тюменскийп Узловойп Украинскийп Уманскийп Урожайныйп Урожайныйп Урожайныйп Урупскийп Уташп Утроп Целинныйп Центральной Усадьбы Опытной Станции ВНИИМКп Центральной Усадьбы свх «Восток»п Центральной Усадьбы свх «Юбилейный»п Центральныйп Центральныйп Челбасп Чибийп Чушкап Ширванская Водокачкап Широкая Балкап Широчанкап Шоссейныйп Щебенозаводскойп Щербиновскийп Элитныйп Юбилейныйп Южныйп Южныйп Южныйп Южныйп Южныйп Южныйп Южныйп Южныйп Южныйп Южныйп Южныйп Южный Склонп Янтарныйп ЯснопольскийПавловскийПавловский районПарковскийПашковскийПашковскийПервомайскийПервомайскийПервомайскийПервомайскийПервореченскийПервосинюхинскийПередовскийПереправненскийПереясловскийПесчаныйПетровскийПетропавловскийПластуновскийПлатнировскийПодгорненскийПодгорносинюхинскийПокровскийПолтавскийПолтавченскийПопутненскийПоселковыйПриазовскийПрибрежныйПривольненскийПривольныйПригородныйПридорожныйПрикубанскийПрикубанскийПрикубанскийПриморскийПриморскийПриморско-АхтарскПриморско-Ахтарский районПриреченскийПролетарскийПротичкинскийПротокскийПрочноокопскийПсебайПушкинскийПшадскийПшехскийРаевскийРаздольненскийРаздольненскийРаздольскийРассветовскийРисовыйРоговскийРодниковскийРодниковскийРудьевскийРязанскийс Абрау-Дюрсос Агойс Агойс Адербиевкас Аибгас Александровкас Александровкас Алексеевскоес Алексеевскоес Альтмецс Анастасиевкас Архипо-Осиповкас Архиповскоес Ахштырьс Ачуевос Барановкас Барановкас Баранцовскоес Безымянноес Бейсугскоес Белая Глинас Беноковос Берандас Береговоес Бестужевскоес Бжидс Бзогус Благодарноес Богушевкас Большие Хуторас Большой Бейсугс Большой Утришс Борисовкас Братковскоес Братскоес Бужорс Ванновскоес Варваровкас Варваровкас Вардане-Веринос Варнавинскоес Васильевкас Васильевкас Великовечноес Верхнеармянская Хобзас Верхнеармянское Лоос Верхневеселоес Верхнее Буус Верхнее Учдерес Верхнениколаевскоес Верхнерусское Лоос Верхнеякорная Щельс Верхний Юртс Верховскоес Веселоес Виноградноес Витязевос Владимировкас Возрождениес Волковкас Волконкас Вольноес Вольноес Воронцовкас Воскресенскоес Впередс Высокоес Гай-Кодзорс Гайдукс Галицынос Гвардейскоес Георгиевскоес Глебовскоес Гойтхс Горноес Горное Лоос Горскоес Горькая Балкас Гофицкоес Гришковскоес Грузскоес Гунайка Перваяс Гунайка Четвертаяс Гусаровскоес Дедеркойс Детляжкас Дефановкас Джигинкас Дзеберкойс Дивноморскоес Долиновскоес Ермоловкас Зареченскоес Заречноес Заречьес Заряс Зубова Щельс Ивано-Слюсаревскоес Измайловкас Изобильноес Илларионовкас Ильинскоес Индюкс Ириновкас Кабардинкас Казачий Бродс Калининос Калининос Калиновое Озерос Камышевахас Каткова Щельс Каштаныс Кепшас Кеслеровос Киевскоес Киевскоес Кирилловкас Кирпичноес Ковалевскоес Коноковос Краевско-Армянскоес Красная Воляс Красногоровкас Красноес Красноес Краснопартизанскоес Красносельскоес Кривенковскоес Криницас Кроянскоес Кулешовкас Леонтьевскоес Лермонтовос Лесноес Липникис Львовскоес Майкопскоес Маламинос Мамедова Щельс Марьина Рощас Марьинос Марьинос Медовеевкас Мерчанскоес Мессажайс Михайловский Перевалс Михайловскоес Молдавановкас Молдаванскоес Молдовкас Монастырьс Мысхакос Навагинскоес Небугс Нижнее Учдерес Нижняя Шиловкас Николаевкас Николенскоес Новоалексеевскоес Новое Селос Новоивановскоес Новомихайловскоес Новомихайловскоес Новопавловкас Новопокровскоес Новосельскоес Новосинюхинскоес Новоукраинскоес Новоурупскоес Новый Мирс Ольгинкас Ордынкас Орел-Изумрудс Осиновскоес Отрадноес Отрадо-Кубанскоес Отрадо-Ольгинскоес Пантелеймоновскоес Первомайскоес Первомайскоес Первореченскоес Петровскоес Пискуновскоес Пластункас Пляхос Погореловос Подхребтовоес Полтавченскоес Прасковеевкас Пригорноес Пригородноес Примакис Приозерноес Приречноес Прогрессс Пушкинскоес Пшадас Радищевос Разбитый Котелс Раздольноес Раздольноес Рудьс Русская Мамайкас Русскоес Садовоес Светлогорскоес Свободноес Северная Озереевкас Семеновкас Сергей-Полес Соколовскоес Соленоес Солохаулс Степноес Суворовскоес Суккос Супсехс Таврическоес Татьяновкас Текосс Тенгинкас Тешебсс Третья Ротас Трехсельскоес Тубыс Тхамахас Ударноес Украинскоес Унароковос Урмияс Успенскоес Фадеевос Фанагорийскоес Федотовкас Харциз Второйс Харциз Первыйс Харьково-Полтавскоес Хлеборобс Холодный Родникс Хребтовоес Цибанобалкас Цыпкас Чапаевос Чвижепсес Черешняс Черниговскоес Шабановскоес Шабельскоес Шаумянс Шевченковскоес Шедокс Шепсис Шереметьевскоес Широкая Балкас Школьноес Экономическоес Эстосадокс Южная Озереевкас Юровкас ЯгодноеСаратовскийСветлогорскийСвободненскийСвободныйСеверныйСеверскийСеверский районСеннойСергиевскийСкобелевскийСлавянск-на-КубаниСлавянский районСладковскийСмоленскийСоветскийСоколовскийСолохаульскийСочиСоюз Четырех ХуторовСпокойненскийСреднечелбасскийСреднечубуркскийст-ца Азовскаяст-ца Александровскаяст-ца Александроневскаяст-ца Алексее-Тенгинскаяст-ца Алексеевскаяст-ца Анапскаяст-ца Анастасиевскаяст-ца Андреевскаяст-ца Андрюкист-ца Архангельскаяст-ца Атаманскаяст-ца Ахметовскаяст-ца Ахтанизовскаяст-ца Баговскаяст-ца Бакинскаяст-ца Балковскаяст-ца Баракаевскаяст-ца Батуринскаяст-ца Березанскаяст-ца Бесленеевскаяст-ца Бесскорбнаяст-ца Бесстрашнаяст-ца Бжедуховскаяст-ца Благовещенскаяст-ца Бородинскаяст-ца Бриньковскаяст-ца Брюховецкаяст-ца Бузиновскаяст-ца Варениковскаяст-ца Васюринскаяст-ца Веселаяст-ца Владимирскаяст-ца Воздвиженскаяст-ца Вознесенскаяст-ца Воронежскаяст-ца Воронцовскаяст-ца Восточнаяст-ца Выселкист-ца Вышестеблиевскаяст-ца Геймановскаяст-ца Гладковскаяст-ца Голубицкаяст-ца Гостагаевскаяст-ца Гривенскаяст-ца Григорьевскаяст-ца Губскаяст-ца Гурийскаяст-ца Дербентскаяст-ца Динскаяст-ца Дмитриевскаяст-ца Днепровскаяст-ца Должанскаяст-ца Дядьковскаяст-ца Елизаветинскаяст-ца Еремизино-Борисовскаяст-ца Ереминскаяст-ца Журавскаяст-ца Запорожскаяст-ца Зассовскаяст-ца Ивановскаяст-ца Ильинскаяст-ца Имеретинскаяст-ца Ирклиевскаяст-ца Кабардинскаяст-ца Кавказскаяст-ца Казанскаяст-ца Каладжинскаяст-ца Калининскаяст-ца Калниболотскаяст-ца Калужскаяст-ца Каневскаяст-ца Канеловскаяст-ца Кирпильскаяст-ца Кисляковскаяст-ца Константиновскаяст-ца Костромскаяст-ца Косякинскаяст-ца Краснооктябрьскаяст-ца Крепостнаяст-ца Крупскаяст-ца Крыловскаяст-ца Крыловскаяст-ца Кубанскаяст-ца Кугоейскаяст-ца Куринскаяст-ца Курчанскаяст-ца Кутаисскаяст-ца Кущевскаяст-ца Кущевскаяст-ца Ладожскаяст-ца Ленинградскаяст-ца Лесогорскаяст-ца Линейнаяст-ца Ловлинскаяст-ца Малотенгинскаяст-ца Мартанскаяст-ца Марьянскаяст-ца Махошевскаяст-ца Медведовскаяст-ца Мингрельскаяст-ца Михайловскаяст-ца Надежнаяст-ца Натухаевскаяст-ца Неберджаевскаяст-ца Неберджаевскаяст-ца Незамаевскаяст-ца Некрасовскаяст-ца Нефтянаяст-ца Нижегородскаяст-ца Нижнебаканскаяст-ца Николаевскаяст-ца Новоалексеевскаяст-ца Новоархангельскаяст-ца Новобейсугскаяст-ца Новобекешевскаяст-ца Нововеличковскаяст-ца Нововладимировскаяст-ца Новогражданскаяст-ца Новодеревянковскаяст-ца Новоджерелиевскаяст-ца Новодмитриевскаяст-ца Новодонецкаяст-ца Новоивановскаяст-ца Новокорсунскаяст-ца Новолабинскаяст-ца Новолеушковскаяст-ца Новолокинскаяст-ца Новомалороссийскаяст-ца Новоминскаяст-ца Новомышастовскаяст-ца Новониколаевскаяст-ца Новопашковскаяст-ца Новопетровскаяст-ца Новопластуновскаяст-ца Новоплатнировскаяст-ца Новопокровскаяст-ца Новорождественскаяст-ца Новоромановскаяст-ца Новосергиевскаяст-ца Новотитаровскаяст-ца Новощербиновскаяст-ца Новоясенскаяст-ца Октябрьскаяст-ца Октябрьскаяст-ца Ольгинскаяст-ца Отважнаяст-ца Отраднаяст-ца Отраднаяст-ца Павловскаяст-ца Павловскаяст-ца Передоваяст-ца Переправнаяст-ца Переясловскаяст-ца Петровскаяст-ца Петропавловскаяст-ца Пластуновскаяст-ца Платнировскаяст-ца Плоскаяст-ца Подгорнаяст-ца Подгорная Синюхаст-ца Полтавскаяст-ца Попутнаяст-ца Приазовскаяст-ца Привольнаяст-ца Придорожнаяст-ца Прочноокопскаяст-ца Пшехскаяст-ца Пятигорскаяст-ца Раевскаяст-ца Раздольнаяст-ца Роговскаяст-ца Родниковскаяст-ца Рязанскаяст-ца Самурскаяст-ца Саратовскаяст-ца Северскаяст-ца Сергиевскаяст-ца Скобелевскаяст-ца Смоленскаяст-ца Советскаяст-ца Спокойнаяст-ца Спокойная Синюхаст-ца Ставропольскаяст-ца Старая Станицаст-ца Старовеличковскаяст-ца Стародеревянковскаяст-ца Староджерелиевскаяст-ца Старокорсунскаяст-ца Старолеушковскаяст-ца Староминскаяст-ца Старомышастовскаяст-ца Старонижестеблиевскаяст-ца Старотитаровскаяст-ца Старощербиновскаяст-ца Степнаяст-ца Суздальскаяст-ца Таманьст-ца Тбилисскаяст-ца Тверскаяст-ца Темижбекскаяст-ца Темиргоевскаяст-ца Темнолесскаяст-ца Тенгинскаяст-ца Терновскаяст-ца Троицкаяст-ца Убеженскаяст-ца Убинскаяст-ца Удобнаяст-ца Украинскаяст-ца Упорнаяст-ца Успенскаяст-ца Фастовецкаяст-ца Федоровскаяст-ца Фонталовскаяст-ца Хамкетинскаяст-ца Холмскаяст-ца Хоперскаяст-ца Чамлыкскаяст-ца Чебургольскаяст-ца Челбасскаяст-ца Чепигинскаяст-ца Черниговскаяст-ца Черноерковскаяст-ца Черноморскаяст-ца Чернореченскаяст-ца Шапсугскаяст-ца Ширванскаяст-ца Шкуринскаяст-ца Эриванскаяст-ца Эриванскаяст-ца Юго-Севернаяст-ца ЯрославскаяСтаровеличковскийСтародеревянковскийСтароджерелиевскийСтарокорсунскийСтаролеушковскийСтароминскийСтароминский районСтаромышастовскийСтаронижестеблиевскийСтаростаничныйСтаротитаровскийСтарощербиновскийСтепнойСтепнянскийСуворовскийСуздальскийСупсехскийТаманскийТбилисскийТбилисский районТверскойТемижбекскийТемиргоевскийТемрюкТемрюкский районТенгинскийТенгинскийТерновскийТимашевскТимашевский районТихорецкТихорецкий районТрехсельскийТроицкийТрудобеликовскийТрудовойТуапсеТуапсинский районТысячныйУбеженскийУдобненскийУманскийУнароковскийУпорненскийУпорненскийУрупскийУспенскийУспенскийУспенский районУсть-ЛабинскУсть-Лабинский районФастовецкийФедоровскийФонталовскийх Авиациях Адагумх Аджановках Аккерменках Акредасовх Албаших Александровскийх Александровскийх Алексеевскийх Алтубиналх Амосовх Ананьевскийх Анапскийх Анапскийх Ангелинскийх Андрющенкох Армянскийх Армянскийх Атаманках Аушедх Афанасьевский Постикх Афонках Бабиче-Кореновскийх Байбарисх Балка Грузскаях Балка Косатаях Бальчанскийх Бараниковскийх Барыбинскийх Батогах Беднягинах Безводныйх Безлесныйх Бейсугх Бейсужекх Бейсужек Второйх Белецкийх Беликовх Белыйх Белыйх Беляевскийх Бережиновскийх Бережнойх Бережнойх Березанскийх Беттах Благополучненскийх Богдасаровх Бойкопонурах Болговх Большая Лопатинах Большевикх Большевикх Большие Челбасых Большой Бродовойх Большой Разноколх Бондаренкох Бончковскийх Борвинокх Борец Трудах Борисовх Борисовскийх Бочаровх Братскийх Братскийх Братскийх Булгаковх Бураковскийх Бурсаких Васильевках Васильевскийх Вербинх Вербовыйх Веревкинх Верхнеадагумх Верхнеадагумх Верхние Тубых Верхнийх Верхнийх Верхнийх Верхний Ханчакракх Верхний Чеконх Верхняя Ставропольках Веселая Горах Веселая Жизньх Веселыйх Веселыйх Веселыйх Веселыйх Веселыйх Веселыйх Веселыйх Веселыйх Веселыйх Веселыйх Веселыйх Вестникх Вишневскийх Внуковскийх Водныйх Водокачках Водяная Балках Водяная Балках Водянскийх Воздвиженскийх Возрождениех Воликовх Вольностьх Вольныйх Воробьевх Воровскогох Воронежскийх Воскресенскийх Восточныйх Восточныйх Восточныйх Восточныйх Восточныйх Восточныйх Восточныйх Восточныйх Восточный Сосыкх Высокийх Гайх Галицынх Гапоновскийх Гапоновскийх Гарбузовая Балках Глебовках Гливенкох Гоголевскийх Годовниковх Головковх Горлачивках Горно-Веселыйх Горныйх Горныйх Горный Лучх Городокх Горькая Балках Гослесопитомникх Греблянскийх Греких Гречаная Балках Греческийх Грушевыйх Гуамках Губернаторскийх Гудко-Лиманскийх Дальнийх Даманках День Урожаях Дербентскийх Дербентскийх Деревянковках Державныйх Десятый Километрх Джанхотх Джумайловках Димитровах Добровольныйх Добровольныйх Долгогусевскийх Долгождановскийх Долиновх Домиких Дубовиковх Духовскойх Дюрсох Дюрсох Дятловх Евсеевскийх Ейскийх Екатериновскийх Екатеринославскийх Елинскийх Ереминх Еях Еях Жаркевичих Железныйх Желтые Копаних Журавлевх Журавлевках Журавскийх Зазулинх Зайчанскийх Занкох Западныйх Западныйх Западныйх Западный Сосыкх Заречныйх Зарьковх Зарях Зарях Заря Мирах Захаровх Звездочках Зеленая Рощах Зеленая Рощах Зеленскийх Зеленчукх Зеленчук Мостовойх Зиссермановскийх Знамя Коммунизмах Зозова Балках Зубовх Зуевох Ивановх Ивановках Ивановскийх Ивлевх Измайловх Ильичх им Тамаровскогох Имерницинх Иногородне-Малеваныйх Исаевскийх Кавказскийх Кадухинх Казаче-Борисовскийх Казаче-Малеваныйх Казачийх Казачийх Казачийх Калабатках Калининх Калининх Калининах Калининах Калининскийх Калининскийх Калиновка Втораях Калиновка Перваях Камчатках Каневецкийх Капустинх Капустинх Карасевх Карла Марксах Карла Марксах Карла Марксах Карсх Карскийх Карташовх Картушина Балках Каспаровскийх Киевках Кизинках Киновиях Кипячийх Кировах Кобловх Коваленкох Коваленкох Колесниковх Колосх Копанскойх Коржевскийх Коржевскийх Коржих Коробкинх Косовичих Кочергинх Кошарскийх Кравченкох Кравченкох Крайняя Щельх Красинх Красная Батареях Красная Горках Красная Горках Красная Звездах Красная Звездах Красная Звездах Красная Нивах Красная Полянах Красная Полянах Красная Полянах Красная Полянах Красная Скалах Красная Слободках Красноармейскийх Красноармейский Городокх Красноех Красное Знамях Краснооктябрьскийх Краснострелецкийх Красные Горых Красныйх Красныйх Красныйх Красныйх Красныйх Красныйх Красныйх Красныйх Красныйх Красныйх Красныйх Красныйх Красный Востокх Красный Гайх Красный Дагестанх Красный Зеленчукх Красный Курганх Красный Кутх Красный Октябрьх Красный Очагх Красный Партизанх Красный Партизанх Красный Поселокх Крижановскийх Крикунах Криницах Крупскийх Крупскойх Крупскойх Крупскойх Крутоярскийх Кубанская Колонках Кубанскийх Кубанскийх Кубанскийх Кубаньх Кубраньх Кувичинскийх Куликах Куликовскийх Культурах Куматырьх Кура-Цецех Курбацкийх Курчанскийх Кутокх Кушинках Лазарчукх Лантратовх Латыших Лебедевх Лебедих Лебяжийх Левченкох Ленинах Ленинах Ленинах Ленинах Ленинах Ленинодарх Ленинскийх Ленинскийх Ленинскийх Ленинскийх Ленинскийх Ленинскийх Ленинскийх Ленинскийх Ленинскийх Ленинский Путьх Ленинское Возрождениех Лиманскийх Лобова Балках Лободах Локх Лопатинах Лосевох Лотосх Лукашевх Лукинх Львовскийх Лютыхх Ляпинох Маевскийх Майоровскийх Майскийх Малаих Малеванныйх Малый Бродовойх Малый Дукмасовх Малый Разноколх Малый Чеконх Малькох Марьинскийх Марьинскийх Масенковскийх Машевскийх Мащенскийх Междуреченскийх Меккерстукх Меклетах Мигутых Милютинскийх Мирныйх Мирныйх Мирный Пахарьх Михайловх Михайловскийх Мовах Могукоровках Могукоровскийх Можарийскийх Молдаванскийх Молькинх Морозовскийх Москальчукх Мостовянскийх Набережныйх Нардегинх Науменковх Неелинскийх Незаймановскийх Некрасовх Некрасовах Некрасовскийх Непильх Несмашныйх Нехворощанскийх Нечаевскийх Нещадимовскийх Нижнеглебовках Нижнийх Нижний Ханчакракх Нижняя Гостагайках Нижняя Ставропольках Никитинскийх Николаенкох Новенькийх Новоалексеевскийх Новобатайскийх Нововладимировскиех Нововоскресенскийх Нововысоченскийх Новогурийскийх Новоекатериновках Новоивановскийх Новокалиновках Новокарскийх Новокрасныйх Новокрымскийх Новомихайловскийх Новонекрасовскийх Новониколаевках Новопавловскийх Новопеховский Первыйх Новопокровскийх Новоселовках Новоселовскийх Новостепнянскийх Новотроицкийх Новотроицкийх Новоукраинскийх Новоурупскийх Новые Лиманокирпилих Новыйх Новыйх Новыйх Новыйх Новыйх Новыйх Новый Мирх Новый Уралх Новый Урожайх Оазисх Об»ездная Балках Огонекх Октябрьскийх Октябрьскийх Октябрьскийх Ольгинскийх Ольховскийх Ольховскийх Орджоникидзех Орджоникидзех Орехов Кутх Орловх Осеннийх Осечких Островская Щельх Отрадо-Солдатскийх Отрубныех Павловскийх Память Ленинах Папоротныйх Папоротныйх Папоротныйх Партизанх Первая Синюхах Первокубанскийх Первомайскийх Первомайскийх Первомайскийх Первомайскийх Первомайскийх Первомайскийх Песчаныйх Песчаныйх Песчаныйх Петровскийх Пионерх Плавненскийх Плавних Победах Победах Подгорныйх Подгорныйх Подковскийх Подкугоейскийх Подлесныйх Подольскийх Подшкуринскийх Подых Покровскийх Покровскийх Полковничийх Полтавскийх Полтавскийх Полтавскийх Потаенныйх Потинх Прибрежныйх Привокзальныйх Привольныйх Привольныйх Привольныйх Привольныйх Привольныйх Пригибскийх Прикубанскийх Прикубанскийх Прикубанскийх Прикубанскийх Приречныйх Причтовыйх Причтовыйх Приютныйх Прогрессх Пролетарскийх Пролетарскийх Пролетарскийх Пролетарскийх Пролетарскийх Прорвенскийх Протичках Протоцкиех Прохладныйх Пушкинах Пятихатскийх Раздольныйх Раздольныйх Раковх Рассветх Рассветх Рашпильх Рашпильх Рашпылих Редантх Реконструкторх Рогачевх Рогачих Родниковх Родниковскийх Розановскийх Розы Люксембургх Розы Люксембургх Роккельх Романовскийх Романчуковх Ромашевках Ромашких Роте-Фанех Садких Садовыйх Садовыйх Садовыйх Садовыйх Садовыйх Садовыйх Садовыйх Самойловх Саньковх Саратовскийх Сборныйх Свердловскийх Светх Светлая Зарях Свободах Свободах Свободныйх Свободныйх Свободныйх Свободныйх Свободныйх Свободный Мирх Северинх Северныйх Северныйх Северныйх Северныйх Северныйх Северныйх Северокавказскийх Северокубанскийх Северскийх Сельский Пахарьх Семеновх Семеновках Семеновках Семенцовках Семигорскийх Семисводныйх Сербинх Сергеевскийх Серебрянках Серединскийх Сеятельх Синявках Сиротинох Славянскийх Сладкийх Сладкий Лиманх Слободках Соболевскийх Советскийх Согласныйх Соколихинх Соколовках Солдатская Балках Соленыйх Солодковскийх Сопова Балках Сорокинх Спасовх Спорныйх Средние Челбасых Средние Чубурких Среднийх Средний Дукмасовх Средний Челбасх Ставких Станциях Староармянскийх Старогермановскийх Старомавринскийх Старые Лиманокирпилих Старый Куринскийх Стебницкийх Степнойх Стефановскийх Столяровх Сторожи Вторыех Сторожи Первыех Стринскийх Стукановх Стукановскийх Суровох Сухие Челбасых Сухой Кутх Танцура Крамаренкох Тарусинх Тауруп Второйх Тауруп Первыйх Тверскойх Тегинх Телегинх Тельманх Тельманах Терзиянх Терновыйх Терско-Каламбетскийх Тетерятникх Тимашевках Тиховскийх Тихонькийх Тополих Травалевх Трактовыйх Троицкийх Троицкийх Трудх Трудобеликовскийх Трудовая Армениях Трудовойх Трудовойх Туркинскийх Турковскийх Тысячныйх Тыщенкох Убыхх Ударныйх Удобно-Зеленчукскийх Удобно-Покровскийх Украинках Украинскийх Украинскийх Улановскийх Ульяновох Ульяновскийх Ульяновскийх Упорныйх Урмах Урмах Усатова Балках Успенскийх Усть-Джигутинках Уташх Фадеевскийх Федоренкох Федоровскийх Федорянках Финогеновскийх Фокин Первыйх Фортштадтх Хабльх Ханьковх Харьковскийх Хачиваньх Херсонскийх Хлебодаровскийх Хлеборобх Хлопонинх Хоринх Хорошиловх Центральныйх Цукерова Балках Цуревскийх Чайкинх Чапаевх Чаплыгинх Чеконх Чекуновках Челбасх Челюскинецх Чембурках Черединовскийх Черкасскийх Черниговскийх Черниковх Чернобабовх Черноморскийх Черномуровскийх Черныйх Черный Ерикх Чехракх Чигринах Чкаловах Чкаловах Шапарскойх Шевченкох Шевченкох Шевченкох Шептальскийх Шефкоммунах Шибикх Широкая Пшадская Щельх Широкая Щельх Школьныйх Школьныйх Шубинках Шуваевх Щегловх Энгельсах Эрастовх Эриванскийх Южныйх Ясених ЯстребовскийХадыженскХарьковскийХолмскийХолмскийХоперскийХостинскийЦелинныйЦентральныйЦентральныйЦентральныйЧамлыкскийЧебургольскийЧелбасскийЧепигинскийЧерниговскийЧерниговскийЧерноерковскийЧерноморскийЧерноморскийШабановскийШабельскийШаумянскийШевченковскийШедокскийШепсинскийШирочанскийШкольныйШкуринскийЩербиновскийЩербиновский районЭриванскийЮго-СеверныйЮжно-КубанскийЮжныйЮжныйЯрославскийЯсенский

Министерство цифрового развития, связи и массовых коммуникаций Российской Федерации

Средства массовой информации (в том числе телеканалы) в соответствии с Законом Российской Федерации от 27 декабря 1991 г. №2124-I «О средствах массовой информации» (далее – Закон о СМИ) осуществляют свою деятельность на основе профессиональной самостоятельности. Вопросы размещения передач в телеэфире, включая выбор тематики, жанра передач, авторов и ведущих, находятся исключительно в компетенции руководства конкретного средства массовой информации. Вмешательство в какой бы то ни было форме со стороны должностных лиц или государственных органов в редакционную и вещательную политику СМИ является нарушением профессиональной самостоятельности СМИ, что в соответствии с действующим законодательством недопустимо. Кроме того, частью 5 статьи 29 Конституции Российской Федерации гарантируется свобода массовой информации и запрещается цензура.

Другие вопросы по теме

• Каким образом можно обеспечить монтаж/ремонт коллективной антенны в своем доме?
• Материалы какой тематики запрещены к распространению в средствах массовой информации?
• Каким образом можно потребовать от редакции СМИ опровержения опубликованной информации?
• Можно ли уменьшить количество рекламы в средствах массовой информации?
• Чем регламентируется распространение рекламы?
• Как можно оградить детей от информации в сети Интернет, в теле- и радиовещании, причиняющей вред их здоровью и развитию?
• Как подключиться к цифровому эфирному телевещанию?
• Где можно получить консультацию по подключению к государственному цифровому эфирному телевидению?
• Какие телеканалы операторы кабельных и спутниковых услуг связи обязаны предоставить своему абоненту без взимания платы?
• Куда можно обратиться, если не удовлетворяет размещение передач в телеэфире, включая выбор тематики, жанра, авторов и ведущих, качество теле- и радиопрограмм, содержание, количество и качество транслируемой рекламы, а также размещение различной информации в СМИ
• Как можно подать жалобу на администрацию интернет-ресурсов?
• Как издательству получить субсидию на выпуск книги?
• Как получить субсидию периодическим печатным изданиям?
• Как получить справку на льготную ставку НДС (10 %) для периодических печатных изданий и книжной продукции или на ввоз в Российскую Федерацию книжной продукции, периодических печатных изданий и полиграфических материалов?
• Куда направлять обязательные экземпляры периодических печатных изданий?
• Что такое цифровое телевидение?
• Как обеспечить доступность цифрового телевидения вне зоны охвата цифровым эфирным телерадиовещанием?
• Как подать заявку на включение в перечень изданий, рекомендованных Экспертным советом по региональным печатным средствам массовой информации при Минцифры России для предоставления скидки на подписной тариф АО «Почта России» в рамках подписных кампаний?

Наносекундное лазерное повреждение поверхности и его механизм оптического окна CaF2 эксимерного KrF-лазера с длиной волны 248 нм

В процессе лазерного облучения дефекты на поверхности образца размером с уровень длины волны лазерного пример. Многие исследователи проделали большую теоретическую работу по проблеме лазерного повреждения, особенно некоторые из них использовали метод конечных разностей во временной области (FDTD) для расчета распределения светового поля вблизи дефектов.Однако чаще всего используются упрощенные 2D-модели ^31,32 . На практике, из-за пространственной сложности дефектов, 3D-FDTD может лучше отражать распределение светового поля.

Метод FDTD — один из простейших полноволновых методов, который позволяет точно решать широкий круг сложных задач электромагнетизма. Однако обычно он потребляет большие вычислительные ресурсы. Другими словами, это может потребовать большого объема памяти и времени вычислений. Метод FDTD использует конечные разности в качестве аппроксимации как пространственных, так и временных производных, которые появляются в уравнениях Максвелла (в частности, в законах Ампера и Фарадея).Пространственное расположение каждого узла электрического поля (EF) и узла магнитного поля (MF) в FDTD показано на рис. 4, который представляет собой знаменитую ячейку Йи ³³ . Из графика видно, что каждая компонента МФ окружена четырьмя компонентами ЭП; аналогично, каждый компонент EF окружен четырьмя компонентами MF. Согласно теоретическим расчетам и испытаниям, такой метод пространственной выборки компонентов электромагнитного поля удовлетворяет как закону электромагнитной индукции Фарадея, так и закону Ампера.Кроме того, пространственное распределение компонентов электромагнитного поля также применимо к дифференциальной дискретизации уравнения Максвелла, чтобы точно показать правила распространения электромагнитного поля. Кроме того, КВ и МФ рассчитываются поочередно во временном порядке, а временные интервалы представляют собой половинные временные шаги, отличающиеся друг от друга. После дискретизации уравнения ротора Максвелла может быть сформировано явное разностное уравнение, поэтому его можно решать итеративно на оси времени без обращения матрицы, когда заданы начальное значение и граничные условия конкретной задачи электромагнитного поля. Уравнения ротора Максвелла ³⁴ равны

$$\nabla \times \overrightarrow{H}=\frac{\partial \overrightarrow{D}}{\partial t}+\overrightarrow{J}$$

(1)

$$\nabla \times \overrightarrow{E}=\frac{\partial \overrightarrow{B}}{\partial t}+{\overrightarrow{J}}_{m}$$

(2)

где E — интенсивность ЭП (В/м), D — плотность потока диэлектрика (Кл/м ² ), H — интенсивность МП (A /м), B — плотность магнитного потока (Вб/м ² ), Дж — плотность электрического тока (А/м ² ), Дж _м — магнитный ток плотность (В/м ² ).И определяющие уравнения:

$$\{\begin{array}{rcl}\overrightarrow{D} & = & \varepsilon \overrightarrow{E}\\ \overrightarrow{B} & = & \mu \overrightarrow{H }\\ \overrightarrow{J} & = & \sigma \overrightarrow{E}\\ {\overrightarrow{J}}_{m} & = & {\sigma}_{m}\overrightarrow{H}\end{ массив}$$

(3)

где ε — коэффициент диэлектрической проницаемости (Ф/м), μ — магнитная проницаемость (Гн/м), σ — проводимость (См/м), σ _м — магнитопроводимость (Ом/м). При расчете задач рассеяния с помощью FDTD расчетная область обычно делится на площадь полного поля и площадь поля рассеяния. Граничные условия поглощения задаются вне поля рассеяния, используется идеально согласованный слой (PML). За счет установки специального диэлектрического слоя на усеченной границе области FDTD, импеданс диэлектрического слоя идеально совпадает с импедансом соседнего диэлектрика, поэтому падающая волна будет проходить в PML через интерфейс без отражения.Поскольку PML является средой с потерями, передаваемая волна, входящая в PML, будет быстро затухать. Кроме того, в отличие от двумерного случая, края границы полного поля также должны обрабатываться с соответствующей обработкой границы.

Рисунок 4

Относительная диэлектрическая проницаемость образцов CaF ₂ , использованных в этом исследовании, составляет 6,81. Падающий пучок можно рассматривать как плоскую волну с модой ТМ (продольная составляющая магнитного поля равна нулю, а продольная составляющая электрического поля не равна нулю) с длиной волны 248 нм. Предположим, что амплитуда ЭП падающей волны составляет 1,0 В/м, а направление ее падения — вдоль оси Z, передняя и задняя поверхности CaF ₂ параллельны плоскости XOY. Считаем область дефекта вакуумным кубоидом длины 2λ, ширины 2λ и высоты 3λ. И его положение находится на середине передней поверхности. 3D-модель показана на рис. 5. Размер дефекта в обоих случаях одинаков. Размер ячейки принят равным δ = λ/12 = 20,67 нм. Чтобы сэкономить вычислительные ресурсы и сделать размер выборки целым кратным δ, в качестве расчетной области возьмем часть выборки CaF ₂ .Общая площадь поля устанавливается как -6δ~81δ, -6δ~389δ, -16δ~123δ, а целевая площадь устанавливается как 0~72δ, 0~380δ, 0~104δ. Площадь дефекта передней поверхности 24δ~48δ, 178δ~202δ, 0~36δ, площадь дефекта задней поверхности 24δ~48δ, 178δ~202δ, 68δ~104δ. Число итераций расчета составляет 1000.

Рисунок 5

Модели кубических дефектов. ( a ) Дефект на задней поверхности. ( b ) Дефект на передней поверхности.

Соответствующие результаты 3D-FDTD показаны на рис. 6–9. На рис.6, плоскость x = 28δ, являющаяся центральным поперечным сечением дефекта, выбрана потому, что световое поле в этой плоскости наиболее явно модулируется дефектом. Поскольку падающая волна является ТМ-модой, все результаты расчета КВ являются компонентами в направлении X, т. е. E _x . На рис. 6(а) представлен случай дефекта на передней поверхности CaF ₂ (Z = 0 — падающая/передняя поверхность). Видно, что интенсивность ЭП вблизи дефекта явно модулируется, а распределение ЭП вблизи тыльной поверхности несколько изменяется.За исключением участка от дефекта до тыльной поверхности (148δ < Y < 230δ, 36 < Z < 104δ), интенсивность ЭП существенно не меняется. Случай дефекта на задней поверхности показан на рис. 6(b). Явно страдает распределение ЭП вблизи дефекта, а также сильно увеличивается интенсивность ЭП вблизи тыльной поверхности. Вышеописанное явление можно объяснить следующим образом:

Рисунок 6

Распределение интенсивности ЭП на плоскости YOZ.

Рисунок 7

Распределение интенсивности ЭП сечения XOY без дефекта.( a ) Z = 0 (лицевая поверхность). ( b ) Распределение интенсивности ЭП передней поверхности по оси Y при X=36δ.

Рис. 8

Распределение интенсивности ЭП поперечного сечения XOY при расположении дефекта на передней поверхности. ( a ) Z = 0 (лицевая поверхность). ( b ) Распределение интенсивности ЭП передней поверхности по оси Y при X = 36δ, максимальное значение 3,1786 В/м. ( c ) Z = 104δ(задняя поверхность). ( d ) Максимальная интенсивность ЭП на задней поверхности равна 3.7261 В/м.

Рисунок 9

Распределение интенсивности ЭП поперечного сечения XOY, когда дефект находится на задней поверхности. ( a ) Z = 0 (лицевая поверхность). ( b ) Максимальная интенсивность ЭП на передней поверхности 3,0865 В/м. ( c ) Z = 104δ (тыльная поверхность). ( d ) Максимальная интенсивность ЭП на задней поверхности 4,2052 В/м.

Для случая дефекта лицевой поверхности. Из-за дефекта (особенно для размеров 2λ × 2λ × 3λ) происходит рассеяние прошедшей лазерной волны.Перед дефектом образуется явная стоячая волна. В результате за дефектом мода лазера больше не является основной модой ТЕ-моды, а является суперпозицией и связью нескольких мод. Когда дефект находится на тыльной поверхности, ситуация аналогична, поскольку дефект имеет глубину 3λ.

Также исследуется распределение ЭП в плоскости XOY. Для справки, на рис. 7 показано распределение напряженности ЭП поперечного сечения XOY без дефекта. Электрическое поле вдоль оси Y при X = 36δ равномерно распределяется между 0.6 В/м и 0,9 В/м. Затем, сравнивая рис. 8 и 9 интенсивность ЭП зависит от локализации дефекта. Видно, что интенсивность ЭП на задней поверхности (рис. 8в,г и 9в,г) более или менее больше, чем у передней поверхности (рис.8а,б и 9а,б) в диапазоне около 24δ < X < 48δ, что согласуется с результатами рис. 2.

Однако это всего лишь две специальные плоскости XOY. Чтобы лучше проиллюстрировать проблему, на рис.10. Положительное значение означает, что интенсивность ЭП задней поверхности больше, чем у передней поверхности при той же координате x, y. Очевидно, что сумма разности интенсивностей ЭП между передней и задней поверхностями значительно больше нуля (5884,3 В/м для случая дефекта на передней поверхности и 7663,1 В/м для случая дефекта на задней поверхности). А количество пар узлов (соответствующих точек на передней и задней поверхности, имеющих одинаковые значения координат X, Y, но разные значения координаты Z) с разницей их интенсивности ЭП выше нуля равно 6271 (66.01%) и 5514 (58,04%) соответственно.

Рисунок 10

Отношение интенсивности лазерного излучения (квадрат напряженности электрического поля) на задней поверхности к интенсивности на передней поверхности.

Сущностью света является электромагнитная волна, поэтому анализ распределения электромагнитного поля в материалах мишени в определенной степени может отражать интенсивность связи мощности лазера в материалах. Однако распространения электромагнитного поля в материалах мишени недостаточно для объяснения механизма повреждения, а именно величины порога повреждения, он может только анализировать проблемы передачи и распространения электромагнитных полей.В результате в данной работе FDTD использовался для анализа относительной величины электрических полей передней и задней поверхностей. Результат сравнения может показать, какая поверхность вбирает больше энергии лазера, другими словами, поверхность, которая вбирает больше энергии лазера, будет иметь низкий порог повреждения.

Результаты моделирования FDTD объясняются помехами. Здесь падающая волна добавляется к отраженным волнам падающей поверхности и задней поверхности CaF ₂ , что может вызвать более высокую напряженность поля и более высокую плотность энергии за счет конструктивной интерференции.Однако, поскольку это происходит в воздухе (который не может быть поврежден) на падающей поверхности и внутри материала на задней поверхности, задняя поверхность повреждается при более низких энергиях.

Мы предполагаем, что напряженность электрического поля сзади E _r увеличивается в A раз из-за отражения по сравнению с падающим E-полем E _i .

$${E}_{r}=A\times {E}_{i}$$

(4)

Электрическое поле на фронте E _f принимаем равным падающему полю E _i

Также предполагаем наличие повреждения 3 E0029 Field _D , который представляет собой напряженность поля непосредственно перед повреждением материала.Теперь мы облучаем падающим E-Field E _i1 , что вызывает появление E-поля с порогом повреждения сзади:

$${E}_{r}={E}_{D }=A\times {E}_{i1}$$

(6)

Теперь мы облучаем падающим E-полем E _i2 что приводит к появлению E-поля порога повреждения на фронте.

$${E}_{f}={E}_{D}={E}_{i2}$$

(7)

Теперь разделим уравнение.{2}=\frac{{I}_{i2}}{{I}_{i1}}=1,326$$

(10)

, где I — интенсивность лазера, которая является квадратом E-поля. Из рис. 2 известно, что I _i2 соответствует ЛИДТ передней поверхности, а I _i1 соответствует ЛИДТ задней поверхности. Здесь мы берем значения для полированного корпуса, то есть I _i2 равно 6,1 Дж/см ² и I _i1 равно 4.{2}}\) получают путем вычисления отношения напряженности электрического поля соответствующих узлов (соответствующих точек на передней и задней поверхности, имеющих одинаковые значения координат X, Y, но разные значения координат Z), а затем квадрат их. На рис. 10а, б показаны случаи, когда дефект находится на передней и задней поверхностях соответственно. Видно, что средние значения и стандартное отклонение A ² составляют 1,3217, 1,381 и 0,3826, 0,3346 в 2 случаях и 1.326 лежит в этом диапазоне.

При соединении мощности лазера электромагнитная энергия преобразуется в тепловую и механическую энергию, которые являются прямыми причинами повреждения. Итак, в следующей части МКЭ лазер рассматривается как своего рода источник тепла. Путем анализа теплосилового воздействия физического процесса можно прогнозировать величину порога повреждения.

Характеристика травления эксимерным лазером KRF для микрообработки на кремниевом материале

[1] М.Дж. Маду, Основы микропроизводства: наука о миниатюризации: CRC Press, (2002).

[2] К. Лю, З. Николов и Дж.О, эксимер-лазерная микрообработка МЭМС-материалов КрФ: характеристика и применение, Журнал микромеханики и микроинженерии, вып. 22, с.015012, (2012).

DOI: 10.1088/0960-1317/22/1/015012

[3] Дж.Ким и X. Сюй, Изготовление полимерных микрожидкостных устройств с помощью эксимерного лазера, Journal of Laser Applications, vol. 15, стр. 255-260, (2003).

DOI: 10.2351/1.1585085

[4] М. Лапчина и М. Штуке, Быстрое изготовление прототипов систем гладких микрореакторных каналов из ПММА с помощью ВУФ-лазерной абляции на длине волны 157 нм для применения в анализе генома и биотехнологии, в MRS Proceedings, 1998, стр. 143.

DOI: 10.1557/proc-526-143

[5] Р.Вайдья, Л. М. Тендер, Г. Брэдли, М. Дж. О’Брайен, М. Коне и Г. П. Лопес, Лазерная абляция с компьютерным управлением: удобный и универсальный инструмент для создания микрошаблонов на биофункциональных синтетических поверхностях для приложений в биодатчике и тканевой инженерии, Прогресс биотехнологии, том . 14, стр. 371-377, (1998).

DOI: 10.1021/bp980039w

[6] ЧАС.Сато и С. Нисио, Полимерная лазерная фотохимия, абляция, реконструкция и полимеризация, Журнал фотохимии и фотобиологии C: Обзоры фотохимии, том. 2, стр. 139-152, (2001).

DOI: 10.1016/s1389-5567(01)00015-6

Gigaphoton выпускает новейшую модель источника света KrF G60K

А Высокий выход 1. В 5 раз больше, чем у предыдущей модели, благодаря полному изменению модели впервые за 15 лет

Ояма, Тотиги; 4 ноября 2020 г. — Gigaphoton Inc. (головной офис: Ояма, Тотиги; президент и главный исполнительный директор: Кацуми Уранака), производитель источников света, используемых в полупроводниковой литографии, объявила о начале поставок своей новой модели источника света KrF G60K на 29 октября.

Полная смена модели впервые за 15 лет и внедрение нового блока питания позволили новой модели источника света KrF «G60K» выдать мощность 60 Вт, что составляет 1.в 5 раз больше, чем у предыдущей модели. За счет этого улучшения ожидается максимальное увеличение производительности сканера на 150%. Кроме того, в корпусе используется новая платформа, которая также предлагает возможность расширения для поддержки будущих улучшений производительности источника света KrF для поддержки дальнейшего повышения производительности сканера в будущем.

До сих пор традиционные источники света KrF сталкивались с дилеммой: хотя пропускная способность увеличивается при высокой мощности, количество простоев увеличивается из-за увеличения количества замен модулей, и, таким образом, доступность источника света снижается. Новая технология модели «G60K» позволяет достичь как высокой производительности, так и высокой доступности без увеличения времени простоя. Это также позволяет достичь максимальной пропускной способности в слое с высокой дозой.

Кацуми Уранака, президент и главный исполнительный директор Gigaphoton, сказал: «Наши источники света KrF — это продукты, созданные на основе наших технологий и опыта, которые уже давно высоко ценятся нашими клиентами. Мы уверены, что G60K, модель которого впервые за 15 лет претерпела полную смену модели, будет широко использоваться в полевых условиях и еще больше повысит производительность наших клиентов.Мы продолжим предоставлять продукты и услуги, максимально повышающие производительность».

О ГИГАФОТОНЕ

С момента своего основания в 2000 году компания GIGAPHOTON поставляла ценные решения производителям полупроводников по всему миру в качестве поставщика лазеров. На каждом этапе, от исследований и разработок до производства, продаж и технического обслуживания, GIGAPHOTON стремится предоставлять поддержку мирового уровня с точки зрения обычных пользователей. Для получения дополнительной информации посетите https://www.gigaphoton.com/en/

Контакт для СМИ:
GIGAPHOTON Inc
Отдел корпоративного планирования
Kenji Takahisa
ТЕЛ: +81-285-37-6931
E-mail: [email protected]

Получение ультрадисперсного сплава Fe–Pt и коллоидов наночастиц Au методом эксимерного лазерного фотолиза раствора KrF | Наноразмерные исследовательские письма

Наночастицы Fe-Pt

После лазерного облучения раствор предшественника Fe-Pt красного цвета изменил цвет на черный, как у коллоидов платины.Мы исследовали изменение спектра поглощения в УФ-видимой области до и после лазерного облучения, как показано на рис. 2, который включает спектры поглощения в УФ-видимом диапазоне метанольного раствора-предшественника с Fe(III)(acac) ₃ /Pt (II)(acac) ₂ = 2,4/0,6 мМ и метанольные растворы Fe(III)(acac) ₃ и Pt(II)(acac) ₂ с концентрацией 3 мМ для сравнения. Измеряемые растворы разбавляли метанолом в 100 раз из-за насыщения поглощения в УФ-диапазоне. Было обнаружено, что вклад поглощения Fe(III)(acac) ₃ , имеющий основной пик около 273 нм, обусловленный π–π*-переходом ацетилацетонатного лиганда [19], доминирует в спектре прекурсора до облучение. Мы предположили, что основной пик поглощения прекурсора, близкий к длине волны эксимерного KrF-лазера 248 нм, обеспечивает эффективный фотолиз комплексов. Лазерное облучение не вызывало появление новой полосы поглощения, а только общее снижение интенсивности пиков, что является той же тенденцией, что и зарегистрированный лазерный фотолиз ацетилацетоната Fe(II) в растворителе 2-пропаноле [13].Рисунок 2 400 мДж, 50 Гц). Спектры растворов Fe(III)(acac) ₃ и Pt(II)(acac) ₂ МеОН (3 мМ) также показаны черными сплошными линиями и пунктирными линиями соответственно для сравнения

На рис. 3 представлена ​​EDXS. спектр измерен на наночастицах Fe–Pt с прекурсором Fe(III)(acac) ₃ /Pt(II)(acac) ₂ = 2.0/1,0 мМ и условия лазера 31,5 Вт (630 мДж, 50 Гц) в течение 30 мин. По появлению пиков, приписываемых элементам железа и платины в нескольких точках наночастиц, можно подтвердить легирование сплава Fe-Pt в наночастицы. Кроме углерода и меди из сеток, существование другого элемента, такого как кремний, о котором сообщалось для лазерного фотолиза с другой экспериментальной конфигурацией [13], не было подтверждено. На рис. 4 представлены типичные ПЭМ-изображения с разным увеличением (а), (б) и картина дифракции электронного пучка (в) для наночастиц Fe ₅₀ Pt ₅₀ с прекурсором Fe(III)(acac) ₃ / Pt(II)(acac) ₂ = 2.4/0,6 мМ и условия лазера 15 Вт (300 мДж, 50 Гц) в течение 30 мин. Из изображений видно, что диаметр наночастиц Fe–Pt составляет 0,5–3 нм. Полосы, характерные для кристалличности в наночастицах, частично наблюдались на наночастицах Fe–Pt на рис. 4а. Сборки или скопления наночастиц частично наблюдаются вместе с хорошо диспергированными наночастицами, рассредоточенными на больших площадях (рис. 4б). На электронно-лучевой дифрактограмме видны сплошные диффузные кольца, соответствующие плоскостям (111), (200), (220), (311) и (331) неупорядоченной фазы A1 FePt, которые соответствуют ультратонкой микроструктуре на ПЭМ-изображении. На рис. 5 представлены ПЭМ-изображения наночастиц Fe ₅₀ Pt ₅₀ с концентрацией прекурсора Fe(III)(acac) ₃ /Pt(II)(acac) ₂ = 2,4/0,6 мМ (а) и Fe ₂₁ Pt ₇₉ наночастицы с предшественником Fe(II)Cp ₂ /Pt(II)(acac) ₂ = 4,0/6,0 мМ (б). В обоих случаях мощность используемого лазера составляет 15 Вт (300 мДж, 50 Гц). Установлено, что наночастицы, приготовленные из комбинации Fe(II)Cp ₂ /Pt(II)(acac) ₂ , имеют почти такой же диапазон размеров, но более размытые изображения частиц по сравнению с Fe(III)(acac) ₃ /Pt(II)(acac) ₂ комплексное сочетание, что свидетельствует о недостаточной кристалличности наночастиц.Легирование FePt было также подтверждено измерениями микроэлектронной спектроскопии для комбинации Fe(II)Cp ₂ /Pt(II)(acac) ₂ . Распределения по размерам наночастиц Fe-Pt, которые были получены из изображений ПЭМ, показаны на рис. 6. Результаты наблюдения ПЭМ показали, что все полученные наночастицы Fe-Pt были ультрамелкими с одинаковым диапазоном диаметров 0,5-3 нм, независимо от условия прекурсора (виды или концентрации комплексов металлов) или условия лазера (энергия импульса или время облучения).Сравнение распределений по размерам на рис. 6 показывает, что в случае прекурсора Fe(II)Cp ₂ /Pt(II)(acac) ₂ обнаружен максимум при меньшем диаметре по сравнению с Fe(III) (acac) ₃ /Pt(II)(acac) ₂ футляр. Рис. 3 , 50 Гц)

Рисунок 4

ПЭМ изображения с разным увеличением ( a ), ( b ) и картина дифракции электронного пучка ( c ) для Fe ₅₀ Pt 6 наночастиц 5 Fe(III)(acac) ₃ /Pt(II)(acac) ₂ = 2.4/0,6 мМ (15 Вт, 300 мДж, 50 Гц)

Рисунок 5

ПЭМ-изображения Fe ₅₀ Pt ₅₀ наночастиц с предшественником Fe(III)(acac) ₃ /Pt )(acac) ₂ = 2,4/0,6 мМ (15 Вт, 300 мДж, 50 Гц) ( a ) и Fe ₂₁ Pt ₇₉ наночастицы с прекурсором Fe(II)Cp 6 / _{Pt(II)(acac) 2 = 4,0/6,0 мМ (15 Вт, 300 мДж, 50 Гц) ( b )}

acac) ₃ /Pt(II)(acac) ₂ = 2. 4/0,6 мМ (15 Вт, 300 мДж, 50 Гц) и с предшественником Fe(II)Cp ₂ /Pt(II)(acac) ₂ = 4,0/6,0 мМ (15 Вт, 300 мДж , 50 Гц)

Повышение концентрации Fe(II)Cp ₂ в прекурсорах не вызывало увеличения концентрации железа в генерируемых наночастицах, что можно рассматривать как связанное с затруднением фотолиза Fe(II)Cp ₂ по сравнению с Fe(III)(acac) ₃ . Оучи и др. сообщили о результатах исследования образования наночастиц на основе Fe при фотолизе раствора Fe(II)Cp ₂ в гексане лазером ArF, включая его очень низкий квантовый выход <10 ⁻³ [20].Таким образом, низкая концентрация железа в наночастицах Fe-Pt с комплексной комбинацией Fe(II)Cp ₂ /Pt(II)(acac) ₂ может быть связана с сообщаемым низким квантовым выходом Fe(II)Cp _{2 Фотолиз раствора} . Более жесткий фотолиз Fe(II)Cp ₂ также можно объяснить разницей масс лигандов Cp и acac следующим образом: известно, что частота колебаний ω пропорциональна ( k / m ) ^1/2 , где k — константа упругости, а m — приведенная масса на связи железо–лиганд. Таким образом, можно оценить, что ω Fe(II)Cp ₂ выше, чем у Fe(III)(acac) ₃ , поскольку Fe(II)Cp ₂ имеет лиганд Cp легче, чем acac Fe (III)(acac) ₃ , если предполагается то же значение k . Мы полагаем, что более высокое значение ω Fe(II)Cp ₂ может быть одной из возможных причин его более жесткого фотолиза.

Сообщается, что адиабатическая энергия диссоциации связей металл-лиганд в комплексах железа, включая Fe(CO) ₅ , Fe(II)Cp ₂ и Fe(III)(acac) ₃ , почти равна 6.0 эВ в результате их фотодиссоциации и термодинамических исследований [21]. В частности, Fe(II)Cp ₂ был исследован в связи с его необычным фотохимическим поведением [22]. Энергии диссоциации около 6,0 эВ недостаточно для энергии одиночного фотона 248 нм, равной 5,0 эВ, и, следовательно, для этих диссоциаций можно рассматривать диссоциацию двух фотонов. Энергия диссоциации около 6,0 эВ относится только к разрыву связей металл-лиганд и эффекту растворителя, такому как эффект очистки в спиртах [23], энергии восстановления отщепленного иона до нульвалентного железа и схема образования наночастиц сплава не учитываются. принимая во внимание.Следовательно, необходимы дальнейшие исследования для выяснения образования наночастиц в результате фотолиза растворов комплексов Fe и Pt с помощью УФ-лазера.

Для применения наночастиц Fe-Pt необходимы обогащенные железом концентрации, превышающие эквиатомные, из-за резкого рассеяния намагниченности в обогащенной платиной части концентраций [5]. Таким образом, мы исследовали влияние мощности лазерного излучения на составы Fe-Pt, чтобы исследовать управляемость составов Fe-Pt посредством регулирования энергии лазерного импульса.На рис. 7 показаны оцененные составы Fe в зависимости от энергии импульсного лазерного облучения для наночастиц Fe–Pt с концентрациями прекурсора Fe(III)(acac) ₃ /Pt(II)(acac) ₂ = 2,0/1,0 мМ и 2,4/0,6 мМ. Установлено, что состав Fe имеет тенденцию к увеличению с увеличением энергии лазерного импульса. Таким образом, более высокие энергии лазерного импульса обычно превышают 350 мДж (185 мДж/см ² для флюенса) для получения наночастиц Fe-Pt с более высоким составом Fe, что может быть связано с более жесткой диссоциацией ацетилацетоната Fe(III). чем у ацетилацетоната Pt(II).По результатам исследования УФ-лазерного фотолиза раствора Fe(II)(acac) ₂ в i -пропаноле [20], Pola et al. предложили глубокий фотолиз из комплекса непосредственно в нульвалентный элемент Fe(0) и органические фотофрагменты без прохождения через промежуточный продукт, как в случае ацетилацетоната Cu(II) [24]. Это можно рассматривать как многофотонный процесс диссоциации Fe(II)(acac) ₂ посредством расщепления ацетилацетонатных лигандов, как показано в следующем фотолизе (уравнение1).

(1)

Спектры поглощения на рис. 2 показывают только уменьшенный спектр источника и не показывают новую полосу поглощения после лазерного облучения. Поэтому, как показано в следующем упрощенном уравнении 2, можно оценить, что механизм фотолиза для сплава Fe–Pt Fe(III)(acac) ₃ и Pt(II)(acac) ₂ в метаноле основан на многофотонной диссоциации обоих комплексов , что аналогично упомянутому выше глубокому фотолизу Fe(II)(acac) ₂ , хотя промежуточный процесс между инициированием диссоциации для каждого комплекса и завершением формирования наночастиц сплава (FePt) _n имеет еще не выяснено.

(2)

На рис. 8 показана зависимость интенсивности ДРС от дзета-потенциала для коллоидных растворов Fe–Pt при различной энергии лазерного импульса от 250 до 630 мДж (12,5–31,5 Вт, 50 Гц). Несмотря на довольно низкие дзета-потенциалы в диапазоне от -8 до -2 мВ, коллоидные растворы в основном стабильны в течение нескольких недель. Мы считаем, что агрегации в основном препятствует не сила отталкивания зарядов наночастиц, а стерические затруднения диспергатора ПВП.Установлено, что концентрации ПВП, менее чем в два раза превышающие концентрации суммы комплексных комплексов Fe и Pt, вызывают осаждение через несколько дней их синтеза.

Рисунок 7

Оцененные составы Fe в зависимости от мощности лазерного излучения для наночастиц Fe–Pt с предшественниками Fe(III)(acac) ₃ /Pt(II)(acac) ₂ = 2,0/1,0 мМ и 2,4/0,6 мМ

.от 5 Вт (250 мДж, 50 Гц) до 31,5 Вт (630 мДж, 50 Гц)

Наночастицы Au

Мы исследовали лазерный фотолиз раствора HAu(III)Cl ₄ прекурсоров, варьируя частоту лазерного импульса от 2 до 20 Гц при сохранении постоянной энергии импульса до 160 мДж и времени облучения до 30 мин. На рис. 9 показаны ПЭМ-изображения и картины дифракции электронного пучка наночастиц Au при различных частотах лазерного импульса от 2 Гц (а), 5 Гц (б), 10 Гц (в) и 20 Гц (г) (160 мДж, 0,32–3,2 Вт). ) при сохранении постоянного времени облучения до 30 мин.Частично наблюдались несферические частицы, включая стержни или треугольные или пятиугольные, которые также были отмечены для наночастиц Au, полученных фотохимическими или другими синтетическими методами [25-27]. Сообщалось также о синтезе несферических частиц (наностержней или нанопроволок) WO _-3- методом лазерного пиролиза и анализе их образования по механизму твердое-пар-твердое (SVS) [28]. На полученных дифракционных изображениях можно обнаружить дифракционные кольца, отнесенные к плоскостям (111), (200), (220), (311), (222), (400) и (331) ГЦК Au.По сравнению с другими условиями лазера на рис. 9a, b, d, кольцо на рис. 9c (10 Гц) демонстрирует более непрерывные и размытые характеристики и меньшее дифракционное пятно, особенно в кольцах более высокого порядка, по сравнению с другими случаями частоты импульсов, что подразумевает меньшая кристалличность, чем у наночастиц с другими частотами лазерных импульсов. Рис. 9 ) (160 мДж, 0.32–3,2 Вт)

Распределения по размерам наночастиц Au, полученные из ПЭМ-изображений, представлены гистограммами на рис. ~10–50 нм (рис. 10а), в то время как наночастицы с более высокими частотами импульсов 10 и 20 Гц (рис. 10б) демонстрируют более резкое распределение 10–30 нм, хотя для частоты 20 Гц существует небольшое количество агломерированных более крупных частиц кейс. В дополнение к наночастицам диаметром 10 нм также наблюдались более мелкие частицы размером несколько нанометров.На рис. 11 показано сравнение распределения по размерам типичных комплексов Fe–Pt (Fe(II)Cp ₂ /Pt(II)(acac) ₂ ) и наночастиц Au (частота импульсного лазера = 2 Гц). Установлено, что наночастицы Au имеют больший диаметр на десятки нм для всех случаев по сравнению с наночастицами Fe–Pt, как показано на рис. 11.

Рис. 10

5 Гц ( a ) и 10 Гц и 20 Гц ( b ) (160 мДж, 0.32–3,2 Вт)

Рис. мДж, 50 Гц, 15 Вт) и наночастиц Au при частоте лазерного импульса 2 Гц

Kurihara et al. предложил схему фотовосстановления для образования наночастиц Au путем фотолиза раствора HAu(III)Cl ₄ УФ-лазером, как показано в следующих уравнениях. 38 [10]. Он состоит из восстановления трехвалентного иона Au(III) до элементарного Au(0) с нулевой валентностью посредством образования заключенного в клетку комплекса двухвалентного золота Au(II) с последующей его диссоциацией и диспропорционированием, что, в конечном итоге, приводит к образованию наночастиц Au (Au(0 )) _n после накопления Au(0).Недавно Наказато и соавт. подтвердили динамический процесс этой схемы фотовосстановления методом однократной гетеродинной переходной решетки ближнего поля (NF-HD-TG), а также сообщили, что концентрации диспергатора ПВП влияют на процесс фотовосстановления [29].

(3)

(4)

(5)

(6)

(7)

(8)

Как упоминалось в разделе «Наночастицы Fe–Pt», образование наночастиц Fe или Fe–Pt при УФ-лазерном фотолизе комплексов железа и платины считается основанным на многофотонной диссоциации комплексов металлов, что может быть причиной относительно высокой энергии лазерного импульса для генерации наночастиц Fe–Pt. И наоборот, мощность лазера для формирования наночастиц Au путем УФ-фотолиза раствора относительно низка по сравнению со случаем металлического комплекса. Известно, что для образования наночастиц Au в растворах хлоридов достаточно некогерентного УФ-излучения относительно малой интенсивности по сравнению с лазерным излучением, что можно рассматривать как следствие отмеченного выше различия в механизме распада между многофотонной диссоциацией комплексов металлов и фотовосстановление ионов хлорида золота.

На рис. 12 представлены спектры поглощения в УФ-видимой области наночастиц Au, полученных при изменении частоты лазерного импульса от 2 до 20 Гц (160 мДж, 0,32–3,2 Вт). Спектр поглощения предшественника золота, который имеет пик около 294 нм из-за полосы переноса заряда с лиганда на металл (LMCT) иона AuCl ₄ ⁻ [30], также показан для сравнения. Для каждого образца наблюдались пики поглощения в диапазоне от 532 до 538 нм, возникающие в результате поверхностного плазмонного резонанса наночастиц Au. Во всех образцах также наблюдаются пики, относящиеся к раствору прекурсора из-за наличия в полученных растворах невосстановленных ионов AuCl ₄ ⁻ . Известно, что увеличение размера или несферические формы, включая наностержни, эллипсоиды, треугольные призмы и тетраэдры, влияют на спектры поглощения наночастиц Au как из эмпирических исследований, так и из численного моделирования с использованием расширенной теории Ми или дискретного дипольного приближения, МДД [31–33]. . Однако из небольшого количества несферических наночастиц мы можем сделать вывод, что уширение спектра и меньшая величина поглощения для случая частоты импульсов 10 Гц связаны с меньшей кристалличностью, что можно подтвердить по диффузному дифракционному кольцу на рис.9c по сравнению с другими случаями частоты лазера. Рисунок 12 , мы измерили свойства дзета-потенциала коллоидов Au. На рис. 13 показана зависимость интенсивности ДРС от дзета-потенциала для коллоидов наночастиц Au при изменении частоты лазерного импульса от 2 до 20 Гц с энергией в импульсе 160 мДж. Хотя полученные абсолютные значения дзета-потенциалов составляют менее 20 мВ, что больше, чем у коллоидов Fe-Pt, коллоиды Au не особенно стабильны по сравнению с коллоидами Fe-Pt. Считается, что это связано с тем, что стабильность наночастиц Au определяется в основном стерическими затруднениями диспергатора ПВП, как описано в разделе «Наночастицы Fe-Pt».

Рисунок 13

Интенсивности DLS в зависимости от дзета-потенциалов для коллоидов Au при изменении частоты лазерных импульсов от 2 Гц (160 мДж, 0.от 32 Вт) до 20 Гц (160 мДж, 3,2 Вт)

Сравнительная диагностика углеродных факелов, генерируемых ArF- и KrF-лазерами, для осаждения аморфных алмазоподобных углеродных пленок

PDF-версия также доступна для скачивания.

ВОЗ

Люди и организации, связанные либо с созданием этой статьи, либо с ее содержанием.

Что

Описательная информация, помогающая идентифицировать эту статью.Перейдите по ссылкам ниже, чтобы найти похожие элементы в электронной библиотеке.

Когда

Даты и периоды времени, связанные с этой статьей.

Статистика использования

Когда этот артикул использовался в последний раз?

Взаимодействие с этой статьей

Вот несколько советов, что делать дальше.

PDF-версия также доступна для скачивания.

Цитаты, права, повторное использование

Международная структура взаимодействия изображений

Распечатать / поделиться

Печать
Электронная почта
Твиттер
Фейсбук
Тамблер
Реддит

Ссылки для роботов

Полезные ссылки в машиночитаемом формате.

Архивный ресурсный ключ (ARK)

Международная структура совместимости изображений (IIIF)

Форматы метаданных

Картинки

URL-адреса

Статистика

Пурецкий, А. А.; Геохеган, Д.Б.; Джеллисон, Г.Э. младший и Макгиббон, М.М. Сравнительная диагностика углеродных факелов ArF- и KrF-лазеров, используемых для осаждения аморфных алмазоподобных углеродных пленок, статья, 1 мая 1995 г.; Теннесси. (https://digital.library.unt.edu/ark:/67531/metadc671588/: по состоянию на 26 января 2022 г.), Библиотеки Университета Северного Техаса, цифровая библиотека ЕНТ, https://digital.library.unt.edu; зачисление отдела государственных документов библиотек ЕНТ.

Фотоника | Бесплатный полнотекстовый | Монохроматическое коническое ИК-излучение распадающихся нитей KrF-лазера в ксеноне как процесс когерентно-стимулированного четырехволнового смешения

1. Введение

Коническое излучение (КЭ) сдвинутого по частоте лазерного излучения является одним из очень интересных эффектов в нелинейной оптике. Впервые он наблюдался в боросиликатном стекле [1] и парах калия [2] пятьдесят лет назад. В большинстве случаев КЭ изучался в парах щелочей и щелочноземельных металлов при нс-импульсном и непрерывном лазерном возбуждении при перестройке частоты лазера в синюю сторону резонансного перехода [3,4,5,6,7, 8,9,10,11].Наведенный фемтосекундным лазером КЭ наблюдался в плотных парах цезия [12] и рубидия [13]. КЭ с использованием 3s-3d-перехода с двухфотонной накачкой в ​​натрии описан в [14]. Для описания экспериментальных результатов использовались различные теоретические модели, включающие комбинированный эффект четырехволнового смешения (ЧВВ) и дифракционного рассеяния [4, 11, 15, 16], излучение черенковского типа [8, 17], суперфлуоресценцию [ 18] и фазовой самомодуляции [2,10,12]. Комплексное исследование конкуренции резонансно-усиленного ЧВВ и усиленного спонтанного излучения в резонансном ЭС на 3d-3p-переходе в натрии (в котором 3s-3d-переход является двухфотонной накачкой ns-излучением лазера на красителе) выполнено Р.У. Бойд и соавторы [19,20,21]. Многочисленные работы по усиленному двухфотонным резонансом FWM и вынужденному гиперкомбинационному рассеянию в натрии и Xe были выполнены WR Garrett и соавторами [22, 23, 24, 25, 26]. CE является характерным свойством явление филаментации. Генерируемый в филаментах суперконтинуум широкого спектра образует пространственный конический узор, в котором каждая спектральная компонента излучается под строго определенным определённым углом [27,28]. Модуляционная нестабильность, Х-волна и эффекты нелинейного фокуса являются доминирующими механизмами КЭ филамента [29].Нелинейное взаимодействие излучения KrF-лазера с ксеноном протекает в режиме близрезонансного двухфотонного перехода 1S0−2p5(2P3/2)6p[1/2]0, что делает его в определенном смысле аналогичным упомянутому выше случаю натрия [19,20,21]. Ранее КЭ в ксеноне наблюдали в виде сильных когерентных континуумов излучения в видимом и ближнем инфракрасном (650–850 нм) и в УФ (185–400 нм) диапазонах спектра остросфокусированным излучением фемтосекундного KrF-лазера при интенсивностях до до 1015 Вт/см2 [30,31]. Установлено, что КЭ в обеих этих областях спектра возникает в результате нерезонансного параметрического четырехволнового процесса преобразования разностной частоты: в первой области она проявляется в виде одновременных колебаний в видимом и ВУФ-диапазоне (147–155 нм) спектральных диапазонов, тогда как во втором диапазоне генерируются две дополнительные УФ-волны. Обнаружено монохроматическое усиленное спонтанное ИК-излучение на длинах волн 828 и 823 нм, распространяющееся параллельно (и антипараллельно) излучению KrF-лазера накачки [30]. монохроматический КЭ на длине волны 828 нм, возникающий от филаментов излучения KrF-лазера с интенсивностью ∼1011 Вт/см2 [32]. Здесь мы рассматриваем этот монохроматический CE как процесс когерентно-стимулированного четырехволнового смешения с усиленным резонансом, в котором два УФ-фотона накачки преобразуются в связанную пару фазово-коррелированных ИК- и ВУФ-фотонов, соответствующих 5p5(2P3/2)6p. Переходы [1/2]0→5p5(2P3/2)6s[3/2]1o и 5p5(2P3/2)6s[3/2]1o→1S0.В отличие от традиционных теорий КЭ ЧВВ [19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26], мы изучаем режим когерентного взаимодействия, когда соответствующий масштаб времени меньше характерного времени поперечной релаксации T2 в системе. Этот подход позволяет нам связать угол при вершине ЦЭ с законами сохранения импульса и энергии, которые выполняются в процессе преобразования фотонов. Являясь когерентным процессом, КЭ имеет порог, который определяется площадью импульса накачки.

2. Генерация узконаправленного ИК-излучения при околорезонансном взаимодействии УФ-филаментов с ксеноном

Эксперименты проводятся с использованием гибридной Ti:Sapphire-KrF лазерной установки GARPUN-MTW [33,34,35], показанной на рисунке 1.Утроенные по частоте 100-фс лазерные импульсы, генерируемые Ti:Sapphire лазером «Старт-248М» (Avesta Project Ltd.), были настроены на переходную полосу B->X эксимерного KrF-лазера с активной средой около центральной длины волны 248,4 нм. Эти короткие импульсы с энергией 100 мкДж инжектируются в два KrF-усилителя с электронной накачкой, разделенные вакуумным пространственным фильтром (VSF). После двухпроходного усиления в предусилителе БЕРДЫШ и оконечном усилителе ГАРПУН вся система выдает лазерные импульсы с длиной волны 248 нм с энергией до 0.6 Дж и длительностью импульса τp≈1 пс (FWHM). Конечная длительность импульса растягивается из-за дисперсии групповых скоростей в оптических элементах и ​​воздухе на пути усиления. Пиковая мощность лазера 0,6 ТВт превышает критическое значение керровской самофокусировки в атмосферном воздухе (∼0,1 ГВт) на 3–4 порядка, что приводит к мелкомасштабной самофокусировке и множественной филаментации. Сотни нитей формируются на расстоянии 15 м от выходного окна оконечного усилителя. Визуализация УФ-излучения осуществляется путем установки в нужном положении УФ-поглощающего стекла К8 (см. рис. 1а).Люминесценция стекла в видимом диапазоне отображается на приборе Spiricon SP620U Beam Profiler (Ophir Photonics) [32]. Филаментированный УФ-пучок вводится в газовую кювету длиной 2,5 м, заполненную Xe, при изменении давления в диапазоне 0,1–2 атм. (Рисунок 1б). Телескоп, образованный зеркалами М1 и М2, соответствует поперечному сечению выходного луча ∼12×16 см2 с диаметром входного окна ячейки 10 см, поэтому эксперименты проводятся со слабо сходящимся пучком. Входное окно ячейки из CaF2 прозрачно для УФ-излучения, а выходное окно из стекла К8 служит отводом УФ-излучения.Ячейка расположена на расстоянии 20 м от конечного усилителя, так что филаменты хорошо развиты уже на расстоянии 5 м от ячейки. Люминесцентное изображение УФ-филаментов, входящих в клетку, показано на рис. 2а. Филаменты имеют диаметр df=240÷340 мкм (FWHM) и среднюю пиковую интенсивность If=(2,0±0,6)×1011 Вт/см2, они окружены низкоинтенсивным фоновым излучением 109 Вт/см2. За счет вынужденного вращательного комбинационного рассеяния (ВКР) спектр УФ-излучения существенно расширяется в конце 20-метрового воздушного тракта и охватывает диапазон 247°.5–249,8 нм [33,35]. Ксенон имеет отрицательный нелинейный коэффициент Керра на длине волны KrF-лазера, что обусловлено двухфотонным резонансом излучения 248 нм с определенным состоянием атома 6p [36]. По этой причине УФ-пучок проявляет самодефокусировку филаментов и гомогенизацию интенсивности при распространении в Xe. При давлении Xe 0,1 атм диаметр филамента на конце ячейки увеличивается в 3,6 раза, а его интенсивность падает на порядок [37]. Самодефокусировка УФ-филаментов в Xe сопровождается генерацией когерентного инфракрасного излучения. коническая эмиссия.ИК-свет проходит через выходное окно ячейки и напрямую отображается на профилографе с помощью линзы F = 17 см (см. рис. 1b). В фокальной плоскости он образует несколько колец с одинаковыми радиусами и постоянной узкой шириной (см. рис. 2б). КЭ от каждой нити собирается в кольцо (см. компоновку на рис. 2). Поскольку нити наклонены к оси, в сходящемся лазерном луче ВЭ от пучка нитей отображается в виде множества колец. Угловой диаметр колец соответствует углу при вершине ВЭ Θ≈8×10–3 рад, а кольцо ширина ΔΘ/Θ≈0.025, что свидетельствует о монохроматичности ХЭ. Эти углы оставались неизменными для давлений Xe в диапазоне 0.1–2 атм. Все кольца имеют точно такой же угловой диаметр, хотя и образованы отдельными нитями с несколько разной интенсивностью. При дальнейшем увеличении расстояния камеры от объектива кольца постепенно превращаются в множественные пятна, как это видно на панелях (c) и (d) на рисунке 2. Эти пятна выглядят несфокусированными и имеют внеосевые аберрации, что связано с большой нитью накала. длины (по отношению к фокусному расстоянию) и их наклона к оси объектива.Картины ИК-интерференции, наблюдаемые в ближней зоне, свидетельствуют о фазовом синхронизме в множестве УФ-филаментов и о когерентном характере генерируемого ИК-КЭ [32]. Энергия ИК КЭ оказалась ниже чувствительности калориметра, т. е. менее 1 % от энергии УФ лазерного импульса. Спектр КЭ измерен при давлении ксенона 1 атм с помощью спектрометра АСП 150Т (Авеста Проект ЛТД), имеющего спектральное разрешение 0,15 нм в ИК диапазоне. Для увеличения динамического диапазона регистрации спектров использовался набор различных фильтров для ослабления ИК-излучения.Собранный спектр показан на рисунке 3. Он показывает две спектральные линии довольно разной интенсивности при 828,00 нм и 823,16 нм, которые можно отнести к 2p5(2P3/2)6p[1/2]0→5p5(2P3/2)6s[ 3/2]1o и 2p5(2P3/2)6p[1/2]2→5p5(2P3/2)6s[3/2]2o переходы атомарного Xe соответственно [38]. На изображении КЭ дальней зоны (см. вставку на рис. 3) основное яркое узкое кольцо соответствует пику спектральной линии 828 нм с шириной на полувысоте Δλ = 0,25–0,30 нм. асимметрия низкоинтенсивного красного крыла спектральной линии 828 нм.По нашему мнению, это является следствием взаимодействия атомов Xe–Xe и соответствующей модификации потенциала межатомного взаимодействия [39,40]. Действительно, для состояний 2p5(2P3/2)6p[1/2]0 и 5p5(2P3/2)6s[3/2]1o обнаружен значительный сдвиг невозмущенного энергетического уровня при межатомном расстоянии 5 Å ( см. рис. 9 в [41]). При атмосферном давлении среднее расстояние между атомами ксенона всего в несколько раз больше. В такой ситуации поступательное движение атомов приведет к модификации формы линии в длинноволновом крыле, а также к эффективному столкновительному тушению верхнего состояния.Кроме того, на рис. 3 видно, что длинноволновое крыло спектра слабо модулировано с Δλ≈0,3 нм (4,5 см–1). Эта спектральная модуляция также показана на вставке к Рисунку 3 в виде серии концентрических колец с меньшей интенсивностью на три порядка. Подобная модуляция спектра была обнаружена ранее экспериментально и трактована как колебательная сигнатура молекулярных переходов Xe2* [40]. Энергетические состояния атомарного Xe, участвующие в нашей схеме взаимодействия, показаны на рис. управляемые лазером верхние состояния 2p5(2P3/2)6p[1/2]0 (2) и 2p5(2P3/2)6p[3/2]2 (2′) и промежуточные состояния 5p5(2P3/2)6s[ 3/2]1o (3) и 5p5(2P3/2)6s[3/2]2o (3′). Дипольные переходы между основным (1) и возбужденным состояниями Xe (2), (2′) запрещены, а двухфотонные переходы разрешены. Энергии верхних состояний (2) и (2′) относительно основного состояния 1 Xe составляют 80 119 см–1 и 79 212 см–1 соответственно [38], что несколько меньше удвоенной энергии фотонов KrF-лазера на центральном уровне. длина волны 248,4 нм (40 258 см-1). Однако двухфотонное резонансное возбуждение состояния (2) становится возможным благодаря эффективному уширению спектра при 20-метровом проходе воздуха перед газовой кюветой.Соседнее состояние (2′) по-прежнему остается вне интервала уширения, но заселяется в столкновениях с обменом энергией (2)+(1)→(2′)+(1) из-за небольшой разности энергий 906 см–1 между ( 2) и (2′) состояния Xe [41]. Это, по-видимому, объясняет 30-кратную разницу в интенсивностях линий 828,00 нм и 823,16 нм, наблюдаемую в наших экспериментальных условиях (см. рис. 3), хотя соответствующие излучательные переходы имеют сравнимые вероятности (2)→(3)3,69×107 с–1 и (2′)→(3′)2,86×107 с–1 соответственно [38]. ВУФ-переход из состояния (3) в основное состояние (1) разрешен, а переход из (3′) в основное состояние запрещен. Состояние (3′) опустошается при столкновительном обмене с состоянием (3) и за счет образования димерных молекул Xe2* [41].

Ниже мы приводим теоретическую модель, которая описывает вышеупомянутые экспериментальные результаты. Мы предполагаем, что коническое ИК излучение возникает в результате когерентного процесса ЧВВ, состоящего в параметрическом преобразовании двух фотонов накачки в пару резонансных ИК и ВУФ фотонов с начальной длительностью ~1 пс, близкой к длительности импульса накачки.Этот когерентный процесс FWM имеет порог в кумулятивной плотности энергии импульса KrF-лазера накачки. Из-за самоиндуцированной дефокусировки в ксеноне плотность потока импульса накачки уменьшается ниже порогового значения. Таким образом, процесс ЧВВ прекращается, а возбуждение стали в состоянии 2p5(2P3/2)6p[1/2]0 ксенона протекает через процесс двухфотонного поглощения, обеспечивающий инверсию населенностей перехода (2)→(3). Импульс ИК КЭ, первоначально излучаемый в результате когерентного ЧВВ, в этой инвертированной среде испытывает усиление, сопровождающееся сужением его спектра до ширины, определяемой обратным временем поперечной релаксации перехода (2)→(3) Т2-1.В предположении спектрально-ограниченной длительности импульса регистрируемая ширина линии КЭ ИК полуширины Δλ = 0.25–0.30 нм соответствует временному удлинению усиленного КЭ 828 нм от 1 до ∼10 пс.

3. Теория когерентного резонансного четырехволнового смешения

Для обработки приведенных выше экспериментальных результатов ограничимся упрощенной трехуровневой моделью, учитывающей только состояния атома Xe, резонансно взаимодействующие с электромагнитным полем (см. рис. 4). ). А именно, высокоинтенсивный ультракороткий импульс УФ KrF-лазера (ħω0=5.0 эВ) управляет двухфотонным переходом между основным состоянием 1S0 (1) и состоянием 5p5(2P3/2)6p[1/2]0 (2). Стимулированное ИК излучение возникает в результате дипольного перехода между состояниями (2) и (3) 5p5(2P3/2)6s[3/2]1o (ħω2=1,49 эВ, λ23=828,0 нм), за которым следует дипольный переход в основное состояние 1S0 сопровождается испусканием кванта ВУФ ħω1=8,44 эВ (λ31=146,96 нм). Поскольку в нашем эксперименте ИК-излучение испускается в виде полого конуса, это указывает на решающую роль условия фазового синхронизма, что позволяет рассматривать вынужденное четырехволновое параметрическое преобразование двух фотонов накачки в пару резонансных ИК- и ВУФ-фотонов как ключевой процесс.Поскольку длительность импульса излучения УФ KrF-лазера меньше всех характерных времен поперечной и продольной релаксации в рассматриваемой трехуровневой системе, взаимодействие протекает в когерентном режиме.

Будем считать для определенности, что три резонансно взаимодействующие световые волны в системе имеют одинаковую линейную поляризацию. Суммарная напряженность электрического поля равна E=(1/2)∑j=02Ej(r→,t)exp(iϕj)+cc Здесь Ej(r→,t), j=0,1,2, медленно меняющихся комплексных амплитуд, ϕj=ωjt−kj→r→ – фазы, ωj – частоты, kj→ – волновые векторы импульса накачки KrF-лазера (j=0), светового излучения ВУФ (j=1 ) и излучение ИК-конуса (j=2) соответственно.– оператор дипольного момента атома Xe, µ12=0 для дипольно-запрещенного перехода между атомными состояниями (1) и (2), µ13 и µ23 – ненулевые дипольные матричные элементы для переходов между атомными состояниями (1, 3) и (2,3) соответственно.

Мы ищем волновую функцию системы как динамическую суперпозицию собственных функций атомных состояний,

Ψ=∑j=13aj(r→,t)ψj(ρ→)exp(−i(εj/ħ)t)+∑k≥3bk(r→,t)ψk(ρ→)exp(−i(εk /ħ)т),

εj и ψj(ρ→) — невозмущенные собственные энергии и функции, ρ→ — внутриатомная координата электрона, aj(r→,t) — медленно меняющиеся амплитуды трех резонансных собственных состояний в этой суперпозиции, bk, k≥3, — «быстрые» амплитуды нерезонансных состояний, обеспечивающих двухфотонную связь между состояниями (1) и (2).Эволюция всех этих медленных и быстрых амплитуд управляется вышеуказанным гамильтонианом взаимодействия. Поскольку нерезонансные амплитуды bk колеблются на частотах Ωkj±ωi, ħΩkj=εk−εj, т. е. намного быстрее, чем амплитуды поля Ej и медленные амплитуды aj, соответствующие уравнения могут быть легко проинтегрированы по времени, и, таким образом, быстрые амплитуды bk могут быть быть исключенным. В результате находим следующую систему уравнений для амплитуд состояний j=1,2,3 (штарковский сдвиг считается достаточно малым в наших экспериментальных условиях)

∂a1∂t = IR122ħħA2E02E-IΔ0 + Iμ132ħA3E1E-IΔ1 + Iμ13μ234ħ2A2E1E23-I (δ1 + Δ2) ω1-ω23, ∂a2∂t = Ir122ħa1e0 * 2eiδ0 + Iμ232ħA3E2 * EIδ2 + Iμ13μ234ħ2A1E1 * E2 * Ei (δ1 + Δ2) ω31- ω2,∂a3∂t=iµ132ħa1E1*eiΔ1+iµ232ħa2E2e−iΔ2.

(1)

Здесь энергии переходов между рассматриваемыми атомными состояниями равны ħΩij=εi−εj, фазовые сдвиги определяются следующим образом: Δ0=Ω21t−2ϕ0, Δ1=Ω31t−ϕ1 и Δ2=Ω23t−ϕ2, ≥3(µ1kµ2k/2ħ)(ω0−Ω2k)−1 — матричный элемент двухфотонного перехода.

Для описания динамики рассматриваемой трехуровневой системы необходимо найти элементы эффективной матрицы плотности aiaj*, i,j=1,2,3. В эксперименте [32] интенсивность импульса накачки KrF-лазера достаточно высока и значительно превышает интенсивность конического ИК-излучения, а также ВУФ-излучения.Это позволяет нам применить теорию возмущений, предполагая, что амплитуда E0 много больше, чем амплитуды ИК- и ВУФ-световых полей, |E0|>>|E1|, |E2|. В низшем порядке этой теории возмущений динамика системы состоит в когерентных колебаниях между уровнями (1) и (2) двухфотонного перехода [42]

|a1|2=cos2τ(t),   |a2|2=sin2τ(t),P0≡a1a2*exp(i∆0)=−isinτcosτ,

(2)

где характерная площадь импульса определяется как τ(t)=(r12/2ħ)∫−∞tE02(t′)dt′. В первом порядке поправок к населенностям |a1|2,|a2|2 нет. и поляризационный член P0=a1a2*exp(i∆0).Плотность |a3|2 остается бесконечно малой, и для поляризационных членов P1=a1a3*exp(i∆1) и P2=a3a2*exp(i∆2) находим следующую систему связанных уравнений

∂P1∂t−i∂τ∂tP2*eiΔ=−iµ132ħ|a1|2E1−iµ232ħP0E2*eiΔ,∂P2*∂t−i∂τ∂tP1eiΔ=−iµ232ħ|a2|2E2*−iµ132ħP0*E1eiΔ.

(3)

Здесь полный фазовый сдвиг равен Δ=Δ0−Δ1−Δ2. Очевидно, оптимальной работе соответствует обращение в нуль полного фазового сдвига Δ=0 в каждый момент времени и каждое положение атома в пространстве. Учитывая приведенные выше определения для ∆0,1,2, находим

2ω0=ω1+ω2,    2k→0=k→1+k→2,

(4)

которые и являются законами сохранения энергии и импульса для четырехволнового параметрического процесса преобразования двух фотонов излучения накачки в пару рассеянных фотонов.Поскольку это процесс резонансного усиленного рассеяния, энергии рассеянных фотонов близки к энергиям разрешенных переходов между атомными состояниями (3) и (1) ω1≈Ω31 и между состояниями (2) и (3) ω2 ≈ Ом23. Второе уравнение в (4) дает угол выхода конуса ИК-излучения (на частоте ω2≈Ω23). Принимая естественные начальные условия P1,2(t→−∞)=0, находим решения уравнения ( 3) являются P1=Q(t)cosτ(t), P2=−iQ*(t)sinτ(t), причем функция Q(t) задается формулой

Q=-iµ132ħ∫-∞tcosτ(t’)E1(t’)dt’-µ232ħ∫-∞tsinτ(t’)E2*(t’)dt’

(5)

Исследуем теперь процесс связанного усиления ВУФ и ИК сигналов, возникающий в результате когерентного ЧВВ.Полагая интенсивность импульса накачки достаточно большой, так что площадь импульса накачки τ(t)>>[(ω0−ω2)τp]−1,[(ω1−ω0)τp]−1, находим с точностью до первого порядка В нашей теории возмущений амплитуды поляризации среды на частотах сигнала ω1 и ω2 равны 4πμ13NP1 и 4πμ23NP2 соответственно, N — плотность атомов Xe. Ниже будем предполагать, что область взаимодействия не такая протяженная и комплексные амплитуды E1,2 можно считать не зависящими от поперечных координат. Пренебрегая дисперсией групповой скорости, считаем, что и ВУФ, и ИК сигналы имеют одинаковую временную форму Φ(η), η=t−z/vg, vg — групповая скорость для обоих сигналов. Решения ищем в виде E1,2=E1,2(z,η)exp(iϑ1,2(z,η))Φ(η), где выделены действительные амплитуды E1,2(z,η) и фазы ϑ1 ,2(z,η) предполагаются достаточно медленно меняющимися действительными функциями обеих переменных z и η. В приближении медленных амплитуд и фаз приходим к следующей системе уравнений, описывающих эволюцию амплитуд E1,2 и полной фазы ϑ=ϑ1+ϑ2

∂e1∂z≈-2πω12K1C2nCOSτμ1322ħK1E1-μ13μ232ħK2E2SINθ∂e2∂z≈2 πω22K2C2nsinτμ2322K2C2-μ13μ232ħk2E2-μ13μ232ħK1E1Sinθ∂θ∂z≈2πμ13μ232ħC2Nω12K1K2COSτE2E1-ω22k2k1sinτe1e2Cosθ.

(6)

Здесь вводятся два коэффициента, зависящие от внутренней координаты η, K1(η)=(1/Φ(η))∫−∞ηΦ(η′)cosτ(η′)dη′, K2(η)=(1 /Φ(η))∫−∞ηΦ(η′)sinτ(η′)dη′. Заметим, что уравнения (6) справедливы, когда временная функция формы ϑ1,2(z,η) не обращается в нуль. Согласно системе (6), связь волн в процессе когерентного четырехволнового смешения сильно зависит от корреляции в фазы волны. Эволюция полной фазы ϑ определяется третьим уравнением в (6). Она имеет две стационарные точки ϑ=±π/2, и если принять член в скобках положительным, стационарная точка ϑ=π/2 оказывается устойчивой, а вторая стационарная точка ϑ=−π/2 становится неустойчивой. В стационарной точке ϑ=π/2 решением двух первых уравнений системы (6) при принятых предположениях является

E1Eseed=2πω12k1c2Nµ13µ232ħK2cosτ[exp(Gz)−1]GE2Eseed=1+2πω22k2c2Nµ2322ħK2sinτ[exp(Gz)−1]G

(7)

где Eseed — исходная амплитуда ИК-сигнала, а экспоненциальный коэффициент усиления определяется выражением

G=2πω22k2c2Nµ2322×K2sinτ−2πω12k1c2Nµ1322×K1cosτ.

(8)

Примем по аналогии с КЭ в парах металлов [7], что вблизи порога импульсы сигнала значительно короче импульса накачки, так что cosτ и sinτ принимают свои мгновенные значения, а K1≈tscosτ, K2≈tssinτ, ts – длительность импульса сигнала (см. рис. 5).Усиление возникает для тех частей импульса накачки, на которых усиление положительно, G>0, т. е.

tanτ>k2k1ω1μ13ω2μ23

(9)

Сделаем некоторые оценки. Матричные элементы диполя можно оценить, используя данные о вероятностях спонтанного излучения на соответствующих переходах в ксеноне [43], что дает µ13=0,3576e·Å и µ23=1,87e·Å с длинами волн переходов λ13=146,96 нм и λ23=828,0 нм. , соответственно. Таким образом, мы имеем пороговую площадь импульса накачки tan(τth)≈0.47. Скорость двухфотонного перехода между основным состоянием 5p6(1S0) и состоянием 5p5(2P3/2)6p[1/2]0 атома ксенона изучалась в ряде экспериментальных и теоретических работ [1]. 39,40,44,45,46,47], и результаты отличаются друг от друга на порядок. Оценивая r12≈µ13µ23/(2ħ(ω0−Ω23), находим r12≈1,3×10−24 см3, а по данным [47] находим r12=2,4×10−24 см3. Так как указанная выше пороговая площадь импульса τ= 0,47, получаем плотность потока лазера накачки 86 или 47 мДж/см2 соответственно.При длительности импульса на полувысоте 1 пс это соответствует интенсивности 4,6÷8,4×1010 Вт/см2, что хорошо коррелирует с условиями нашего эксперимента.

4. Сужение спектра усиленного ИК-импульса

Длительность импульса ИК-излучения, генерируемого в результате когерентного процесса ЧВВ, не должна превышать ширину импульса накачки KrF-лазера. Однако измеренный спектр ИК-излучения соответствует длительности импульса около 10 пс, что значительно превышает длительность импульса накачки KrF 1 пс. Этому расхождению с разработанной моделью можно дать следующее качественное объяснение.

Первоначально импульс накачки KrF-лазера длительностью 1 пс генерирует ИК-ЭЭ в процессе когерентного ЧВВ в высокоинтенсивных филаментах и ​​включает фазовый синхронизм с множеством УФ-филаментов на большой длине нелинейного взаимодействия. ЧБВ сопровождается самодефокусировкой филаментов, снижающей их интенсивность ниже порога ЧБВ. Однако этой интенсивности все же достаточно для двухфотонного резонансного возбуждения состояния 5p5(2P3/2)6p[1/2]0 и, следовательно, для сохранения инверсии населенностей между состояниями (2) и (3).В результате когерентный ИК-импульс КЭ проявляет усиление по мере распространения в Хе, возбуждаемом низкоинтенсивным фоновым УФ-излучением, и ширина его импульса, таким образом, увеличивается.

После окончания импульса накачки взаимодействие усиленного ИК сигнала с возбужденными атомами ксенона определяется следующими уравнениями

∂∂t(|a2|2−|a3|2)=2µ23ħIm(P32E2),∂P32∂t=iµ232ħ(|a2|2−|a3|2)E2*−P32T2,

(10)

которое легко получить из уравнения (1) в отсутствие полей накачки E0 и ВУФ E1. Кроме того, феноменологически вводится характерное время поперечной релаксации T2 для поляризации резонансного перехода между состояниями (2) и (3). Отметим, что ВУФ-излучение в этом процессе не участвует, более того, оно обладает сильным поглощением в Хе. Согласно нашему рассмотрению в предыдущем разделе, остаточная инверсия населенности резонансного перехода равна

|a2|2−|a3|2≈sin2τ0,

(11)

где τ0(z)=(r12/2ħ)∫−∞∞E02(z,t′)dt′ — полная площадь импульса накачки.Отметим, что из-за самоиндуцированной расфокусировки импульса накачки KrF-лазера в ксеноне общая площадь импульса накачки τ0(z) постепенно уменьшается с расстоянием z. Пусть остаточная поляризация перехода между состояниями (2) и (3) равна P230, что вместе с уравнением (11) можно рассматривать как начальные условия для уравнения (10). По результатам нашего эксперимента ИК амплитуда сигнала остается достаточно малой на протяжении всего процесса усиления, поэтому инверсия не претерпевает существенных изменений в результате взаимодействия с ИК-сигналом. В первом порядке по амплитуде ИК-сигнала находим поляризацию

P23(t)=P230−iµ232ħsin2(τ0)exp(−t/T2)∫−∞tE2*(t′)exp(t′/T2)dt′.

(12)

Обратите внимание, изменение инверсии населенностей имеет второй порядок по амплитуде ИК-сигнала.

Эволюция ИК-сигнала определяется волновым уравнением с поляризационным членом 4πμ23NP23, которое в приближении медленно меняющихся амплитуды и фазы имеет вид

∂∂zE2(z,η)≈i2πω22k2c2NP23(η),

(13)

η — собственная временная координата ИК-сигнала.Используя преобразование Фурье для амплитуды сигнала,

E2(z,t)=12π∫−∞∞E2(z,Ω)exp(−iΩt)dΩ,E2(z,Ω)=∫−∞∞E2(z,t)exp(−iΩt)dt

(14)

находим, что волновое уравнение преобразуется в виде

∂∂zE2(z,Ω)=isin2(τ0(z))ΩT2+iE2(Ω,z)Лампа,

(15)

где характерная длина усиления равна Lamp−1=(πω22μ232NT2/ħk2c2). Наконец, эволюция спектра S(z,Ω)=|E2(z,Ω)|2 усиленного ИК-импульса определяется следующим уравнением

S(z,Ω)=S0(Ω)exp2Ω2T22+1∫z0zsin2(τ0(z))dzLamp

(16)

пока не достигнет насыщения. Интенсивность насыщения Isat можно оценить из условия µ23E2T2/ħ=π, что дает Isat=πħ2c/(8µ232T22)≈1,4×105 Вт/см2. в ксеноне до достижения предельного значения, определяемого обратным характерным временем поперечной релаксации Т2. Этот процесс проиллюстрирован на рис. 6. Предполагается, что исходный спектр является гауссовым с шириной, соответствующей длительности импульса 1 пс, время поперечной релаксации T2=10 пс.Площадь импульса накачки принимается постоянной на длине усиления Lamp и равной вышеуказанному пороговому значению tanτ=0,47. Отметим, что измерение предельной ширины спектра усиленного импульса можно рассматривать как самостоятельный метод экспериментального определения времени поперечной релаксации для данного перехода: так, в результате нашего эксперимента [32] можно сделать вывод, что поперечная время релаксации перехода 5p5(2P3/2)6p[1/2]0→5p5(2P3/2)6s[3/2]1o в ксеноне при давлении 1 атм составляет 10 пс.

%PDF-1.2 % 643 0 объект > эндообъект внешняя ссылка 643 85 0000000016 00000 н 0000002051 00000 н 0000002485 00000 н 0000002775 00000 н 0000003241 00000 н 0000003264 00000 н 0000005901 00000 н 0000006993 00000 н 0000007264 00000 н 0000007287 00000 н 0000009644 00000 н 0000009667 00000 н 0000012046 00000 н 0000012069 00000 н 0000014474 00000 н 0000014497 00000 н 0000016869 00000 н 0000016892 00000 н 0000019298 00000 н 0000019321 00000 н 0000021719 00000 н 0000021742 00000 н 0000024220 00000 н 0000024262 00000 н 0000024283 00000 н 0000024610 00000 н 0000024633 00000 н 0000026111 00000 н 0000026134 00000 н 0000029724 00000 н 0000029747 00000 н 0000031868 00000 н 0000031891 00000 н 0000035562 00000 н 0000035585 00000 н 0000039844 00000 н 0000039867 00000 н 0000043959 00000 н 0000043982 00000 н 0000048037 00000 н 0000048059 00000 н 0000048642 00000 н 0000048665 00000 н 0000050457 00000 н 0000050480 00000 н 0000055206 00000 н 0000055229 00000 н 0000061077 00000 н 0000061100 00000 н 0000066678 00000 н 0000066701 00000 н 0000072010 00000 н 0000072033 00000 н 0000077617 00000 н 0000077640 00000 н 0000083562 00000 н 0000083585 00000 н 0000088837 00000 н 0000088860 00000 н 0000094083 00000 н 0000094106 00000 н 0000098677 00000 н 0000098700 00000 н 0000104751 00000 н 0000104774 00000 н 0000110453 00000 н 0000110476 00000 н 0000113983 00000 н 0000114006 00000 н 0000118517 00000 н 0000118540 00000 н 0000124708 00000 н 0000124731 00000 н 0000130536 00000 н 0000130559 00000 н 0000135578 00000 н 0000135601 00000 н 0000140545 00000 н 0000140568 00000 н 0000141875 00000 н 0000141898 00000 н 0000144150 00000 н 0000144171 00000 н 0000002130 00000 н 0000002463 00000 н трейлер ] >> startxref 0 %%EOF 644 0 объект > эндообъект 726 0 объект > ручей Hc«f`b`c`TIdd@

.