Ст. 56 СК РФ. Право ребенка на защиту
1. Ребенок имеет право на защиту своих прав и законных интересов.
Защита прав и законных интересов ребенка осуществляется родителями (лицами, их заменяющими), а в случаях, предусмотренных настоящим Кодексом, органом опеки и попечительства, прокурором и судом.
Несовершеннолетний, признанный в соответствии с законом полностью дееспособным до достижения совершеннолетия, имеет право самостоятельно осуществлять свои права и обязанности, в том числе право на защиту.
2. Ребенок имеет право на защиту от злоупотреблений со стороны родителей (лиц, их заменяющих).
При нарушении прав и законных интересов ребенка, в том числе при невыполнении или при ненадлежащем выполнении родителями (одним из них) обязанностей по воспитанию, образованию ребенка либо при злоупотреблении родительскими правами, ребенок вправе самостоятельно обращаться за их защитой в орган опеки и попечительства, а по достижении возраста четырнадцати лет в суд.
3. Должностные лица организаций и иные граждане, которым станет известно об угрозе жизни или здоровью ребенка, о нарушении его прав и законных интересов, обязаны сообщить об этом в орган опеки и попечительства по месту фактического нахождения ребенка. При получении таких сведений орган опеки и попечительства обязан принять необходимые меры по защите прав и законных интересов ребенка.
См. все связанные документы >>>
1. В комментируемой статье предусмотрено право ребенка на защиту своих прав и законных интересов, в том числе от злоупотреблений со стороны родителей. В ней не уточняется, о каких именно правах и законных интересах идет речь. Следует учитывать, что ребенку от рождения принадлежат и гарантируются государством все права и свободы человека и гражданина, предусмотренные Конституцией РФ. Кроме того, ему принадлежат права, предусмотренные Конвенцией о правах ребенка и СК РФ. Таким образом, речь может идти о защите любого из этих прав.
В комментируемой статье говорится о родственниках вообще (дан только примерный перечень), а не только о близких родственниках. Из этого можно сделать вывод о том, что такое право есть у любого лица, которое может доказать наличие кровной связи с ребенком.
Использование термина «защита» говорит о том, что речь идет о ситуациях, когда права ребенка уже были нарушены.
Указанное право на защиту предусмотрено и международными соглашениями. Так, в Конвенции о правах ребенка предусматривается необходимость защиты прав ребенка от следующих посягательств: а) произвольного или незаконного вмешательства в осуществление его права на личную жизнь или посягательства на честь и достоинство; б) всех форм физического или психического насилия, оскорбления или злоупотребления, отсутствия заботы или небрежного обращения, грубого обращения или эксплуатации; в) экономической эксплуатации и выполнения любой работы, которая может представлять опасность для его здоровья или служить препятствием в получении им образования, либо наносить ущерб его здоровью и физическому, умственному, духовному, моральному и социальному развитию; г) незаконного потребления наркотических средств и психотропных веществ; д) всех форм сексуальной эксплуатации и сексуального совращения; е) бесчеловечных или унижающих достоинство видов обращения или наказания; ж) всех других форм эксплуатации, наносящих ущерб любому аспекту благосостояния ребенка (ст. ст. 16, 19, 32 — 34, 37 Конвенции о правах ребенка).
Согласно ст. 19 данной Конвенции, Российская Федерация обязана принимать все необходимые законодательные, административные, социальные и просветительные меры с целью защиты ребенка от всех форм физического или психологического насилия, оскорбления или злоупотребления, отсутствия заботы или небрежного обращения, грубого обращения или эксплуатации, включая сексуальное злоупотребление, со стороны родителей, законных опекунов или любого другого лица, заботящегося о ребенке.
Защита прав и интересов ребенка осуществляется родителями (лицами, их заменяющими, к числу которых относят опекунов, усыновителей), органами опеки и попечительства, прокурором и судом. Родители названы законодателем в числе первых лиц, осуществляющих такую защиту. Права и обязанности родителей закреплены в главе 12 Семейного кодекса (см. комментарий к ней), ст. ст. 32, 48 ГПК РФ.
Родители являются законными представителями своих детей и без специальных полномочий (доверенности) выступают в защиту их прав с любыми физическими и юридическими лицами, в том числе в судах. Вместе с тем они должны представить суду доказательства, подтверждающие их родство с ребенком. Такими доказательствами являются свидетельство о рождении ребенка и документ, подтверждающий личность родителей. Представлять права и интересы ребенка могут как оба родителя, так и один из них по соглашению между ними.
Как уже было отмечено, несовершеннолетний признается полностью дееспособным в результате эмансипации или заключения брака. В таких случаях, как следует из п. 1 комментируемой статьи, несовершеннолетний имеет право самостоятельно осуществлять свои права и обязанности, в том числе право на защиту.
2. Как следует из п. 2 комментируемой статьи, ребенок может обратиться в суд с иском (заявлением, жалобой) самостоятельно по достижении им возраста 14 лет при нарушении его прав и законных интересов, в том числе при невыполнении либо ненадлежащем выполнении родителями (одним из них) обязанностей по воспитанию, образованию либо при злоупотреблении родительскими правами (ст. 56 СК РФ), а также с иском об отмене усыновления (ст. 142 СК РФ), и с требованием об объявлении эмансипированным (ст. 27 ГК РФ). Надо полагать, что ребенок в этом случае наделяется не только правом на обращение в суд с иском (заявлением, жалобой), но и всеми гражданскими процессуальными правами и обязанностями: знакомиться с материалами дела, делать выписки из них, снимать копии, заявлять отводы, представлять доказательства, участвовать в исследовании доказательств, заявлять ходатайства и др. (ст. 30 ГПК).
Право на защиту находит свое конкретное выражение в том, что ребенок может обращаться для защиты своих интересов в органы опеки и попечительства, а по достижении 14 лет — в суд. Но даже достигшему возраста 14 лет несовершеннолетнему нельзя выступать в роли истца по делу о лишении родительских прав, ограничении родительских прав. Исключение составляет отмена усыновления по просьбе усыновленного, достигшего возраста 14 лет.
3. Пункт 3 комментируемой статьи устанавливает обязанность должностных лиц и граждан которым станет известно об угрозе жизни или здоровью ребенка, о нарушении его прав и законных интересов, обязаны сообщить об этом в орган опеки и попечительства по месту фактического нахождения ребенка.
Комментируемая статья не указывает, какая именно ответственность наступает в случае неисполнения этой обязанности, поэтому она по существу носит декларативный характер.
Должностное лицо — лицо, постоянно, временно или по специальному полномочию осуществляющее функции представителя власти либо выполняющее организационно-распорядительные, административно-хозяйственные функции в государственном органе или органе местного самоуправления (Федеральный закон от 2 мая 2006 г. N 59-ФЗ «О порядке рассмотрения обращений граждан Российской Федерации»).
Верховный Суд РФ разъяснил, что суды не должны оставлять без внимания факты несвоевременного принятия органами опеки и попечительства мер к защите прав и охраняемых законом интересов детей, неправильного отношения к ним со стороны работников детских воспитательных учреждений, школ и других учебных заведений, а также родителей; на подобные факты, выявляемые при разбирательстве споров о детских судьбах, следует реагировать частным определением (п. 21 Постановления Верховного Суда РФ от 27 мая 1998 г. N 10 «О применении судами законодательства при разрешении споров, связанных с воспитанием детей»).
Статья 56 СК РФ 2016-2021. Право ребенка на защиту . ЮрИнспекция
Статья 54 Семейного кодекса : Право ребенка жить и воспитываться в семье : Каждый ребенок имеет право жить и воспитываться в семье, насколько это возможно, право знать своих родителей, право на их заботу, право на совместное с ними проживание, за исключением случаев, когда это противоречит его интересам. Ребенок имеет права на воспитание своими родителями, обеспечение его интересов, всестороннее развитие, уважение его человеческого достоинства. При отсутствии родителей, при лишении их родительских прав и в других случаях утраты родительского попечения право ребенка на воспитание в семье обеспечивается органом опеки и попечительства в порядке, установленном главой 18 настоящего Кодекса. Статья 56. Право ребенка на защиту 1. Ребенок имеет право на защиту своих прав и законных интересов. Защита прав и законных интересов ребенка осуществляется родителями (лицами, их заменяющими) , а в случаях, предусмотренных настоящим Кодексом, органом опеки и попечительства, прокурором и судом. Несовершеннолетний, признанный в соответствии с законом полностью дееспособным до достижения совершеннолетия, имеет право самостоятельно осуществлять свои права и обязанности, в том числе право на защиту. 2. Ребенок имеет право на защиту от злоупотреблений со стороны родителей (лиц, их заменяющих) . При нарушении прав и законных интересов ребенка, в том числе при невыполнении или при ненадлежащем выполнении родителями (одним из них) обязанностей по воспитанию, образованию ребенка либо при злоупотреблении родительскими правами, ребенок вправе самостоятельно обращаться за их защитой в орган опеки и попечительства, а по достижении возраста четырнадцати лет в суд. 3. Должностные лица организаций и иные граждане, которым станет известно об угрозе жизни или здоровью ребенка, о нарушении его прав и законных интересов, обязаны сообщить об этом в орган опеки и попечительства по месту фактического нахождения ребенка. При получении таких сведений орган опеки и попечительства обязан принять необходимые меры по защите прав и законных интересов ребенка. Статья 65. Осуществление родительских прав 1. Родительские права не могут осуществляться в противоречии с интересами детей. Обеспечение интересов детей должно быть предметом основной заботы их родителей. При осуществлении родительских прав родители не вправе причинять вред физическому и психическому здоровью детей, их нравственному развитию. Способы воспитания детей должны исключать пренебрежительное, жестокое, грубое, унижающее человеческое достоинство обращение, оскорбление или эксплуатацию детей. Родители, осуществляющие родительские права в ущерб правам и интересам детей, несут ответственность в установленном законом порядке. Статья 69. Лишение родительских прав Родители (один из них) могут быть лишены родительских прав, если они: уклоняются от выполнения обязанностей родителей, злоупотребляют своими родительскими правами; жестоко обращаются с детьми, в том числе осуществляют физическое или психическое насилие над ними, покушаются на их половую неприкосновенность; являются больными хроническим алкоголизмом или наркоманией; совершили умышленное преступление против жизни или здоровья своих детей либо против жизни или здоровья супруга. Также можно посмотреть Федеральный закон от 24 июля 1998 года № 124-ФЗ » Об основных гарантиях прав ребенка в РФ» (с изменениями и дополнениями)Ст 56 СК РФ с комментариями и изменениями на 2020-2021 год
Согласно Кодексу защита прав и законных интересов несовершеннолетнего возлагается на родителей (лиц, их заменяющих). Раздельное проживание с ребенком не освобождает родителя от обязанностей по защите его прав и интересов. Но защиту не могут осуществлять лица, лишенные родительских прав; граждане, у которых он отобран по решению суда либо органом опеки и попечительства; лица, признанные недееспособными.
Не могут выступать в роли защитника прав и законных интересов своего ребенка также граждане, чья дееспособность ограничена из-за злоупотребления спиртными напитками или наркотическими средствами. В случае установления над несовершеннолетним опеки (попечительства), передачи его на воспитание в приемную семью функции по защите прав и законных интересов ребенка в полном объеме выполняют лица, управомоченные в установленном законом порядке на его воспитание. При передаче на усыновление защита прав и законных интересов усыновляемого возлагается на усыновителя.
Если ребенок устроен в детское воспитательное, лечебное учреждение, учреждение социальной защиты, защита его прав и законных интересов возлагается на администрацию учреждения. Даже временное пребывание ребенка в подобного рода учреждениях обязывает их администрацию выступать в защиту его прав и интересов. При невозможности вернуть ребенка в семью или незамедлительно устроить его в другую семью либо в одно из детских воспитательных учреждений защита прав и интересов несовершеннолетнего временно возлагается на орган опеки и попечительства.
Защищает права и законные интересы ребенка и прокурор, во-первых, осуществляя надзор за тем, как они соблюдаются прежде всего управомоченными на то органами, во-вторых, принимая непосредственное участие в делах, связанных с защитой прав детей.
Споры, связанные с воспитанием детей, рассматривает суд. При этом он вправе вынести определение в адрес любых государственных, муниципальных, общественных организаций, отдельных граждан, обязывающее проследить, например, как охраняются права детей, оказать им посильную и возможную помощь.
Для ребенка особую опасность представляют всякого рода злоупотребления со стороны родителей. Это может стать основанием для лишения их родительских прав. Не меньшую угрозу для детей, оставшихся без родителей, представляют злоупотребления в отношении ребенка со стороны тех, кто вызвался их заменить, принял на себя всю заботу о нем. При наличии такой угрозы есть все основания для прекращения существующих правоотношений путем отстранения опекуна (попечителя), отмены усыновления, досрочного прекращения договора о передаче ребенка на воспитание в семью.
В последнее время в стране делаются попытки принять серьезные меры в борьбе с безнадзорностью и беспризорностью подростков.
Невыполнение родителями (одним из них) обязанностей по воспитанию, образованию, уклонение от выполнения родительских обязанностей, в том числе связанных с образованием детей, злоупотребление родительскими правами служат основанием для лишения родительских прав. СК РФ делает акцент на предоставлении ребенку в таких случаях права самостоятельно обратиться за защитой своих прав.
Органы опеки и попечительства обязаны выслушать несовершеннолетнего, ознакомиться с его просьбой и принять необходимые меры для помощи. С просьбой о защите своих прав ребенок может обратиться также в любое учреждение, занимающееся социальным обслуживанием несовершеннолетних: социальный приют для детей и подростков, центр помощи детям, оставшимся без попечения родителей, центр экстренной психологической помощи по телефону и др. Ребенок может обратиться за защитой и к прокурору.
Несовершеннолетнему дается право обращаться самостоятельно по достижении 14 лет в суд, стать участником гражданского процесса. Но даже достигшему 14 лет несовершеннолетнему нельзя выступать в роли истца по делу о лишении родительских прав, ограничении родительских прав. Исключение составляет отмена усыновления по просьбе усыновленного, достигшего возраста 14 лет.
В статье указано, что все должностные лица или граждане, которым стало известно о нарушении прав ребенка, угрозе его жизни или здоровью, обязаны незамедлительно сообщить об этом органу опеки и попечительства. Понятие должностного лица можно распространить на всех должностных лиц органов власти и учреждений (государственных и муниципальных учреждений, государственных и частных предприятий).
Сведения о детях, попавших в бедственное положение, адресуются в органы опеки и попечительства по фактическому месту нахождения несовершеннолетнего. Это позволяет без промедления принять в необходимых случаях меры по защите нарушенных прав ребенка.
Прокуратура Самарской области разъясняет, какими правами обладают несовершеннолетние лица
Дата: 04.05.2020 11:48
В соответствии с положениями действующего законодательства каждому ребенку гарантируются обширные права и свободы.
Так, каждый ребенок на территории Российской Федерации имеет право:
на имя, отчество, фамилию и гражданство;
на жизнь и воспитание в семье, со своими родителями, которые должны заботиться о его воспитании, обучении и развитии;
на защиту своих интересов;
на защиту от злоупотреблений со стороны своих родителей либо законных представителей (опекунов, попечителей и т.д.).
на выражение своих взглядов по всем вопросам, которые касаются его самого и отношений в семье;
на доступ к информации;
на личную, семейную жизнь, неприкосновенность жилища, право хранить в тайне свою переписку, телефонные переговоры и личные данные;
на защиту и помощь от государства;
на охрану здоровья и медицинское обслуживание;
на образование;
на полноценную и достойную жизнь;
на имущество.
Право ребенка на защиту своих прав и законных интересов определено ст. 56 СК РФ. Право ребенка на защиту своих прав и законных интересов корреспондирует с соответствующими обязанностями прежде всего родителей (лиц, их заменяющих), а также государственных и муниципальных органов, в частности органов опеки и попечительства, прокуратуры и суда.
Защиту прав ребенка осуществляют:
· родители, иные законные представители;
· органы опеки и попечительства;
· суд;
· прокурор;
· другие государственные органы и органы местного самоуправления в пределах своей компетенции;
· должностные лица организаций и иные граждане, которым станет известно об угрозе жизни или здоровью ребенка, о нарушении его прав и законных интересов в части уведомления об этом органов опеки и попечительства;
· сам ребенок, который вправе самостоятельно обращаться за защитой своих прав, например, в случаях злоупотребления родителями своими правами либо неисполнения ими своих обязанностей: с 14 лет ребенок может обратиться в суд, а до достижения возраста 14 лет — в органы опеки и попечительства. Кроме того, ребенок вправе обратиться в органы внутренних дел в том случае, если в действиях лиц, нарушающих его права, имеется состав преступления.
Пунктом 3 ст. 56 СК РФ установлена обязанность должностных лиц организаций и иных граждан, которым станет известно об угрозе жизни или здоровью ребенка, о нарушении его прав и законных интересов, сообщить об этом в орган опеки и попечительства по месту фактического нахождения ребенка.
Соблюдение прав детей находится на особом контроле прокуратуры района.
Информацию подготовил прокурор Центрального района г. Тольятти
Рамис Сабирзянов
— Муниципальное образование «Мамоновский городской округ»
Защита и обеспечение прав и интересов детей
Дети являются высшей ценностью нашего государства.
Задача сохранения жизни, физического и психического здоровья ребенка всегда стояла на первом месте в семейном законодательстве.
В соответствии с Конвенцией о правах ребенка, которая была ратифицирована Российской Федерацией 16.08.1990 г., ребёнок имеет права: право на жизнь (ст. 6), иметь семью (ст. 9), на имя и гражданство (ст. 7), на образование (ст.28), на защиту от насилия (ст. 19), на равенство, на свободу мысли и слова (ст. 13), на отдых и досуг (ст. 31), на медицинское обслуживание и заботу о здоровье (ст. 24), на помощь государства (ст. 18-27) и др.
Все дети имеют право на развитие своих возможностей, свободу от голода и нужды, жестокости и других форм злоупотребления.
Пункт 1 статьи 64 Семейного Кодекса Российской Федерации возлагает защиту прав и интересов детей на их родителей: «Родители являются законными представителями своих детей и выступают в защиту их прав и интересов в отношениях с любыми физическими и юридическими лицами, в том числе в судах, без специальных полномочий».
В соответствующих случаях законными представителями ребенка являются его усыновители, опекуны, попечители. Когда же родителей (лиц, их заменяющих) нет или они не выполняют своей миссии, обязанности по защите прав детей возлагаются на органы опеки и попечительства, прокурора и суд (п. 1 ст. 56 СК РФ).
Гарантией надлежащей защиты прав ребенка является установленная в п. 3 ст. 56 СК РФ обязанность всех должностных лиц или граждан, которым стало известно о нарушении прав ребенка, угрозе его жизни или здоровью, сообщить об этом органу опеки и попечительства по месту фактического нахождения ребенка.
Профилактика асоциального поведения детей и подростков
Профилактика безнадзорности и правонарушений несовершеннолетних – система социальных, правовых, педагогических и иных мер, направленных на выявление и устранение причин и условий, способствующих безнадзорности, беспризорности, правонарушениям и антиобщественным действиям несовершеннолетних, осуществляемых в совокупности с индивидуальной профилактической работой с несовершеннолетними и семьями, находящимися в социально-опасном положении.Федеральный закон от 24.06.1999 № 120-ФЗ «Об основах системы профилактики безнадзорности и правонарушений несовершеннолетних»
Асоциальное поведение — поведение, противоречащее общественным нормам и принципам, выступающее в форме безнравственных или противоправных деяний. Как правило, подросток, характеризующийся асоциальным поведением, имеет определённые личностные особенности: несдержанность и агрессивность, склонность к межличностным конфликтам, упрямство, нежелание подчиняться общепринятым правилам поведения, трудности социальной адаптации.
Нарушение соответствующих возрасту подростка социальных норм и устоявшихся правил поведения. Проявляется в форме агрессии, нежелании учиться, демонстрации своего негатива близкому окружению. Также такое поведение может сопровождаться уходами из дома, бродяжничеством, суицидальными попытками. | |
Характеризуется бегством от существующих проблем, уходом «в свой мир». Это может сопровождаться бегством в тело (булимия, анорексия), бегством в работу (трудоголизм), бегством в фантазии (компьютерные игры), бегством в религию, секс, наркотики, суицидальные наклонности. |
Профилактические мероприятия в образовательных учреждениях:
— ликвидация пробелов в знаниях учащихся по вопросам асоциального поведения;
— борьба с прогулами занятий;
— организация досуга учащихся, широкое вовлечение учащихся в занятия спортом, художественное творчество, кружковую работу;
— пропаганда здорового образа жизни;
— правовое воспитание;
— профилактика наркомании и токсикомании.
Понаблюдайте за поведением своего ребенка и, если есть первичные признаки для беспокойства, обратитесь к специалисту-психологу в образовательную организацию, в которой проходит обучение ваш ребёнок. Не стоит запускать ситуацию!
В систему профилактики безнадзорности и правонарушений несовершеннолетних также входят комиссии по делам несовершеннолетних и защите их прав, органы управления социальной защитой населения, федеральные органы государственной власти и органы государственной власти субъектов Российской Федерации, осуществляющие государственное управление в сфере образования, и органы местного самоуправления, осуществляющие управление в сфере образования, органы опеки и попечительства, органы по делам молодежи, органы управления здравоохранением, органы службы занятости, органы внутренних дел, учреждения уголовно-исполнительной системы (следственные изоляторы, воспитательные колонии и уголовно-исполнительные инспекции).
Комиссия по делам несовершеннолетних и защите их прав администрации муниципального образования «Мамоновский городской округ»
Контактные телефоны:
31-02-47 – отдел образования;
31-02-65- главный специалист — освобожденный секретарь комиссии по делам несовершеннолетних и защите их прав при Администрации• Индивидуальная карта несовершеннолетнего
• ПРОГРАММ КДН и ЗП
• Программа
Статья 56 СК РФ. Право ребенка на защиту
С самого рождения малыш учится оценивать себя и свою жизнь с точки зрения субъективных оценок взрослого человека, живущего рядом. Любое негативное проявление со стороны родителей вызывает у малыша страх разрыва социальных связей, и приводит к внутреннему конфликту «я — общество», закладывая ряд комплексов, а то и вовсе причиняя вред детской психике. Зачастую негативные оценки сопровождаются физическим воздействием, в виде шлепков. Нарушение прав ребенка встречается гораздо чаще, чем может показаться. А необходимость восприятия маленького члена общества в качестве полноценной личности, зачастую игнорируется. Исправить ситуацию и оградить маленьких граждан от посягательств призвано законодательство в сфере защиты семьи и детства.
О каких правах речь?
К основным из них относятся право жить и воспитываться в своей собственной семье, иметь фамилию, имя, отчество, общаться с родственниками, свободно выражать собственное мнение. Несовершеннолетний обладает правом на защиту и материальное обеспечение. Содержать ребенка входит в обязанности любого из родителей. Его же долг — дать сыну или дочери общее образование.
Ответственность родителей, предусмотренная за поведение несовершеннолетнего, включает его возможные противоправные действия. Таким образом, каждому из родителей есть смысл позаботиться об установлении с собственным ребенком нормальных доверительных отношений, позволяющих должным образом его воспитать и сформировать как личность.
Обязанности взрослых
Обстановка, царящая в семье, зависит целиком и полностью от взрослых ее членов — родителей. В нормальных семьях само собой разумеется, что папа и мама интересуются детской жизнью, участвуют во взрослении малыша, принимают его друзей. Свободное время, которое родитель может уделить сыну или дочери, — необходимая составляющая того, что каждый из нас обязан дать своему ребенку.
Забота о малыше в период его взросления, естественно, подразумевается само собой. Речь идет не только о нормальном питании, обеспечении одеждой и необходимыми принадлежностями. Дело родителей — общаться с малышом и участвовать в решении его проблем.
Самое же главное, что должны четко понимать все отцы и матери: недопустимо наличие какого-либо насилия (ни физического, ни психологического) по отношению к несовершеннолетнему. Это — прямое нарушение прав ребенка. И потому любому родителю предстоит запастись немалой долей терпения и ясными представлениями о том, что от него и лишь от него зависит, каким вырастет дочка или сын и как будет вступать во взрослую жизнь.
Педагогический отравляющий элемент
Маленький человек имеет свое мышление, восприятие мира и особое отношение к нему. Воспитатели накладывают свой след на будущего гражданина России. От того, каким он будет, зависит во многом от родителей и отравляющей сознание педагогики.
Эмоциональное насилие детей отрицательно отражается на их психике. Каждый родитель по-своему реагирует на успешные достижения ребят. Один проявляет видимую гордость, радость. Другой равнодушно воспринимает пятерки, его раздражают сообщения о полученной роли в школьном театре, а первые литературные пробы пера кажутся очередной глупостью. У детей начинают создаваться свои отношения к неадекватным реакциям, они понимают, что нет необходимости стремиться к хорошим оценкам и радоваться очередной похвальной грамоте.
Права ребёнка в подробностях
Защита детей — прямая обязанность каждого родителя. В нашей стране данной теме посвящено несколько законодательных документов, относящихся к разным уровням. Основные из них — Конституция РФ и Конвенция ООН о правах ребенка. Кроме того, существует ряд федеральных законов и государственных кодексов. Касательно рамок семейных и общественных отношений права детей наиболее подробно прописаны на страницах Семейного кодекса, а также в ФЗ номер 124 «Об основных гарантиях прав ребенка в РФ».
Законодательством зафиксировано, что понятие «ребёнок» подразумевает гражданина, не достигшего 18-летнего возраста. И далее мы подробнее коснемся тех прав, которые даны именно несовершеннолетним.
Общие положения
Права детей закреплены в нашей стране во многих законодательных нормативах, начиная от Конституции РФ и федеральных законодательных актов, и заканчивая разнообразными кодексами. Но все же более обширно данный вопрос рассматривается в Семейном Кодексе РФ и ФЗ-214 «Об основных гарантиях прав ребенка в РФ». Кроме того, ключевые права закреплены также и на международном уровне в Конвенции ООН.
7
Задать вопросЮрист перезвонит в течение 5 минут
Заявка успешно отправлена!
В ближайшее время с вами свяжется наш юрист и проконсультирует вас.
Обеспечение прав осуществляется в нашей стране в соответствии с положениями ФЗ-214. Тут указано, что все властные структуры, а также должностные лица, родители (опекуны), а также граждане, которые занимаются воспитанием, развитием или образованием ребенка должны оказывать полное содействие в защите интересов несовершеннолетних и препятствовать попыткам ущемления их интересов.
Ребенок имеет право быть счастливым!
Принимая во внимание права детей в семье, можно выделить следующие постановления:
- право на жизнь в семье и воспитание
- право на ФИО
- право на общение с родственниками
- право на собственном мнение и его выражение
- право на защиту
- право на доходы и обеспечение существования
В обязанности каждого родителя входит обеспечение своего ребенка необходимым общим образованием. Помимо этого, родители ответственны за то, как ребенок ведет себя, а также за все противоправные действия, которые совершают несовершеннолетние дети. Из этого следует, что для любого родителя целесообразно заботиться о том, чтобы между ним и ребенком были построены доверительные отношения. Это позволит в процессе общения с малышом дать ему должное воспитание и сформировать нравственное поведение у него.
Воспитывая в ребенке нравственность, родители смогут меньше беспокоиться за то, что их малыш сделает какую-то глупость. Нравственный ребенок самостоятельно сможет отличать зло и добро, хорошее и плохое, а также будет лучше понимать, какие действия разрешается совершать, а каких лучше избегать вовсе.
Предлагаем ознакомиться: Досудебная претензия задолженность
То, какая между членами семьи царит обстановка, практически полностью зависит от самих родителей. Если в доме хорошо и взрослым, и детям, то ребенок вряд ли захочет куда-то уйти и найти себе сомнительных друзей. Взрослые должны интересоваться жизнью ребенка, быть друзьями для его друзей, участвовать в взрослении малыша.
Несмотря на загруженность современных взрослых, родители всегда должны находить свободное время для ребенка. О малыше нужно заботиться: общаться с ним, помогать решать проблемы, следить за тем, чтобы ребенок был хорошо одет и накормлен. Дети нуждаются в заботе и опеке.Главное правило, которое должны четко понимать все взрослые: любое насилие, как физическое, так и психическое недопустимо по отношению к ребенку.
Малыша нельзя унижать, демонстрировать свое превосходство, ругать. Каждый родитель должен быть терпелив, ведь в первую очередь от него зависит, каким вырастет ребенок. Также следует помнить о том, что у всех детей есть определенные права, которые не должны нарушаться.
Право жить и воспитываться в семье
54-я статья ГК РФ утверждает право всех несовершеннолетних граждан на жизнь в семейном кругу с соответствующим воспитанием. Прямой вывод из этого положения: к нормальному большинству случаев относится проживание несовершеннолетнего гражданина вместе с собственными родителями в условиях опеки и необходимой заботы. В качестве исключения можно рассмотреть лишь случаи, когда реализация подобного условия ведет к нарушению детских интересов или создает здоровью и жизни ребенка угрозу.
При отсутствии родителей либо лишении их данного статуса (в связи с рядом причин) несовершеннолетний пользуется правом на проживание с воспитанием либо в специальном учреждении, либо в приемной семье. Последний вариант является приоритетным. Детский дом в качестве места обитания ребенка рассматривается в последнюю очередь — при отсутствии альтернативных решений.
Семейное воспитание
Мать и отец должны обеспечить ребенку возможность семейного воспитания, заботы и защиты. Собственные родители и круг родственников – идеальные условия для его проживания. Исключение составляет ситуация, когда мать/отец нарушают права малолетнего.
Политика государства направлена на сохранение и поддержку кровных семей. Если мама и папа не могут/не хотят дать несовершеннолетнему воспитание, обучение и совместное проживание – эту возможность обеспечат специализированные органы.
Если родители умерли/лишены прав в отношении малолетнего, его передадут под ответственность органов опеки. После этого специалисты должны принять все необходимые меры, чтобы он не был передан в организацию для детей-сирот. Первоочередно рассматривается возможность усыновления. При отсутствии кандидатов, ребенку ищут опекуна/приемного родителя. В случае если граждане, желающие принять его в семью, не подобраны, несовершеннолетний передается в учреждение для детей-сирот. Но даже после этого, до его восемнадцатилетия будут приниматься все меры для его семейного устройства.
Право на Ф. И. О.
Иметь документально закрепленные фамилию, имя и отчество также относится к правам ребенка. Согласно закону, выбирают имя ему родители, а фамилия соответствует таковой любого из них. Отчеством же ребёнок наделяется согласно имени отца. Возможны варианты, связанные с традициями различных регионов.
Если же достичь договоренности с определением Ф. И. О. новорождённого родителям не удаётся, к ситуации имеют право подключиться органы опеки. Когда официальный отец отсутствует, выбором имени малышу занимается мать, она же даёт ребёнку и собственную фамилию. Изменить Ф. И. О. ребёнка возможно по согласованию с родителями после того, как он достигнет четырнадцатилетнего возраста.
Физическое насилие над детьми
Насильственное обращение с ребенком любого возраста предусматривает показатель плохого отношения к нему родителей. Даже если один способен поднять руку, а другой ничего не предпринимает для защиты, он молчаливо солидарен относительно физического подчинения неокрепшего сознания и организма. Мать или отец становится участником унижения ребенка.
Причем к насилию принадлежит любая форма:
- физическая;
- эмоциональная;
- сексуальная;
- пренебрежение или отсутствие заботы.
Каждую жалобу, кем бы она ни была подана, правомочные органы проверяют, собирают свидетельские показания и документальные подтверждения.
Право иметь и выражать собственное мнение
Регламентирует в этом случае нарушение прав ребенка статья 57-я СК. Несовершеннолетний может свободно высказываться по всем вопросам, затрагивающим его интересы. Форма выражения собственного мнения при этом не важна. В случае судебного разбирательства представитель закона обязан выслушать ребенка и принять во внимание его пожелания.
Позиция его учитывается по закону по достижении возраста 10 лет. Это касается вопросов замены фамилии, имени, отчества, восстановления родителей в правах, назначения опекуна или при процедуре усыновления, а также других моментах юридического характера.
Судебная практика
Статья 57 Семейного кодекса РФ говорит о праве маленького гражданина выражать свое мнение при решении любого вопроса в семье, а также иметь право быть заслушанным в ходе судебного либо административного разбирательства при условии достижения ребенком возраста десяти лет, за исключением случаев, противоречащим его интересам.
Однако в ходе изучения судебной практики нередко выявляются нарушения, связанные, например, с рассмотрением дел об определении места жительства ребенка в случае раздельного проживания его родителей, когда мнение ребенка, достигшего десятилетнего возраста, с кем он хочет проживать, не учитывается.
Так, одним из судов Пермского края было вынесено решение об определении места жительства двенадцатилетнего подростка, при этом мнение самого ребенка не учитывалось ни органами опеки и попечительства, ни судом, а само решение судом никак не было мотивировано.
Также, судебная практика говорит о случаях, когда суд не учитывает мнение ребенка, когда родители в суде заключают мировое соглашение о месте жительства ребенка, тем самым нарушая требования ст. 57 СК РФ.
Ярким примером такого нарушения служит утверждение судьей одного из судов Новосибирска мирового соглашения между родителями двух несовершеннолетних детей. При этом местом жительства 13-летней дочери было определено с матерью. а местом жительства 7-летнего сына — с отцом. Мнение девочки-подростка при этом судом учтено не было.
В отдельных случаях также в обход требований статьи 57 СК РФ не учитывалось мнение ребенка, достигшего возраста 10 лет, в вопросе необходимости лишения его родителя родительских прав.
Право быть защищенным
Необходимость обязательной защиты детских интересов отражена 56-й статьей СК РФ. Говоря о семейном круге, подразумевается, что в роли таких защитников выступают родители либо опекуны. Обязанность абсолютно любого человека, получившего информацию об ущемлении интересов или прав ребёнка (не говоря уже об угрозе здоровью и жизни) — уведомить соответствующие органы. Чаще всего этим занимаются учителя, медперсонал и все прочие, кто имеет постоянный контакт с детьми по роду деятельности.
За несовершеннолетним закреплена также возможность и самостоятельного обращения в органы опеки с целью защиты и получения нужной информации. Достигнув 14-летнего возраста, ребенок имеет право подачи судебного заявления.
Право доходов и материального обеспечения
У ребенка могут быть личные доходы, которые он имеет возможность использовать. Ему положены средства, нужные для нормальной жизнедеятельности. Речь идет об одежде, пище, наборе необходимых материальных ценностей, без которых невозможны нормальная жизнь, рост и образование.
80-я статья СК РФ возлагает содержание ребенка на его родителей. Если семья распалась, и кому-то из родителей пришлось выплачивать алименты, они должны тратиться целенаправленно на обеспечение детских интересов. То же самое относится ко всем видам пенсий и социальных выплат, права на которые у детей возникают в ряде случаев.
К собственным доходам несовершеннолетнего по закону относятся деньги и прочие ценности, заработанные им самостоятельно, унаследованные либо полученные как подарок. Права детей распространяются на имущество семьи, но родители не могут по закону распоряжаться вещами детей. Взаимное пользование общим имуществом старших и младших членов семьи возможно лишь по обоюдному соглашению.
Ответственность по закону
Какая ответственность за нарушение прав ребенка закреплена в Российской Федерации законодательно? Степень ее зависит от тяжести правонарушения и может состоять в предупреждении, штрафе или аресте. Данные меры применяются в случае нарушения детских прав в части воспитания, содержания, защиты интересов или ограничения в общении.
За какие нарушения прав ребенка наказывает Уголовный кодекс? Его статьи затрагивают более серьезные ситуации, касающиеся вовлечения ребенка взрослым лицом в преступную деятельность. А срок будет еще более увеличен, если речь идет о родителе или воспитателе несовершеннолетнего. Аналогичные меры предусмотрены за вовлечение детей в употребление спиртных напитков или наркотических средств, образ жизни, связанный с попрошайничеством и бродяжничеством.
В 156-й статье Уголовного кодекса прописано наказание в виде тюремного заключения сроком до 3-х лет в случае жестокого обращения родителей с детьми. Это же касается воспитателей и прочих взрослых, имеющих к детям отношение.
Примеры нарушения прав ребенка
Итак, до сих пор мы говорили о том, что и так ясно — несовершеннолетнего можно назвать точно таким же полноправным членом общества, как и любого из взрослых. В то же время ребёнок зачастую находится в ущемленном положении в связи с тем, что часто не в состоянии заявить о нарушении собственных прав в нужные органы, и даже подростки, владеющие хоть каким-то минимумом юридической информации, часто недостаточно хорошо осведомлены о собственных правах или просто не знают, куда обратиться.
К тому же в большинстве случаев дети боятся наказания со стороны взрослых. В итоге примеры нарушения прав ребенка в нашей стране (и не только в нашей) растут и множатся.
Каким же образом права ребенка нарушаются чаще всего? Ситуаций таких — пруд пруди, и возникают они в жизни, как ни жаль, с завидной регулярностью. Нарушение родителями прав ребенка, как ни странно, составляет их львиную долю. Наказаниям за большинство провинностей малыши подвергаются практически в любой семье. Но это еще полбеды. Множество детей вынуждены терпеть оскорбления, прямую агрессию со стороны взрослых или даже побои.
В определенном типе семей родители считают такое отношение само собой разумеющимся и классифицируют как воспитание. Но на самом деле данное поведение — ярчайший пример насилия по отношению к беззащитному ребёнку. Самое ужасное, что львиная доля всех нарушений детских прав встречается именно в семье, которая, казалось бы, должна стать оплотом безопасности и надежной защиты для любого малыша.
Не только в маргинальных, но и во внешне благополучных ячейках общества взрослые члены их зачастую не задумываются о том, что происходит самое настоящее ущемление детской личности. А в это время дети страдают и не могут никак повлиять на ситуацию. Причина подобного поведения взрослых — выросшие в собственной семье в атмосфере оскорблений и насилия люди даже не предполагают наличия какого-либо иного, более гуманного стиля общения.
Проблемы и последствия
В то же время любой отец или мать, усмотрев нарушение прав и интересов ребенка в учебном учреждении (в школе, детском саду), грудью встанет на его защиту. Санкциям будут подвергнуты воспитатели и учителя за любые агрессивные действия, порой даже за повышенный тон голоса, не говоря уже о попытках телесных наказаний.
Между тем моменты физического насилия сказывается на детях самым отрицательным образом. Такое нарушение прав ребенка чревато ухудшением в физическом состоянии здоровья вплоть до развития тяжелых заболеваний. Но еще хуже психологическое воздействие, которое ведет к искажению личности и формированию у подрастающего человека неправильных и несправедливых представлений об окружающем мире и отношениях в нём.
Такие дети всегда со сниженной самооценкой, замкнутые, чувствуют себя неуверенно и вступают во взрослую жизнь совершенно неподготовленными к построению нормальных отношений с другими. Помимо агрессивного поведения, часть взрослых страдает и другими замашками — ребёнка порой незаконно ограничивают в его свободе, иногда ломают и портят его личные вещи, в качестве наказания лишают еды и даже воды. Имеет место и нарушение прав ребенка на образование в разных его формах. А порой за закрытыми дверями квартир и домов творятся поистине ужасные вещи.
Как проявляется плохое обращение?
Под физическим насилием следует понимать преднамеренный умысел, неосторожные действия родителей или любых лиц с нанесением:
- ран или травм;
- следов на теле от побоев;
- не совместимых с жизнью последствий.
Наказания могут осуществляться в форме:
- шлепка и подзатыльника;
- ударов ремнем;
- избиений;
- истязаний;
- сотрясений.
Любые изощренные меры, кажущиеся неприметными, могут повлиять на развитие будущей личности.
Нарушение прав ребенка — что можно предпринять?
Каждый имеет право на обращение за собственной защитой в соответствующие органы. Но заявление о нарушении прав ребенка подают лишь единицы, и чаще всего безнаказанность в семье продолжает процветать. Связано это со всеобщей юридической безграмотностью, когда информация о правах детей подается весьма скупыми порциями или вовсе замалчивается.
В большинстве случаев данные о творящемся в семьях насилии (физическом либо психологического характера) попадают в поле зрения правоохранительных органов случайно — когда выявляются вопиющие случаи нарушения прав ребенка. Чаще всего сигнализируют о том, что происходит в проблемных семьях, учителя и социальные работники, реже соседи или друзья детей.
Когда же информация всё же выходит наружу, доказать нарушение прав ребенка в семье порой бывает очень и очень нелегко — если только речь не идет об открытой агрессии с побоями и следами телесных повреждений. В подобных случаях меры административной либо уголовной ответственности принимаются достаточно оперативно, что позволяет улучшить жизнь конкретно взятого ребенка.
Взрослые! Не будьте равнодушны к тем, кто живет рядом с вами! Если вы обладаете любой информацией о творящемся рядом с вами насилии — не проходите безучастно мимо! Помните о том, что нет чужих детей, и на месте малыша, которого сейчас обижают жестокие взрослые, мог бы оказаться ваш собственный ребенок.
Если вам довелось стать свидетелем жестокого обращения взрослых с детьми, не пытайтесь отгородиться от ситуации. Долг любого из нас — в подобных случаях как можно быстрее сообщить об увиденном в органы опеки или в правоохранительные структуры. Завтра может быть поздно!
Куда обращаться?
В случае нарушения прав ребенка в школе родители, в первую очередь, должны обратиться за разъяснениями к педагогу или администрации школы. Если разъяснения родителей не удовлетворили, они имеют право подать письменную жалобу на имя директора образовательного учреждения и получить письменный ответ относительно сложившейся ситуации. Если письменный ответ также не удовлетворил родителей, можно обращаться в вышестоящие органы управления образованием.
Отталкиваясь от характера нарушений прав ребенка, можно обращаться к региональному уполномоченному по правам ребенка, в местные органы опеки и попечительства, в прокуратуру, полицию, суд.
В случае нарушения прав и законных интересов детей родителями либо опекунами, а также в случае невыполнения или ненадлежащего выполнения обязанностей по воспитанию, образованию, при злоупотреблении родительскими правами сам ребенок имеет право обратиться за защитой в органы опеки и попечительства, а при достижении подростком возраста 14 лет — в суд.
Заявить в компетентные органы о нарушении прав несовершеннолетнего могут:
- сам ребенок;
- родители или законные представители ;
- родственники;
- соседи и школьные учителя;
- третьи лица, ставшие свидетелями нарушения прав.
Органы опеки и попечительства
Данные организации являются органами исполнительной власти субъекта Российской Федерации. Задачи, которые ставятся перед органами опеки и попечительства направлены на защиту прав как тех лиц, над которыми установлена опека, так и тех, кто выступает опекуном несовершеннолетних или недееспособных лиц. Основные функции Органов опеки и попечительства сводятся к следующим положениям:
- Выявление и учет лиц, которые нуждаются в установлении над ними опеки.
- Подбор граждан и семей, которые готовы принять на себя обязанности опекунов и попечителей для детей, оставшихся без опеки родителей и проживающих в неблагополучной семье или детском учреждении.
- Осуществление надзора за исполнением опекунами и попечителями обязанностей, возложенных на них по закону. В частности, в это положение входит проверка условий жизни и содержания несовершеннолетних.
- При выявлении явных нарушений, отстранение опекунов от их обязанностей в отношении опекаемого.
- Соблюдение имущественных прав несовершеннолетних и недееспособных граждан, вплоть до выдачи разрешений на проведение имущественных сделок.
- Представление прав и интересов опекаемых в суде и других государственных органах.
- Оказание всесторонней помощи опекунам в исполнении их законных обязанностей перед опекаемыми детьми и недееспособными гражданами.
Прокуратура
В полномочия прокурора с точки зрения защиты прав несовершеннолетних входит в первую очередь инициация судебного разбирательства по поводу лишения или ограничения родительских прав, а также по вопросам уголовной ответственности за уклонение от своих прямых родительских обязанностей. Прокурор также принимает активное участие в делах касающихся усыновления и отмены усыновления. Кроме того, на сотрудников прокуратуры возлагается ответственность в отношении защиты детей от информации и пропаганды, которая может оказать негативное влияние на их нравственное и психическое развитие.
Обращаясь в прокуратуру, каждый гражданин может быть уверен, что заявление будет рассмотрено соответствующими органами и при подтверждении фактов нарушения прав несовершеннолетних, последует возбуждение судебного разбирательства.
Комиссия по делам несовершеннолетних
Комиссии по делам несовершеннолетних могут создаваться как высшими государственными органами власти, так и органами местного самоуправления. Являясь коллегиальным органом, основные задачи комиссии по делам несовершеннолетних заключаются в защите прав и интересов детей, надзоре за развитием, воспитанием и условиями проживания несовершеннолетних, а также в профилактике детской преступности и беспризорности.
Обращаясь в комиссию по делам несовершеннолетних, следует понимать, что данный орган имеет следующие полномочия:
- разработка программ по защите прав и интересов несовершеннолетних;
- осуществление мер профилактики беспризорности и правонарушений среди детей;
- производит выявления и надзор за несовершеннолетними гражданами, которые вынуждены проживать в социально опасных условиях;
- принимает непосредственное участие в судебных заседаниях, связанных с нарушениями прав детей и т.д.
Кроме перечисленных структур, которые играют ключевую роль в реализации законов о защите прав несовершеннолетних, эти функции выполняются также рядом других органов и общественных организаций. Так, став свидетелем нарушения прав ребенка, целесообразно также обратиться в Центр социальной помощи семье и детям, Социально-реабилитационный центр для несовершеннолетних, Центр помощи детям, оставшимся без попечения родителей и т.д.
ВСУ СК России по ЗВО
|
Адрес: 191055, г. Санкт-Петербург, Невский проспект, д. 4
|
Прием граждан в военном следственном управлении СК России по Западному военному округу осуществляется:
руководителем военного следственного управления
- с 10.00 до 12.00 часов (среда)
первым заместителем руководителя военного следственного управления
- с 14.00 до 16.00 часов (понедельник)
заместителем руководителя военного следственного управления
- с 14.00 до 16.00 часов (четверг)
заместителями руководителя военного следственного управления (в г. Москве)
- с 15.00 до 17.00 часов (понедельник)
- с 10.00 до 12.00 часов (четверг)
В воскресенье прием граждан не осуществляется.
В военном следственном управлении СК России по Западному военному округу организована работа приемных Председателя Следственного комитета Российской Федерации, куда граждане могут обратиться с письменными жалобами и обращениями на имя Председателя Следственного комитета Российской Федерации.
Местонахождение приемных:
- в помещении военного следственного управления по адресу: г. Санкт-Петербург, Невский пр-т, д. 4
- в помещении военного следственного управления по адресу: г. Москва, ул. Арбатецкая, д. 2
Прямая линия телефонной связи граждан с руководителем военного следственного управления СК России по Западному военному округу:
- каждую первую и третью среду месяца с 11 до 12 часов
по телефону 8 (812) 494-21-02
| Для перехода в раздел «Интернет-приемная военного управления СК России по Западному военному округу» нажмите на ссылку. |
Информация об адресах и телефонах дежурных военных следственных отделов гарнизонного звена, подчиненных военному следственному управлению СК России по Западному военному округу.
ВОЕННЫЙ СЛЕДСТВЕННЫЙ ОТДЕЛ СК РОССИИ ПО БРЯНСКОМУ ГАРНИЗОНУ
Адрес: 241021, г. Брянск, ул. Никитина, д. 7
Телефон (дежурный): 8 (4832) 26-04-34, 8 (4832) 26-03-07 (факс)
ВОЕННЫЙ СЛЕДСТВЕННЫЙ ОТДЕЛ СК РОССИИ ПО ВЛАДИМИРСКОМУ ГАРНИЗОНУ
Адрес: 600015, г. Владимир, ул. Бобкова, д. 10
Телефон (дежурный): 8 (4922) 34-95-59 (факс)
ВОЕННЫЙ СЛЕДСТВЕННЫЙ ОТДЕЛ СК РОССИИ ПО ВОЛОГОДСКОМУ ГАРНИЗОНУ
Адрес: 160019, г. Вологда, ул. Чернышевского, д. 124
Телефон (дежурный): 8 (8172) 54-49-60
ВОЕННЫЙ СЛЕДСТВЕННЫЙ ОТДЕЛ СК РОССИИ ПО ВОРКУТИНСКОМУ ГАРНИЗОНУ
Адрес: 169901, Республика Коми, г. Воркута, ул. Пушкина, д. 28
Телефон (дежурный): 8 (82151) 3-04-22, 8 (82151) 3-93-63 (факс)
ВОЕННЫЙ СЛЕДСТВЕННЫЙ ОТДЕЛ СК РОССИИ ПО ВОРОНЕЖСКОМУ ГАРНИЗОНУ
Адрес: 394055, г. Воронеж, ул. Ворошилова, д. 27
Телефон (дежурный): 8 (473) 263-16-34, 8 (473) 263-17-95 (факс)
ВОЕННЫЙ СЛЕДСТВЕННЫЙ ОТДЕЛ СК РОССИИ ПО ВЫБОРГСКОМУ ГАРНИЗОНУ
Адрес: 188800, Ленинградская обл., г. Выборг, ул. Военная, д. 1
Телефон (дежурный): 8 (81378) 2-81-23 (факс)
ВОЕННЫЙ СЛЕДСТВЕННЫЙ ОТДЕЛ СК РОССИИ ПО ГАРНИЗОНУ ВЕЛИКИЙ НОВГОРОД
Адрес: 173003, Новгородская обл., г. Великий Новгород, ул. Бредова-Звериная, д. 16
Телефон (дежурный): 8 (8162) 76-63-22 (факс)
ВОЕННЫЙ СЛЕДСТВЕННЫЙ ОТДЕЛ СК РОССИИ ПО ИВАНОВСКОМУ ГАРНИЗОНУ
Адрес: 153012, Ивановская обл. г. Иваново, ул. Советская, д. 54
Телефон (дежурный): 8 (4932) 41-38-06 (факс)
ВОЕННЫЙ СЛЕДСТВЕННЫЙ ОТДЕЛ СК РОССИИ ПО КАЛУЖСКОМУ ГАРНИЗОНУ
Адрес: 248017, Калужская обл., г. Калуга, пер. Воинский, д. 25
Телефон (дежурный): 8 (4842) 27-70-38 (факс)
ВОЕННЫЙ СЛЕДСТВЕННЫЙ ОТДЕЛ СК РОССИИ ПО КОСТРОМСКОМУ ГАРНИЗОНУ
Адрес: 156008, Костромская обл., г. Кострома, ул. Скворцова, д. 8а
Телефон (дежурный): 8 (4942) 45-23-73 (факс)
ВОЕННЫЙ СЛЕДСТВЕННЫЙ ОТДЕЛ СК РОССИИ ПО МУЛИНСКОМУ ГАРНИЗОНУ
Адрес: 606083, Нижегородская обл., Володарский р-н, пос. Мулино,
ул. Новая, д. 30
Телефон (дежурный): 8 (83136) 7-81-65(факс)
ВОЕННЫЙ СЛЕДСТВЕННЫЙ ОТДЕЛ СК РОССИИ
ПО НИЖЕГОРОДСКОМУ ГАРНИЗОНУ
Адрес: 603005, г. Нижний Новгород, ул. Большая Печерская, д. 5А
Телефон (дежурный): 8 (831) 432-09-56 (факс)
ВОЕННЫЙ СЛЕДСТВЕННЫЙ ОТДЕЛ СК РОССИИ ПО ПСКОВСКОМУ ГАРНИЗОНУ
Адрес: 180002, г. Псков, ул. Комдива Кирсанова, д. 9
Телефон (дежурный): 8 (8112) 74-71-62 (факс)
ВОЕННЫЙ СЛЕДСТВЕННЫЙ ОТДЕЛ СК РОССИИ ПО РЯЗАНСКОМУ ГАРНИЗОНУ
Адрес: 390000, г. Рязань, пр-т. Первомайский, д. 22
Телефон (дежурный): 8 (4912) 28-95-66 (факс)
ВОЕННЫЙ СЛЕДСТВЕННЫЙ ОТДЕЛ СК РОССИИ ПО СМОЛЕНСКОМУ ГАРНИЗОНУ
Адрес: 214014, г. Смоленск, пер. Запольный, д. 2
Телефон (дежурный): 8 (4812) 38-51-78 (факс)
ВОЕННЫЙ СЛЕДСТВЕННЫЙ ОТДЕЛ СК РОССИИ
ПО САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОМУ ГАРНИЗОНУ
Адрес: 191028, г. Санкт-Петербург, ул. Шпалерная, д. 19
Телефон (дежурный): 8 (812) 494-22-22
ВОЕННЫЙ СЛЕДСТВЕННЫЙ ОТДЕЛ СК РОССИИ ПО ТАМБОВСКОМУ ГАРНИЗОНУ
Адрес: 392034, Тамбовская обл., г. Тамбов, ул. Астраханская, военный городок № 1
Телефон (дежурный): 8 (4752) 47-80-32 (факс)
ВОЕННЫЙ СЛЕДСТВЕННЫЙ ОТДЕЛ СК РОССИИ ПО ТВЕРСКОМУ ГАРНИЗОНУ
Адрес: 170100, г. Тверь, ул. Советская, д. 17
Телефон (дежурный): 8 (4822) 34-53-74
ВОЕННЫЙ СЛЕДСТВЕННЫЙ ОТДЕЛ СК РОССИИ ПО ТУЛЬСКОМУ ГАРНИЗОНУ
Адрес: 300041, Тульская обл., г. Тула, ул. Советская, д. 13
Телефон (дежурный): 8 (4872) 56-05-50, 8 (4872) 55-50-87 (факс)
ВОЕННЫЙ СЛЕДСТВЕННЫЙ ОТДЕЛ СК РОССИИ ПО ЯРОСЛАВСКОМУ ГАРНИЗОНУ
Адрес: 150000, Ярославская область, г. Ярославль, ул. Большая Октябрьская, д. 53
Телефон (дежурный): 8 (4852) 72-93-10 (факс)
53 ВОЕННЫЙ СЛЕДСТВЕННЫЙ ОТДЕЛ СК РОССИИ
Адрес: 197046, г. Санкт-Петербург, ул. Большая Посадская, д. 4, лит. Д
Телефон (дежурный): 8 (812) 232-74-09 (факс)
56 ВОЕННЫЙ СЛЕДСТВЕННЫЙ ОТДЕЛ СК РОССИИ
Адрес: 305016, Курская область, г. Курск, ул. Дзержинского, д. 111А
Телефон (дежурный): 8 (4712) 54-83-26 (факс), 8 (4712) 52-96-15
301 ВОЕННЫЙ СЛЕДСТВЕННЫЙ ОТДЕЛ СК РОССИИ
Адрес: 198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, д. 34
Телефон (дежурный): 8 (812) 786-42-35, 8 (812) 308-05-01 (факс)
459 ВОЕННЫЙ СЛЕДСТВЕННЫЙ ОТДЕЛ СК РОССИИ
Адрес: 197762, г. Санкт-Петербург, г. Кронштадт, Якорная площадь, д. 2
Телефон (дежурный): 8 (812) 311-36-23 (факс)
🚗 Kenteken 56-SK-RF: Volkswagen Golf авто (56SKRF)
55-СК-РФ 59-СК-РФОписать страницу с подробными сведениями о 56 – SK – RF , например, Volkswagen Golf 2.0 (бензин). De APK van deze grijze Golf vervalt op 20-09-2022 (более 10 месяцев и 9 дней).
над deze Volkswagen Golf.
Вербруик ван де 56 СК РФ
Deze Volkswagen Golf verbruikt 8,3 л / 100 км (1: 12,0) en heeft energielabel E . Dat houdt in dat deze auto 10-20% meer verbruikt dan een gemiddelde personenauto van deze grootte. De CO2-uitstoot составляет 199 грамм / км.Энергетическая этикетка
Wil je € 59,76 за каждую банку?
Встречались 12.000 км за каждый день бесплатного проезда через UnitedConsumers € 59,76 за год за бензин для автомобиля Volkswagen Golf !
Verleden van deze grijze Volkswagen Golf Многоцелевой автомобиль (MPV)
Tijdlijn van de 56SKRF
- 08-02-2006: Eerste afgifte nederland
- 08-02-2006: Eerste toelating
- 08-02-2006: Vorige aanvang tenaamstelling
- 27-07-2021: Vorige aanvang tenaamstelling
- 22-09-2021: Huidige aanvang tenaamstelling
- 30-11-2021: Vorige vervaldatum apk
- 20-09-2022: Huidige vervaldatum apk
APK-gebreken van de 56-SK-RF
Tijdens de APK-keuringen zijn de volgende defcten aan het licht gekomen.
- 20-09-2021 14:48: Waarschuwingsinrichting airbag- / gordelsysteem geeft defect
Schadeverleden van de 56 SK RF
Benieuwd naar het schadeverleden van deze grijze personenauto uit 2006? Of wil je de gedetailleerde waarde van 56SKRF weten? Контроллер gewoon даже de vorige eigenaren . Voorkom een miskoop!
Характеристики van de 56-SK-RF
| Европейская категория | M1 |
| Handelsbenaming | ГОЛЬФ |
| Кентекен | 56-СК-РФ, 56-СК-РФ, 56 СК-РФ (gespeld: Vijf Zes Simon Karel Rudolf Ferdinand) |
| Kleur (en) | GRIJS |
| Мерк | VOLKSWAGEN |
| Omschrijving van de inrichting | Многоцелевой автомобиль (MPV) |
| Plaats номер шасси | op r.voorwielscherm onder motorkap |
| Такси-указатель | урожденная |
| Тип | 1КП |
| Тип | e1 * 2001/116 * 0304 * 04 |
| Uitvoering | FM6FM62S016N0GGN1 |
| Вариант | AFBVYX0 |
| Voertuigsoort | человекавто |
| Schadeverleden | Schades van deze grijze Volkswagen Golf opvragen |
| Datum aanvang tenaamstelling | 22-09-2021 (1 maand en 19 dagen geleden) |
| Datum eerste afgifte Nederland | 08-02-2006 (15 лет, 9 месяцев и 3 дня) |
| Datum eerste toelating | 08-02-2006 (15 лет, 9 месяцев и 3 дня) |
| Vervaldatum APK | 20-09-2022 (более 10 человек и 9 дней) |
| Schadeverleden | Schades van deze grijze Volkswagen Golf opvragen |
| Massa leeg voertuig | 1348 |
| Massa rijklaar | 1448 |
| Максимальная масса при расчете | 3380 |
| Максимальный треккен масса (геремд) | 1400 |
| Максимальная масса треккен (онгеремд) | 720 |
| Technische maximale massa voertuig | 1980 |
| Toegestane maximum massa voertuig | 1980 |
| Vermogen massarijklaar | 0.08 |
| Вильбасис | 257 |
| Schadeverleden | Schades van deze grijze Volkswagen Golf opvragen |
| Brandstof | Бензин |
| CO2-uitstoot gecombineerd | 199 |
| Код эмиссии | Евро 4 |
| Geluidsniveau stationair | 79 |
| Milieuklasse EG goedkeuring (licht) | 70/220 * 2003 / 76B |
| Toerental bij meten geluidsniveau | 4500 |
| Verbruik buitenweg | 6,6 л / 100 км (1: 15,2) |
| Verbruik gecombineerd | 8,3 л / 100 км (1: 12,0) |
| ул. Вербрюк | 11,3 л / 100 км (1: 8,8) |
| Вермоген | 110 кВт / 149 шт. |
| Танккортинг | 59,76 € за банку с БЕСПЛАТНЫМИ баками |
| Jaar laatste registratie tellerstand | 2021 |
| Tellerstandoordeel | Logisch |
| Toelichting tellerstandoordeel | Кассовая стойкаDe geregistreerde — это telkens hoger dan de daarvoor geregistreerde tellerstand.De RDW oordeelt dan dat de tellerstand logisch verklaarbaar. (код: 00) |
| Schadeverleden | Schades van deze grijze Volkswagen Golf opvragen |
De gegevens van deze Volkswagen Golf с кентекеном 56SKRF (uit sidecode 6) zijn bijgewerkt op: 24-09-2021
Что вы встретите с Volkswagen Golf?
Goedkoopste Volkswagen Golf autoverzekering
Bij UnitedПотребители проверяют je 100 Volkswagen autoverzekeringen binnen 1 минута.Doe de Premie-Check en zie direct je korting.
СОВЕТ! Dankzij het consmentencollectief is de premie ook nog eens Minimaal 5% goedkoper . Je voordeel kan oplopen tot meer dan 150,00 евро за банку.
Liever je Volkswagen Golf verkopen?
Op Ikwilvanmijnautoaf.nl verkoop je je auto veilig vanuit thuis. Зондер гедое. Verkocht.
Фольксваген Гольфopslaan
Op Voertuig-zoeker.NL Kun Je kentekens opslaan in je persoonlijke lijst.
Handig om op de hoogte van wijzigingen te blijven, notities op te slaan (‘mijn eerste auto’, ‘vreemd gedrag’ и т. Д.), Of je autospots.
Maak een account и войти в систему.
Kentekenburen van deze grijze Golf (56SKRF)
Hieronder staan de kentekenburen van 56-SK-RF. Dit zijn de 15 eerdere en 15 latere personenauto’s, waarbij gecontroleerd является de kentekens nog actief zijn. Geëxporteerde, gesloopte, gestolen, of om een andere reden geschorste personenauto’s staan er dus niet tussen.Кентекен чек
Wil je een ander kenteken checken dan 56 SK RF, gebruik dan onderstaande zoekbox:
Модель / Описание
| Модель / Описание
|
Seco-Larm Enforcer Зажим для визора Пульт дистанционного управления дверью с увеличенным диапазоном 1-кнопочный, 1-канальный портативный радиочастотный передатчик, 315 МГц, SK-919TP1H-BUQ —
В настоящее время недоступен.
Мы не знаем, когда и появится ли этот товар в наличии.
- Убедитесь, что это подходит введя номер вашей модели.
- Seco-Larm Enforcer Клипса Клипса Пульт дистанционного управления дверью ворот Расширенный диапазон 1-кнопочный, 1-канальный портативный РЧ-передатчик, 315 МГц
- * Этот продукт работает только с продуктами ENFORCER!
- Исключительная долговечность — резиновые кнопки исключают повреждения, вызванные электростатическим разрядом, и делают передатчик устойчивым к атмосферным воздействиям. Позолоченные батарейные зажимы и контактные точки продлевают срок службы передатчика Magic LED появляется только при нажатии кнопок Частота 315 МГц (433 МГц).92 МГц по специальному заказу)
- Совместимость со всеми приемниками SECO-LARM 315 МГц Более 68 миллиардов (6,8×1010) возможных кодов Доступно с запатентованной SECO-LARM технологией CODEBUMPTM (с CODEBUMPTM код меняется при каждом нажатии кнопки передатчика)
- Работает на расстоянии до 150 м (500 футов) * Защита от радиочастотного сканирования Зажим для визора и зажим для ремня в комплекте. Также доступны кобура с зажимом для ремня и кронштейн для настенного монтажа (модель: SK-9HBC) Тонкий дизайн: 3-1 / 2 «x 2-3 / 16» x 1/2 «(89 x 56 x 12 мм)
Исследование порога мощности перехода L – H с высокочастотным нагревом и литиевым покрытием на стенке EAST
Режим с высоким ограничением, т.е.е. H-режим — это базовый рабочий сценарий ИТЭР [1]. Поскольку мощность, доступная на начальном этапе работы ИТЭР, ограничена (~ 73 МВт), получение доступа к H-режиму с минимально возможной мощностью нагрева является важной проблемой.
Возможности гибкой системы управления полоидальным магнитным полем в EAST позволяют работать с различными операциями конфигурации дивертора. Чтобы продемонстрировать высокие рабочие характеристики, плазму с длинными импульсами и в рамках подготовки к ИТЭР, углеродная стенка постепенно заменяется металлической стенкой.Полная углеродная стенка в кампании 2010 г. (стена C) была заменена молибденом в основной камере и углеродом в диверторе в кампании 2012 г. (стена Mo / C) [2]. В настоящее время EAST обычно использует литиевое покрытие в качестве основного метода кондиционирования стен [3]. Кроме того, EAST имеет схемы нагрева, подобные ITER, то есть в них преобладает нагрев электронов от нижнего гибридного привода тока (LHCD) и нагрев ионного циклотронного резонанса (ICRH). Эти задействованные возможности делают EAST уникальной платформой для исследований низких / высоких (L – H) пороговых значений мощности.
Теоретическое предсказание порога мощности H-моды ( P th ) для ИТЭР все еще отсутствует из-за неоднозначного понимания физики L – H перехода. Последнее и широко используемое масштабирование порога ITPA: P th, 08 = 0,0488 S 0,94 (MW), где e — средняя концентрация электронов по центральной линии в 10 20 м −3 , B T — магнитное поле в Тл, а S — площадь поверхности плазмы в м 2 [4].Тем не менее, продолжающееся исследование многих устройств показало, что другие «скрытые переменные» влияют на порог мощности L – H. Влияние конфигурации дивертора на P th обнаруживается в нескольких устройствах, таких как NSTX [5], JET [6] и EAST [7]. Недавно исследования порога мощности L – H на JET [8] показали, что P th ниже, когда PFC полностью покрыты металлом. На основании этих наблюдений влияние геометрии дивертора и кондиционирования стенок литием для двух наборов материалов стенок на переход L – H и P th подробно изучено в EAST.
Работа организована следующим образом: в разделе 2 представлена экспериментальная установка и общее описание экспериментов. Основные результаты предыдущих экспериментов с порогом L – H со стенкой C в экспериментальной кампании 2010 г. описаны в разделе 3. В разделе 4 рассматриваются результаты, полученные в 2012 г. со стенкой Mo / C. Сводка и обсуждение представлены в разделе 5.
EAST — это полноразмерный сверхпроводящий токамак среднего размера с большим радиусом R = 1.9 м и малый радиус a = 0,5 м. EAST имеет полоидальное поперечное сечение в форме D, подобное ИТЭР, с площадью плазмы ~ 1 м 2 , объемом плазмы ~ 11 м 3 и площадью граничной поверхности плазмы ~ 40 м 2 . С начальной фазы эксплуатации до 2010 г. EAST был оборудован системами LHCD мощностью 2 МВт и ICRH мощностью 1,5 МВт. Эти две системы были модернизированы до 4 МВт и 6 МВт соответственно во время остановки в 2011/2012 гг. Подробное описание экспериментов LHCD и ICRH можно увидеть в [2].Во время кампаний 2010 и 2012 годов EAST был оборудован одним крионасосом внутри корпуса, который значительно увеличил отвод частиц и повысил эффективность контроля рециркуляции в разрядах H-режима с номинальной скоростью откачки дейтерия ~ 75,6 м 3 с — 1 [2], который расположен под нижней внешней мишенью дивертора, как показано на рисунке 1. Во избежание повреждения трубок водяного охлаждения за насосными щелями точки попадания на мишени дивертора были смещены на несколько сантиметров. из слотов в кампании 2012 года по сравнению с кампанией 2010 года.
Увеличить Уменьшить Сбросить размер изображения
Рис. 1. Полоидальное сечение EAST, показывающее ключевые диагностические данные: Da — бальмеровское альфа-излучение дейтерия, FIR-интерферометр и матрицы зондов Ленгмюра на мишенях дивертора с водяным насосом под нижней внешней пластиной-мишенью дивертора.
Загрузить рисунок:
Стандартный образ Изображение высокого разрешенияРазряды проводились при кондиционировании стенок с литиевым покрытием, и подробное обсуждение литиевого покрытия между двумя кампаниями можно найти в статье Zuo и др. [3].Хотя в одном кадре могут происходить множественные L – H-переходы, в данной статье изучаются только первые L – H-переходы. Сравнение пороговых значений мощности L – H проводится с помощью трех различных конфигураций дивертора, то есть нижнего одинарного нуля (LSN), двойного нуля (DN) и верхнего одинарного нуля (USN). В кампании 2010 года тороидальное магнитное поле B T и ток плазмы I p были направлены против часовой стрелки, если смотреть сверху ( B × ). ∇ B ↑).В кампании 2012 года было сделано несколько выстрелов с B T по часовой стрелке ( B × ∇ B ↓). I p сохраняет то же направление. Обратите внимание, что, к сожалению, мы ошиблись с направлением поля в кампании 2010 г. (ссылка [9], третий абзац на стр. 2). Здесь мы дважды проверили направление потока B T и можем определить направление поля через E × B скорость потока с тороидальным и полоидальным направлениями вращения, измеренными магнитными катушками.Кроме того, угол пинча ELM-волокон на стороне слабого поля дает нам еще один подход к проверке направления поля. Чтобы убедиться в этом, во время кампании 2012 года направления были измерены напрямую с помощью компаса в нескольких точках вблизи токамака EAST. В данном исследовании переходы L – H идентифицируются по внезапному падению излучения дивертора Dα , измеренному матрицей фотодиодов, и по увеличению средней по линии электронной плотности e , измеренной по центральной хорде дальнего инфракрасного диапазона (FIR ) интерферометр.Линии обзора диагностики также показаны на рисунке 1.
В этой статье разряды проводились в дейтериевом режиме с диверторными конфигурациями, и все L – H-переходы на графике происходили во время плоской вершины плазмы. Полезная мощность через сепаратрису на переходе L – H, P потери , рассчитывается как, P потери = P aux + P омическое — P рад — d W dia / d t , с P aux потребляемая мощность дополнительного нагрева либо от одного из LHCD и ионного циклотрона, либо от нагрева, либо от комбинированной мощности от обе схемы нагрева (с учетом отражений и поглощений различных схем нагрева), P омическая омическая мощность, P рад излучаемая мощность из объемной плазмы, измеренная решетками абсолютного крайнего ультрафиолета (AXUV) и d W dia / d t скорость изменения диамагнитной запасенной энергии [9, 10].Чтобы улучшить связь LHW, внешний зазор был оптимизирован за счет контроля границы изотопической плазмы и локального напуска газа рядом с пусковой установкой LHW. Благодаря этим усилиям средний коэффициент отражения остался низким — в пределах <10%. Для LHCD выполняется комбинация трассировки лучей и вычислений Фоккера – Планка с использованием кодов C3PO / LUKE с так называемой моделью спектрального хвоста, чтобы идентифицировать выделение мощности LH. Следует отметить, что коэффициент поглощения в эксперименте должен быть меньше теоретического значения из-за уширения спектра.В экспериментах поглощенная часть мощности LH может быть определена методом, использующим производную по времени от полной накопленной энергии [11]. Когда концентрация водорода снижалась до уровня ниже 10%, наблюдался эффективный ICRF-нагрев. Эффективность связи ICRF может быть просто оценена путем вычисления d W dia / d t во время включения питания ICRF [12]. Предполагаемые планки погрешностей P потерь для набора данных составляют 10–20% от их собственных значений.Большинство данных было получено при предельной входной мощности в стенке C, что в значительной степени снижает источник экспериментальных неопределенностей из-за d W dia / d t . Однако вклад d W dia / d t может быть больше из-за комбинированной схемы нагрева LHCD и ICRF в исследованиях стенок Mo / C. Все глобальные параметры усредняются за интервал времени 10 мс в L-режиме или промежуточной фазе непосредственно перед моментом перехода L – H, когда концентрации примесей невелики и отношение мощности излучения к мощности нагрева довольно низкое.В этом исследовании порог мощности L – H изучается в терминах двух типов переходов, обозначенных как одноступенчатый L – H и дизеринг L – H переход, который можно идентифицировать, охарактеризовав излучение дивертора Dα до окончательного переход. В дальнейшем, если не указано иное, колебания предельного цикла малой амплитуды (LCO) относятся к промежуточной фазе, предшествующей одношаговому переходу L – H, а циклы сглаживания или фаза сглаживания представляют собой промежуточную фазу перед сглаживанием L – H. переход.
3.1. Доступ к H-моде и типичные переходы L – H
В кампании 2010 г. первая плазма с H-модой появилась после сильного кондиционирования литиевых стенок как путем испарения лития, так и инжекции порошка лития на границе плазмы в реальном времени. Плазма с H-модой, обычно с H-фактором H IPB98 ( y , 2) ~ 1, была получена с мощностью нижней гибридной волны ~ 1 МВт. В этой кампании было получено около 485 разрядов H-режима. Стационарные плазмы ELMy H-mode до 6.4 с было произведено в широком диапазоне рабочих параметров: B T = 1,4 — 2 T, I p = 0,4 −0,8 МА, e = (1,9 — 3,4) × 10 19 м −3 , площадь поверхности плазмы S = 38-42 м 2 с DN (35% выстрелов в H-режиме) или преднамеренно несбалансированными конфигурациями DN (32% выстрелов в H-режиме), а также Конфигурация дивертора LSN (13% выстрелов H-режима) с дрейфом иона ∇ B в сторону верхнего дивертора.Однако H-режим не был получен с конфигурацией USN. Вероятно, это связано с ограниченной доступной мощностью нагрева. Кроме того, было 20% L – H переходов, которые произошли во время фазы нарастания плазмы, которая здесь не обсуждается.
LCO малой амплитуды до переходов L – H впервые появились в кампании 2010 г. Эти LCO, характеризующиеся малой амплитудой (RMS / MEAN ~ 3%) и высокой частотой (до 4 кГц), появляющейся в эмиссионных сигналах цели Dα с входной мощностью нагрева, очень маргинальной по отношению к порогу перехода, были впервые продемонстрированы в [13].Соответствующие L – H-переходы представляют собой одноступенчатые L-H-переходы, которые обычно характеризуются одноступенчатым снижением как тока насыщения ионов от ленгмюровских зондов, встроенных в диверторную мишень (рисунки 2 ( a ) и ( d ) )) и диверторной эмиссии Dα (рисунки 2 ( b ) и ( e )). Некоторым одноступенчатым L-H переходам предшествуют LCO малой амплитуды с длительностью фазовых циклов на шкале времени ~ 100 мс с частотой около 2 кГц, как показано на рисунке 2 ( f ).Обратите внимание, что эти одноступенчатые L – H-переходы могут быть обнаружены как в конфигурациях DN, так и в LSN, с дрейфом иона ∇ B от основной точки X .
Увеличить Уменьшить Сбросить размер изображения
Рис. 2. Два одношаговых перехода L – H, достигнутые в EAST с C-стенкой, и некоторым одношаговым переходам L – H предшествуют небольшие циклы дизеринга (кадр: 33039): ( a ) и ( d ) ионное насыщение диверторного зонда на внешней пластине мишени, ( b ) и ( e ) излучение Dα рядом с внутренней мишенью, ( c ) и ( f ) зум 30 мс -на графике сигнала Dα .
Загрузить рисунок:
Стандартный образ Изображение высокого разрешения3.2. Пороговая мощность L – H и эффекты конфигурации дивертора
Доступ ко всем переходам L – H осуществлялся преимущественно посредством нагрева LHCD в 2010 г. На рисунке 3 ( a ) мощность на сепаратрисе P потери через сепаратрису в L Переходы –H показаны в зависимости от пороговых мощностей P thr, 08 , предсказанных международным масштабированием токамака, показывая, что они в основном следует масштабированию в ограниченной области рабочих окон.На рисунке 3 ( b ) P потери показаны как функция от e Все доступные данные относятся к диапазону низкой плотности, e = 1,9–3,4 × 10 19 м — 3 . Явного перепада плотности мы не увидели. Это может быть связано с очень ограниченной мощностью нагрева, которая будет обсуждаться в следующем разделе.
Увеличить Уменьшить Сбросить размер изображения
Рисунок 3. L – H переходов в ВОСТОК со стенкой C: ( a ) мощность через сепаратрису P потери в сравнении с пороговыми мощностями P th, 08 , предсказанное масштабированием международного токамака, ( b ) P потеря в зависимости от средней электронной плотности по центральной линии.
Загрузить рисунок:
Стандартный образ Изображение высокого разрешенияДанные были отсортированы по различным конфигурациям дивертора, чтобы исследовать его влияние на порог мощности L – H ( I p = 0.6 MA, B T = 1,56–1,78 T, e = 1,9–3,2). На рисунке 4 показаны потери P на переходе L – H в сравнении с P th, 08 в зависимости от различных конфигураций дивертора, показывая, что для H-режима требуется минимальная мощность нагрева ~ 0,6 МВт. доступ в конфигурации DN, который ниже по сравнению с конфигурацией LSN. Обратите внимание, что есть четыре точки ниже 0,8 МВт потерь P для конфигурации LSN, все из которых были достигнуты после кондиционирования свежей стены (L-режимы без перехода на уровне P потери ~ 0.8 МВт можно легко найти при аналогичных условиях плазмы). Кроме того, H-режим не может быть доступен в конфигурации USN с аналогичной мощностью нагрева, что указывает на более низкий порог мощности для иона ∇ B , чтобы дрейфовать от основной точки X . Это наблюдение было подтверждено в серии специальных экспериментов ( B × ∇ B ↓), проведенных в 2012 г. [7, 14]. В этом отличие от других токамаков [15–20]. Кроме того, все ELMy H-моды типа I были получены в конфигурации LSN ( B × ∇ B ↑) в кампании 2012 года, что позволяет предположить, что LSN с ионом ∇ B Смещение от основной точки X , по-видимому, способствует достижению высокопроизводительной стабильной плазмы H-режима на EAST.Внутренний крионасос расположен под нижним дивертором, что может помочь уменьшить нейтральную плотность краев в конфигурации LSN. С другой стороны, более низкий порог мощности наблюдался в конфигурации USN с B × ∇ B ↓ в экспериментах 2012 г. [7, 14, 21], где удар указывает на дивертор. мишени были смещены на несколько сантиметров от отверстий для накачки. Подробное обсуждение приведено в разделе 4.2.
Увеличить Уменьшить Сбросить размер изображения
Рисунок 4. Мощность на сепаратрисе P потери в зависимости от пороговой мощности P th, 08 для различных конфигураций дивертора на переходе L – H. Планки погрешностей включают все вклады в потери P , где часто преобладают вклады из P aux .
Загрузить рисунок:
Стандартный образ Изображение высокого разрешения3.3. Роль краевой нейтральной плотности на
P thrВажность краевых нейтральных частиц или рециклинга на порог мощности перехода L – H была осознана давно [22–29].Нейтральная плотность обычно рассматривается как одна из наиболее важных «скрытых переменных» перехода. Предполагается, что вращение иона и радиальное электрическое поле E r на краю плазмы сильно зависят от потери импульса перезарядки, если краевая нейтральная плотность достаточно высока. Предыдущий анализ [9] результатов EAST H-режима в 2010 году со стенкой C предполагает, что нейтральная плотность около нижней точки X может быть ключевой «скрытой переменной», которая влияет на переход и порог мощности.Чтобы получить доступ к H-режиму на EAST, каждый день перед экспериментальной работой проводилось обширное покрытие стенок литием путем испарения. Нейтральная плотность в краевой плазме оценивалась на основе излучения дивертора Dα , измеренного матрицей фотодиодов [30]. Было обнаружено, что нейтральная плотность около нижней точки X была уменьшена в четыре раза из-за толстого литиевого покрытия стенок, в то время как требуемая минимальная мощность нагрева для доступа к H-режиму постепенно снижалась с 0.От 6 МВт до ~ 0,5 МВт. Обратите внимание, что до нанесения литиевого покрытия невозможно достичь H-режима.
4.1. Доступ в H-режиме
В кампании 2012 г. возможности EAST были значительно расширены [2]. Графитовые плитки в зоне с низкой тепловой нагрузкой в основной камере были заменены на молибденовые, при этом дивертор остался без изменений (стена из Mo / C). Кроме того, системы LHCD и ICRH были модернизированы до 4 МВт и 6 МВт соответственно. Система испарения лития была модернизирована для улучшения однородности покрытия, что привело к значительному снижению концентрации водорода с ~ 10% до ~ 3%, что позволяет повысить эффективность ICRF-нагрева со схемой неосновного нагрева.Благодаря этим увеличенным возможностям были достигнуты H-режимы с малыми ELM более 30 с [2, 31]. Обратите внимание, что до нанесения литиевого покрытия на стенку невозможно получить доступ к H-режиму. В этой кампании было получено около 1371 разряда в H-режиме в широком диапазоне рабочих параметров: B T = 1,33–2,07 Тл, I p = 0,28 — 0,6 МА, e = (1,39 — 3,6) × 10 19 м −3 , площадь поверхности плазмы S = 37-40 м 2 , удлинение κ = 1.24 — 1,96, нижняя треугольность δ низкая = 0,23 — 0,65, запас прочности q 95 = 2,7 — 7,2. H-режимы производились с различными конфигурациями диверторов, включая DN или несбалансированное DN (75% выстрелов в H-режиме), а также LSN (21% выстрелов) и USN (4% выстрелов). в 16% снимков в H-режиме произошел переходный процесс конфигурации от DN к LSN или конфигурации USN. Было 4% L-H переходов, которые произошли во время фазы линейного нарастания плазменного тока, которые не включены в следующий анализ.
Наблюдались два типа L-H-переходов, то есть одноступенчатые L-H-переходы и дизеринг-L-H-переходы, как показано на рисунках 5 и 6 соответственно. Некоторым одношаговым L – H переходам предшествуют LCO с малой амплитудой (рис. 5). Амплитуда колебаний (RMS / MEAN) для одноступенчатого перехода L – H довольно мала, обычно только ~ 3% в сигналах цели Dα и сигналах ионного насыщения зонда дивертора, что намного меньше, чем в сигналах дизеринга. L – H переход (~ 30%) (рисунок 6).Эти одноступенчатые L – H-переходы очень похожи на L – H-переходы, появившиеся в 2010 г., когда амплитуда колебаний иногда медленно увеличивалась по мере приближения к переходам [13]. Значительные магнитные возмущения, | δB P | ~ 1 Гс, были обнаружены катушками Мирнова, связанными с «дизерингом» или «I-фазой» в дизеринге L – H-переходе, который обычно получается в двойной нулевой конфигурации [10]. Магнитные возмущения намного слабее, когда они связаны с LCO малой амплитуды в одношаговом L – H-переходе, которые обычно получаются в нижней одиночной нулевой конфигурации.Однако нет значительной разницы в пороге мощности L – H между этими двумя типами переходов, что указывает на то, что влияние вращающейся МГД на переход L – H несущественно. С другой стороны, недавние эксперименты с HL-2A показывают, что МГД-режим кинкового типа обычно возникает и быстро выходит из строя непосредственно перед переходом I-H, который, наконец, запускает переход [32]. Требуются дополнительные эксперименты для изучения влияния вращающейся МГД на пороговую мощность L – H.
Увеличить Уменьшить Сбросить размер изображения
Рисунок 5. ( a ) Насыщение ионами диверторного зонда на внешней мишени, ( b ) излучение Dα рядом с внутренней мишенью ( c ) 40 мс увеличенный график сигнала Dα , показывающий одношаговый L – H переход.
Загрузить рисунок:
Стандартный образ Изображение высокого разрешенияУвеличить Уменьшить Сбросить размер изображения
Рис. 6. ( a ) Ионное насыщение диверторного зонда на внешней мишени, ( b ) излучение Dα рядом с внутренней мишенью, ( c ) увеличенный график Сигнал Dα , показывающий дизеринг L – H-переход.
Загрузить рисунок:
Стандартный образ Изображение высокого разрешенияНа рисунке 7 ( a ) P потери показаны в сравнении с P thr, 08 для сглаживания L – H переходов и одношаговых L – H переходов, показывая, что нижняя граница следует за масштабированием с P потеря в диапазоне 0,6–1,7 раза больше P th, 08 . Как показано на рисунке, мощности потерь P loss не показывают значительной разницы между дизеринг-переходами L-H и одноступенчатыми L-H-переходами.Однако возникновение этих двух типов L – H переходов сильно зависит от конфигурации дивертора. Подробные эксперименты по изучению влияния конфигурации дивертора на доступ в H-режиме обсуждаются в следующем разделе. На рисунке 7 ( b ) нормированные мощности P потери / P th, 08 показаны как функция от e . Все H-моды работали в диапазоне низких плотностей, e = 1,4–3,6 × 10 19 м −3 .Зависимость порога мощности от низкой плотности, а именно увеличение плотности ниже минимальной n e, min , была впервые выявлена на EAST со стенкой Mo / C. Минимальная плотность n e, min составляет примерно 2 × 10 19 м −3 , что близко к минимальному пределу плотности для доступа в H-режиме в кампании 2010 года. Это может быть причиной того, что раньше не наблюдалось изменения плотности. Физические механизмы, лежащие в основе зависимости порога мощности от низкой плотности, остаются в значительной степени неизвестными.Недавние результаты JET со стенкой из Be / W и C показывают корреляцию перепада плотности с геометрией дивертора и материалами дивертора / стенки [8]. С другой стороны, эксперименты ASDEX Upgrade демонстрируют ключевую роль теплового потока краевых ионов как объяснение сильного увеличения порога мощности L – H при низкой плотности с электронным циклотронным резонансным нагревом (ЭЦРН) в качестве мощности дополнительного нагрева. [33]. Эти данные показывают, что наличие зависимости порога мощности от низкой плотности не является универсальной особенностью для различных токамаков.Требуются более специализированные эксперименты с различными схемами отопления, которые будут доступны на EAST в 2015 году.
Увеличить Уменьшить Сбросить размер изображения
Рис. 7. L – H переходов в ВОСТОК со стенкой Mo / C: ( a ) мощность через сепаратрису P потери в зависимости от пороговых мощностей P th, 08 предсказано международными масштабирование токамака, ( b ) P потеря / P th, 08 по сравнению с усредненной по центральной линии электронной плотностью.
Загрузить рисунок:
Стандартный образ Изображение высокого разрешения4.2. Влияние конфигурации дивертора на порог мощности L – H и характеристики перехода
EAST имеет гибкую систему управления полоидальным магнитным полем, позволяющую приспособиться к различным конфигурациям дивертора. Конфигурация плазмы может плавно меняться от одной к другой во время однократного разряда. Плазма H-режима была получена с различными конфигурациями дивертора, включая LSN, USN и DN, и разными направлениями B T .На рисунке 8 показан график мощности на сепаратрисе P , потери через сепаратрису в зависимости от d R sep при сглаживании переходов L – H и одноступенчатых переходах L – H с двумя направлениями тороидального магнитного поля B T в диапазоне плазменного тока (0,28 ⩽ I p ⩽ 0,6 МА), тороидального магнитного поля (1,4 ⩽ B T ⩽ 2,0 Тл) и плотности плазмы (1,4 ⩽ e ⩽ 3,6 × 10 19 м −3 ).Здесь d R sep — это расстояние между первичной и вторичной сепаратрисами на внешней средней плоскости. Следовательно, значение d R sep = 0 указывает на идеально сбалансированную конфигурацию DN, в то время как | d R sep | <0,01 указывает на несбалансированную конфигурацию DN, а значение d R sep <-0,01 и d R sep > 0,01 указывает конфигурацию LSN и USN соответственно. Как показано на рисунке 8 ( a ), минимальное пороговое значение P потерь ~ 0.6 МВт находится в конфигурации DN, в то время как в LSN требуется более низкий порог мощности по сравнению с конфигурацией USN ( B × ∇ B ↑). Для B × ∇ B ↓, самый низкий порог ~ 1,2 МВт также находится в конфигурации DN; как дизеринг-переходы L-H, так и одноступенчатые L-H-переходы получаются в USN и DN, но недоступны в конфигурации LSN, что предполагает, что порог мощности выше, чем доступный уровень мощности с ионом ∇ B дрейф в сторону основной точки X .Чтобы исключить зависимость порога мощности L – H от низкой плотности, как упоминалось ранее, выбран диапазон плотности выше 2,1 × 10 19 м −3 из набора данных на рисунке 8 ( a ) и нормализованный порог мощности в сравнении с d R sep показан на рисунке 8 ( b ). Он показывает, что существует аналогичная зависимость от порога мощности для направления дрейфа иона ∇ B к верхнему дивертору, при котором минимальный порог находится в конфигурации DN, а нижний порог требуется в LSN по сравнению с конфигурацией USN.Однако зависимость не ясна для другого направления дрейфа, где DN и USN имеют одинаковый порог мощности. Для DN порог мощности ниже для B × ∇ B ↑ по сравнению с таковым для B × ∇ B ↓. Для проверки ситуации для B × ∇ B ↓ требуются специальные эксперименты, которые будут показаны в следующем абзаце.Кроме того, большинство переходов L – H сглаживания было получено в конфигурации DN для обоих направлений B T , в то время как почти все одноступенчатые переходы L – H были получены в конфигурации LSN для B × ∇ B ↑ и в конфигурации USN для B × ∇ B ↓, который обычно направлен от основной точки X для иона ∇ B дрейф на ВОСТОК.Однако не было обнаружено существенной разницы в требуемой мощности нагрева между дизеринг-переходами L-H и одноступенчатыми L-H-переходами. Это дополнительно доказано в специальном эксперименте с двумя соседними выстрелами, выполняемыми в конфигурации DN и LSN с аналогичной начальной плазмой цели, как показано на рисунке 9 (DN) и рисунке 10 (LSN). Получены дизеринг-переход L-H и одноступенчатый L-H-переход, вызванный LHCD ~ 0,5 МВт и ICRH-нагревом ~ 0,3 МВт при средней по линии плотности электронов ~ 2,1 соответственно.Для дальнейшего изучения этого был проведен эксперимент в однократном режиме с различными конфигурациями дивертора. Как показано на рисунке 11, два перехода L – H были получены в этом кадре с аналогичными условиями, в то время как конфигурация менялась от DN до LSN (обратите внимание, что плотность еще выше во втором переходе L – H с конфигурацией LSN). L-H-переход сглаживания произошел в конфигурации DN, а одноступенчатый переход появился в конфигурации LSN, что демонстрирует конфигурационную зависимость для циклов сглаживания, предшествующих L-H-переходу.
Увеличить Уменьшить Сбросить размер изображения
Рис. 8. Мощность на сепаратрисе P потери по сравнению с d R sep ( a ) и нормализованные мощности P потери / P по сравнению с 08 т. d R sep ( b ) при сглаживании перехода L – H и одношагового перехода L – H в EAST со стенкой Mo / C.Планки ошибок включают все вклады в потери P , где часто преобладают вклады из d W dia / d t .
Загрузить рисунок:
Стандартный образ Изображение высокого разрешенияУвеличить Уменьшить Сбросить размер изображения
Рисунок 9. Снимок, показывающий типичный переход дизеринга L – H, управляемый LHCD и ICRH в конфигурации DN.
Загрузить рисунок:
Стандартный образ Изображение высокого разрешенияУвеличить Уменьшить Сбросить размер изображения
Рис. 10. Снимок, показывающий типичный одноступенчатый переход L – H, управляемый LHCD и ICRH в конфигурации LSN.
Загрузить рисунок:
Стандартный образ Изображение высокого разрешенияУвеличить Уменьшить Сбросить размер изображения
Рисунок 11. Два перехода L – H, т. Е. Переход сглаживания L – H и одноступенчатый переход L – H, получаются при изменении конфигурации от DN к LSN при одинаковых условиях.
Загрузить рисунок:
Стандартный образ Изображение высокого разрешенияНе только возникновение двух типов переходов L – H сильно зависит от конфигурации дивертора, но также и поведение циклов дизеринга на переходах L – H сглаживания существенно отличается от одной конфигурации к другой.На рисунке 12 показаны целевые сигналы Dα трех типичных выстрелов для различных конфигураций дивертора, измеренные 18-канальной вертикальной хордой фотодиодных матриц (КПК) Dα , как показано на рисунке 1. Циклы дизеринга в конфигурации DN в основном являются регулярные колебания большой амплитуды, обычно демонстрирующие четкий и резкий переход от L-режима к I-фазе, как показано на рисунке 12 ( b ). Продолжительность циклов дизеринга с конфигурацией USN (обычно B × ∇ B ↑) обычно очень короткая и сопровождается лишь несколькими циклами пределов (рисунок 12 ( c )).Циклы дизеринга с конфигурацией LSN (обычно B × ∇ B ↑) более нерегулярны по частоте и амплитуде и обычно появляются с возрастающей амплитудой до окончательного перехода в H-режим без ELMy. (рисунок 12 ( a )). Чтобы охарактеризовать поведение дизеринга для различных конфигураций дивертора, нормализованная амплитуда Dα , R H = ( I 0 — I H ) / I 0 и L = ( I 0 — I L ) / I 0 , т.е.е. отношение Dα во время турбулентного подавления фазы дизеринга к таковому во время фазы L-режима и отношение Dα во время турбулентной флуктуации фазы дизеринга к таковой во время фазы L-режима, соответственно. Здесь I L и I H представляют интенсивность во время турбулентных колебаний и подавления фазы дизеринга, а I 0 — интенсивность во время L-режима непосредственно перед переходами L – H. , как показано на рисунке 12 ( c ).Типичные значения R H и R L для LSN, DN и USN составляют около 0,3 и -0,3, 0,46 и 0, 0,43 и 0,3 соответственно. Показанные выше характеристики дизеринга в значительной степени воспроизводимы для различных конфигураций дивертора. Магнитные конфигурации и основные параметры плазмы непосредственно перед переходами L – H этих трех выстрелов показаны на рисунке 13 с коэффициентом удлинения плазмы κ , верхней и нижней треугольностью, δ u и δ l , и коэффициент запаса прочности на кромку q 95 указаны.Также указана мощность на сепаратрисе P потеря , что указывает на аналогичную подачу мощности для трех выстрелов.
Увеличить Уменьшить Сбросить размер изображения
Рис. 12. Три выстрела демонстрируют различное поведение дизеринга при трех различных конфигурациях дивертора с направлением дрейфа иона ∇ B к верхнему дивертору: ( a ) LSN, ( b ) DN, ( c ) ) Конфигурация USN.
Загрузить рисунок:
Стандартный образ Изображение высокого разрешенияУвеличить Уменьшить Сбросить размер изображения
Рис. 13. Конфигурации и параметры плазмы на трех типичных снимках демонстрируют различный вид циклов дизеринга.
Загрузить рисунок:
Стандартный образ Изображение высокого разрешенияХотя появление двух типов L – H переходов не показывает существенной зависимости от мощности нагрева, длительность фазы дизеринга L – H перехода напрямую связана с этим [34].В EAST для дальнейшего исследования этой проблемы были выбраны дизеринг-переходы L – H, в основном нагретые радиочастотной мощностью, то есть LHCD и / или ICRH ( B T / I p ~ 1,8 T / 0,4 MA, DN). Мы берем избыточную мощность, разделенную на время удержания τ E , в качестве оценки скорости линейного нарастания γ P мощности, превышающей порог мощности перехода L – H на сепаратрисе, выраженный как γ P = ( P потеря — P th, 08 ) / P потеря / τ E .На рисунке 14 показана зависимость длительности фазы дизеринга, возникающей при переходе L – H, от скорости нарастания γ P . Он показывает, что продолжительность фазы дизеринга уменьшается с увеличением γ P . Чтобы проиллюстрировать эффект, на рисунке 15 показаны три соседних выстрела с одинаковой плотностью плазмы (рисунок 15 ( c )) и другими параметрами до переходов L – H. Сигналы Dα сдвинуты по вертикальной оси, чтобы избежать перекрытия на графике (рисунок 15 ( a )).Между этими выстрелами производилось постепенное увеличение мощности вспомогательного высокочастотного нагрева (рис. 15 (b )), что привело к увеличению γ P . Из-за этого было обнаружено уменьшение длительности фазы дизеринга (рисунок 15 ( a )). Между тем, переходы L – H, произошедшие ранее, соответствуют инжекции большей мощности.
Увеличить Уменьшить Сбросить размер изображения
Рисунок 14. Продолжительность фазы дизеринга, возникающей при переходе дизеринга L – H, зависит от скорости нарастания γ P мощности, превышающей порог мощности перехода L – H.
Загрузить рисунок:
Стандартный образ Изображение высокого разрешенияУвеличить Уменьшить Сбросить размер изображения
Рисунок 15. Поведение длительностей фазы дизеринга, предшествующей L – H-переходам, для разных уровней мощности ВЧ-нагрева при одинаковых исходных плазменных объектах.
Загрузить рисунок:
Стандартный образ Изображение высокого разрешенияБыли проведены специальные эксперименты для дальнейшего изучения влияния конфигурации дивертора на порог мощности L – H на EAST. На рисунке 16 показаны три соседних разряда с одинаковой начальной плотностью целевой плазмы и входной мощностью от LHCD и ICRH при различных конфигурациях дивертора для иона ∇ B , дрейфующего к нижнему дивертору. H-режимы достигаются в конфигурации DN (42023) с d R sep ~ 0 и конфигурации USN (42024) с d R sep ~ 1.5 см, о чем свидетельствует появление ELM в эмиссии дивертора Dα и увеличение средней по линии электронной плотности. Обратите внимание, что мощность связи от LHCD сильно уменьшается в DN после перехода L – H, в то время как H-режим все еще может поддерживаться в течение длительного периода при более высокой плотности по сравнению с конфигурацией USN и LSN. Напротив, плазма остается в L-режиме (кадр 42022) для случая LSN с d R sep ~ -1,5 см, что позволяет предположить, что мощность, необходимая для перехода L – H, ниже с ионом ∇ B дрейфует от основной точки X на EAST, что контрастирует с другими токамаками [15–20].Как упоминалось выше, EAST имеет только один крионасос внутри емкости, расположенный под нижним дивертором для обеспечения основной перекачки. Однако конфигурация LSN, похоже, имеет более высокий порог мощности. Это указывает на то, что мощность накачки не настолько достаточна, чтобы повлиять на порог мощности перехода L – H, поскольку точки попадания на диверторные цели были смещены на несколько сантиметров от щелей накачки, как упоминалось ранее.
Увеличить Уменьшить Сбросить размер изображения
Рисунок 16. Сравнение динамики перехода L – H между различными конфигурациями дивертора для трех разрядов, управляемых LHCD с дополнительным ICRH с аналогичными начальными условиями работы; B T = 1,78 T (по часовой стрелке, вид сверху), I p = 0,4 MA. H-режимы отображаются для DN и USN, но не для LSN.
Загрузить рисунок:
Стандартный образ Изображение высокого разрешения4.3. Влияние кондиционирования литиевых стенок на
P thrДля облегчения контроля плотности и уменьшения повторного использования кромок для операций с длинными импульсами были предприняты значительные усилия по разработке методов кондиционирования стенок [2, 3, 21].В частности, мы исследовали различные методы нанесения литиевого покрытия для повышения однородности литиевого покрытия на стене. В EAST кондиционирование стен литием стало обычным делом и является наиболее эффективным методом кондиционирования стен для сокращения нейтрального рециклинга. По сравнению с кампанией 2010 г., в кампании 2012 г. использовались аналогичные методы нанесения литиевого покрытия, то есть испарение лития и инжекция порошка лития [3]. Во время кампании 2012 г. ежедневно выпаривали 15–45 г лития в трех печах.Кроме того, мелкий порошок лития был сброшен за 47 выстрелов в Н-режиме. После выстрела 39637 (с накоплением ~ 0,765 кг лития) вакуумную камеру EAST пришлось открыть из-за поломки катушки быстрого управления. Затем убрали литиевое покрытие. В ходе восстановленного эксперимента было проведено прочное литиевое покрытие стенок с накоплением всего 1,613 кг нового лития. Чтобы исследовать влияние кондиционирования литиевой стенки на порог L – H перехода, H-моды с дизерингом L – H переходов в аналогичных условиях ( I p = 0.28–0,6 MA, B T = 1,33–2,0 T, DN). В качестве индикатора нейтральной плотности в область дивертора, как показано на рисунке 1 (D α (1-35a), красные линии). Нейтральная плотность не показывает явной тенденции к снижению, когда накопление лития меньше 0.8 кг. Однако нейтральная плотность постепенно уменьшается после накопления примерно 0,8 кг лития, как показано на рисунке 17 ( a ). Кроме того, обнаружено, что мощность на сепаратрисе P потери возрастают с увеличением нейтральной плотности, в то время как пороговое значение мощности P th, 08 практически не меняется при аналогичных начальных условиях плазмы ( e , B T , S ), как показано на рисунке 17 ( b ).Пониженный порог мощности перехода наблюдался с уменьшенной нейтральной плотностью краев, что указывает на то, что нейтральная плотность краев около точки X может быть ключевой « скрытой переменной » за доступом в H-режиме, что согласуется с предыдущими экспериментальными выводами в EAST со стенкой C [9]. Таким образом, эксперименты EAST показывают, что низкий режим рециркуляции с пониженной нейтральной плотностью краев, обеспечиваемый литиевым покрытием стенки, облегчает доступ в H-режиме как для стенки из C, так и для стенки из Mo / C.
Увеличить Уменьшить Сбросить размер изображения
Рисунок 17. ( a ) Общее накопление лития (красная сплошная линия) и эмиссия Dα около нижней точки X (черный квадрат), ( b ) P Потери и P th, 08 по сравнению с испусканием Dα около нижней точки X на переходах сглаживания L – H. Синие пунктирные линии показаны как индикаторы тенденций изменения данных.
Загрузить рисунок:
Стандартный образ Изображение высокого разрешения4.4. Роль зависящего от поля параллельного потока СОЛ на пороге перехода
Направление дрейфа иона ∇ B влияет на поток плазмы вдоль силовых линий в СОЛ. Измерения параллельного потока плазмы в SOL (TCV [35], JET [36]) ясно показывают, что существует тенденция к течению плазмы вдоль силовых линий в прямоточном направлении в SOL на стороне слабого поля вблизи средней плоскости. Эти потоки имеют тенденцию изменяться при изменении направления магнитного поля. Аналогичные результаты для реверсирования потока СОЛ наблюдались в токамаке JT-60U при измерениях зонда Маха для двух направлений дрейфа иона ∇ B , что позволяет предположить, что поток ионов Пфирша-Шлютера (PS) является наиболее реальным механизмом для управления параллельным потоком. поток плазмы в средней плоскости против направления дрейфа иона ∇ B [37].На EAST характеристики измеренного параллельного потока плазмы SOL при различных условиях разряда на средней плоскости стороны слабого поля согласуются с измеренным параллельным числом Маха PS M || = 0,3 — 0,5, как показано на рисунках 12 и 14 в [38, 39]. Эти результаты предполагают, что в параллельном потоке SOL на средней плоскости стороны слабого поля преобладает поток PS и что направление компонента потока PS в параллельном потоке SOL зависит от направления дрейфа иона ∇ B .
Чтобы проиллюстрировать конфигурационную зависимость порога перехода, схематическая диаграмма параллельного потока плазмы SOL в конфигурации LSN и USN для двух направлений тороидального магнитного поля B T показана на рисунке 18. Случаи встречного по часовой стрелке ( B × ∇ B ↑) и по часовой стрелке ( B × ∇ B ↓) направления поля B с направлением T тока плазмы I p , оставаясь неизменным (против часовой стрелки), показаны на рисунках 18 ( a ) — ( d ) соответственно.Как упоминалось выше, порог мощности L – H P th ниже для направления дрейфа иона B от основной точки X , чем для противоположного направления дрейфа иона ∇ B , т.е. P th был обнаружен на рисунке 18 ( a ), чем на рисунке 18 ( b ), и более низкий P thr наблюдался на рисунке 18 ( d ), чем на рисунке 18. ( c ), соответственно. Проиллюстрирована простая диаграмма течения СОЛ: из-за нестабильности баллонной моды большая часть частиц может пересечь сепаратрису на стороне слабого поля из-за неблагоприятной магнитной кривизны там (обозначенной красными стрелками), а затем эти частицы перемещаются. вдоль силовой линии магнитного поля и достичь целей дивертора.Длина соединения пути L || параллельного потока в SOL, в котором преобладает поток PS на средней плоскости стороны слабого поля, отмечены черными стрелками для каждого случая, с красными кружками, показывающими расположение крионасоса дивертора. Направление составляющей потока PS параллельного потока SOL зависит от направления дрейфа иона ∇ B . Скорость параллельного плазменного потока СОЛ V || на внешней промежуточной плоскости в ВОСТОК, что можно оценить по параллельному числу Маха M || ( V || = M || * C s , где C s — ионно-акустическая скорость), направлен вниз ( B × ∇ B ↑) (рисунки 18 ( a ) и ( b )) и выше ( B × ∇ B ↓) (рисунки 18 ( c ) и ( д )).Направление параллельного потока плазмы SOL на внешней средней плоскости меняется на противоположное, когда тороидальное поле изменяется на направление по часовой стрелке с тем же I p против часовой стрелки. Если смотреть сверху на B T и I p в направлении против часовой стрелки, параллельный поток плазмы на внешней средней плоскости SOL направлен вниз, то есть в сторону нижнего внешнего дивертора в конфигурации LSN. и к верхнему внутреннему дивертору в конфигурации USN, как показано на рисунках 18 ( a ) и ( b ).
Увеличить Уменьшить Сбросить размер изображения
Рис. 18. Схематическое изображение параллельного потока плазмы в области SOL в конфигурациях LSN и USN для B × ∇ B ↑ (( a ) и ( b )) и B × ∇ B ↓ (( c ) и ( d )) на ВОСТОК.Ток плазмы никогда не менялся (против часовой стрелки).
Загрузить рисунок:
Стандартный образ Изображение высокого разрешенияКак показано на рисунке, когда дрейф иона ∇ B направлен от основной точки X , длина соединения пути L || параллельного потока SOL намного короче, чем с дрейфом иона ∇ B , направленным в главную точку X . Следовательно, выбросы частиц из области около сепаратрисы на внешней средней плоскости переносятся в область дивертора за гораздо более короткий временной интервал τ для иона ∇ B дрейф, направленный от основной точки X из-за длина соединения более короткого пути L || параллельного потока SOL, который можно оценить как τ = L || / ( M || * C s ).После переноса в диверторную зону частицы могут эффективно экранироваться и откачиваться в диверторной зоне. Таким образом, этот тип схемы переноса частиц, зависящей от направления поля, приносит пользу выхлопу частиц. С другой стороны, выхлопа частиц при длине соединения с длинным путем параллельного потока SOL не так же достаточно, как с более коротким соединительным длиной пути, поскольку продленный во времени перенос поперечного поля в SOL приводит к большему количеству частиц за пределы области дивертора, что вряд ли можно откачать.Как упоминалось ранее, результаты EAST показывают, что на переходы L – H могут влиять рециркуляция кромок и выброс частиц, а выброс частиц может зависеть от длины соединения пути параллельного потока в SOL. Это может объяснить, почему порог мощности L – H ниже при дрейфе иона ∇ B от основной точки X . Для конфигурации DN длина соединения пути параллельного потока SOL всегда коротка по отношению как к направлению компонента потока PS параллельного потока SOL, так и по отношению к противоположному направлению на средней плоскости стороны слабого поля, несмотря на то, что ион ∇ B направлений дрейфа, которые, вероятно, совпадают с результатом минимального порога перехода, достигнутого в конфигурации DN.Кроме того, порог мощности ниже для B × ∇ B ↑ по сравнению с таковым для B × ∇ B ↓ в конфигурации DN, где Направление составляющей потока ПС параллельного потока СОЛ — в сторону нижнего дивертора. Недавний численный подход к динамике перехода [40] показывает, что наблюдается сильное почти линейное уменьшение полного теплового потока через сепаратрису по мере уменьшения характерного времени потерь на параллельную адвекцию τ .Как правило, короткая длина соединения делает SOL более эффективным и создает градиент ионного давления в SOL, необходимый для перехода L – H, что согласуется с экспериментальными наблюдениями [19, 41, 42]. Таким образом, это предполагает, что зависящие от поля граничные условия параллельного потока плазмы SOL могут играть важную роль в чувствительности порога мощности L – H к конфигурациям на EAST.
Пороговое значение мощности L – H и поведение перехода были изучены в отношении конфигурации дивертора и литиевого покрытия на EAST для двух наборов стенок: стены из C и Mo / C.Были идентифицированы два типа L – H переходов, одноступенчатый L – H переход и дизеринг L – H переход. Динамика этих L – H-переходов недавно обсуждалась в [10], демонстрируя аналогичные особенности взаимодействия турбулентности с потоком на границе плазмы, подтвержденные специальными зондовыми измерениями. В кампании 2010 года с C-стенкой переходы L – H были в основном одноступенчатыми переходами L – H с мощностью нагрева, очень маргинальной по сравнению с порогом перехода, предсказанным международным масштабированием токамаков.Некоторым одношаговым переходам L – H предшествуют LCO малой амплитуды с частотой около 2 кГц (рисунок 2). Однако оба типа L – H-переходов наблюдались в кампании 2012 г. со стенкой Mo / C, доступ к которой можно получить с помощью аналогичной входной мощности. С другой стороны, уменьшение длительности фазы дизеринга обнаруживается внутри L-H перехода дизеринга с увеличением входной мощности. Эти результаты предполагают, что поведение перехода может быть другим, даже если входная мощность не превышает порогового значения перехода.Недавний численный подход к динамике перехода ([43] и ссылки в нем), который продемонстрировал, что LCO появляются, когда входная мощность близка к порогу перехода, должен учитывать больше вариаций. Возможно, это не связано с изменением стенок, поскольку материал стенки дивертора не изменился и в обеих кампаниях проводилось тяжелое литиевое покрытие стенок. Другое отличие состоит в том, что точки попадания на цели дивертора были смещены на несколько сантиметров от слотов для прокачки во всей кампании со стеной Mo / C.Этот сдвиг значительно снижает насосную способность дивертора по сравнению с экспериментами со стенкой C.
Результаты экспериментов со стенкой Mo / C показали, что поведение перехода зависит от конфигурации дивертора и дрейфа иона ∇ B . Для иона ∇ B , дрейфующего к верхнему дивертору, дизеринг-переходы L – H обычно получались в конфигурации DN, и почти все одноступенчатые переходы L – H были получены в конфигурации LSN (рис. 8).Специализированные эксперименты с двумя соседними разрядами с аналогичными условиями целевой плазмы также показывают, что L-H-переход сглаживания произошел в конфигурации DN, а одноступенчатый L-H-переход был доступен в конфигурации LSN (рисунки 9 и 10). Это дополнительно демонстрируется специальными экспериментами, изменяющими конфигурацию от DN до LSN в однократном режиме, в которых L-H-переход сглаживания произошел в DN, а одноступенчатый L-H-переход появился в конфигурации LSN ( B × ∇ B ↑) (рисунок 11).Для иона ∇ B , дрейфующего к нижнему дивертору, дизеринговые L – H-переходы часто наблюдались также в DN, а одноступенчатые L – H-переходы обычно получались в конфигурации USN, но не в конфигурации LSN. Короче говоря, переходы L – H сглаживания обычно доступны в конфигурации DN с уменьшенной перекачивающей способностью дивертора, независимо от направления поля. Одноступенчатые L – H-переходы обычно получаются в конфигурации с одним нулем, когда ион ∇ B дрейфует от основной точки X , независимо от того, сильная или слабая накачка дивертора.Таким образом, слабая диверторная накачка, по-видимому, необходима для доступа к L-H-переходу сглаживания, в то время как она, по-видимому, не играет доминирующей роли в настройке поведения L-H-перехода. Подобные эффекты конфигурации дивертора также наблюдаются на токамаке Alcator C-Mod, где L-H-переход сглаживания связан с конфигурацией щель-дивертор, а одноступенчатый L-H-переход часто встречается с конфигурацией дивертора с вертикальной пластиной [ 44]. Все эти результаты могут свидетельствовать о том, что отсутствуют некоторые ключевые ингредиенты, например.грамм. конфигурация дивертора, ион ∇ B направление дрейфа и т. д. при определении поведения перехода. С другой стороны, все H-моды ELMy типа I были получены в конфигурации LSN ( B × ∇ B ↑) [14]. LSN с B × ∇ B ↑, по-видимому, способствует достижению высокопроизводительных стабильных H-режимов в EAST, поскольку крионасос расположен под нижней внешней мишенью.
Исследована зависимость порога перехода от конфигурации дивертора. Для стены C в кампании 2010 г. H-режим может быть доступен в конфигурации DN и LSN для иона ∇ B дрейфует к верхнему дивертору, но недоступен в конфигурации USN с преимущественно предельным уровнем мощности инжекции с подогревом от LHCD. Минимальный порог мощности P th ~ 0,6 МВт наблюдался в конфигурации DN (рисунок 4). Для стены Mo / C в кампании 2012 г. переходы L – H использовались в различных конфигурациях диверторов, т.е.е. Конфигурация LSN, DN и USN, а также направления B T с повышенной мощностью нагрева. Для иона ∇ B , дрейфующего к верхнему дивертору, минимальный порог мощности P th составляет ~ 0,6 МВт в конфигурации DN, а в LSN требуется более низкий порог мощности по сравнению с конфигурацией USN. Для дрейфа иона ∇ B в сторону нижнего дивертора нижний порог ~ 1,1 МВт обнаружен также в конфигурации DN. Переходы L – H были получены в USN и DN, но недоступны в конфигурации LSN (рисунок 8 ( a )).Для DN порог мощности ниже для B × ∇ B ↑ по сравнению с таковым для B × ∇ B ↓. Когда анализ должен преобразовать из P потерь в P потерь / P th, 08 , аналогичная зависимость пороговой мощности может быть замечена для B × ∇ B ↑, в то время как тенденция в направлении противоположной стороны поля не ясна (рисунок 8 ( b )).Для B × ∇ B ↓, специальные эксперименты с переходом L – H путем изменения конфигурации в аналогичной начальной плазме мишени показывают, что переход L – H может быть доступен в конфигурации DN и USN, но есть недоступен в конфигурации LSN с той же мощностью нагрева (рисунок 16). Как упоминалось выше, EAST имеет только один крионасос внутри корпуса, расположенный под нижней внешней мишенью дивертора для выпуска частиц, однако точки попадания на мишени дивертора были смещены на несколько сантиметров от насосных щелей для стенки Mo / C.Это приводит к слабой накачивающей способности, которой недостаточно, чтобы повлиять на порог мощности перехода L – H. Все эти результаты демонстрируют, что минимум P th встречается в конфигурации DN, и что требуется более низкий порог мощности с направлением дрейфа иона ∇ B от основной точки X для обоих C wall и Mo / C wall на EAST, в отличие от других токамаков [15–20]. Обратите внимание, что в этом исследовании определение конфигурации дивертора с точки зрения малого d R sep кажется несколько произвольным, и наличие второй точки X внутри вакуумного сосуда и рядом с плазмой может повлиять на крайняя плазма, взаимодействие стенок, а также переработка, что может привести к отличительным результатам на EAST.С другой стороны, аналогичные результаты ASDEX-Upgrade и MAST [19] и исследования NSTX [20] показали, что минимум P th также близок к сбалансированной конфигурации DN. Эти результаты показывают, что наличие минимума в P th является универсальной особенностью EAST, независимо от материалов стенок, указывая на потенциальную роль, которую играет физика SOL и дивертора в L – H-переходе. Обсуждается схематическая диаграмма параллельного потока плазмы SOL, которая предполагает, что зависящие от поля граничные условия параллельного потока плазмы SOL могут играть важную роль в чувствительности порога мощности L – H к конфигурациям.
Сильные эффекты из-за толстого литиевого покрытия стенки на доступе H-моды наблюдались как в экспериментах со стенкой C, так и стенкой Mo / C. Аналогичные результаты были получены в стенке Mo / C: нейтральная плотность около нижней точки X постепенно уменьшалась в 2 раза с увеличением накопления лития, и что мощность через сепаратрису P потери уменьшались с увеличение накопления лития (рисунок 17) по сравнению с предыдущими исследованиями в стенке С [9].Низкие условия рециркуляции краев, достигаемые за счет покрытия стенок литием, считаются ключевым фактором низкого порогового значения мощности L – H, на что указывает значительное падение нейтральной плотности около нижней точки X . Все эти результаты могут свидетельствовать о том, что низкие условия рециркуляции, достигаемые литиевым покрытием стенок, облегчают доступ в H-режиме к EAST, возможно, включая ITER. Зависимость порога мощности L – H от низкой плотности P th , а именно увеличение на P th ниже минимальной плотности n e, min , определяется в стенке Mo / C для в первый раз, а не в стене C.Минимальная плотность n e, min близка к минимальному пределу плотности для доступа в H-режиме с предельной входной мощностью в C-стенке. Это может объяснить, почему в C-стенке не наблюдается зависимости от низкой плотности. Требуются дальнейшие работы для проверки зависимости порога мощности от низкой плотности в различных схемах нагрева, таких как нагрев с инжекцией нейтрального пучка. В этом исследовании разница в потерях P для разных конфигураций не столь значительна только с учетом мощности нагрева источника и возможности в пределах разницы в поглощенной мощности, которая связана с конфигурацией дивертора и ионами ∇ B Направление дрейфа требует дальнейшего изучения.Дальнейшие работы необходимы для накопления специализированных экспериментов и диагностических данных, которые будут доступны в следующей кампании в 2015 году.
Эта работа была поддержана Национальным фондом естественных наук Китая по контрактам № 11422546, 109
| 24_SK-50-2-55 / 1 —_ NE | 3473173 | РЧ / Коаксиальный разъем, Коаксиальный SK, Гнездо для прямой переборки, под пайку, 50 Ом, EZ 118 TP HUBER + SUHNER | Каждый | Запрещенный товар Этот товар был ограничен для покупки администратором вашей компании. Минимальный заказ от 1 шт. Только кратное 1 Пожалуйста, введите действительное количество ДобавлятьМин .: 1 Mult: 1 | SK Коаксиальный | Домкрат прямой переборки | Припой | 50 Ом | EZ 118 TP | Бериллиевая медь | Позолоченные контакты | 40 ГГц | Крепление на кабель, Крепление на панель | — | |||
| 11_SK-50-2-56 / 119_NE | 3473172 | РЧ / Коаксиальный разъем, Коаксиальный SK, прямой штекер, под пайку, 50 Ом HUBER + SUHNER | Каждый | Запрещенный товар Этот товар был ограничен для покупки администратором вашей компании. Минимальный заказ от 1 шт. Только кратное 1 Пожалуйста, введите действительное количество ДобавлятьМин .: 1 Mult: 1 | SK Коаксиальный | Прямой штекер | Припой | 50 Ом | EZ 86 AL TP M17, EZ 86 TP M17, Sucoform 86 | Бериллиевая медь | Позолоченные контакты | 40 ГГц | Крепление кабеля | — | |||
| 11_SK-50-2-51 / 119_NE | 3473171 | РЧ / Коаксиальный разъем, Коаксиальный SK, прямой штекер, под пайку, 50 Ом, EZ 118 TP, бериллиево-медный HUBER + SUHNER | Каждый | Запрещенный товар Этот товар был ограничен для покупки администратором вашей компании. Минимальный заказ от 1 шт. Только кратное 1 Пожалуйста, введите действительное количество ДобавлятьМин .: 1 Mult: 1 | SK Коаксиальный | Прямой штекер | Припой | 50 Ом | EZ 118 TP | Бериллиевая медь | Позолоченные контакты | 40 ГГц | Крепление кабеля | — |
КОЛЛЕКЦИОННЫЕ Боеприпасы, ВКЛЮЧАЯ 56-46 SPENCER RF, 44 HENRY RF, 32 SHORT RF, 25 LONG RF
КАНАДСКИЕ ТЕНДЕРЫ: Для всех продаж огнестрельного оружия и боеприпасов потребуется действующий P.A.L. к покупке. Регистрация огнестрельного оружия распространяется на все ограниченное и запрещенное огнестрельное оружие, приобретаемое для канадцев, за исключением огнестрельного оружия, классифицируемого как антикварное и неограниченное. Передача всего ограниченного и запрещенного огнестрельного оружия начнется в день продажи. УЧАСТНИКИ ТОРГОВ ИЗ США и МЕЖДУНАРОДНЫЕ: несут исключительную ответственность за свои покупки. Пожалуйста, свяжитесь с вашим FFL и / или ATF относительно импорта определенных предметов.
Обратите внимание, что мы не отправляем Боеприпасы покупателям из США и других стран.
Покупатели из США будут платить административный сбор в размере 50 долларов США за все продажи огнестрельного оружия. Это покрывает расходы на оформление необходимых документов для экспорта товаров вам.
Плата за хранение в размере 5 долларов США за товар в месяц будет взиматься со всех товаров, на которые мы не получили документы в течение 120 дней с момента продажи. Если вы не сможете оформить необходимые документы в течение 1 года, ваши лоты будут проданы на следующем аукционе. С вас будет взиматься комиссия при перепродаже.
ВСЕ УЧАСТНИКИ:
ПРЕМИУМ И НАЛОГИ ДЛЯ ПОКУПАТЕЛЕЙ: Все товары, приобретенные в Интернете, облагаются 15% -ной премией для покупателей.Налоги в Канаде указаны в «Платежных инструкциях». Товары, приобретенные и отправленные за пределы Канады, не облагаются налогами, однако вы можете нести ответственность за уплату таможенных сборов или пошлин.
ВСЕ ПРОДАЖИ ЗАКЛЮЧИТЕЛЬНЫ БЕЗ ВОЗВРАТА ИЛИ ОБМЕНА: SWITZER’S AUCTION не дает никаких гарантий и не дает никаких гарантий в отношении проданных лотов. Оценки в каталоге являются мнениями. Мы признаем, что могут возникать ошибки, хотя мы стараемся предоставить вам точную информацию в том виде, в каком они написаны. Мы настоятельно рекомендуем лично просматривать любой товар, на который вы сделали ставку.SWITZER’S AUCTION не вернет и не вернет деньги, если товар находится не в том же состоянии, которое указано в каталоге. Ни один сотрудник SWITZER’S AUCTION не уполномочен делать от нашего имени или от имени грузоотправителя какие-либо заявления или гарантии, устные или письменные, в отношении любого лота или предмета для продажи.
УСЛОВИЯ ОПЛАТЫ: Все товары, приобретенные участниками торгов, будут списаны с их карты Visa или Mastercard по завершении аукциона. Если для какой-либо покупки требуется доставка, дополнительная плата будет взиматься в день отправки товара.Плата за необработку в размере 25 долларов США будет добавлена к любым кредитным картам, которые мы не можем обработать. Убедитесь, что у нас правильный номер и срок действия. Плательщикам с повторяющимися проблемами могут быть запрещены будущие продажи.
СТОИМОСТЬ ХРАНЕНИЯ: 5,00 долларов США за единицу в день будет добавлена к предметам, оставшимся после дат, указанных в разделе получения (пожалуйста, прочтите лот 0A для получения полной информации)
АДМИНИСТРАТИВНЫЕ СБОРЫ: Поскольку мы продаем огнестрельное оружие и боеприпасы, абсолютно необходимо, чтобы участники торгов / покупатели предоставили нам свою правильную информацию.Нам требуется ваше полное и правильное имя, указанное в вашем PAL, номер лицензии, дата рождения, почтовый адрес, связанный с вашим PAL. С клиентов, которые этого не сделают или которым необходимо возобновить оформление документов из-за ошибки с их стороны, будет взиматься административный сбор в размере 25 долларов США за лот. Если вы допустили ошибку и ее нужно исправить. Пожалуйста, напишите на [email protected]
УСЛОВИЯ: Покупатель, предложивший самую высокую цену, принимает окончательное решение аукциониста по всем вопросам.Все продажи окончательны и не регулируются условиями. Все товары продаются в состоянии «как есть» без обращения к продавцу. Все рекламируемые или выставленные товары подлежат изъятию до продажи по усмотрению аукциониста. Аукционисты могут отклонить заявку по своему усмотрению без объяснения причин.
РЕЗЕРВ: Все предметы на этом аукционе продаются без резервирования. Грузоотправители не имеют права участвовать в торгах на свои товары, и никто не может делать ставки от их имени. Мы оставляем за собой право отозвать любые позиции или предложения отправителя-нарушителя.
ОГРАНИЧЕНИЯ ОТВЕТСТВЕННОСТИ:
За исключением случаев, явно указанных выше, вся недвижимость продается «как есть». Ни аукцион Switzer, ни Грузоотправитель не делает никаких заявлений или гарантий, явных или подразумеваемых, в отношении названия, товарной пригодности, пригодности или состояния собственности или в отношении правильности описания, подлинности, атрибуции, происхождения или периода собственности или относительно того, покупатель приобретает любые авторские права или другие права интеллектуальной собственности на проданные лоты или в отношении того, является ли произведение искусства предметом неимущественных прав художника или других остаточных прав художника.Все огнестрельное оружие и боеприпасы продаются только как коллекционные лоты. Аукцион Switzer категорически отрицает пригодность оружия или боеприпасов к стрельбе или другой разрядке. Перед попыткой использования или стрельбы из огнестрельного оружия или боеприпасов следует проконсультироваться с компетентным оружейным мастером. Покупатель прямо признает и соглашается с тем, что ни в коем случае Switzer’s Auction не несет ответственности за любые убытки, включая, помимо прочего, любые компенсационные, случайные или косвенные убытки.
HUBER + SUHNER RF СУБМИНИАТЮРА — НОМЕРА ДЕТАЛЕЙ
Ниже приведен список номеров деталей для сверхминиатюрных высокочастотных разъемов, производимых компанией Huber + Suhner, специализирующейся на радиочастотных и коаксиальных разъемах.Lane Electronics предлагает соединители, предназначенные для приложений от 4 ГГц до 40 ГГц, включая типы SMA, SMB, SMC, SMS и SK.
Если вы нашли номер детали, который искали, свяжитесь с нами, и мы вышлем вам коммерческое предложение.
Для получения дополнительной информации о сверхминиатюрных ВЧ разъемах Huber + Suhner щелкните здесь.
14BMA-50-1-15 / 111NE 14BMA-50-2-2 / 111NE 14BMA-50-2-3 / 199NE 14BMA-50-3-2 / 111NE 14BMA-50-3-3 / 199NE 15BMA-50- 1-15 / 111NE 23BMA-50-0-1 / 119NE 24BMA-50-3-4 / 111NE 24BMA-50-3-5 / 119NE 25BMA-50-2-2 / 119NE 25BMA-50-2-3 / 119NE 25БМА-50-3-2 / 119НЭ 81БМА-50-0-1 / 111НЭ 82БМА-50-0-1 / 111НЭ 11СК-50-1-2 / 119НЭ 11СК-50-2-51 / 119НЭ 11СК-50-2 -56 / 119НЭ 12СК-50-0-51 / 199НЭ 13СК-50-0-51 / 199НЭ 21СК-50-2-51 / 199НЭ 21СК-50-2-58 / 199НЭ 21СК-50-2-61 / 199НЭ 23СК50 -0-51 / 199НЭ 23СК50-0-52 / 199НЭ 24СК-50-2-55 / 1 — НЕ 11-СМА 50-3-10 / 111НЭ 11СМА 50-5-2 / 199НЭ 11СМА-50-1-1 / 111НЭ 11СМА-50-1-2 / 111НЭ 11СМА-50-1-4 / 111НЭ 11СМА-50-2-15 / 111НЭ 11СМА-50-2-15 / 111НГ 11СМА-50-2-27 / 111НЭ 11СМА-50 -2-27 / 111NH 11SMA-50-2-29 / 119NH 11SMA-50-2-5 / 111NE 11SMA-50-2-5 / 111NH 11SMA-50-2-5 / 119NH 11SMA-50-2-55 / 199НЭ 11СМА-50-2-56 / 199НЭ 11СМА-50-2-6 / 111НЭ 11СМА-50-2-6 / 111НХ 11СМА-50-2-65 / 119НЭ 11СМА-50-2-65 / 119НХ 11СМА-50- 3-100 / 111НЭ 11SMA-50-3-14 / -11NH 11SMA-50-3-15 / 111NE 11SMA-50-3-15 / 111NH 11SMA-50-3-235 / 133NE 11SMA-50-3-236 / 133НЭ 11СМА-50-3-42 / -33НЭ 11СМА -50-3-5 / 111NE 11SMA-50-3-5 / 111NH 11SMA-50-3-55 / 199NE 11SMA-50-3-56 / 199NE 11SMA-50-3-56 / 199NH 11SMA-50-3- 6 / 111НЭ 11СМА-50-3-64 / -19НЭ 11СМА-50-3-65 / 119НЭ 11СМА-50-3-65 / 119НЭ 11СМА-50-3-66 / -19НЭ 11СМА-50-3-7 / 111НЭ 11SMA-50-3-77 / 119NH 11SMA-50-3-8 / 111NH 11SMA-50-4-50 / 133NE 11SMA-50-4-53 / 139NE 11SMA-50-5-1 / 111NE 11SMA-R50-3 -238 / 133NE 11SMA-R50-3-48 / 133NE 11SMA-R50-4-97 / 133NH 13SMA-50-0-2 / 111NE 16SMA 50-2-105 / 111NE 16SMA 50-2-105 / 111NH 16SMA-50 -1-1 / 111НЭ 16СМА-50-1-1 / 111НЭ 16СМА-50-2-103 / 111НЭ 16СМА-50-2-103 / 111НЭ 16СМА-50-2-106 / 111НЭ 16СМА-50-2-106 / 111НХ 16СМА-50-2-110 / 133НЭ 16СМА-50-2-112 / 133НЭ 16СМА-50-2-43 / 133НЭ 16СМА-50-2-53 / 119НЭ 16СМА-50-2-55 / 199НЭ 16СМА-50- 2-56 / 199NE 16SMA-50-3-100 / 199NE 16SMA-50-3-105 / 111NE 16SMA-50-3-106 / 111NH 16SMA-50-3-3 / 111NE 16SMA-50-3-3 / 111NH 16SMA-50-3-56 / 199NE 21SMA-50-1-1 / 111NE 21SMA-50-1-2 / 111NE 21SMA-50-2-15 / 111NE 21SMA-50-2-5 / 111NE 21SMA-50-2 -6 / 111NE 21SMA-50-3-15 / 111NE 21SMA-50-3-5 / 111NE 21SMA-50-3-6 / 111NE 22_SMA-50-0-53 / 199_NE 22SMA-50-0-1 / 111NE 22SMA — 50-0-10 / 111НЭ 22СМА-50-0-12 / 111НЭ 22СМА-50-0-12 / 111НЭ 22СМА-50-0-13 / 111НЭ 22СМА-50-0-15 / 111НЭ 22СМА-50-0-4 / 111НЭ 22СМА-50-0-4 / 111НЭ 22СМА-50-0-44 / 133НЭ 23СМА-50-0-1 / 111НЭ 23СМА-50-0-1 / 111НХ 23СМА-50-0-11 / 111НЭ 23СМА-50 -0-13 / 111НЭ 23СМА-50-0-167 / 199НЭ 23СМА-50-0-168 / 199НЭ 23СМА-50-0-2 / 111НЭ 23СМА-50-0-21 / 111НЭ 23СМА-50-0-3 / 111НЭ 23СМА-50-0-41 / 133НЭ 23СМА-50-0-51 / 199НЭ 23СМА-50-0-52 / 199НЭ 23СМА-50-0-53 / 199НЭ 23СМА-50-0-53 / 199НХ 23СМА-50- 0-61 / 199НЭ 23СМА-50-0-62 / 199НЭ 23СМА-50-0-63 / 199НЭ 23СМА-50-0-94 / 199НЭ 24СМА-50-1-3 / 111НЭ 24СМА-50-2-13 / 111НЭ 24SMA-50-2-13 / 111NH 24SMA-50-2-14 / 111NE 24SMA-50-2-14 / 111NH 24SMA-50-2-15 / 111NE 24SMA-50-2-41 / 133NE 24SMA-50-2 -41 / 133NH 24SMA-50-2-45 / 133NE 24SMA-50-2-45 / 133NH 24SMA-50-2-46 / 133NH 24SMA50246 / 133NH 24SMA-50-3-15 / 111NE 24SMA-50-3-42 / 133НЭ 25СМА-50-1-2 / 111НЭ 25СМА-50-1-4 / 111НЭ 25СМА-50-2-15 / 111НЭ 25СМА-50-2-25 / 111НЭ 25СМА-50-2-46 / 133НЭ 25СМА-50 -2-5 / 111НЭ 25СМА-50-2-6 / 111НЭ 25СМА-50-3-15 / 111НЭ 25СМА-50-3-25 / 111НЭ 27СМА-50-0-1 / 111НЭ 28СМА-50-0-1 / 111NE 29214-9 62SMA-0-0-1 / -11NE 64SMA-50-0-1 / 111NE 65SMA-50-0-36 / 111NE 65TNC-50-0-5 / 133NE 82SMA-50-0-1 / 111NE 82SMA -50-0-1 / 111NH 82SMA-50-0-41 / 133NE 82SMA-S50-0-45 / 111NE 85SMA-50-0-101 / 111NE 85SMA-5-0-0-101-111NH MICROBEND 2SR-3 11SMB-50-1-40 / 111NE 11SMB-50-2-13 / 111NE 11SMB-50-2-40 / 111NE 11SMB-50-2-40 / 111NH 11SMB50240 / 133NE 11SMB-50-2-41 / 111NE 11SMB5033 / 133НХ 16СМБ-50-1-40 / 111НЭ 16СМБ-50-1-50 / 111НЭ 16СМБ-50-2-110 / 111НЭ 16СМБ-50-2-110 / 111НХ 16СМБ-50-2-111 / 111НХ 16СМБ-50- 2-23 / 111НЭ 16СМБ-50-2-40 / 111НЭ 16СМБ-50-2-41 / 111НХ 16СМБ-50-2-50 / 111НЭ 16СМБ-50-2-50 / 111НХ 16СМБ-50-2-50 / 133НХ 16SMB-50-2-51 / 111NE 16SMB-50-2-51 / 133NE 16SMB-50-2-51 / 133NH 21SMB-50-1-10 / 111NE 21SMB-50-2-10 / 111NE 21SMB-50-2 -11 / 111NE 22SMB-50-0-2 / 111NE 22SMB50-0-5 / 111NE 24SMB-50-1-10 / 111NE 24SMB-50-1-10 / 111NH 24SMB-50-2-110 / 111NE 24SMB-50 -2-110 / 111NH 24SMB-50-2-110 / 133NH 24SMB-50-2-111 / 133NH 24SMB-50-2-13 / 111NE 81SMB-50-0-41 / 111NE 81SMB-50-0-41 / 111NH 82SMB-50-0-1 / 111NE 82SMB-50-0-1 / 111NH 82SMB-50-0-1 / 133NE 82SMB-S50-0-18 / 111NH 84S МБ-50-0-1 / 111NE 85SMB-50-0-1 / 111NE 85SMB-50-0-1 / 111NH 85SMB-50-0-1 / 133NE 85SMB-50-0-1 / 133NH 11SMC / 50/2 / 10 / 111NH 11SMC-50-1-10 / 111NH 11SMC-50-1-6 / 111NE 11SMC-50-2-10 / 111NE 11SMC-50-2-10 / 133NE 11SMC-50-2-11 / 111NE 11SMC -50-2-5 / 111NE 16SMC-50-1-10 / 111NE 16SMC-50-1-20 / 111NE 16SMC-50-2-10 / 111NE 16SMC-50-2-11 / 111NE 16SMC-50-2- 20 / 111NE 16SMC-50-2-25 / 111NE 16SMC-50-2-25 / 111NH 21SMC-50-2-10 / 111NE 22SMC-50-0-2 / 111NE 22SMC-50-0-3 / 111NE 24SMC- 50-1-10 / 111NE 24SMC-50-2-110 / 111NE 82SMC-50-0-1 / 111NE 85SMC-50-0-1 / 111NE 11SMS-50-1-10 / 111NE 81SMS-50-0-1 / 111НЭ 81СМС-50-0-1 / 111НХ 31БМА-СМА-50-1 / 1-9УЭ 31СМА-СМБ-50-1 / 111УЭ 32БМА-СМА-50-1 / 199УЭ 33БМА-СМА-50-1 / 199УЭ 33СМА -BMA-50-1 / 1-9UE 33SMA-SMB-50-1 / 111NE 33SMB-SMA-50-1 / 111UE 34BMA-SMA-50-2 / 1UE 35BMA-SMA-50-1 / 193UE 36BMA-SMA- 50-1 / 199УЭ 37БМА-СМА-50-1 31СМА-50-0-100 / 111НЭ 31СМА-50-0-51 / 199НЭ 31СМБ-50-0-1 / 111НЭ 31СМС-50-0-1 / 111НЭ 32СМА- 50-0-100 / 111НЭ 32СМБ-50-01 / 111НЭ 32СМА-50-0-1 / 111НЭ 33СМА-50-0-1 / 111НЭ 33СМА-50-0-51 / 199НЭ 33СМА-50-0-52 / 199НЭ 34СМА-50-0-1 / 111 NH 34SMA-50-0-1 / 111UE 34SMB-50-0-3 / 111NE 34SMC-50-0-2 / 111NE 37SMA-50-0-1 / 111NE 43SMA-50-0-1 / 111NE 43SMB-50- 0-2 / 111NE 46SMA-50-0-1 / 111NE 46SMB50-0-2 / 111NE 46SMC-50-0-2 / 111NE 53SMA-R50-0-3 / 111NE 11_SMA-50-4-63 / 139NH 11SMA- 50-2-12 / 111НЭ 11SMA-50-2-41 / 133NH 11SMA-50-2-42 / 133NE 11SMA50255 / 199NH 11SMA-50-3-14 / -11NE 11SMA-50-3-15-111H-HP 11SMA -50-3-16 / -11NE 11SMA-50-3-45 / 133NE 11SMA-50-3-45 / 133NH 11SMA-50-3-46 / 133NE 11SMA-50-3-46 / 133NH 11SMA-50-3 -7 / 133НЭ 11СМА-50-3-70 / 199НЭ 11СМА-50-3-8 / 111НЭ 11СМА-50-4-60 / 133НЭ 11СМА-50-4-60 / 133НХ 11СМБ-50-1-10 / 111НЭ 11СМБ -50-1-40 / 111NH 11SMB-50-1-6 / 111NE 11SMB-50-2-10 / 111NE 11SMB-50-2-10 / 111NH 11SMB-50-2-10 / 133NE 11SMB-50-2- 11 / 111НЭ 11СМБ-50-2-11 / 111НХ 11СМБ-50-2-11 / 133НХ 11СМБ-50-2-41 / 111НХ 11СМБ-50-2-42 / 133НХ 11СМБ-50-2-5 / 111НЭ 11СМК- 50-1-10 / 111NE 11SMC-50-2-13 / 111NE 11SMC-50-2-5 / 111NH 12SMA-50-0-13 / 111NE 13SMA-50-0-172 / 199NE 13SMA-50-0-51 / 199NE 13SMA-50-0-52-199NE 13SMA-50-0-53 / 199NE 13SMA-50-0-62 / 199NE 16_SMA-50-2-111 / 133_NE 16SMA 50-2-105 / 111NH 16SMA-5 0-2-141 / 133NE 16SMA-50-2-141 / 133NH 16SMA-50-2-141 / 133UH 16SMA-50-2-145 / 133NE 16SMA-50-3-106 / 111NE 16SMA-50-3-13 / 133НЭ 16СМА-50-3-14 / 133НЭ 16СМА-50-3-146 / 133НЭ 16СМА-50-3-15 / 133НЭ 16СМА-50-3-43 / 133НЭ 16СМА-50-3-43 / 133НХ 16СМА-50 -3-53 / 119НЭ 16СМА-50-3-53 / 119НЭ 16СМА-50-3-53 / 119НХ 16СМА-50-3-55 / 199НЭ 16СМБ-50-1-10 / 111НЭ 16СМБ-50-1-20 / 111НЭ 16СМБ-50-1-5 / 111НЭ 16СМБ-50-2-110 / 133УЭ 16СМБ502110133НЭ 16СМБ-50-2-111 / 133УЭ 16СМБ-50-2-20 / 111НЭ 16СМБ-50-2-20 / 133НЭ 16СМБ-50 -2-21 / 133НЭ 16СМБ-50-2-40 / 133НЭ 16СМБ-50-2-5 / 111НЭ 16СМЦ-50-2-5 / 111НЭ 18СМА-50-0-1 / 111НЭ 21СМА-50-2-5 / 111NH 21SMA-50-3-18 / 111YH 21SMA-50-3-47 / 111YH 21SMA-50-3-7 / 111NE 21SMA-50-3-70 / 199NE 21SMA-50-4-52 / 133NE 21SMB-50- 2-13 / 111NE 21SMB-50-2-4 / 111NE 21SMC-50-1-10 / 111NE 22SMA-50-0-10 / 111NH 22SMA-50-0-11 / 111NE 22SMA-50-0-14 / 111NE 22SMA-50-0-2 / 111NE 22SMA-50-0-203 / 111NH 22SMA-50-0-54 / 199NE 22SMA-50-0-6 / 111NE 22SMB-50-0-11 / 111NE 22SMB-50-0 -3 / 133NE 22SMB-50-0-5 / 111NE 22SMC-50-0-3 / 133NE 22SMC-50-0-5 / 111NE 22SMC-50-0-5 / HP-NE 23SMA-50-0-120 / 111НЭ 23СМА-50-0-165 / 199НЭ 23СМА-50-0-166 / 199НЭ 23СМА-50-0-22 / 111НЭ 23СМА-50-0-220 / 133НГ 23СМА50-0-32 / 111НЭ 23СМА50-0-324 / 111НЕ 23СМА-50-0-35 / 111НЭ 23СМА-50-0-4 / 111НЭ 23СМА-50-0-54 / 199НЭ 23СМА-50-0-6 / 111НЭ 23СМА-50-0-71 / 199НЭ 23СМА-50- 0-81 / 199NE 24BMA-50-3-16 / 199NE 24SMA-50-2-41 / 111YH-1 24SMA-50-2-43 / 133NE 24SMA-50-2-7 / 111NH 24SMA-50-3-41 / 133НЭ 24СМА-50-3-42 / 133УХ 24СМА-50-3-70 / 199НЭ 24СМБ-50-2-10 / 111НЭ 24СМБ-50-2-110 / 133НЭ 24СМБ-50-2-111 / 133НЭ 24СМБ-50 -2-5 / 111NE 24SMB-50-2-9 / 133NH 24SMC-50-1-10 / 111NH 24SMC-50-2-10 / 111NE 24SMC-50-2-13 / 111NE 25SMA-50-3-6 / 111НЭ 27СМБ-50-0-1 / 111НЭ 27СМЦ-50-0-1 / 111 28СМА-50-0-147 / 133УГ 28СМА-50-0-41 / 133НЭ 28СМА-50-0-41 / 133НЭ 28СМА-50- 0-42 / 133NE 28SMA-50-0-54 / 199NH 29SMC-50-2-10 / 111NE 31SMB-50-0-1 / 133NE 32N-SMC-50-1 33SMA-N-50-51 / 199NE 34_N- SMB-50-1 / 1-UE 34N-SMA-50-2 / HP-NE 34SMA-50-0-1 / 111QE 34SMC-50-0-3 / 111NE 37N-SMA-50-2 / HP NE 39BMA- СМА-50-2 / 199УЭ 41СМБ-50-0-1 / 111НЭ 43СМБ-50-0-2 / 111НЭ 44СМБ-50-0-1 / 111НЭ 44СМЦ-50-0-1 / 111НЭ 62СМА-0-0-51 / 1НЭ 62СМА-0-0-51 / -99 Э 62SMA-0-0-8 / — 3E 63SMA-50-0-1 / 111NE 63SMA-50-0-101 / 111NE 65SMA-50-0-1 / 111NH 65SMA-50-0-20 / 111NH 65SMA- 50-0-3 / 111NE 65SMC-50-0-1 81SMB-50-0-1 / 111NE 82SMS-50-0-1 / 111NE 82SMS-50-0-1 / 133NE 83SMC-0-2-2 / — 11NE 84SMC-50-0-1 / 111 85SMA-50-01-1 / 111 85SMA-50-0-144 / 111YE 85SMA-50-0-144 / 111YH 85SMA-50-0-42 / 133NE 85SMA-50- 0-43 / 133NE 85SMA-50-0-44 / 133NE 85SMB-50-0-13 / 111NH 85SMS-50-0-1 / 111NE 86SMC-50-2-2 / 111NE 11SMA-50-4-101 / 199NE 16SMA-50-4-165 / 199NE 16SMA-50-4-55 / 199NE 65BMA-50-0-1 / 199NE 65SMA-50-0-1 / 111NE 65SMA-50-0-20 / 111YE 65SMA-50-0 -35 / 111YE 6610 SMA-50-1 / 199NE
.