148 гпк рф: ГПК РФ Статья 148. Задачи подготовки дела к судебному разбирательству / КонсультантПлюс

Содержание

определение, понятие, новые правила, специфические особенности применения закона

В действующем законодательстве закреплены правила судопроизводства, обеспечивающие правильное и своевременное разрешение дел. Их соблюдение способствует реализации процессуальных задач, поставленных перед судебной системой. При этом система судопроизводства постоянно развивается, совершенствуются методы, средства ведения разбирательства, корректируются его этапы. Одной из важнейших стадий судопроизводства считается сегодня подготовка дела к слушанию. Основные этапы этой стадии рассмотрены в ст. 148 ГПК РФ. С комментариями и особенностями применения нормы ознакомимся далее.

Содержание статьи

По ст. 148, в задачи подготовки дела к судебному разбирательству входят:

  1. Уточнение обстоятельств, значимых для правильного разрешения спора.
  2. Определение нормативного акта, которым необходимо руководствоваться при рассмотрении дела.
  3. Установление характера и вида правоотношения сторон.
  4. Выяснение вопроса о составе субъектов, участвующих в споре, иных лиц, привлеченных к разбирательству.
  5. Предоставление необходимых доказательств субъектами.

Кроме этого, в ходе подготовительного этапа предпринимаются меры по примирению сторон.

Норма 148 ГПК РФ: комментарии

Реализация процессуальных задач, закрепленных в статье, обеспечивает своевременное и правильное разрешение дела. Они имеют тесную связь друг с другом и отражают ключевые направления деятельности не только судьи, но и иных субъектов процесса на подготовительном этапе.

Согласно положениям ч. 1 ст. 12 ГПК, судопроизводство в России осуществляется на основании равноправия и состязательности сторон. Каждый участник спора, в соответствии с ч. 1 ст. 56 Кодекса, должен доказать те факты, на которые он ссылается и представляет в качестве оснований своих требований либо возражений, если другое правило не закреплено законом. Вместе с тем в процессуальных нормах отражены обязанности самой судебной инстанции в состязательном процессе.

Сохраняя беспристрастность, объективность, независимость, суд руководит процессуальной деятельностью, обеспечивает решение задач подготовки дела. Ст. 148 закрепляет общий их перечень. Решение каждой задачи предполагает совершение определенных действий судьей. Так, он должен разъяснить участникам процесса их обязанности и права, предупредить о последствиях тех или иных действий либо бездействия. Немаловажное значение имеет и обязанность оказывать содействие при реализации субъектами их прав.

Деятельность судебной инстанции должна быть ориентирована на формирование условий для полного, всестороннего изучения представленных доказательств, выявления фактических обстоятельств, правильного применения норм права при разрешении спора.

На основании возражений и требований участников дела, с учетом законодательства, подлежащего применению, суд устанавливает обстоятельства, значимые для урегулирования конфликта. При этом он вправе предложить субъектам предоставить дополнительные доказательства.

Согласно ст. 148 ГПК РФ, задачей подготовки дела к судебному разбирательству является примирение сторон. Несомненно, она реализуется далеко не всегда. Тем не менее суд обязан предпринять все возможные и допустимые законом меры для заключения сторонами мирового соглашения. Этот способ разрешения конфликта считается наиболее экономичным и разумным.

Формулирование предмета доказывания

Анализируя ст. 148 ГПК РФ с изменениями от 03.04.2018, можно отметить, что первая и вторая задачи, отраженные в норме, тесно связаны друг с другом.

Деятельность, направленная на уточнение обстоятельств, значимых для разрешения спора, предполагает мыслительную работу по формулированию предмета доказывания. Для правильного его определения следует, в свою очередь, установить характер отношений между сторонами, а также закон, который будет использоваться при разрешении конфликта.

Вместе с тем без установления фактических обстоятельств, которые должны быть включены в предмет доказывания, невозможно верно определить правоотношения между субъектами и норму права, подлежащую применению. Из этого следует, что указанные в ст. 148 ГПК РФ действия не могут осуществляться обособленно друг от друга.

Важный момент

Юридические факты, подлежащие доказыванию, судья устанавливает с участием сторон, а также иных лиц, привлеченных к разбирательству. Необходимо учитывать, что эти субъекты могут заблуждаться по поводу предмета доказывания. Однако судья жестко не связан с обстоятельствами, на которые они указывают. Принимая во внимание нормы материального права, он вправе включить в содержание предмета доказывания и дополнительные обстоятельства, исключить какие-то уже имеющиеся факты из него, если сочтет, что они не имеют значения для спора.

Определение состава лиц

Как показывает практика применения положений ст. 148 Гражданско-процессуального кодекса РФ, зачастую решения судов отменяются в связи с невыполнением задачи по установлению возможного субъектного состава производства. Перечень лиц, привлекаемых к делу и имеющих общественный либо личный интерес в его разрешении, приводится в ст. 34 Кодекса.

Для обеспечения своевременного и правильного разбирательства судья с учетом конкретных фактов и обстоятельств обязан точно установить не только субъектный состав сторон, но и иных лиц, задействованных в процессе. Речь, в частности, о представителях, свидетелях, экспертах, переводчиках и проч.

Предоставление доказательств

Специфика статуса суда в состязательном судопроизводстве должна приниматься во внимание при реализации одной из важнейших задач, закрепленной в статье 148 ГПК РФ. Речь о предоставлении необходимых доказательств. На судью возлагается обязанность уже на этапе подготовки создать надлежащие условия для полного и всестороннего изучения обстоятельств и фактов, имеющих значение для рассмотрения и правильного разрешения спора.

Доказательства могут быть представлены не только сторонами, но и иными лицами, привлеченными к делу. Однако судья, учитывая предмет доказывания, характер правоотношений между субъектами и материально-правовые нормы, регламентирующие их, разъясняет, на кого именно возлагается бремя доказывания, какие аргументы необходимо привести в подтверждение своей позиции. Немаловажное значение для реализации не только этой, но и других задач, закрепленных статьей 148 ГПК РФ, имеет указание судом на последствия непредставления тех или иных сведений.

Обязанность суда

Безусловно, в ходе подготовки дела необходимо установить, существуют ли препятствия для получения доказательств, и если они есть, то какие именно. Суд обязан оказать всестороннее содействие по сбору и представлению сведений, имеющих значение для процесса.

Примирение сторон

Существует несколько принципов, на которых основывается любое судебное разбирательство. Все они закрепляются в Гражданско-процессуальном кодексе. В ст. 148 в числе задач, стоящих перед судом на этапе подготовки, указано примирение сторон. В силу принципа диспозитивности, участники производства уже на подготовительной стадии вправе урегулировать свои правоотношения путем заключения соглашения. Если действия субъектов не противоречат нормам законодательства, не ущемляют интересы иных лиц, то общие цели и задачи судопроизводства реализуются максимально эффективно.

Вопрос о мерах, направленных на примирение сторон, встает перед судьей непосредственно после принятия иска к своему производству. Его решение требует не только выяснения сущности конфликта, возникшего между истцом и ответчиком, но и понимания мотивов их поведения, индивидуальных особенностей участников, их психологического настроя. Судья должен учитывать эти факторы при выборе конкретных методов правового воздействия на сознание конфликтующих сторон с целью формирования у них взаимного желания урегулировать спор мирным путем.

Взаимосвязь задач с другими элементами процессуальной системы

Задачи, закрепленные ст. 148 ГПК РФ, следует рассматривать как ключевые направления деятельности судебной инстанции и прочих участников процесса, закрепленные законодательством. Следовательно, они непосредственно связаны с примерным перечнем подготовительных и других возможных действий, обеспечивающих их выполнение. Речь, в частности, о положениях статей 149, 150 Кодекса.

Безусловно, далеко не всегда все предусмотренные законом подготовительные процессуальные действия совершаются на практике. Однако задачи, закрепленные ст. 148 ГПК РФ, должны выполняться в полном объеме. Исключением, пожалуй, может быть только примирение сторон. Дело в том, что ожидаемый результат – урегулирование спора и заключение соглашения – может достигаться исключительно по взаимной воле сторон и, следовательно, полностью будет зависеть от их усмотрения.

Специфика подготовительных действий

Как показывает анализ положений статей 149, 150 ГПК, не все действия, предусмотренные в них, направлены на реализацию задач, установленных ст. 148 ГПК РФ. В частности разрешение вопроса, связанного с обеспечением иска (пункт 12 части 1 нормы 150), необходимо для обеспечения исполнения судебного решения. Здесь стоит указать на один нюанс. Строго говоря, деятельность по обеспечению выполнения решения (в отличие, к примеру, от обеспечения доказательств) не имеет непосредственной связи с положениями 148-й статьи. Разрешить своевременно и правильно спор вполне можно и без принятия обеспечительных мер.

Другое дело, что своевременное и правильное разбирательство необходимо не само по себе. Оно нужно для охраны свобод, интересов и прав сторон, а также для достижения иных целей правосудия. Следовательно, они не будут реализованы, если решение, хотя и правильное и своевременное, не будет выполнено вследствие непринятия обеспечительных мер.

Разъяснение обязанностей и прав

Это действие является общим для любого гражданского дела. Судья обязан разъяснить участникам процесса их обязанности и права. Важно, чтобы субъекты уже на подготовительном этапе были о них осведомлены и активно участвовали в процессуальной деятельности.

Разъяснение обязанностей и прав сторонам и другим лицам, привлеченным к делу, в ст. 148 ГПК РФ не отражено в качестве самостоятельной задачи. Вместе с тем без ее реализации нельзя совершить многие другие процессуальные действия. Надо сказать, что о необходимости разъяснения лицам их процессуального статуса говорится в нескольких пунктах статьи 150 ГПК. Однако и в тех из них, где отсутствует ссылка на соответствующую обязанность судьи, без разъяснения обойтись никак нельзя. К примеру, при вынесении постановления о назначении экспертизы, суд должен применить ст. 79.

Заключение

Предварительный этап судебного процесса был официально закреплен в законодательстве сравнительно недавно. Цель этой стадии состоит в закреплении действий сторон, совершенных во время подготовки дела, установление обстоятельств и фактов, имеющих значение для его правильного рассмотрения и разрешения, определение полноты и достаточности доказательств, изучение фактов пропуска исковых сроков.

По завершении заседания председательствующий, учитывая мнение участников, оценивает степень готовности материалов к разбирательству по существу. Решив все вопросы, вынесенные на подготовительную стадию, судья предоставляет субъектам возможность высказаться о назначении слушания.

Если будет установлено, что дело готово к рассмотрению по существу, выносится определение. Обычно к разбирательству приступают незамедлительно после принятия данного акта в этом же заседании. Соответствующая отметка делается в протоколе. Если же будет назначена другая дата, то существует риск возникновения препятствий для последующего движения дела (неявка субъектов, утеря доказательств и проч.).

6207 — Архив судебных решений

Судебная коллегия по гражданским делам Санкт-Петербургского городского суда в составе:

председательствующего

Сухаревой С.И.

судей

Ильинской Л.В. и Кудасовой Т.А.

при секретаре

Юрченко Т.А.

рассмотрела в открытом судебном заседании 26 апреля 2012 года частную жалобу Керимова Г. Ш.о на определение Кировского районного суда Санкт-Петербурга от 16 марта 2012 года по заявлению Керимова Г. Ш.о об оспаривании постановления о возбуждении исполнительного производства,

Заслушав доклад судьи Сухаревой С.И., судебная коллегия по гражданским делам Санкт-Петербургского городского суда

УСТАНОВИЛА:

Керимов Г. Ш.о обратился в Кировский районный суд Санкт-Петербурга с заявлением об оспаривании постановления о возбуждении исполнительного производства.

Определением Кировского районного суда Санкт-Петербурга от 16 марта 2012 года заявление оставлено без движения, заявителю предложено представить копию решения Всеволожского городского суда по делу №…, на резолютивную часть, которого ссылается Керимов Г.Ш. оглы.

В частной жалобе Керимов Г.Ш. оглы просит отменить названное определение суда, считая его незаконным, указывая, что дополнительные доказательства по делу, в том числе и решение суда, в случае их необходимости, могут быть представлены в порядке подготовки дела к судебному разбирательству.

Судебная коллегия, исследовав материалы по жалобе, обсудив доводы частной жалобы, находит определение суда подлежащим отмене по следующим основаниям.

В соответствии с ч. 1 ст. 136 ГПК РФ, судья, установив, что заявление подано в суд без соблюдения требований, установленных в статьях 131 и 132 ГПК РФ, выносит определение об оставлении заявления без движения, о чем извещает лицо, подавшее заявление, и предоставляет ему разумный срок для исправления недостатков.


Требования, предъявляемые к форме искового заявления, его содержанию и документам, которые прилагаются к исковому заявлению, определены в ст. 131, 132 ГПК РФ.

Из текста заявления Керимова Г.Ш. оглы усматривается, что названные требования действующего законодательства заявителем выполнены и к заявлению приложены: копия заявления для заинтересованных лиц, копия обжалуемого постановления судебного пристава-исполнителя, копия доверенности представителя, указаны обстоятельства, на которых заявитель основывает свои требования и доказательства, подтверждающие эти обстоятельства.

Предоставление доказательств возможно на стадии подготовки дела к судебному разбирательству (ст. 148 ГПК РФ).

В соответствии со ст.150 ГПК РФ при подготовке дела к судебному разбирательству суд, в случае необходимости, предлагает истцу представить дополнительные доказательства в определенный срок.

При изложенных обстоятельствах основания для оставления заявления без движения, указанные судьей в обжалуемом определении, не основаны на законе, в связи с чем судебное постановление нельзя признать законным и обоснованным, оно подлежит отмене.

Руководствуясь ст. 334 Гражданского процессуального кодекса Российской Федерации, судебная коллегия

ОПРЕДЕЛИЛА:

Определение Кировского районного суда Санкт-Петербурга от 16 марта 2012 года отменить.

Председательствующий:

Судьи:


Электронный текст документа
подготовлен ЗАО «Кодекс» и сверен по:
файл-рассылка

Продление подготовки дела к судебному разбирательству

Точное и неуклонное соблюдение требований закона о проведении надлежащей подготовки гражданских дел к судебному разбирательству является одним из условий правильного, качественного и своевременного их рассмотрения и разрешения. По действующему законодательству суды должны приступать к судебному разбирательству только после того, как выполнена подготовка по делу[2]. Она определяет не только своевременность, но и правильность рассмотрения дела и разрешения спора по существу, нарушение которых может привести к вынесению незаконных решений, которые впоследствии отменяются судом вышестоящей инстанции. В науке гражданского процессуального права существуют различные варианты понятия подготовки гражданского дела.

Однако, несмотря на всю важность подготовки гражданского дела, уровень качества которой является фактором, влияющим на длительность рассмотрения споров[3], ГПК РФ не содержит нормативного положения, раскрывающего понятие подготовки гражданского дела.

К.С. Юдельсон утверждал, что назначение подготовки состоит в том, чтобы подготовить к разбирательству спора все необходимое и создать возможность, не откладывая дело слушанием, правильно разрешить его в одном судебном заседании[4].

В.К. Пучинский, в свою очередь, рассматривал подготовку гражданского дела, как особую стадию гражданского процесса, целью которой является совершение судьей необходимых мероприятий, дающих возможность вынести в одном судебном заседании справедливое решение[5].

Под подготовкой гражданских дел П.Я. Трубников подразумевал «самостоятельную часть производства в суде первой инстанции, имеющей целью обеспечение своевременного и правильного их разрешения», возлагая обязанность по совершению всех необходимых действий на судью[6].

Анализируя приведенные точки зрения, приходим к выводу о том, что содержание подготовки гражданского дела связывалось с действиями судьи, как единственным активным субъектом рассматриваемой стадии. Такой подход связан с действовавшим в то время процессуальным законодательством, ограничивавшим действие принципа состязательности при подготовке гражданских дел и наделявшим активными полномочиями только судью.

В настоящее время ГПК РФ[7] возлагает обязанность по совершению необходимых подготовительных действий также на лиц, участвующих в деле.

В связи с этим понятие подготовки стали рассматривать иначе – процессуальные действия совершаются не только судом, но и лицами, участвующими в деле.

Но вернемся к вопросу о сроках. Характер подготовки в законодательстве — обязательный. Но тут возникает вопрос о сроках ее проведения, поскольку срок ни в ГПК РФ, ни в Постановлении Пленума Верховного Суда не указан.

Общий срок рассмотрения гражданского дела в суде первой инстанции составляет два месяца, однако срок подготовки входит в общий срок рассмотрения дела. Опираясь на данный вывод, сложно определить срок подготовки по делу, а также сколько раз судья может продлить подготовку по делу.

На практике судьи имеют различную точку зрения. Проведенное анкетирование судей показало, что 40 процентов высказались за проведение по делу одной подготовки по делу. Аргументы были следующие: поскольку срок рассмотрения дела и так столь невелик, что тратить время на подготовку нет смысла, поскольку некоторые вопросы можно выяснить и в судебном заседании, также указывая на то, что сторона по делу, такая как ответчик, может не явиться на подготовку и это не будет являться основанием для ее продления. Вопрос с доказательствами и определением норм права, с помощью которых будет разрешено дело, можно вынести либо в процессе принятия иска, либо на предварительном судебном заседании, где можно на основании ч. 3 ст. 152 выйти за срок, тем самым продлив и общий срок рассмотрения гражданского дела.

Остальные же 60 процентов судей, обосновывая свою точку зрения, исходили из основных целей подготовки, определенных ст. 148 ГПК. По их мнению, к судебному разбирательству, для того чтобы выходить в процесс, дело должно быть полностью подготовлено, должны быть собраны все необходимые доказательства, поэтому для достижения данной цели при необходимости можно продлить подготовку по делу, при этом вынеся определение о продлении подготовки, в котором необходимо указать – какие действия дополнительно необходимо совершать лицам, участвующим в деле. Также они считают, что поскольку гражданское судопроизводство –  сложная последовательная процедура, требующая соблюдения всех стадий, то публично уточнять значимые для дела обстоятельства в судебном заседании менее рационально, чем совершать это на стадии подготовки дела к судебному разбирательству.[8]

В настоящее время ГПК РФ не содержит сроков реализации рассматриваемой стадии, что является положительным моментом. Судья, исходя из обстоятельств каждого конкретного дела, может по своему усмотрению определить сроки проведения подготовки, а при необходимости продлить их с целью представления доказательств именно на данной стадии процесса.

Невозможность формального подхода к срокам подготовки гражданских дел также обозначена в ч. 3 ст. 152 ГПК РФ, согласно которой по сложным делам с учетом мнения сторон судья может назначить срок проведения предварительного судебного заседания, выходящий за пределы установленных настоящим Кодексом сроков рассмотрения и разрешения дел.

Приведенная норма права свидетельствует о необходимости проведения индивидуальной подготовки каждого гражданского дела в сроки, позволяющие совершить все необходимые процессуальные действия.

Тщательная подготовка гражданского дела, в свою очередь, непосредственно сократит процессуальные расходы, связанные с проведением неоднократных судебных заседаний, и позволит суду вынести законное и обоснованное решение в первом же судебном заседании.

Таким образом, можно сделать вывод о соответствии подготовки гражданского дела критериям, предъявляемым к самостоятельным стадиям цивилистического процесса.

М.С. Строгонович совершенно справедливо отмечает, что суду не дают в готовом виде факты и не указывается норма права, при помощи которой дело будет решено[9].

Подготовка гражданского дела не может и не должна сводиться к формальному набору процессуальных действий, осуществляемых единолично судьей, а, напротив, должна осуществляться также и лицами, участвующими в деле, с учетом особенностей каждого конкретного дела. Надлежащее проведение подготовительных действий не только обеспечит реализацию принципов гражданского судопроизводства, но и позволит достичь необходимого процессуального результата в кратчайшие сроки, в том числе посредством применения на данной стадии судопроизводства мер по мирному урегулированию спора.

Таким образом, правовое регулирование положений ст. 147 ГПК РФ в части сроков подготовки и возможности ее продления нуждается в дальнейшем совершенствовании.



[1] Пучинский В.К. Подготовка гражданских дел к судебному разбирательству. М.: Государственное издательство юридической литературы, 1962. С. 2.

[2] См.: Гражданский процессуальный кодекс Российской Федерации от 14. 11.2002 № 138-ФЗ (ред. от 03.07.2016) // Российская газета.  2002. 20.11. № 220.

[3] Брант И.Н. Факторы, влияющие на своевременность рассмотрения гражданских дел // Актуальные вопросы юридической науки и практики. 2004. N 8. С. 3.

[4] Юдельсон К.С. Советский гражданский процесс. М.: Государственное издательство юридической литературы, 1956. С. 13 — 14.

[5] Пучинский В.К. Подготовка гражданских дел к судебному разбирательству. М.: Государственное издательство юридической литературы, 1962. С. 39 – 40.

[6] Гражданский процесс: Учебник для вузов / Под ред. М.С. Шакарян. М.: Былина. 1996. С. 187.

[7] Собрание законодательства Российской Федерации. 2002. N 30. Ст. 3012.

[8] Анкетирование проведено автором в сентябре 2016 года  среди судей в Тверском, Таганском и Басманном районный судах г. Москвы. Вопросы предлагались следующего характера: 1.  Считаете ли Вы возможным продлить подготовку по делу, либо стоит ее проводить один раз?

[9] Строгонович М. С. Материальная истина и судебные доказательства в советском уголовном процессе. М.: Изд-во АН СССР, 1955. С. 13.

корреляционная светоэлектронная микроскопия выявила тубулярно-мешотчатую ультраструктуру переносчиков, действующих между аппаратом Гольджи и плазматической мембраной | Журнал клеточной биологии

Установив общую структуру и динамику ГПК, мы хотели определить их морфологию и взаимоотношения с другими органеллами с более высокой степенью детализации на тонких (40–60 нм) срезах. Поскольку наш текущий протокол корреляционной микроскопии не позволяет делать такие срезы, мы прибегли к традиционному протоколу блокады при 20 ° C с последующей фиксацией и мечением иммунопероксидазой в разное время после перехода на 32 ° C.Рис. 6а подтверждает, что, как и ожидалось, грузовой белок сохранялся в аппарате Гольджи при 20°С. Интересно, что он присутствовал не только в TGN, но также в медиальных и трансцистернальных цистернах. Цис-Гольджи, ER и PM не были помечены. Через 5–10 мин от сдвига до 32°С по всей цитоплазме появлялись многочисленные объекты, меченные ВСВГ. Как подробно описано ниже, общий размер и форма этих тел были трубчато-мешковидными, как у ГПК, идентифицированных с помощью коррелятивной микроскопии. Поэтому мы предполагаем, что они являются ГПК.Параллельно с формированием ГПК интенсивность метки комплекса Гольджи уменьшалась (рис. 6, б). Однако транс-компоненты стопок оставались окрашенными до 30 минут после прогрева (данные не показаны). На одиночных срезах ГПК представляли собой длинные трубочки диаметром 50–250 нм (рис. 6, б–е) или скопления трубочек. GPC были одинаковыми в клетках независимо от того, подверглись они блокированию при 20°C или нет (рис. 6c). Также были видны некоторые округлые профили, скорее всего, поперечно-разрезанные канальцы (см. ниже) и мешковидные структуры (рис.6 д). Потенциально важным наблюдением было то, что часть GPC была тесно связана с эндосомами (данные не показаны). Однако, поскольку однозначной преемственности между двумя структурами не установлено, актуальность таких контактов остается неясной. Некоторые ГПК располагались вблизи самой транс-цистерны Гольджи (рис. 6б и рис. в). Иногда появлялись окрашенные GPC-подобные тела, связанные с ПМ. На первый взгляд, эти структуры могут быть либо GPC, подвергающимися слиянию, как те, что видны с помощью коррелятивной световой ЭМ, либо, альтернативно, эндоцитарными канальцами, содержащими VSVG (рис.6f и рис. g). Однако последний случай можно исключить на основании экспериментов с эндоцитарными маркерами WGA, лектинами AlloA и катионизированным золотом. Когда эти меченые золотом трассеры добавлялись перед высвобождением из 20-градусного блока, частицы золота обнаруживались на поверхности клеток, в покрытых клатрином везикулах, некоторых канальцах и мультивезикулярных тельцах (рис. 6 д). Однако они никогда не были обнаружены в GPCs или в VSVG-положительных канальцах, связанных с мембраной (Fig. 6e). Таким образом, изображения на рис. 6е и рис. ж, скорее всего, соответствуют ГПК, сливающимся с ПМ.Когда для трехмерной реконструкции использовались серийные срезы, было показано, что многие из ГПК, которые проявлялись на отдельных срезах в виде канальцев (рис. 7, а–з), на самом деле представляли собой плоские цистерноподобные мешочки (рис. 7i и рис. j). . Однако другие GPC были настоящими канальцами. Наиболее часто встречались трубчато-мешковидные формы. Как отмечалось выше, ГПК напоминали тубулярно-мешотчатые мембраны ТГН и иногда располагались в областях, где ТГН имел так называемый отслаивающийся вид (Ладинский и др., 1994; Клермонт и др., 1995). Таким образом, были необходимы серийные срезы, чтобы определить, принадлежат ли структуры, окрашенные для VSVG, к TGN или к отделяющимся GPC.Окрашенные добросовестные везикулы (определяемые как круглые профили, не окруженные соответствующими изображениями в двух соседних срезах) практически отсутствовали. Вместо этого можно было увидеть множество неокрашенных везикул вокруг стопок Гольджи (рис. 6с), что, кстати, указывает на то, что наша процедура фиксации сохраняет везикулярные структуры.

Интерферометр AdvLIGO Sensing and Control… — LIGO — Caltech

LIGO-T070247-01-IAbstractМы представляем концептуальный проект и сопутствующий анализ усовершенствованного детектора LIGO интерферометра < strong>Подсистема обнаружения и управления.1 Описание подсистемы ISC1.1 Контекст подсистемыПодсистема интерферометра обнаружения и управления (ISC) отвечает за поддержание оптического резонанса < сильное>и оптическое выравнивание в интерферометре Фабри-Перо Майкельсона с двойной переработкой (DRFPM). Сюда входят фотодетекторы, электроника демодуляции, аналого-цифровой преобразователь иаппаратное обеспечение компьютера и программное обеспечение. ISC взаимодействует с подсистемой подвески (SUS) для приведения в действие оптики, и с предварительно стабилизированным лазером (PSL) для приведения в действие на частоте лазера. За разработку схемы модуляции и отвечает ISC. Модуляция осуществляется входной оптикой (IO) в соответствии с требованиями ISC. 1.2 Состояние работы Система ISC должна привести интерферометр из разблокированного состояния в конфигурацию, подходящую для сбора научных данных.Это будет включать следующие состояния работы: 1. Приобретение. В этом состоянии длины степеней свободы переходят от глобального неконтролируемого к глобально контролируемому, и доводятся до своих рабочих точек.2. Переход. На этом этапе параметры интерферометра, такие как топология управления, входная мощность и переключаемые фильтры, изменяются с оптимальных значений для захвата блокировки на конфигурацию, подходящую для сбора научных данных.3. Научный режим. Это традиционный научный режим, известный из первоначальной работы LIGO, во время которого собираются научные данные. 1.3 Режимы работы Система ISC предназначена для работы в различных научных режимах, которые имеют разные уровни операционной сложности < strong>и разные спектры чувствительности. В частности, мы предлагаем проектирование для режимов, перечисленных ниже, которые, как мы предполагаем, расположены примерно в хронологическом порядке реализации. Спектры деформационного шума для этих мод представлены на рис.1 и рабочие параметры приведены в таблице 1. режим 0 В этом режиме нет рециркуляции сигнала (пропускание СРМ 100%), и минимальная потребляемая мощность (25 Вт). Поскольку эта конфигурация очень похожа на первоначальный интерферометр LIGO, мы ожидаем, что сможем начать работать в этом режиме довольно быстро, и начать собирать данные со значительно лучшей чувствительностью, чем начальный LIGO.стр. 1

LIGO-T070247-01-Imode 1 В этом режиме происходит широкополоснаяи рециркуляция сигнала (т. е. нет расстройки резонатора рециркуляции сигнала). Кажется, что в этом режиме легче получить хорошие сигналы ошибки для всех степеней свободы, и, конечно же, нет необходимости управлять нестабильной оптической пружиной. Этот режим мог работать с различной входной мощностью (спектры для двух показаны ниже), предположительно начиная с малой мощности.При высокой мощности чувствительность к вдоху NS-NS почти настолько хороша, насколько это может быть достигнуто специальной настройкой на них. Режим 2 Это канонический режим с полной мощностью, и SRC настроен на оптимизацию чувствительности к NS- НС вдохновляет. Однако мы зафиксировали передачу SRM на уровне 20%, что немного выше оптимального для чувствительности NS-NS, в качестве компромисса с широким случаем и (разница менее 0,4%). .mode 3 Этот режим оптимизируется для 30-30 циклов ЧД-ЧД с массой Солнца, с фиксированной расстройкой SRC 20 градусов и пропусканием SRM 20% (т. оптимизируются и гомодинная фаза лазера). Это соответствует конкретной достижимой рабочей точке фазы SRC, как описано ниже. Режим 4 Этот режим оптимизирует мощность лазера, гомодинную фазу и фазу SRC для спирали BH-BH (30 масс Солнца каждая). Это приводит к гораздо более высокой расстройке SRC, чем в предыдущих случаях, чего труднее достичь с помощью схемы обнаружения. Обратите внимание, что этот режим также дает очень плохую чувствительность около 100 Гц.режим 5 В этом режиме используется меньшая передача SRM (1,1%) и полная мощность для повышения чувствительности около 1 кГц. Обратите внимание, однако, что он обеспечивает улучшение менее чем в 2 раза по сравнению с широким случаем и (режим 1b). Режим NS-NS Диапазон BH-BH Диапазон P в T SRM φ SRC0 137 Мпк 1,17 Гпк 25 Вт 100% –1a 148 Мпк 1,49 Гпк 25 Вт 20% 0 град.1b 175 Мпк 1,23 Гпк 125 Вт 20% 0 град.2 179 Мпк 1,03 Гпк 125 Вт 20% 11 град.3 168 Мпк 1,61 Гпк 20 Вт 20% 20 град. 4 158 Мпк 1.96 Гпк 4,5 Вт 20% 72 град.5 122 Мпк 1,38 Гпк 125 Вт 1,1% 4,7 град. также оптимизируется в каждом случае, что на практике может быть установлено с помощью смещения темной полосы Майкельсона. /strong> длина степеней свободы.страница 2

показать все

%PDF-1.4 % 13017 0 объект > эндообъект внешняя ссылка 13017 386 0000000016 00000 н 0000008100 00000 н 0000008392 00000 н 0000008547 00000 н 0000008582 00000 н 0000008643 00000 н 0000016469 00000 н 0000021421 00000 н 0000021625 00000 н 0000021697 00000 н 0000021836 00000 н 0000021943 00000 н 0000022051 00000 н 0000022165 00000 н 0000022335 00000 н 0000022455 00000 н 0000022629 00000 н 0000022780 00000 н 0000022949 00000 н 0000023164 00000 н 0000023315 00000 н 0000023465 00000 н 0000023643 00000 н 0000023764 00000 н 0000023915 00000 н 0000024094 00000 н 0000024241 00000 н 0000024388 00000 н 0000024565 00000 н 0000024678 00000 н 0000024833 00000 н 0000025013 00000 н 0000025178 00000 н 0000025307 00000 н 0000025486 00000 н 0000025587 00000 н 0000025755 00000 н 0000025923 00000 н 0000026046 00000 н 0000026203 00000 н 0000026377 00000 н 0000026489 00000 н 0000026602 00000 н 0000026734 00000 н 0000026906 00000 н 0000027071 00000 н 0000027201 00000 н 0000027311 00000 н 0000027424 00000 н 0000027530 00000 н 0000027628 00000 н 0000027801 00000 н 0000027963 00000 н 0000028082 00000 н 0000028201 00000 н 0000028321 00000 н 0000028449 00000 н 0000028570 00000 н 0000028686 00000 н 0000028853 00000 н 0000028953 00000 н 0000029055 00000 н 0000029170 00000 н 0000029269 00000 н 0000029377 00000 н 0000029531 00000 н 0000029695 00000 н 0000029873 00000 н 0000029984 00000 н 0000030102 00000 н 0000030220 00000 н 0000030356 00000 н 0000030488 00000 н 0000030600 00000 н 0000030732 00000 н 0000030860 00000 н 0000031011 00000 н 0000031142 00000 н 0000031267 00000 н 0000031400 00000 н 0000031527 00000 н 0000031658 00000 н 0000031847 00000 н 0000031964 00000 н 0000032072 00000 н 0000032263 00000 н 0000032449 00000 н 0000032639 00000 н 0000032749 00000 н 0000032893 00000 н 0000033056 00000 н 0000033238 00000 н 0000033385 00000 н 0000033505 00000 н 0000033629 00000 н 0000033764 00000 н 0000033908 00000 н 0000034094 00000 н 0000034260 00000 н 0000034382 00000 н 0000034533 00000 н 0000034668 00000 н 0000034859 00000 н 0000034996 00000 н 0000035115 00000 н 0000035288 00000 н 0000035437 00000 н 0000035604 00000 н 0000035781 00000 н 0000035888 00000 н 0000036000 00000 н 0000036107 00000 н 0000036207 00000 н 0000036329 00000 н 0000036447 00000 н 0000036576 00000 н 0000036681 00000 н 0000036810 00000 н 0000036938 00000 н 0000037052 00000 н 0000037165 00000 н 0000037295 00000 н 0000037470 00000 н 0000037573 00000 н 0000037750 00000 н 0000037921 00000 н 0000038052 00000 н 0000038153 00000 н 0000038247 00000 н 0000038357 00000 н 0000038469 00000 н 0000038607 00000 н 0000038733 00000 н 0000038846 00000 н 0000038977 00000 н 0000039106 00000 н 0000039258 00000 н 0000039386 00000 н 0000039518 00000 н 0000039704 00000 н 0000039879 00000 н 0000040045 00000 н 0000040164 00000 н 0000040321 00000 н 0000040453 00000 н 0000040618 00000 н 0000040811 00000 н 0000040948 00000 н 0000041051 00000 н 0000041156 00000 н 0000041282 00000 н 0000041419 00000 н 0000041545 00000 н 0000041668 00000 н 0000041792 00000 н 0000041951 00000 н 0000042071 00000 н 0000042173 00000 н 0000042293 00000 н 0000042416 00000 н 0000042533 00000 н 0000042671 00000 н 0000042772 00000 н 0000042956 00000 н 0000043069 00000 н 0000043202 00000 н 0000043330 00000 н 0000043512 00000 н 0000043643 00000 н 0000043750 00000 н 0000043878 00000 н 0000044020 00000 н 0000044144 00000 н 0000044316 00000 н 0000044504 ​​00000 н 0000044622 00000 н 0000044717 00000 н 0000044837 00000 н 0000044963 00000 н 0000045162 00000 н 0000045283 00000 н 0000045400 00000 н 0000045550 00000 н 0000045671 00000 н 0000045809 00000 н 0000045921 00000 н 0000046037 00000 н 0000046191 00000 н 0000046301 00000 н 0000046408 00000 н 0000046530 00000 н 0000046652 00000 н 0000046876 00000 н 0000046980 00000 н 0000047096 00000 н 0000047222 00000 н 0000047328 00000 н 0000047433 00000 н 0000047535 00000 н 0000047637 00000 н 0000047739 00000 н 0000047842 00000 н 0000047945 00000 н 0000048048 00000 н 0000048151 00000 н 0000048254 00000 н 0000048357 00000 н 0000048460 00000 н 0000048564 00000 н 0000048668 00000 н 0000048772 00000 н 0000048876 00000 н 0000048980 00000 н 0000049084 00000 н 0000049188 00000 н 0000049292 00000 н 0000049396 00000 н 0000049500 00000 н 0000049604 00000 н 0000049708 00000 н 0000049812 00000 н 0000049916 00000 н 0000050020 00000 н 0000050124 00000 н 0000050228 00000 н 0000050332 00000 н 0000050436 00000 н 0000050540 00000 н 0000050644 00000 н 0000050748 00000 н 0000050852 00000 н 0000050956 00000 н 0000051060 00000 н 0000051164 00000 н 0000051268 00000 н 0000051372 00000 н 0000051476 00000 н 0000051580 00000 н 0000051684 00000 н 0000051788 00000 н 0000051892 00000 н 0000051996 00000 н 0000052100 00000 н 0000052204 00000 н 0000052308 00000 н 0000052412 00000 н 0000052516 00000 н 0000052620 00000 н 0000052724 00000 н 0000052828 00000 н 0000052932 00000 н 0000053036 00000 н 0000053140 00000 н 0000053244 00000 н 0000053348 00000 н 0000053452 00000 н 0000053555 00000 н 0000053659 00000 н 0000053763 00000 н 0000053867 00000 н 0000053971 00000 н 0000054075 00000 н 0000054179 00000 н 0000054283 00000 н 0000054387 00000 н 0000054491 00000 н 0000054595 00000 н 0000054699 00000 н 0000054803 00000 н 0000054907 00000 н 0000055011 00000 н 0000055115 00000 н 0000055219 00000 н 0000055323 00000 н 0000055427 00000 н 0000055531 00000 н 0000055635 00000 н 0000055739 00000 н 0000055843 00000 н 0000055947 00000 н 0000056051 00000 н 0000056155 00000 н 0000056259 00000 н 0000056363 00000 н 0000056467 00000 н 0000056571 00000 н 0000056675 00000 н 0000056779 00000 н 0000056883 00000 н 0000056987 00000 н 0000057091 00000 н 0000057195 00000 н 0000057299 00000 н 0000057403 00000 н 0000057507 00000 н 0000057611 00000 н 0000057715 00000 н 0000057819 00000 н 0000057923 00000 н 0000058027 00000 н 0000058131 00000 н 0000058235 00000 н 0000058339 00000 н 0000058443 00000 н 0000058547 00000 н 0000058651 00000 н 0000058755 00000 н 0000058859 00000 н 0000058963 00000 н 0000059067 00000 н 0000059171 00000 н 0000059275 00000 н 0000059379 00000 н 0000059483 00000 н 0000059587 00000 н 0000059691 00000 н 0000059795 00000 н 0000059899 00000 н 0000060003 00000 н 0000060107 00000 н 0000060211 00000 н 0000060315 00000 н 0000060419 00000 н 0000060523 00000 н 0000060627 00000 н 0000060731 00000 н 0000060835 00000 н 0000060939 00000 н 0000061043 00000 н 0000061147 00000 н 0000061251 00000 н 0000061355 00000 н 0000061459 00000 н 0000061563 00000 н 0000061667 00000 н 0000061771 00000 н 0000061875 00000 н 0000061979 00000 н 0000062083 00000 н 0000062187 00000 н 0000062291 00000 н 0000062395 00000 н 0000062499 00000 н 0000062603 00000 н 0000062707 00000 н 0000062811 00000 н 0000062915 00000 н 0000063019 00000 н 0000063123 00000 н 0000063227 00000 н 0000063331 00000 н 0000063435 00000 н 0000063539 00000 н 0000063643 00000 н 0000063747 00000 н 0000063851 00000 н 0000063955 00000 н 0000064059 00000 н 0000064163 00000 н 0000064267 00000 н 0000064371 00000 н 0000064475 00000 н 0000064579 00000 н 0000064683 00000 н 0000064787 00000 н 0000064891 00000 н 0000064995 00000 н 0000065099 00000 н 0000065204 00000 н 0000065308 00000 н 0000065412 00000 н 0000065517 00000 н 0000065622 00000 н 0000065727 00000 н 0000065833 00000 н 0000066034 00000 н 0000066669 00000 н 0000066714 00000 н 0000066938 00000 н 0000067654 00000 н 0000067887 00000 н 0000068371 00000 н 0000068452 00000 н 0000071133 00000 н 0000016514 00000 н 0000021396 00000 н трейлер ] >> startxref 0 %%EOF 13018 0 объект > /PageLabels 12993 0 R >> эндообъект 13019 0 объект MqeqطAgC>{H\n’) /U (-[%’JXMz{*U]]3i) /П-12 /В 1 /Длина 40 >> эндообъект 13020 0 объект [ 13021 0 Р ] эндообъект 13021 0 объект > /Ф 13212 0 Р >> эндообъект 13022 0 объект > /Карта классов > /К [ 1409 0 Р ] >> эндообъект 13023 0 объект > эндообъект 13401 0 объект > поток $qETQkf)% ΃ǵh,Xk). ԫ*44=7YCf>iv]53 C#}Sa(o%V l8CQaCGvJ;R%LDs T?$t1T>T/o1Mvea [,eQ j:[

Список оборудования | Лаборатория исследования материалов

ThermoFisher Glacios Cryo-TEM 0026 Суперкон
  • Просвечивающая и сканирующая просвечивающая электронная микроскопия (TEM/STEM)

ThermoFisher Glacios — это высокотехнологичный криогенный просвечивающий электронный микроскоп (CryoTEM) с напряжением 200 кВ X-FEG, оптимизированный для анализа отдельных частиц (SPA), электронной томографии и микроэлектронной дифракции (microED).Glacios оснащен ведущей в отрасли технологией манипулирования сеткой Autoloader, управляемой программным обеспечением ThermoFisher EPU, что позволяет пользователям оценивать качество образцов в среде, свободной от загрязнения. Микроскоп также оснащен фазовой пластиной Volta и детектором прямых электронов Falcon4, что делает Glacios как автономной системой для сбора данных SPA с высоким разрешением, так и инструментом для предварительной оптимизации качества образца перед передачей в систему Krios CryoTEM. .

Подробнее
TA Instruments Affinity ITC 133 МРЛ
  • Центр передового опыта в области мягких материалов
  • Термический анализ и характеристика мягких материалов

Изотермическая титрационная калориметрия (ITC) измеряет теплоту, выделяющуюся или поглощаемую во время реакции связывания, протекающей в жидкой среде – обычно в воде.Количество титранта в микролитрах постепенно добавляют к раствору аналита в реакционной ячейке и измеряют теплоту реакции на каждом этапе до насыщения. Затем внедряется программное обеспечение для сопоставления кривой реакции с известными или разработанными моделями химических реакций для расчета таких параметров, как константа связывания (K a ), стехиометрия (n), энтальпия (ΔH) и энтропия (ΔS). Функции Affinity ITC перечислены ниже.

 

Ячейка — цилиндрическая, золото 24 карата, объем 1 мл

Шприц – Инъекционный шприц AccuShot™, 0. 01 мкл минимальный объем ввода, до 250 мкл общий объем

Мешалка – Мешалка FlexSpin™, 0–200 об/мин

Диапазон температур – 2 °C – 80 °C

Диапазон обнаруживаемой энергии – 0,1 мкДж – 5000 мкДж

Подробнее см.
Анализатор Novocontrol Concept 47 133 МРЛ
  • Центр передового опыта в области мягких материалов
  • Термический анализ и характеристика мягких материалов

Анализатор Novocontrol предназначен для определения электрических/диэлектрических характеристик материалов.С помощью этого прибора можно выполнять анализ частотной характеристики, диэлектрическую/импедансную спектроскопию и спектроскопию проводимости. Эта модульная система включает анализатор частотных характеристик Novocontrol Alpha-A в сочетании с системой контроля температуры PHECOS Lite. Образцы помещаются между двумя круглыми позолоченными электродами, а затем помещаются в прибор для тестирования. Результаты могут быть проанализированы как измеренные или повторно построены, чтобы соответствовать различным уравнениям, таким как графики Аррениуса или Коула-Коула. Параметры системы Concept 47 перечислены ниже.

Диапазон частот – 3 мкГц – 20 МГц

Диапазон температур – -35 °C – 150 °C

Варианты диаметра образца – 40 мм, 30 мм, 20 мм

Конфигурации электродов – доступны 2-проводные режимы

Подробнее
Кулонометр Metrohm 917 (кулонометрический метод) 133 МРЛ
  • Центр передового опыта в области мягких материалов
  • Термический анализ и характеристика мягких материалов

Karl Fischer (KF) Титрование – это широко используемый метод количественного определения содержания воды в материалах.Содержание воды определяется с помощью химической реакции, которая непосредственно потребляет воду. Фундаментальный химический процесс называется реакцией Бунзена и приведен ниже:

2H 2 O + SO 2 + I 2 à H 2 SO 4 + 2HI

Из уравнения реакции видно, что количество воды в реакции прямо пропорционально количеству йода, необходимому для ее расходования. Таким образом, содержание воды в образцах может быть точно и непосредственно определено путем измерения количества йода, использованного в реакции.MRL имеет два компактных прибора для проведения экспериментов по титрованию по методу KF. Эта комбинация позволяет анализировать содержание воды от 100% воды до уровней частей на миллион (ppm).

Подробнее
Metrohm 915 KF Ti-Touch (объемный метод) 133 МРЛ
  • Центр передового опыта в области мягких материалов
  • Термический анализ и характеристика мягких материалов

Karl Fischer (KF) Титрование – это широко используемый метод количественного определения содержания воды в материалах. Содержание воды определяется с помощью химической реакции, которая непосредственно потребляет воду. Фундаментальный химический процесс называется реакцией Бунзена и приведен ниже:

2H 2 O + SO 2 + I 2 à H 2 SO 4 + 2HI

Из уравнения реакции видно, что количество воды в реакции прямо пропорционально количеству йода, необходимому для ее расходования. Таким образом, содержание воды в образцах может быть точно и непосредственно определено путем измерения количества йода, использованного в реакции.MRL имеет два компактных прибора для проведения экспериментов по титрованию по методу KF. Эта комбинация позволяет анализировать содержание воды от 100% воды до уровней частей на миллион (ppm).

Подробнее
Quantum Design MPMS3 СКВИД-магнитометр B
  • Грегори МакДугалл Гмакдуг
  • Хуан Себастьян Лопес Дж Слопес
410 МРЛ
  • Измерение физических свойств
Quantum Design PPMS Dynacool B
  • Грегори МакДугалл Гмакдуг
  • Хуан Себастьян Лопес Дж Слопес
410 МРЛ
  • Электротранспорт
  • Намагничивание
  • Измерение физических свойств
Quantum Design PPMS Dynacool
  • Грегори МакДугалл Гмакдуг
  • Хуан Себастьян Лопес Дж Слопес
410 МРЛ
  • Электротранспорт
  • Тепловая мощность
  • Тепловой транспорт
  • Измерение физических свойств
Quantum Design MPMS3 SQUID Магнитометр
  • Грегори МакДугалл Гмакдуг
  • Хуан Себастьян Лопес Дж Слопес
410 МРЛ
  • Измерение физических свойств
Реометр TA DHR-3 133 МРЛ
  • Центр передового опыта в области мягких материалов
  • Термический анализ и характеристика мягких материалов
УФ/озоновый очиститель
  • Джессика Кристал Спир jcspear
В59 МДУ

Это очень простой метод очистки, используемый на воздухе при температуре окружающей среды. Инструмент может вмещать полноразмерную кремниевую пластину, которую можно разместить рядом с источником УФ-излучения для удаления нежелательных органических загрязнений. Он работает в вытяжном шкафу из-за образования озона и с закрытой дверью из-за ультрафиолетового излучения. Имеется один выключатель питания, который можно включить, пока пользователь нуждается в очистке образца, но по завершении его необходимо выключить вручную.

 

Подробнее
Выравниватель Heidelberg MLA150 для безмасочной фотолитографии 388 МРЛ
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения

Безмасочный выравниватель Heidelberg MLA 150 — это высокоскоростной инструмент для фотолитографии с прямой записью.Он не контактирует физически с подложкой, использует массив микрозеркал для экспонирования рисунка только в нужных местах.

Подробнее
Устройство для сварки проволоки Westbond 4KE 326 МРЛ
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения

Соединение проводов — это метод соединения металлических проводов с электронными устройствами. Соединение проводов осуществляется с помощью ультразвуковых преобразователей, которые преобразуют высокочастотный электронный сигнал в механическую энергию в ультразвуковом диапазоне (63 кГц).

Подробнее
SCS Labcoter2 Устройство для нанесения покрытий на парилен 326 МРЛ
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения

Система нанесения парилена SCS Labcoter2 обеспечивает надежное и воспроизводимое конформное покрытие париленом различных типов компонентов, таких как печатные платы, датчики, пластины, медицинские устройства, МЭМС и эластомерные компоненты. Париленовые покрытия обеспечивают высокоэффективный химический и влагозащитный барьер с высокой диэлектрической и механической прочностью.

Подробнее
Водородная вакуумная печь – Макс. темп. 1000°С
  • Грегори МакДугалл гмакдуг
322 МРЛ
  • Диффузионные печи/печи для отжига
  • Печное оборудование
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения

Водородная вакуумная печь предназначена для отжига материалов в среде водорода и вакуума.

Подробнее
Графеновая печь – Макс. темп. 1050°С
  • Грегори МакДугалл гмакдуг
322 МРЛ
  • Диффузионные печи/печи для отжига
  • Печное оборудование
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения

Графеновая печь предназначена исключительно для выращивания высококачественных материалов из графена и углеродных нанотрубок.

 

Подробнее
Атомно-зондовый томограф Cameca LEAP 5000XS B01 МДУ

Атомный зонд Cameca с локальным электродом (LEAP) 5000XS использует испарение атомов полем из игольчатого образца для получения трехмерной (3D) информации с разрешением, близким к атомному, и обладающим химической чувствительностью, которая может достигать миллионных долей.

Подробнее
Система Tosoh EcoSEC 8320 GPC 133 МРЛ
  • Центр передового опыта в области мягких материалов
  • Термический анализ и характеристика мягких материалов
Электронно-лучевой испаритель AJA 1 348 МРЛ
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения

Электронно-лучевой испаритель AJA 1   имеет узел электронно-лучевой пушки с шестью тиглями для источников.

Подробнее
Система распыления AJA Orion-8 для магнитных материалов 336 МРЛ
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения
Система Bruker D8 Advance XRD с высокотемпературным столиком для образцов
  • Хуан Себастьян Лопес Дж Слопес
148 МРЛ
  • Рентгеновская дифракция (XRD) и рассеяние
Двухцветный термоотражатель во временной области — TRMOKE
  • Хулио Антонио Ньери Д Соареш Соареш
0024 Суперкон

TDTR — это модальность фемтосекундной спектроскопии накачки/зонда.Он используется для наблюдения оптически индуцированных изменений оптических свойств в масштабе сотен фс.

Подробнее
Ультрамикротом Leica Cryo UC6/FC6
  • Ламиллер Лу Миллера
  • Кристен М Флатт плоский1
0011 Суперкон

При комнатной температуре и криосрезы биологических и промышленных образцов

Подробнее см.
Держатель для томографа Fischione 2550 Cryo Transfer 0011 Суперкон

Держатель с одним наклоном для криопереноса и томографии тонкопленочных замороженно-гидратированных/витрифицированных образцов.Для просвечивающих электронных микроскопов (ПЭМ) с полюсным наконечником с более широким зазором (зазор около 5 мм для томографических исследований)

Подробнее
Система прецизионного травления Gatan (PECS) В59 МДУ

Система прецизионного травления покрытия модели 685.O (PECS™) II представляет собой настольный широколучевой аргоновый фрезерный инструмент для полировки, а также для нанесения покрытий.

Подробнее
Конфокальный трехмерный лазерный сканирующий микроскоп Keyence VK-X1000
  • Хулио Антонио Ньери Д Соареш Соареш
В80 МРЛ

В Keyence VK-X1000 используется лазер с длиной волны 405 нм для картирования и измерения поверхности образцов посредством конфокального сканирования или изменения фокуса в широком поле.

Подробнее
Усовершенствованный зонд FEI Themis Z с поправкой на аберрацию аналитического TEM/STEM В66 МРЛ
  • Просвечивающая и сканирующая просвечивающая электронная микроскопия (TEM/STEM)

FEI Themis Z представляет собой усовершенствованный аналитический сканирующий/просвечивающий электронный микроскоп (STEM/TEM) от компании Thermo Fisher Scientific, который работает в диапазоне энергий электронов от 60 до 300 кэВ с электронным эмиттером Шоттки, монохроматором энергии электронов и 5-м заказать корректор сферических аберраций зонда.

Подробнее
Симулятор солнечной энергии Oriel
  • Хулио Антонио Ньери Д Соареш Соареш
148 МРЛ

Этот имитатор солнечной энергии АББ обеспечивает равномерное освещение на площади 2 x 2 дюйма при мощности 1 SUN.

Подробнее
Пикоиндентер Hysitron PI 95 In-Situ TEM 0011 Суперкон

Hysitron (теперь Bruker) PI 95 In-Situ TEM Пикоиндентер предназначен для количественного, прямого наблюдения, наномеханического тестирования внутри TEM.

Подробнее
FEI Vitrobot Mark III В59 МДУ

FEI Vitrobot (робот для витрификации) Mark III (тип FP 5350/61) представляет собой полностью управляемый ПК криоплунжер для витрификации (= быстрое охлаждение) водных образцов, используемых позже в криоэлектронной микроскопии (обычно в JEOL JEM- 2100 ТЕА).

Подробнее
Устройство для нанесения покрытий Polaron Carbon String В59 МДУ

Устройство для нанесения покрытий Polaron Carbon String Coater использует угольный стержень и углеродную нить соответственно в качестве источника испарения.

Подробнее
Плазменный очиститель Tergeo-EM В62 МРЛ

Плазменный очиститель Tergeo-EM можно использовать для удаления углеводородных примесей с образцов для ПЭМ и СЭМ.

Подробнее
Прецизионная канатная пила Princeton Scientific WS-25 В56 МДУ

Прецизионная проволочная пила Princeton WS-25 может выполнять резы алмазно-точечной проволокой, а также методом свободного абразива с использованием тонкой вольфрамовой проволоки, смоченной абразивной суспензией в масле или глицерине.

Подробнее
Плазменный очиститель Fischione 1020 В70 МРЛ

Плазменный очиститель Fischione 1020 можно использовать для бережного удаления органических загрязнений с образцов и держателей образцов для ПЭМ и СЭМ с помощью аргонно-кислородной высокочастотной плазмы. Плазменный очиститель оснащен автоматическим таймером и поддерживает держатели образцов для ТЭМ и СЭМ.

Подробнее
Устройство для нанесения покрытий Cressington Carbon Coater 108carbon/A В59 МДУ

В установках для нанесения углеродного покрытия Cressington 108 в качестве источника испарения используется угольный стержень.Обычно он используется для покрытия образцов SEM или TEM, где необходимо избегать металлических покрытий. Он предлагает выбор ручного или автоматического испарения. В ручном режиме источник испарения может работать в «импульсном» или «непрерывном» режимах.

Подробнее
Устройство для напыления Au-Pd — Emitech K575
  • Джессика Кристал Спир jcspear
0018 Суперкон

Устройство для напыления Au-Pd используется для получения равномерного покрытия на поверхности образца.Покрытие поможет ингибировать зарядку, уменьшить термическое повреждение и улучшить вторичную эмиссию электронов, что полезно для сканирующей электронной микроскопии.

Подробнее
Устройство для напыления Au-Pd — Emscope SC 500
  • Джессика Кристал Спир jcspear
0021 Суперкон

Устройство для напыления Au-Pd используется для получения равномерного покрытия на поверхности образца.Покрытие поможет ингибировать зарядку, уменьшить термическое повреждение и улучшить вторичную эмиссию электронов, что полезно для сканирующей электронной микроскопии.

Подробнее
Система Allied MultiPrep В56 МДУ

Система MultiPrep™ обеспечивает точную полуавтоматическую подготовку образцов широкого спектра материалов для микроскопических (оптических, СЭМ, ТЭМ, АСМ и т. д.) оценок. Его можно использовать для параллельной полировки или угловой полировки.

Подробнее
Виброполировальные машины Syntron (две одинаковые детали) В56 МДУ

Вибрационное полирование — эффективный метод окончательной полировки, который широко используется для металлов, которые трудно полировать. Колебания как в вертикальном, так и в горизонтальном направлениях, создаваемые электромагнитными силами, заставляют образец перемещаться вокруг своей оси и по периферии ткани. Амплитуда вибрации регулируется до уровня, достаточного для обеспечения плавного движения вокруг чаши.Мягкая полировка значительно уменьшила остаточное напряжение и деформацию поверхности.

Подробнее
Низкоскоростная алмазная дисковая пила MRI 150 В56 МДУ

Низкоскоростная алмазная пила MRI-150 оснащена цифровым микрометром и цифровым контроллером скорости. Это инструмент для резки/нарезки кубиками/нарезки материалов (металлов, керамики и т. д.) толщиной до дюйма. Смазочно-охлаждающая жидкость вытягивается из резервуара лезвием для охлаждения образца.

Подробнее
Высокоточная низкоскоростная пила Allied TechCut 4™ В56 МДУ

TechCut 4™ — это прецизионная низкоскоростная пила, идеально подходящая для резки небольших и хрупких образцов. Поворотный режущий рычаг имеет регулируемые грузы для приложения или уравновешивания силы, направленной вниз к образцу во время разрезания. Смазочно-охлаждающая жидкость вытягивается из резервуара лезвием для охлаждения образца. С диапазоном лезвий от 3 до 6 дюймов можно разрезать образцы толщиной до 2 дюймов.

Подробнее
Скважина 3241 Прецизионная алмазная канатная пила В56 МДУ

Алмазная канатная пила Well Precision используется для точной резки небольших образцов. В качестве «режущего инструмента» используется проволока из нержавеющей стали с алмазами, встроенными в поверхность проволоки. Проволока наматывается на барабан, который крепится к прецизионному поршневому двигателю. Диаметр проволоки варьируется от 0,06 мм (0,06 мм).002 дюйма) до 0,70 мм (0,028 дюйма).

Подробнее
Gatan 656 Станок для шлифовки углублений В56 МДУ

Это быстрый и надежный механический метод предварительного утонения образца ПЭМ до почти электронной прозрачности, позволяющий значительно сократить время ионного измельчения и неравномерное утонение. Преимущества включают в себя: большие прозрачные области; более прочный образец с толстым поддерживающим ободком для защиты и укрепления образца после выдавливания; точный контроль глубины и толщины.

Подробнее
Система дисковой шлифовальной машины Gatan 656 В56 МДУ
Другие полировальные машины В56 МДУ
Флуориметр SLM/ISS
  • Хулио Антонио Ньери Д Соареш Соарес
  • Мохаммад Амдад Али мали85
148 МРЛ

Измеряет фотофлуоресценцию жидких образцов. Возбуждение колеблется от 200 нм до 800 нм. Излучение от 200 нм до 900 нм. Образцы можно нагревать или охлаждать от – 20°C до 100°C.

Подробнее
Спектрорадиометр ОЛ 750
  • Хулио Антонио Ньери Д Соареш Соареш
148 МРЛ

OL 750 — это спектрорадиометрическая система измерения внутренней и внешней квантовой эффективности (IQE, EQE). Он оснащен аксессуаром смещения белого света, который позволяет довести активную область солнечных элементов до типичного рабочего уровня энергии при одновременном измерении спектральной характеристики.

Подробнее
Симулятор солнечной энергии Ньюпорта
  • Хулио Антонио Ньери Д Соареш Соареш
148 МРЛ

Измеряет ВАХ при солнечном спектре или монохроматическом освещении.

Подробнее
Zeiss LSM7 Live
  • Хулио Антонио Ньери Д Соареш Соареш
0022 Суперкон

Конфокальный линейный сканирующий микроскоп Zeiss LSM 7 Live представляет собой систему быстрой визуализации со скоростью 120 кадров в секунду при разрешении 512 x 512 пикселей, что позволяет анализировать высокоскоростные процессы с временным разрешением в несколько микросекунд.

Подробнее
Двухлучевой SEM/FIB Thermo Scios2 B58 MRL
  • Сфокусированный ионный пучок (FIB) FIB/SEM DualBeam Systems

Быстрая и простая подготовка высококачественных образцов для ПЭМ и атомных зондов для конкретных участков с использованием ионной колонки Sidewinder HT и системы EasyLift™ для точного измельчения и манипуляций с образцами на месте и их извлечения. Для достижения высококачественных результатов требуется окончательная полировка низкоэнергетическими ионами, чтобы свести к минимуму повреждение поверхности образца.Sidewinder HT обеспечивает получение изображений с высоким разрешением и фрезерование при высоком напряжении, а также обладает хорошими характеристиками при низком напряжении (до 500 В), что позволяет создавать высококачественные пластины ПЭМ.

Подробнее
Дифференциальный термический анализатор Shimadzu DTA-50 (DTA)
  • Мохаммад Амдад Али мали85
133 МРЛ
  • Центр передового опыта в области мягких материалов
  • Термический анализ и характеристика мягких материалов

Дифференциальный термический анализатор (DTA) использует систему с двумя чашками для измерения разницы теплового потока между пустой чашкой (или чашкой с эталонным материалом) и температурой образца определенного веса. Система DTA-50 использует температуры в диапазоне от комнатной температуры до около 1400 oC для определения тепловых переходов, таких как стеклование, кристаллизация, фазовые переходы, плавление, стабильность, кинетика отверждения и т. д. Хотя она не так чувствительна, как дифференциальное сканирование калориметрия (ДСК), она более универсальна для более твердых материалов, так как наша система ДСК не может работать при температуре выше 400°C. Прибор DTA-50 откалиброван до 1100°C для обеспечения точности.

Подробнее
Система электронной литографии Raith EBPG5150 100 кВ 364 МРЛ
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения
Испаритель Temescal Ebeam 4 348 МРЛ
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения

Испаритель Temescal Ebeam 4 имеет узел электронно-лучевой пушки с шестью автоматически выбираемыми тиглями для источников. В настоящее время утвержденными материалами для осаждения являются только металлы, включая Au, Ag, Pt, Pd, Cu, Cr, Ti, Ni, Fe, Al. Максимальная толщина одного слоя ограничена 300 нм. Тринадцать 4-дюймовых пластин или держателей образцов могут быть размещены в камере грузового шлюза для осаждения на линии прямой видимости. Скорость осаждения и толщина материала контролируются и контролируются автоматически. Система полностью автоматизирована с компьютерным интерфейсом. Предусмотрены программируемые рецепты осаждения.

Подробнее
Испаритель Temescal Ebeam 2 348 МРЛ
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения

Испаритель Temescal Ebeam 2 имеет узел электронно-лучевой пушки с шестью тиглями с источником, выбранными вручную.В настоящее время утвержденными материалами для осаждения являются только металлы, включая Ag, Cu, Cr, Ti, Al, Ni, Fe, Si, Ge. Максимальная толщина одного слоя ограничена 200 нм. 13 4-дюймовых пластин или держателей образцов могут быть размещены в загрузочной камере для осаждения на линии прямой видимости. Скорость осаждения и толщина материала контролируются. Мощность электронного луча для осаждения контролируется пользователем вручную.

Подробнее
Плазменный кислородный очиститель Harrick 326 МРЛ
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения

Очиститель плазмы Harrick PDC-32G представляет собой недорогое настольное плазменное устройство с индуктивной связью.Его можно использовать в широком спектре приложений для обработки поверхности, включая очистку поверхности в наномасштабе, подготовку поверхности и модификацию/обработку поверхности.

Подробнее
Система электронно-лучевой литографии Raith eLine 364 МРЛ
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения

Система Raith eLine EBL представляет собой систему электронно-лучевой литографии, включающую колонку ZEISS SEM, оснащенную электронной пушкой с тепловой полевой эмиссией. Ускоряющее напряжение может работать от 10 до 30 кВ. Он способен формировать сверхтонкие элементы с разрешением до 10 нм в резисте электронного луча из ПММА. Он имеет стандартную апертуру 30 мкм, а также апертуру от 7,5 до 120 мкм. Стандартный размер поля записи составляет 100 мкм и колеблется от 1 мкм до 1 мм. Ошибка сшивания поля обычно составляет менее 40 нм. Стандартный держатель образца может вместить пластину размером до 5 дюймов. Восемь зажимов для образцов можно использовать для выборки меньшего размера размером от 1 до 3 см. Файл GDSII CAD представляет собой стандартный формат файла и может быть преобразован из других файлов САПР, таких как файл Autocad DXF.

Подробнее
Устройство для напыления AJA ATC2000 1 336 МРЛ
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения

Установка для напыления AJA 1 представляет собой распылительную систему AJA ATC 2000 с четырьмя магнетронными распылительными пистолетами A320 XP UHV, способными напылять проводящие и диэлектрические материалы с использованием аргоновой плазмы постоянного и РЧ-излучения. Доступно совместное напыление (до трех пистолетов, два источника постоянного тока и один источник питания ВЧ).Система вмещает 2-дюймовые мишени (толщиной 1/4 дюйма), включая различные материалы, такие как Cr, Ti, Cu, Mo, Al, Ag, Mg, Ni, Fe, Co, Si, Ge, W, ITO, SiO2, Si3N4 и MgO. Размер держателя образца составляет 4 дюйма в диаметре. Возможен нагрев подложки до 400 C. Также доступно реактивное напыление O2 и N2.

Подробнее
AJA Orion 3 Устройство для напыления 2 326 МРЛ
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения

Установка для напыления 2 AJA представляет собой систему распыления AJA ORION 3 с тремя магнетронными распылительными пистолетами ST20 ORION, способными напылять проводящие и диэлектрические материалы с использованием аргоновой плазмы постоянного и РЧ-излучения.Доступно совместное напыление (до трех пистолетов, два источника постоянного тока и один источник питания ВЧ). Система вмещает 2-дюймовые мишени (толщиной 1/4 дюйма), включая различные материалы, такие как Cr, Ti, Cu, Mo, Al, Ag, Pt, Pd, Mg, Ni, Fe, Co, Si, Ge, W, ITO, SiO2, Si3N4 и MgO. Размер держателя образца составляет 4 дюйма в диаметре. Доступно реактивное напыление O2.

Подробнее
Система Optics 11 Life Piuma
  • Джессика Кристал Спир jcspear
0013 Суперкон
  • Сканирующая зондовая микроскопия

The Optics 11 Life Наноиндентор для мягких материалов Piuma использует наноиндентирование на основе кантилевера (аналогично силовым кривым АСМ) для определения модуля Юнга образцов в диапазоне от нескольких десятков паскалей до 1 ГПа.Piuma, как правило, более удобен и универсален в работе, чем традиционный АСМ, особенно для биологических образцов, без ущерба для качества данных. Работа в воздухе или жидкости и автоматические сетки отпечатков просты в настройке. Зонды имеют сферические наконечники из боросиликатного стекла диаметром от 6 до 500 мкм (аналогично конструкции коллоидного зонда АСМ).

(Пожалуйста, уточните заранее, соответствуют ли ваши образцы требованиям MRL к уровню биобезопасности).

Условия образца, поддерживаемые Piuma:

  • Сухой, влажный или погруженный в жидкость
  • Диапазон размеров: от 100 мкм в диаметре до 12 мм на стороне
  • Форма: Плоская, изогнутая, сложной формы, пористая
  • Модуль Юнга / Диапазон жесткости: от 5 Па до 1 ГПа

Технические характеристики Piuma

  • Размеры наконечника зонда: боросиликатные шарики диаметром 6–500 мкм
  • Константа пружины консоли зонда: k = 0.03 Н/м – 150 Н/м
  • Диапазон чувствительности к силе: 1 нН – 2 мН
  • Максимальный рабочий объем пьезодвигателя: 20 мкм
  • Двигатели столика (оси X, Y и Z): минимум 1 мкм, максимальное смещение 12 мм
  • Одиночное отступ или отображение поверхности
  • Автоматический поиск поверхности
  • Режим измерения: квазистатический (перемещение пьезодвигателя с замкнутым контуром)
  • Камера: 10-кратное увеличение, вид сверху
Подробнее
ThermoFisher Axia ChemiSEM
  • Джессика Кристал Спир jcspear
0018 Суперкон
  • Сканирующая электронная микроскопия (СЭМ)

Axia ChemiSEM — это сканирующий электронный микроскоп нового поколения, разработанный для максимально эффективного использования SEM-EDS. Низковакуумный режим дает несколько преимуществ при работе с непроводящими образцами; он не только позволяет получать изображения без заряда, но также позволяет увеличить контраст материала и использовать более высокие токи пучка для проведения химических анализов.

Подробнее
Horiba XploRA-nano TERS/TEPL
  • Хулио Антонио Ньери Д Соареш Соареш
0022 Суперкон
  • Атомно-силовая микроскопия (АСМ)
  • Микроскопия
  • Спектроскопия
  • Лазер и спектроскопия
  • Сканирующая зондовая микроскопия

Это оборудование было профинансировано через Illinois MRSEC, номер премии NSF DMR-1720633.

Рамановский микроскоп XploRA PLUS для спектроскопии комбинационного рассеяния с усилением на наконечнике (TERS) и фотолюминесценции с усилением на наконечнике (TEPL) на основе головы от Horiba, Inc. представляет собой полностью интегрированную систему TERS/TEPL на основе современного сканирующего зондового микроскопа (СЗМ) SmartSPM. и рамановский микроспектрометр XploRA.

Подробнее
Фотолюминесценция с временным разрешением
  • Хулио Антонио Ньери Д Соареш Соареш
0024 Суперкон

Позволяет проводить измерения спектров люминесцентного излучения при фотовозбуждении (флуоресценции и фосфоресценции) с временным разрешением для определения времени жизни излучающих состояний с чувствительностью к одному фотону и временным разрешением < 1 нс.Доступны несколько длин волн возбуждения в диапазоне от 380 нм до 900 нм.

Подробнее
Тепловое отражение во временной области
  • Хулио Антонио Ньери Д Соареш Соареш
0024 Суперкон

TDTR — это модальность фемтосекундной спектроскопии накачки/зонда. Он используется для наблюдения оптически индуцированных изменений оптических свойств в масштабе сотен фс. Два наших специально изготовленных прибора, которые в первую очередь применяются для изучения тепловых свойств тонких пленок и границ раздела, имеют аксессуары, позволяющие проводить измерения магнитооптического эффекта Керра с временным разрешением. Эти приборы основаны на сверхбыстрых титан-сапфировых лазерах Spectra-Physics Tsunami.

Подробнее
Varian Cary 5G и Agilent Cary 5000
  • Хулио Антонио Ньери Д Соареш Соарес
  • Мохаммад Амдад Али мали85
148 МРЛ

Спектрофотометры Cary позволяют измерять пропускание и отражение в УФ, видимом и ближнем ИК диапазоне (от 190 до 3300 нм).Режимы измерения включают пропускание, абсолютное зеркальное отражение, интегрированную полную флуоресценцию, диффузное пропускание (от 190 до 2500 нм), диффузное отражение и комбинированное диффузное отражение и пропускание (от 190 до 2500 нм).

Подробнее
Цейсс Аксиоверт
  • Хулио Антонио Ньери Д. Соарес Соарес
  • Кристен М. Флатт Flatt1
  • Кэти Уолш Кавалш
0022 Суперкон

Обычный широкопольный инвертированный микроскоп для материалов, оснащенный C-DIC, TIC, поляризацией, светлым полем и темным полем в отраженном или проходящем свете.

Подробнее
Нанофотон Раман 11
  • Хулио Антонио Ньери Д Соареш Соарес
  • Мохаммад Амдад Али мали85
0022 Суперкон

Быстрая конфокальная рамановская/ФЛ-микроскопия высокого разрешения с возбуждением при 532 нм и 785 нм.

Подробнее
Neaspec NanoFTIR/NIM AFM, SSNOM
  • Хулио Антонио Ньери Д Соареш Соареш
0022 Суперкон
  • Атомно-силовая микроскопия (АСМ)
  • Микроскопия
  • Спектроскопия
  • Лазер и спектроскопия
  • Сканирующая зондовая микроскопия

Химическая информация, полученная в результате спектроскопии отражения в ближнем поле FTIR/визуализации и топографической характеристики с пространственным разрешением 20 нм

Подробнее см.
JEOL 7000F Аналитический СЭМ 0020 Суперкон
  • Сканирующая электронная микроскопия (СЭМ)

СЭМ JSM-7000F предлагает очень высокое разрешение, универсальную камеру для образцов, моторизованный автоматизированный столик для образцов, замену образца одним действием и идеальную аналитическую геометрию с большим током зонда при малом диаметре зонда для удовлетворения потребностей в высокой производительности. характеристика наноструктур с использованием методов, включая EDS, WDS, EBSD и CL.

Подробнее
Hitachi S-4800 SEM высокого разрешения
  • Джессика Кристал Спир jcspear
  • Джейд Ван зив
  • Кристен М Флатт flatt1
  • Хунхуэй Чжоу
0013 Суперкон
  • Сканирующая электронная микроскопия (СЭМ)

По состоянию на ноябрь 2021 года Hitachi S4800 теперь имеет мощные возможности EDS благодаря установке кремниевого дрейфового детектора большой площади Ultim Max 100 мм 2 Oxford.Это позволяет видео оценивать электронные и химические изображения в режиме реального времени с функциями отслеживания в реальном времени, чтобы помнить, где вы уже смотрели и какие элементы там были расположены.

Характеристики Hitachi S-4800 SEM: — Низковольтная визуализация с высоким разрешением — Замедление луча (сверхнизкое посадочное напряжение (100-500 В) для мелкой топографии поверхности) — Управляемое смешивание сигналов (комбинация вторичных электронов и электронов обратного рассеяния) — Чистая визуализация BSE при низком напряжении

Подробнее
JEOL JSM-6060LV Низковакуумный SEM
  • Джессика Кристал Спир jcspear
  • Вацек Свич wswich
  • Джейд Ван zyw
0021 Суперкон
  • Сканирующая электронная микроскопия (СЭМ)

JSM-6060LV — это высокопроизводительный сканирующий электронный микроскоп общего назначения с превосходным разрешением визуализации вторичных электронов и обратнорассеянных электронов.

Подробнее
Двухлучевой FEI Helios 600i SEM/FIB B58 MRL
  • Сфокусированный ионный пучок (FIB) FIB/SEM DualBeam Systems

Helios NanoLab 600i — это усовершенствованная рабочая станция SEM/FIB DualBeam™ для визуализации со сверхвысоким разрешением и фрезерования сфокусированным ионным пучком Ga+ для нанопрототипирования, нанообработки, наноанализа и подготовки образцов для ПЭМ и атомного зонда.

Подробнее
JEOL 2200 FS (S)TEM B70C MRL
  • Просвечивающая и сканирующая просвечивающая электронная микроскопия (TEM/STEM)

Современный аналитический электронный микроскоп JEM-2200FS с коррекцией аберраций оснащен автоэмиссионной пушкой (FEG) на 200 кВ, Cs-корректором зонда CEOS и внутриколонным энергетическим фильтром (Omega Фильтр), который позволяет проводить элементный и химический анализ образцов. Он также оснащен энергодисперсионным рентгеновским спектрометром (ЭДС) и ПЗС-камерой. При доступном небольшом размере зонда ~ 0,1 нм можно получить изображения высокого разрешения в кольцевом темном поле с высоким углом (Z-контраст) на атомном уровне и изображения спектра EELS с высоким разрешением. Обладая держателем образца Be с низким фоном, большой площадью детектора (50 мм2) и апертурой жесткого рентгеновского излучения, можно выполнять высококачественный анализ и картирование EDS.

Подробнее
Hitachi H-9500 Dynamic Environmental TEM B66A MRL
  • Просвечивающая и сканирующая просвечивающая электронная микроскопия (TEM/STEM)

H-9500 представляет собой ЭТЭМ высокого разрешения 100–300 кВ с электронной пушкой LaB6, предназначенный для изучения динамических реакций материалов вплоть до атомарного масштаба.

Подробнее
JEOL 2100 КРИОТЕМ
  • Changqiang Chen cqchen
  • Кристен М Флэтт flatt1
0011 Суперкон
  • Просвечивающая и сканирующая просвечивающая электронная микроскопия (TEM/STEM)

2100 Cryo — это обычный ПЭМ с большим зазором между полюсными наконечниками. Он оптимизирован для визуализации BF/DF, дифракции и больших наклонов образца.Также способен отображать ультратонкие срезы биологических тканей. Работает на 200кВ. Система 2100 Cryo оснащена комбинированной камерой с частотой видео/медленным сканированием для получения изображений в реальном времени и записи конечного изображения. Имеет низкодозовый режим. Доступен высокий наклон +/- 70 градусов при использовании специального наконечника для одинарного держателя наклона. Доступны этапы криопереноса, нагрева с двойным наклоном и этапы с жидким азотом.

Подробнее
JEOL 2010 LAB6 TEM 0017 Суперкон
  • Просвечивающая и сканирующая просвечивающая электронная микроскопия (TEM/STEM)

2010LaB6 — обычный ТЕМ.Он оптимизирован для визуализации BF/DF, дифракции и больших наклонов образца.

Подробнее
Система прецизионной ионной полировки GATAN (PIPS)
  • Дуглас А. Джефферс Джефферс
В59 МДУ

Система прецизионной ионно-ионной полировки Gatan 691 (PIPSTM) представляет собой удобную в использовании прецизионную аргонно-ионную полировку, предназначенную для получения высококачественных образцов для ТЭМ с минимальными усилиями.

Подробнее
Система ионной полировки GATAN Cryo Precision (Cryo-PIPS) В59 МДУ

Gatan Cryo-PIPS обладает дополнительными возможностями в дополнение к характеристикам Gatan PIPS

Подробнее
Трехзонная печь Lindberg, 2 дюйма
  • Грегори МакДугалл гмакдуг
328 МРЛ
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения

Lindberg Трехзонная 2-дюймовая трубчатая печь для окисления/отжига – макс. температура 1100°C

Подробнее
Блок реэкспозиции Oriel 387 МРЛ
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения
Установка для центрифугирования пластин Headway PWM32 388 МРЛ
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения
Yield Engineering HMDS Vapor Prime Oven-Cleanroom 388 МРЛ
  • Печное оборудование
  • Литография
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения
Вакуумные сушильные шкафы Yield Engineering 328 МРЛ
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения
Курт Дж. Система термического испарителя Lesker Nano36 326 МРЛ
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения

Kurt J. Lesker Nano36 будет испарять металлическую пленку в высоком вакууме, одновременно измеряя толщину на месте с помощью монитора толщины. В одну партию можно загрузить до трех различных материалов, а источники испарения достаточно изолированы друг от друга экранами для предотвращения перекрестного загрязнения.В настоящее время система настроена на испарение Au, Ag, Cu и Cr. Из-за ограниченной емкости вольфрамовой лодочки и стержня предел толщины составляет 200 нм/лодочка для Au, Ag, Cu и 40 нм/стержень для Cr.

Подробнее
Plasma-Therm Система химического осаждения из газовой фазы с плазменным усилением (PECVD) 342 МРЛ
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения

Plasma-Therm Система химического осаждения из газовой фазы с плазменным усилением (PECVD) используется для осаждения диэлектрических пленок Si3N4. Пленка нитрида кремния обычно используется для диэлектриков конденсаторов, слоев химической пассивации, электрических изоляторов, реактивных масок для ионного травления и оптических просветляющих покрытий.

Подробнее
Savannah S100 Атомно-слоевое осаждение Cambridge Nanotech 326 МРЛ
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения

Системы ALD Savannah S100 обеспечивают выдающиеся результаты осаждения и обеспечивают максимальную экспериментальную гибкость для исследований, разработок и производственных приложений ALD.

Подробнее
Система магнетронного напыления AJA Orion-8 336 МРЛ
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения

Это оборудование было профинансировано через Illinois MRSEC, номер премии NSF DMR-1720633

Система магнетронного напыления AJA Orion-8 — это высокопроизводительный инструмент для нанесения тонких пленок, предназначенный для обеспечения максимальной производительности и результатов для нашего исследовательского сообщества. Система оснащена системой блокировки загрузки с быстрым циклом, которая устраняет необходимость вентиляции технологической камеры для загрузки субстратов, сокращая время откачки и загрязнение мишеней и внутренних поверхностей камеры. Он использует моторизованный вращающийся держатель подложки для достижения превосходной однородности. Эта машина оснащена полным контролем рецепта для обеспечения наилучшей воспроизводимости процесса.

Подробнее
Plasma-Therm 790 MF Плазменная система реактивного ионного травления (RIE) 342 МРЛ
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения

Plasma-therm 790 MF — это автономная система реактивного ионного травления (RIE) с газораспределением насадки для душа и ВЧ-плитой с водяным охлаждением.Камера может достигать базового давления в диапазоне 3×10-5 Торр и может работать в диапазоне давлений от 10 мТорр до 100 мТорр. Устанавливаются следующие газы: CF4, CHF3, SF6 и O2. Расход для каждого газа задается регулятором массового расхода (МРП), а давление регулируется отдельно дроссельным клапаном между камерой и насосом. Все функции системы управляются с компьютера. Программа управления имеет как ручной, так и автоматический режимы.

Подробнее
Плазменная система реактивного ионного травления Nano-Master 342 МРЛ
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения

Nano-master NPC 3000 — это настольная система реактивного ионного травления (RIE) с газораспределением насадки для душа и ВЧ-плитой с водяным охлаждением.Он предназначен для решения широкого круга задач, включая очистку образцов, снятие фоторезиста, модификацию поверхности, травление полимеров и кремния. Камера открывается сверху для загрузки или выгрузки пластин. Он может принимать пластины размером до 8 дюймов (200 мм).

Подробнее
Плазменная система Nordson March Reactive Ion Etch (RIE) 1 и 2 342 МРЛ
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения

Март CS-1701 реактивный ионный травитель представляет собой настольную систему с ВЧ-плитой с водяным охлаждением. Он способен травить фоторезист, полимер и графен. Эта система может работать в ручном или автоматическом режиме.

Подробнее
Система ионного измельчения и термического испарения Commonwealth Scientific 334 МРЛ
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения

Система ионного измельчения и термического испарителя Commonwealth Scientific представляет собой уникальную систему, объединяющую возможности ионного измельчения и термического испарителя в одной системе.

Подробнее
Вытяжной шкаф для кислоты 359 МРЛ
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения

MRL предлагает следующие кислоты для пользователей чистых помещений. Этот вытяжной шкаф включает деионизированную воду, азотную пушку и нагревательную плиту.

Подробнее
Вытяжной шкаф для травления металла 387 МРЛ
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения

MRL предлагает следующие травители металлов для пользователей чистых помещений: — травитель меди CE-100 — травитель хрома 9057 — травитель оксида железа ME-9028 — травитель золота типа TFA

Подробнее
Вытяжной шкаф для растворителей или вытяжной шкаф для проявителя 384 МРЛ
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения

Вытяжные шкафы для растворителей или проявителей включают деионизированную воду, азотный пистолет и ультразвуковую ванну.

Подробнее
Профессиональный 3D-принтер Nanoscribe Photonic GT 335 МРЛ
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения

Система лазерной 3D-литографии нового поколения, Nanoscribe от MRL, устанавливает новые стандарты в области 3D-микропечати и литографии без масок.

Подробнее
Устройство для выравнивания маски MJB3 313 МРЛ
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения

Karl Suss MJB_3 представляет собой устройство для выравнивания контактов, используемое для экспонирования фоторезиста на образцах от небольших кусочков площадью 1 см2 до подложек диаметром 3 дюйма или квадратных и толщиной от 300 мкм до 1 мм.Маски до 3 квадратных дюймов. Разрешение зависит от режима контакта, оптики, длины волны воздействия и «техники оператора». Выравнивание выполняется вручную, манипулируя микрометрами, наблюдая за образцом и маской под микроскопом.

 

Подробнее
Устройство для выравнивания маски MJB4 313 МРЛ
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения
6-дюймовая трубчатая печь для окисления
  • Грегори МакДугалл гмакдуг
328 МРЛ
  • Диффузионные печи/печи для отжига
  • Печное оборудование
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения
Реакторная вакуумная печь (РВП)
  • Грегори МакДугалл гмакдуг
322 МРЛ
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения

Реакторная вакуумная печь – трубчатая печь диаметром 1 дюйм для регистрации давления, температуры, вакуума и продуктов реакции при температуре до 1200°C

Подробнее
Высокотемпературная печь CM – максимальная температура 1600°C
  • Грегори МакДугалл гмакдуг
328 МРЛ
  • Диффузионные печи/печи для отжига
  • Печное оборудование
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения
Печь для быстрого термического отжига (по индивидуальному заказу) – макс. температура 1000°C
  • Грегори МакДугалл гмакдуг
328 МРЛ
  • Диффузионные печи/печи для отжига
  • Печное оборудование
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения

Печь для быстрого термического отжига (по индивидуальному заказу) – максимальная температура 1000°C

Подробнее
Связующий шарик (золотая проволока 25 мкм, K&S 4524A) 326 МРЛ
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения
Wedge Bonder (алюминиевая проволока 25 мкм, K&S 4523A) 326 МРЛ
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения
Siemens/Bruker D-5000 XRD System
  • Хуан Себастьян Лопес Дж Слопес
148 МРЛ
  • Рентгеновская дифракция (XRD) и рассеяние

Характеристики Siemens/Bruker D-5000: тета/тета вертикальная гониометрическая система с дополнительным вращением спиннера (фи) (конфигурация Брэгга Брентано). Излучение/длина волны: Cu K-альфа, 0,15418 нм Основная оптика: щели Соллера, щель расходимости, щель рассеяния, приемная щель, щель детектора, изогнутый графитовый монохроматор, сцинтилляционный детектор

Подробнее
Криогенная вакуумная зондовая станция с регулируемой температурой
  • Грегори МакДугалл гмакдуг
326 МРЛ
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения

Криогенная зондовая станция LakeShore FWPX — отличный инструмент для проведения электрических измерений в диапазоне температур от ~ 10 К (при использовании жидкого гелия) или 77 К (при использовании жидкого азота) до 475 К, а также в вакууме. до 10 -5 Торр.Электрические сигналы принимаются через анализатор параметров полупроводников Agilent 4155C, который имеет 4 модуля SMU с диапазоном выходного напряжения от -100 до 100 В и диапазоном выходного тока от -100 до 100 мА. Пользователи могут выполнять температурно-зависимые измерения ВАХ и C-V кривых, а также другие высокочастотные и низкочастотные тесты.

Подробнее
PANalytical Phillips X’pert MRD system #2
  • Хуан Себастьян Лопес Дж Слопес
148 МРЛ
  • Рентгеновская дифракция (XRD) и рассеяние

Характеристики системы PANalytical MRD #2: тета/2тета вертикальная четырехкруговая система с вращением фи, psi и перемещением образца x,y,z, пропорциональный детектор и высокоскоростной линейный детектор PIXcel (размер пикселя 55 микрон).Излучение/длина волны: Cu K-альфа, 0,15418 нм

Подробнее см.
Система малоуглового рассеяния рентгеновских лучей с детектором Pilatus 300
  • Хуан Себастьян Лопес Дж Слопес
148 МРЛ
  • Рентгеновская дифракция (XRD) и рассеяние

Высокоскоростной сбор данных SAXS, WAXS, GI-SAXS, GI-WAXS с использованием трехмодульного детектора Pilatus 300 с дополнительными средствами контроля окружающей среды.

Подробнее
Настольная измерительная станция (специальная)
  • Грегори МакДугалл гмакдуг
326 МРЛ
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения
4155c Анализатор параметров полупроводников (Agilent), используемый с Lake Shore и пользовательской станцией датчиков
  • Грегори МакДугалл гмакдуг
326 МРЛ
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения
Система Лауэ с многопроводным 2D-детектором
  • Грегори МакДугалл Гмакдуг
  • Хуан Себастьян Лопес Дж Слопес
148 МРЛ
  • Рентгеновская дифракция (XRD) и рассеяние

Обратное рассеяние по Лауэ со сбором данных с помощью быстрого 2D-детектора; столик для образцов с многоосевым вращением и полными возможностями перемещения, управляемыми многофункциональным джойстиком, позволяющим перемещать/вращать образец в реальном времени с одновременной визуализацией данных; установка оптической камеры для точного выравнивания кристаллов размером менее миллиметра или исследования зависимости дифракционных картин от положения. Обработка и индексирование паттернов Лауэ с использованием программного обеспечения NorthStar Real-Time Orientation.

Подробнее
Энергодисперсионный рентгенофлуоресцентный спектрометр Shimadzu EDX-7000
  • Хуан Себастьян Лопес Джслопес
  • Мохаммад Амдад Али мали85
148 МРЛ
  • Рентгеновская дифракция (XRD) и рассеяние

Быстрые измерения в небольшом настольном корпусе, автоматический анализ до 12 образцов за один цикл.Излучение: немонохроматическое или фильтрованное Rh-источник рентгеновского излучения

Подробнее см.
4-точечный датчик Jandel для измерения сопротивления листа
  • Грегори МакДугалл гмакдуг
326 МРЛ
  • Дополнительные ресурсы для микро/нанопроизводства
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения

— Автоматический расчет и отображение результатов поверхностного сопротивления — Самотестирование с помощью внешнего прецизионного резистора, 100 Ом — Выходные токи до 99. 99 мА и до 10 нА — Допустимое напряжение до 40 В — Точность прибора в пределах 1% во всем диапазоне.

Подробнее
Оптические микроскопы с ПЗС-камерами 326 МРЛ
  • Дополнительные ресурсы для микро/нанопроизводства
  • Микро/нанопроизводство и чистые помещения
Ускоритель NEC Pelletron 130 МРЛ
  • Методы на основе ускорителей

Ускоритель NEC Pelletron может ускорять ионы H и He до 2 МэВ для He+ и 3 МэВ для He2+.Для экспериментов RBS и ERDA используется одна линия луча.

Подробнее
Кратос Аксис УЛЬТРА
  • Ричард Т Хааш р-хааш
В81 МРЛ
  • Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия

Характеристики Kratos Axis ULTRA: Источники возбуждения Источник рентгеновского излучения с двойным анодом: Mg, Al Монохроматический источник рентгеновского излучения: Система обнаружения алюминия Оптика для экстракции малых площадей: Гибридный сферический конденсатор Анализатор энергии электронов для спектроскопии и двухмерной визуализации

Подробнее
Гертнер L116C
  • Хулио Антонио Ньери Д Соареш Соарес
  • Мохаммад Амдад Али мали85
148 МРЛ
Дж. А. ВАЗА Woollam
  • Хулио Антонио Ньери Д Соареш Соарес
  • Мохаммад Амдад Али мали85
148 МРЛ

Для спектроскопической эллипсометрии. — Измерение оптических констант и толщины многослойных или объемных материалов, а также коэффициента отражения и пропускания в зависимости от угла падения, поляризации и длины волны. — Диапазон длин волн: от 240 нм до 1700 нм; — Угол падения: от 12° до 90°; Температура: от 10 К до 700 К

Подробнее
Гониометр Ramé-Hart, модель 250, угол контакта
  • Хулио Антонио Ньери Д Соареш Соарес
  • Мохаммад Амдад Али мали85
148 МРЛ

Гониометр/тензиометр контактного угла Ramé-Hart модели 250 оснащен широким спектром инструментов для межфазного анализа на основе методов для работы с висячими, перевернутыми висячими, сидячими и пленными пузырьковыми каплями для получения контактного угла, поверхностной энергии и поверхности. и межфазное натяжение.

Подробнее
Thermo Nicolet Nexus 670 FTIR
  • Хулио Антонио Ньери Д Соареш Соарес
  • Джессика Кристал Спир jcspear
  • Мохаммад Амдад Али mali85
0024 Суперкон

Инфракрасный спектрофотометр с преобразованием Фурье Thermo Nicolet Nexus 670 предназначен для измерения пропускания, отражения, диффузного отражения, диффузного пропускания и нарушенного полного отражения (НПВО) в среднем ИК-диапазоне.Диапазоны варьируются от различных аксессуаров от 650 см -1 до 5000 см -1 . Его насадка ATR с несколькими отскоками может измерять твердые и жидкие образцы. Идеальный размер образца для твердых веществ составляет от 40 мм x 5 мм до 140 мм x 200 мм, а для жидкостей – от 0,1 мл до 0,5 мл. Его новая интегрирующая сфера IntegratIR® может использоваться для измерения коэффициента диффузного отражения или пропускания светорассеивающих и сильно поглощающих твердых образцов.

Подробнее
Фотолюминесценция/Раман
  • Хулио Антонио Ньери Д Соареш Соареш
0024 Суперкон

Измеряет спектры люминесцентного излучения при фотовозбуждении (флуоресценция и фосфоресценция) и комбинационном рассеянии.Наша изготовленная на заказ экспериментальная установка имеет дискретные длины волн возбуждения в диапазоне от 266 нм до 1050 нм. Он позволяет проводить измерения от 4,2 К до 300 К с использованием криостата с ванной с жидким гелием.

Подробнее
Физическая электроника Trift III B04 MRL
  • Масс-спектрометрия вторичных ионов

PHI TRIFT III представляет собой времяпролетную ВИМС, в которой используется импульсный первичный пучок для генерации вторичных ионов, массы которых разделены на время, необходимое вторичному иону для достижения детектора.Это дает полный масс-спектр от каждого первичного импульса. Основными преимуществами TOF-SIMS являются поверхностный/приповерхностный анализ с низкими пределами обнаружения, изотопный анализ, визуализация и быстрое профилирование по глубине. Чувствительность к водороду, литию и изотопам элементов позволяет проводить измерения на металлических, полупроводниковых, полимерных и биологических образцах.

Подробнее
Профилометр Sloan Dektak3ST
  • Джессика Кристал Спир jcspear
В80 МРЛ
  • Сканирующая зондовая микроскопия
  • Анализ поверхности

Профилометрия поверхности — это метод контактных измерений, при котором щуп с алмазным наконечником используется для измерения топографии поверхности при его перемещении по поверхности образца.

Подробнее
Дифференциальный сканирующий калориметр (ДСК) Discovery 2500
  • Мохаммад Амдад Али мали85
133 МРЛ
  • Центр передового опыта в области мягких материалов
  • Термический анализ и характеристика мягких материалов

Дифференциальная сканирующая калориметрия (ДСК) измеряет тепловые эффекты, связанные с фазовыми переходами и химическими реакциями, в зависимости от температуры.

Подробнее
Q50 Термогравиметрический анализ (ТГА)
  • Мохаммад Амдад Али мали85
133 МРЛ
  • Центр передового опыта в области мягких материалов
  • Термический анализ и характеристика мягких материалов

Термогравиметрический анализ (ТГА) измеряет изменения массы материала в зависимости от температуры (или времени) в контролируемой атмосфере.Его основные области применения включают измерение термической стабильности и состава материала. Модель Q50 имеет конструкцию баланса с вертикальным лучом (вместимость образца: 1000 мг), которая поддерживает точные измерения ТГА (чувствительность баланса: 0,1 мкг).

Подробнее
Q800 Динамический механический анализ (DMA)
  • Мохаммад Амдад Али мали85
133 МРЛ
  • Центр передового опыта в области мягких материалов
  • Термический анализ и характеристика мягких материалов

Динамический механический анализ (DMA) измеряет механические свойства образцов. Его основные области применения включают измерение модуля Юнга материала или вязкоупругих свойств в зависимости от температуры (или времени). Испытания могут выполняться как при растяжении, так и при консольном изгибе.

Подробнее
Малверн Зетасайзер
  • Мохаммад Амдад Али мали85
133 МРЛ
  • Центр передового опыта в области мягких материалов
  • Термический анализ и характеристика мягких материалов

Malvern Zetasizer Nano ZS — многоцелевой прибор для рассеяния света.Он оснащен красным лазером с длиной волны 633 нм и предназначен для анализа наночастиц, малых молекул и полимеров в жидких средах. Прибор имеет диапазон температур 0 °C – 90 °C . Результаты представлены как в виде таблицы, так и в формате отчета; оба из которых могут быть экспортированы в конце эксперимента. Доступные методы и аксессуары для инструментов подробно описаны ниже.

Подробнее
Исследование приюта MFP-3D AFM
  • Джессика Кристал Спир jcspear
В12 МДУ
  • Атомно-силовая микроскопия (АСМ)
  • Сканирующая зондовая микроскопия

Эти два АСМ от Asylum Research оснащены малошумящими, высокоточными сканерами с обратной связью, режимами переменного тока с регулируемой добротностью (с фазовой визуализацией), визуализацией пьезоотклика, контактным режимом с боковой силой и подробными измерениями сила-расстояние.Эти системы позволяют сканировать в воздушной или жидкой среде и обладают широкими возможностями наноманипуляций и нанолитографии. Максимальный размер бокового сканирования на этих инструментах составляет 90 мкм x 90 мкм, а максимальный диапазон вертикального сканирования — 15 мкм.

Подробнее
Шифр ​​исследования убежища
  • Джессика Кристал Спир jcspear
В12 МДУ
  • Атомно-силовая микроскопия (АСМ)
  • Сканирующая зондовая микроскопия

Cypher — это современный АСМ от Asylum Research, отличающийся исключительно низким уровнем шума и быстрыми возможностями сканирования в дополнение к расширенным режимам сканирования в воздушной или жидкой среде. Максимальный размер бокового сканирования на этом приборе составляет 30 мкм x 30 мкм, а максимальный диапазон вертикального сканирования — 5 мкм.

Подробнее
Шифр ​​исследования убежища STM В12 МДУ
  • Атомно-силовая микроскопия (АСМ)
  • Сканирующая зондовая микроскопия

В сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) игла с электрическим смещением сканируется очень близко к поверхности (на расстоянии примерно атомного диаметра).Протекание тока между иглой и образцом (из-за квантового туннелирования) сильно зависит от зазора между иглой и поверхностью; это отношение можно использовать для создания карты топографии поверхности. Достижимо топографическое разрешение атомного масштаба. Все образцы для СТМ должны быть хотя бы частично электропроводными.

Режим

STM на Cypher частично служит испытательным стендом для определения того, является ли STM жизнеспособным экспериментальным методом для образцов, прежде чем прикладывать усилия к измерениям UHV STM. Кроме того, условия окружающей среды на этом приборе позволяют проводить СТМ-измерения образцов, которые могут плохо реагировать на условия вакуума.Этот STM может создавать изображения и кривые ВАХ, но в настоящее время не может выполнять измерения dI/dV.

Подробнее
Трибоиндентер Hysitron TI-950
  • Джессика Кристал Спир jcspear
0013 Суперкон
  • Сканирующая зондовая микроскопия

TriboIndenter Hysitron TI 950 в Лаборатории исследования материалов — это универсальный инструмент, возможности которого выходят за рамки традиционного квазистатического наноиндентирования.В дополнение к стандартному преобразователю, который может применять нагрузки от микроньютонов до нескольких мН в диапазоне перемещений в несколько микрометров, преобразователь с высокой нагрузкой позволяет делать отпечатки при нагрузках до 2,8 Н при смещении до 90 микрон.

Подробнее

Границы | Экспериментальное и теоретическое исследование влияния длительности импульса прекурсора на рост за цикл и качество кристалличности тонких пленок TiO2, выращенных методами ALD и PEALD

Введение

Атомно-слоевое осаждение (ALD) — это особая модификация метода химического осаждения из паровой фазы (CVD), которое идеально подходит для производства ультратонких пленок в нанометровом и ангстремном диапазоне. В CVD пар соответствующего предшественника металла и реакционный газ одновременно диссоциируют перед нагретой подложкой. В ALD они поочередно подвергаются воздействию подложки, температура которой поддерживается достаточно низкой, чтобы избежать термического разложения. Реактор ALD продувают инертным газом между экспозициями паров прекурсора и реакционного газа. Каждый цикл процесса ALD обычно состоит из последовательности воздействия металлического прекурсора, продувки, воздействия реакционного газа и еще одной продувки.Следовательно, пленка растет за счет хемосорбции между газообразными молекулами (т. е. паром металлического предшественника или газом-реагентом) и реакционноспособными функциональными группами на поверхности (т. е. гидроксильными группами или хемосорбированными металлоорганическими группами). Поскольку вакантные места адсорбции насыщаются молекулами адсорбата с образованием монослоя (практически субмонослой образуется из-за объемности молекул адсорбата), прекурсор или реагент в избытке химически не адсорбируются на монослое. Следовательно, пленка растет по самоограничивающемуся механизму (Аарик и Сиймон, 1994; Аарик и др., 1995; Саммельсельг и др., 1998 г.; Митчелл и др., 2003).

Метод ALD обладает уникальными возможностями среди методов осаждения тонких пленок, включая возможность покрытия чрезвычайно сложных форм слоем высококачественного конформного материала (Elam et al., 2003; Rauwel et al., 2011; Spende et al., 2015). Материалы, выращенные с помощью ALD, могут охватывать различные наноструктуры, что позволяет применять их в нескольких областях, таких как биомедицинская инженерия (Pessoa et al., 2017; Pessoa and Fraga, 2019), защита от коррозии на упаковке пищевых продуктов (Dias et al., 2019), повышение эффективности топливного элемента (Pessoa et al., 2018), химическая и полевая пассивация солнечных элементов CIGS (Cunha et al., 2018), преобразование гетероструктуры в фотон-электрон (Zazpe et al. al., 2018), кремниевая технология для создания конденсаторов и солнечных элементов (Macco et al. , 2017; Chiappim et al., 2020), покрытия против потускнения драгоценных камней (Paussa et al., 2011) и умный текстиль (Atasanov и др., 2014; Хан и др., 2020).

Химическое вещество, которое можно использовать в качестве идеального предшественника АСО, должно отвечать следующим требованиям: (i) хемосорбция должна быть сильно экзотермической с высокой активацией десорбции, чтобы гарантировать коэффициент прилипания, близкий к единице; (ii) побочные продукты не должны химически реабсорбироваться в свободных местах после хемосорбции; и (iii) побочные продукты не должны травить растущую пленку в результате ряда обратных реакций роста (George, 2010; Elliot et al., 2016).

В дополнение к характеристикам, упомянутым выше, реальный процесс ALD должен иметь сигнатурное качество, которому необходимо следовать, чтобы «паразитические эффекты CVD» не загружались в процесс. Важно отметить, что для того, чтобы процесс считался настоящим ALD, необходимо одновременное соблюдение трех основных характеристик. Во-первых, для того, чтобы осаждение было самоограничивающимся для каждого цикла, кривая насыщения роста за цикл (GPC) должна возникать как функция времени импульса реагентов (как показано на рисунке 1A).Важно отметить, что для того, чтобы процесс ALD подчинялся характеристике насыщения, время продувки инертным газом между воздействием паров прекурсора и реакционного газа должно быть активным. Другими словами, более короткое время продувки не может полностью очистить побочные продукты (которые ответственны за большое количество оставшихся побочных продуктов, таких как ионы водорода, углеродные группы, HCl и т. д.) и избыток реагентов (что приводит к тому, что больше прекурсоров выбрасывается). прилипать к поверхности, мешая реакции прекурсора в следующем цикле).Во-вторых, толщина пленки должна увеличиваться линейно с количеством циклов реакции (как показано на рисунке 1B) (Fei et al., 2015; Chiappim et al., 2016a,b,c). В-третьих, в каждом процессе ALD-роста должно быть идеальное температурное «окно» для каждого материала, где рост происходит в монослое пленки. С точки зрения этих требований химия и ГПХ для АСО Al 2 O 3 из триметилалюминия (ТМА) и воды или озона почти идеальны (Puurunen, 2005a,b; Mousa et al., 2014).

Рисунок 1 . Схематическая диаграмма основных характеристик ALD: (A) кривая насыщения ГПХ в зависимости от времени импульса реагентов и (B) рост толщины пленки линейно с количеством реакционных циклов.

Несмотря на многочисленные успешные практические применения АСО, большинство физико-химических процессов, которые контролируют рост пленок АСО, изучены недостаточно. Необходимо понимать ГПХ и количество материала, осажденного за один цикл АСО, которое при фиксированном давлении газа зависит от трех параметров процесса, а именно, времени импульса реагента, температуры реактора и типа подложки, которые, как ожидается, предоставить дополнительную информацию о линейном поведении ГПХ в зависимости от количества реакционных циклов, наблюдаемом для процесса ALD Al 2 O 3 . Такое поведение в GPC было обнаружено в процессах ALD путем изучения предшественников. Воздействие подложки на ГПХ в начале роста пленки может улучшать или подавлять ГПХ до тех пор, пока подложка не будет полностью покрыта материалом. После покрытия всей подложки изменение ГПХ в зависимости от времени импульса должно стать постоянным. Время импульса определяет количество реагента за цикл в ALD и влияет на GPC и, как следствие, на характеристики тонких пленок по мере их роста.В дополнение к эффективной продувке также требуется соответствующее время импульса. Использование короткого времени импульса способствует частичной хемосорбции между прекурсорами и функциональными группами на поверхности подложки, что приводит к низкому качеству и однородности пленок, в основном из-за «паразитического эффекта CVD» (как показано на рисунке 1A).

Эффективная очистка и значительное время импульса для прекурсоров являются дорогостоящими и требуют значительного времени. Разумное время импульса и продувки имеет решающее значение для GPC в процессе ALD, поскольку контроль GPC по сравнению сдлительность импульса может оптимизировать время осаждения и количество прекурсора, используемого в процессе ALD. Эпитаксиальное качество тонких пленок также может быть улучшено за счет надлежащего контроля ГПХ в зависимости от времени импульса.

В этом исследовании мы использовали как экспериментальный, так и теоретический подходы, чтобы лучше понять влияние времени импульса прекурсора на ГПХ тонких пленок TiO 2 и последующее влияние на кристалличность, эпитаксиальное качество и толщину пленок, полученных на Si. (100) и субстраты FTO.Статья разделена на две части: во-первых, в ней описывается и обсуждается теоретическая модель ГПХ в зависимости от времени импульса прекурсоров в АСО, а во-вторых, приводятся результаты, полученные в результате экспериментального анализа свойств АСО TiO . 2 тонкие пленки.

Теоретическое исследование

Теоретическая модель ГПХ как функция времени импульса прекурсоров в ALD

Чтобы объяснить влияние времени импульса АСО на ГПХ, можно использовать простое теоретическое уравнение для обоих типов прекурсоров АСО, а именно для металлического прекурсора и прекурсора реакционного газа. Во всех приложениях в этой работе использовался прекурсор реакционного газа на основе кислорода.

Для вывода общего уравнения, описывающего процесс насыщения ГПХ, мы использовали модель, основанную на функции распределения Максвелла-Больцмана молекулярных скоростей, для расчета потока газов, сталкивающихся с подложкой, и для корректировки экспериментальной ГПХ в зависимости от импульса. время для любого предшественника. Рассмотрено осаждение из паровой фазы, что позволяет использовать модель идеального газа (Van der Merwe, 1993).

Для модели идеального газа молекулярный поток Φ( см -2 с -1 ), который сталкивается с подложкой, зависит от температуры и плотности газа, как показано ниже. Это соотношение включает произведение числа молей газа ( n ) и средней скорости частиц газа (ν x ), а именно:

Φ(см−2с−1)=n∫0∞νxdnx    (1)

в тепловом равновесии (подложка, камера ALD и газ при одинаковой температуре), мы можем использовать распределение скоростей Максвелла-Больцмана, как определено:

f(νx)= dnxdνx= (m2πkT)12e−mνx22kT    (2)

, где m — масса каждой газовой частицы, а k — постоянная Больцмана (1. 38 × 10 23 Дж/К). Из уравнений (1, 2) мы получили:

Φ(см−2s−1)=n(m2πkT)12∫0∞νxe−mνx22kTdνx    (3)

Используя закон идеального газа ( p ( T ) = нТл ) и решая интегрирование в уравнении (3), поток прекурсора на подложку в секунду и на единицу площади был получено по давлению и температуре:

Φ(см−2с−1)=p(T)2πmkT    (4)

По определению Van der Merwe (1993), скорость реакции R составляет:

R=α .Φ(см−2с−1)=αp(T)2πmkT    (5)

, где α — доля адсорбированных молекул, а T — температура газа в процессе в камере (реактор ALD).

После того как скорость реакции была определена в соответствии с параметрами осаждения (давление и температура), на следующем этапе была получена теоретическая ГПХ, зависящая от времени импульса. Эта общая модель описывает ГФХ как неявную зависимость парциального давления, массы частиц, сталкивающихся с подложкой, и температуры подложки/камеры.Явная зависимость связана со скоростью реакции и временем импульса прекурсора в процессе ALD.

Puurunen (2003) описал взаимосвязь между GPC, насыщенным ростом за цикл (GPC SAT ) и экспериментальным адсорбционным покрытием ( O ), определяемым по формуле: Oexp(t)=GPC(t)GPCSAT. Согласно этому исследованию экспериментальное адсорбированное покрытие находится в диапазоне 0 < O exp ( t ) < 1, или O min ( t ) < 8 O 9 t ) ≤ O макс. ( t ).Следовательно, O мин ( T )> 0, и O MAX ( T ) = 1 приводит нас к следующим отношениям, O EXP ( T ) = O max ( t )− O min ( t ) = 1− O min ( t ).

Чтобы уточнить взаимосвязь между ГПХ и адсорбированным покрытием, мы использовали следующие математические/физические наблюдения.Временная эволюция адсорбированного покрытия O в каждой области описывается как дифференциальное уравнение, поскольку оно содержит неизвестную функцию O и ее производную по времени dO dt. Следовательно, если не учитывать ненулевое адсорбированное покрытие, то O ( t ) > 0 для всего времени импульса (t). При добавлении произвольной константы k > 0 во временной эволюции адсорбированного покрытия уравнение принимает вид dO dt=kO(t), а его производная становится dO dt>0 для любого t.

Следовательно, дифференциальное уравнение, описывающее адсорбированное покрытие как функцию времени импульса и скорости реакции ( k = R ( T )) определяется как:

dO  dt=R(T).O (t). (6)

Решив обе части уравнения (6) и соблюдая пределы интегрирования, мы получили:

∫Omin(t)Omax(t)dθ(t) (O (t))=R∫0tmaxdt=∫1−Oexp(t)1dθ(t) (O (t))=R∫0tmaxdt,    (7)

Решение уравнения (7):

ln (1−Oexp(t))=−Rtmax    (8)

Следовательно, адсорбционное покрытие описывается следующим равенством:

Oexp(t)=1−e−Rtmax    (9)

Используя соотношение θexp= GPC(t)GPCSAT, мы получили:

GPC(t)=GPCSAT. Oexp(t)=GPCSAT.(1−e−RtSAT  )    (10)

В этой работе уравнение (10) использовалось для корректировки экспериментальной кривой насыщения процесса ALD (ГПХ в зависимости от времени импульса) для всех изученных прекурсоров и типов подложек. Кроме того, его использование может быть расширено для настройки кривых насыщения ГПХ в зависимости от времени импульса прекурсора в других пленках и подложках.

Экспериментальная процедура

Процесс АСО и подготовка пленки

TiO 2 Тонкие пленки были получены в системе ALD TFS-200 (Beneq Oy, Эспоо, Финляндия), работающей по двум типам процесса, соответственно: (i) термическому ALD для фиксированного количества реакционных циклов, равному 1000, и с поперечным потоком газов.Схема реактора показана на рисунке 2А. В этом инструменте ALD изменение температуры подложки не превышало 3°C для всех исследованных условий (Chiappim et al., 2016a,b; Testoni et al., 2016). Фоновое давление в реакторе было ниже 1 Па, а во время процесса осаждения давление газа поддерживалось на уровне около 1,0 гПа за счет введения 300 см3/мин N 2 ; и (ii) ALD с плазменным усилением (PEALD) с реактором с емкостно-связанной плазмой (CCP). Схема реактора показана на рисунке 2B.Реактор состоит из цилиндрической камеры с внутренним диаметром 200 мм. Он состоит из двух основных частей: верхней зоны генерации плазмы и нижней технологической зоны. В верхней зоне генерации плазмы плазма генерируется за счет емкостной связи верхней пластины с ВЧ источником питания 13,56 МГц (Cesar, Advanced Energy Inc., Форт-Коллинз, Колорадо, США) и заземлением нижнего сетчатого электрода и радиальных стенок реактора. с числом циклов реактора 1000. Этот тип конфигурации реактора PEALD классифицируется как удаленный плазменный режим (Chiappim et al., 2016в). В такой обстановке ионное повреждение должно быть значительно подавлено, поскольку зона генерации плазмы располагалась на определенном расстоянии от зоны процесса (Kääriäinen and Cameron, 2009). При этом держатель подложки заземляется.

Рисунок 2 . Принципиальная схема инструментов ALD: (A) термический ALD с поперечным потоком и (B) плазменный реактор с емкостной связью, используемые для процессов PEALD в дистанционном плазменном режиме.

В этом исследовании в качестве подложек мы использовали коммерческое стекло FTO (Sigma-Aldrich, Сан-Паулу, Бразилия) с поверхностным сопротивлением пленки SnO 2 : F 7 Ом/кв.и стеклянную пластину толщиной 3 мм, и трехдюймовые кремниевые пластины типа <100> p (University Wafer Inc., Южный Бостон, Массачусетс, США). Эти подложки были индивидуально очищены в ультразвуковой ванне с использованием ацетона и деионизированной воды в течение 5 мин. Затем их сушили газообразным азотом перед введением в реакционную камеру термического ALD и PEALD. Пленки TiO 2 были выращены с использованием TiCl 4 (99,95%, Sigma-Aldrich, Сан-Паулу, Бразилия) или TTIP (97,0%, Sigma-Aldrich, Сан-Паулу, Бразилия) и O 2 (99.99%, White Martins, Jacareí, Бразилия) в качестве источника газа для плазмы и деионизированной воды в качестве предшественника окислителя в термическом ALD.

Барботер-предшественник TTIP нагревали до 70°C для получения высокого давления паров (Pessoa et al. , 2015), а азот (99,999%, White Martins, Jacareí, Бразилия) использовали в качестве газа-носителя. Линия подачи пара TTIP также нагревалась до той же температуры, чтобы предотвратить конденсацию прекурсора. TiCl 4 и воду выдерживали при 20°C и использовали без газа-носителя (т.е., капиллярная трубка, адаптированная к реактору, использовалась для управления потоком прекурсора, вводимого в камеру ALD, за счет воздействия только давления паров прекурсора, что означает, что барботирующая система не использовалась). Газообразный кислород подавался через верхнюю зону генерации плазмы со скоростью потока 50 см3/мин. Реактор вакуумировали при давлении ниже 1,0 гПа. Давление газа поддерживали на уровне 1,0 Па путем введения 250 см3/мин N 2 , который также имеет функцию продувки.

В таблице 1 и на рисунке S1 показаны все значения длительности импульса, температуры и ВЧ-мощности, используемые здесь для исследования поведения насыщения ГПХ и его последующего возмущения кристалличностью, а также толщины тонких пленок TiO 2 на Si (100) и FTO. субстраты.Мы разделили исследования на восемь наборов. В первых семи наборах образцов температура процесса была зафиксирована на уровне 250°C для обоих прекурсоров Ti с варьированием времени импульса для прекурсоров Ti-продувка-прекурсор окислителя (водяной пар или плазма O 2 )-продувка. В первом и третьем наборах образцов время импульса прекурсоров Ti изменялось при фиксированных других импульсах. С другой стороны, во втором и четвертом наборах образцов время импульса H 2 O варьировалось при фиксированных других импульсах. В восьмом наборе образцов повторяли первый и третий наборы образцов с изменением температуры от 150 до 400°С, максимальная температура для предшественника ТТИП составила 300°С из-за разложения ТТИП при более высоких температурах.В PEALD, пятом и шестом наборах образцов ВЧ-мощность была зафиксирована на уровне 150 Вт при изменении времени импульса плазмы O 2 . Наконец, в седьмом наборе образцов были повторены шаги пятый и шестой с изменением ВЧ-мощности от 100 до 200 Вт. В двух режимах ALD длительность импульса TTIP менее 0,25 с не приводила к получению пленок TiO 2 , поэтому в В таблице 1 мы не рассматриваем это значение для TTIP. Стоит отметить, что для всех наборов образцов рост пленок на обеих подложках (FTO и Si) проводился в одинаковых условиях.

Таблица 1 . Время импульса (прекурсор Ti-продувка-окислитель-прекурсор-продувка) варьируется и температура при 250°C для первого-шестого набора образцов.

Характеристика материала

Для определения химического состава (в процентах), стехиометрии и толщины пленок ALD TiO 2 на подложках Si (100) и FTO был проведен анализ спектроскопии обратного резерфордовского рассеяния (RBS). Измерения РОР проводились на ускорителе типа Пеллетрон с 2.Пучок 4He + с энергией 2 МэВ в качестве детектора частиц, расположенный под углом 170° к падающему лучу. Чувствительность анализа RBS для Ti, O и Si имеет погрешность ~5%. Анализ данных и оценка спектров RBS проводились в компьютерной программе MultiSIMNRA (Mayer, 1999). Компьютерный код MultiSIMNRA был разработан для управления несколькими экземплярами программы SIMNRA (по состоянию на 27 февраля 2020 г., домашняя страница LAMFI), обеспечивая плавный анализ данных RBS многочисленных методов ионного пучка, измеренных на одном и том же образце.Это применялось ко всем пленкам, выращенным с помощью ALD и PEALD, и теоретическая плотность TiO 2 учитывала кристаллическую структуру материала после осаждения для преобразования значений плотности RBS (10 15 атомов·см -2 ) в толщина слоя (нм). Кроме того, ex-situ фазово-модулированная спектроскопическая эллипсометрия (UVISEL Jobin Yvon, Хориба, Киото, Япония) использовалась для измерения однородности толщины термического и плазменного процесса ALD в спектральном диапазоне 0.75–6,5 эВ с шагом 50 мэВ при угле падения 70°. Толщины, измеренные методами RBS и эллипсометрии, совпадали, как показано в сечении химического состава и толщины.

Кристалличность, деформация и пленочная фаза были охарактеризованы с помощью дифракции рентгеновских лучей со скользящим падением (GIXRD) (XRD 6000, Shimadzu, Киото, Япония). Картины GIXRD получали при комнатной температуре в гониометре с использованием медной мишени CuKα-излучения 1,5418 Å, 2θ от 10 до 80°, при скорости сканирования 0.02° с -1 , напряжение 40 кВ, ток 30 мА. Эти исследования GIXRD проводились при угле падения 0,29°. Этот угол был близок к оптимальным значениям для пленок анатаза и позволял эффективно уменьшать отражения от кремниевой подложки (Aarik et al., 2013). Этот угол не подходит для подложки FTO, позволяя анализировать только фазы пленки TiO 2 вместе с малоинтенсивными пиками фаз FTO. Следовательно, мы сосредоточились на подложке Si, чтобы оценить пики с наибольшей интенсивностью.

Степень кристалличности (CD) рассчитывали, используя соотношение между площадью всех кристаллических пиков и площадью дифрактограммы (т.е. все области кристаллические и некристаллические). Все дифракционные пики TiO 2 и фазы пленки идентифицируются по файлу порошковой дифракции (JCPDS:21-1272) (Gates-Rector and Blanton, 2019). Штамм (ы) рассчитывали с использованием процентной разницы между экспериментальным положением пика (EPP) в GIXRD и расслабленным положением пика (RPP) анатаза (Gates-Rector and Blanton, 2019).Мы проанализировали пик с наибольшей интенсивностью и использовали функцию Гаусса для извлечения ПКП и полной ширины на половине максимума (FWHM).

Результаты и обсуждение

Химический состав и толщина

Стехиометрия и толщина пленки TiO 2 были измерены с помощью RBS, а толщина была подтверждена с помощью эллипсометрической спектроскопии. На рисунках 3A, B показаны экспериментальные и смоделированные спектры RBS для пленок TiO 2 , осажденных при 250°C на FTO и Си соответственно.Спектр RBS голой подложки FTO показан на вставке к рисунку 3A. На этом рисунке в качестве примера показаны только спектры, относящиеся к длительности импульса АСО, следующим образом (воздействие прекурсора TiCl 4 ; 0,25 с) – (продувка N 2 ; 2,0 с) – (воздействие реакционного газа H 2 O; 0,25 с) — (продувка N 2 ; 2,0 с) при 250°C. В таблице 2 показаны значения толщины, выполненные по обоим методам. Планка погрешности была рассчитана с использованием значений, измеренных при росте образцов в одних и тех же условиях в разные дни или на основе измерений более чем в одном месте.Однородность толщины тонкой пленки имеет отклонение менее 3%. Четко определенные пики показывают сигнал обратного рассеяния Ti и O на рисунке 3. Поверхностная плотность атома обозначена площадями под пиками, которые зависят от сечения обратного рассеяния (Chiappim et al., 2020).

Рисунок 3 . Экспериментальные и смоделированные спектры RBS и планка ошибок для пленок TiO 2 , осажденных при 250°C на FTO (A) и Si (B) . Спектр RBS подложки без покрытия FTO показан на вставке (A) .

Таблица 2 . Толщина RBS и эллипсометрии, рост за насыщенный цикл и молекулярный поток.

Элементный химический состав пленок, выращенных по первому и второму комплектам образцов (термоАСД) на обеих подложках, показывает, какие из пленок TiO x имеют значения x в диапазоне от 1,94 ± 0,01 до 1,98 ± 0,01. Лучшая стехиометрия (1,98 ± 0,01) была достигнута из значений GPC SAT для обоих предшественников Ti. Для восьмого набора образцов (термический ALD) значения x находятся в диапазоне от 1.от 87 ± 0,01 до 1,98 ± 0,01 при использовании прекурсора TiCl 4 (лучшая стехиометрия (1,98 ± 0,01) для температуры была между 200 и 300°C). Для третьей и четвертой серий образцов (термоАСД) на обеих подложках значения x варьировались от 1,96 ± 0,01 до 1,98 ± 0,01. Для восьмого набора образцов значения x находились в диапазоне от 1,95 ± 0,01 до 1,98 ± 0,01 при использовании предшественника ТТИП (1,98 ± 0,01 для температуры от 200 до 250 °C и уменьшались до 1,96 ± 0,01 при 300 °C). . С другой стороны, рост пленки TiO x в соответствии с пятым, шестым и седьмым набором образцов (плазменный ALD) привел к сверхстехиометрии со значениями x от 2.02 ± 0,01 до 2,30 ± 0,01. Эти избытки кислорода в PEALD TiO 2 согласуются с результатами других недавних исследований (Wei et al. , 2013; Avila et al., 2019; Chiappim et al., 2020). Более подробное исследование стехиометрии кислорода в тонких пленках TiO 2 включено в раздел «Влияние ГПХ и времени импульса на качество кристалличности».

Оценка теоретического уравнения в экспериментальных данных ГПХ

Исследование времени импульса

Процесс «настоящего ALD» характеризуется (i) GPC, который не увеличивается со временем воздействия прекурсора [i.д., самоограничивающийся рост со временем (как показано на рисунке 1A) и (ii) линейное поведение толщины пленки с увеличением числа циклов (рисунок 1B) (Faraz et al., 2015)]. На рис. 4 показана зависимость ГПХ от времени импульса прекурсоров TiCl 4 и ТТИП. Экспериментальную ГПХ рассчитывали по соотношению толщина/количество циклов.

Рисунок 4 . Экспериментальная и смоделированная ГПХ в зависимости от времени импульса для тонких пленок TiO 2 : (A) первый и третий наборы образцов на Si-подложке, (B) второй и четвертый наборы образцов на Si-подложке, (C) ) пятый и шестой наборы образцов на кремниевой подложке и (D) первый-шестой наборы образцов на подложке FTO.

ГПХ насыщалась при t SAT ≥ 0,25 с и t SAT ≥ 1,0 с соответственно для прекурсоров TiCl 4 и ТТИП на обеих подложках (Si (100) и FTO), что указывает на рост Тонкие пленки TiO 2 самоограничились для термического ALD и PEALD. Теоретическая кривая (уравнение 10) скорректировала все экспериментальные данные ГПХ в зависимости от времени импульса во всех изученных случаях, как показано на рисунке 4.

На рисунках 4A, B (черные точки) и D (черные точки) показано, что экспериментальные данные соответствуют теоретической кривой, уравнению (10) (красная линия), ГПХ в зависимости от TiCl 4 и H 2 импульс прекурсоров O, изменяющийся во времени (в термическом ALD, как предложено в таблице 1).Как показано в таблице 2, GPC SAT для первого набора образцов на Si(100) составляла 0,089 ± 0,04 нм/цикл (рис. 4А), а на FTO в тех же условиях составляла 0,087 ± 0,04 нм/цикл (рис. 4D). ). Эти значения показали, что рост тонких пленок TiO 2 является самоограниченным на обеих подложках. Скорость реакции R была примерно одинаковой как для Si, так и для FTO-субстратов: 9,0 ± 0,6 и 9,4 ± 0,6 с -1 соответственно. Для второго набора образцов GPC SAT (нм/цикл) имеют те же значения (0.082 ± 0,04) для обоих субстратов при скорости реакции 11,4 ± 0,5 с -1 . Все приведенные выше значения скорости реакции показали, что эти подложки имеют сходное поведение для роста тонких пленок TiO 2 при одинаковых условиях роста. Значения GPC SAT для первого и второго наборов образцов согласуются с относительной ошибкой. Повышение R(s -1 ) первого набора по сравнению со вторым показывает, что имело место увеличение потока предшественника к подложке, Φ (уравнение 4).

Это увеличение скорости реакции (уравнение 5) согласуется с Reinke et al. (2016), которые показали для ТТИП Φ = 1,0 × 10 18 см −2 с −1 , а для воды Φ = 4,0 × 10 19 см −2 с 1 . Для расчета потока прекурсора на подложку использовали Φ=J≈(Dp)(δRT), где D — коэффициент диффузии, p — парциальное давление прекурсора, δ — толщина диффузии, R — газовая постоянная, T — абсолютная температура.Коэффициент диффузии был приблизительно равен D= 23pkBTd2kBTπ3M, где d — диаметр молекул, а M — масса. Комбинируя этот коэффициент диффузии с уравнением (4), мы получаем следующее соотношение Φ= (3πD)(22d2). Как видно на рисунках 6C,D, значения, рассчитанные по уравнению (4), имеют тот же порядок величины, что и значения, показанные Reinke et al. (2016) с использованием различных уравнений и параметров, тем самым подтверждая простую теорию, изложенную в этой работе.

Для предшественника TTIP в термическом ALD зависимость ГПХ от времени импульса показана на рисунках 4A, B (оранжевые точки) и D (оранжевые точки), где корректировка экспериментальных данных по уравнению (10) представлена ​​красной линией. . Как показано в таблице 2, GPC SAT для третьего набора образцов на Si(100) составляла 0,037 ± 0,04 нм/цикл (рис. 4А), а на FTO в тех же условиях составляла 0,034 ± 0,04 нм/цикл (рис. 4D). ). Скорость реакции была примерно одинаковой как для Si, так и для FTO-субстратов, 2.2 ± 0,2 и 2,4 ± 0,2 с -1 соответственно. Для четвертой партии образцов на Si, GPC SAT (нм/цикл) значение 0,033±0,04, а на FTO в тех же условиях 0,031±0,04. Расчетная скорость реакции на Si и FTO составила 2,1 ± 0,2 и 2,5 ± 0,2 с -1 соответственно.

Согласно Reinke et al. (2016), скорость падения H 2 O на порядок выше скорости падения TTIP. Однако скорость реакции четвертого набора образцов была не выше, чем у третьего набора образцов.Это отличное поведение связано с разными параметрами, используемыми в обеих работах, такими как температура и время импульса. Наши результаты показывают, что R имеет одинаковое значение как для ТТИПа, так и для H 2 O, и такое поведение возможно из-за меньшего значения доли адсорбированных молекул (α) в H 2 O во времени экспозиции, что вызывает недостаточное скорость реакции, препятствующая общему гидролизу молекул ТТИП и уменьшающая количество мест адсорбции на поверхности субстрата. Следовательно, в следующем импульсе воздействия адсорбировалось небольшое количество ТТИП, и ГПК уменьшалась.Такое поведение показывает, что выбор времени импульса TTIP не подходит для термического ALD.

Другое наблюдение связано с GPC SAT и толщиной тонких пленок TiO 2 , выращенных методом термического ALD с использованием TTIP в качестве прекурсора. Эти параметры в среднем составляют 40% от значения, полученного при использовании TiCl 4 . Такое поведение можно объяснить (i) снижением вероятности прилипания при физической сорбции при использовании ТТИП или (ii) увеличением стерических затруднений при использовании TiCl 4 .Тем не менее, вероятность прилипания при физической сорбции может уменьшить количество физической сорбции (Puurunen, 2005a,b), а уменьшение возможности прилипания может привести к увеличению десорбции при физической сорбции (Yuan et al., 2014).

Рисунок 4C (оранжевые и черные точки) и рисунок 4D (синяя и темно-синяя точки) показывают, что экспериментальные данные соответствуют теоретической кривой уравнения (10) ГПХ в зависимости от времени импульса плазмы O 2 — варьируется (в пятом и шестом наборах образцов использовалась фиксированная ВЧ-мощность 150 Вт). Для предшественника TiCl 4 на кремнии мы получили значения 0,083 ± 0,04 нм/цикл и 12,1 ± 0,6 с -1 соответственно, параметры GPC SAT и R. Для подложки FTO мы получили 0,082 ± 0,04 нм/цикл и 13,8 ± 0,9 с -1 . При использовании ТТИП GPC SAT достигала значения 0,072 ± 0,04 нм/цикл на Si(100), а на FTO достигала значения 0,070 ± 0,04 нм/цикл, а скорость реакции достигала 3,4 ± 0,2 с. −1 для Si(100) и 3.6 ± 0,2 с −1 для FTO.

Все показанные здесь значения GPC SAT подтверждают предыдущие исследования. Например, Аарик и др. (2013) и Puurunen et al. (2011) наблюдали аналогичные значения, используя TiCl 4 и H 2 O в качестве прекурсоров. Стробел и др. (2016) также показали короткий t SAT в PEALD, тогда как Aghaee и Maydannik (2015) показали значения GPC SAT , которые почти совпадают с данными, полученными в этой работе для PEALD с использованием предшественника TTIP. Мы заметили, что GPC SAT для PEALD в два раза превышает значение, полученное с использованием TTIP и H 2 O в качестве предшественников. Это происходит в случае PEALD с использованием TTIP, потому что на поверхности могут образовываться два типа реактивных центров, которые хемосорбируют виды TTIP (Rai and Agarwal, 2009). Во-первых, это карбонаты, образующиеся при сгорании изопропоксидных лигандов. Во-вторых, поверхностные гидроксильные группы, образующиеся при диссоциации молекул H 2 O на высокореакционноспособные гидроксильные радикалы (Chiappim et al., 2016в). Было замечено, что самосмещение в плазменной оболочке способствует адекватному снабжению энергией ионов, вызывая химические реакции во время PEALD, увеличивая количество лиганд-сайтов (Chiappim et al., 2020). Таким образом, мы можем подтвердить, что время воздействия, приписываемое первой, второй и пятой группам образцов, находится в резонансе, при этом прекурсор TiCl 4 адсорбируется в равной степени на обеих поверхностях подложки, что подтверждается значениями GPC SAT и R. Выбор времени экспозиции для третьей, четвертой и шестой серии образцов оказался более эффективным при использовании ТТИП в ПЭАЛД, где наблюдалось увеличение доли адсорбированных молекул и, как следствие, увеличение ГПХ в два раза по сравнению с термическим АСО используя то же время экспозиции.

Чтобы подтвердить правильность общей модели для любого тонкопленочного материала, были проведены исследования зависимости экспериментальной ГПХ от времени импульса для различных оксидных материалов с различными параметрами АСО, такими как температура, давление, подложка, время импульса, прекурсоры и лиганды. Мы использовали экспериментальные данные Oh et al. (2018), Аоки и др. (2015), Pilz et al. (2018) и Jung et al. (2014) для проверки зависимости ГПХ от времени импульса для тонких пленок HfO 2 , Al 2 O 3 , ZnO и RuO 2 соответственно.

О и др. (2018) изучали электрические свойства тонких пленок HfO 2 с использованием HfCl 4 (предшественник галогенида) и Hf (N (CH 3 ) 2 ) 4 (предшественник амида). Они использовали подложки кремния p-типа (001) при температуре 250°C и осаждали тонкие пленки толщиной 10 нм. Как показано на рисунке 5, применение теоретической модели для ГПХ в зависимости от времени импульса (черная линия) показало насыщение, когда t SAT ≥ 2,0 с и t SAT ≥ 1,0 с, соответственно, для HfCl 4 и Hf (N(CH 3 ) 2 ) 4 время импульса.Для обоих предшественников GPC SAT составлял 0,12 нм/цикл для роста тонких пленок HfO 2 , самоограниченный для галогенидных и амидных предшественников (согласно рис. 1А). Теоретическая кривая (уравнение 10) скорректировала все экспериментальные данные ГПХ в зависимости от времени импульса в обоих случаях, и скорость реакции Hf(N(CH 3 ) 2 ) 4 была равна 3,74 с -1 , а для HfCl 4 1,76 с -1 .

Рисунок 5 .Экспериментальная и смоделированная ГПХ в зависимости от времени импульса для некоторых экспериментальных данных из литературы для различных тонких пленок: (A) и (B) RuO 2 , (C) ZnO, (D) Al 2 O 3 и (E,F) HfO 2 .

Аоки и др. (2015) построили и охарактеризовали МОП-конденсаторы n- и p-типа со структурами Al 2 O 3 /AlN/GaAs. Как видно на рисунке 5, график теоретической кривой соответствует экспериментальной ГПХ по сравнению свремя импульса для предшественника ТМА для окислителя, используемого ИПС при 400°С. Общая модель показала насыщение, когда t SAT ≥ 5,0 с для времени импульса ТМА, а GPC SAT составила 0,092 нм/цикл со скоростью реакции ~ 0,60 с -1 .

Пильц и др. (2018) использовали изготовленный на заказ реактор прямого плазменного ALD для нанесения тонких пленок ZnO на одну сторону полированных подложек Si (100) с естественным оксидом. ВЧ-мощность составляла 100 Вт для 100 циклов PEALD, и в качестве прекурсоров использовали диэтилцинк (DEZ) и плазму O 2 .В этом приложении общей модели для ГПХ использовалось время импульса плазмы O 2 . Как видно из рисунка 5, насыщение происходило при t SAT ≥ 5,0 с для времени импульса плазмы O 2 , а GPC SAT составляло 0,15 нм/цикл при скорости реакции ~ 1,42 с −1 .

Юнг и др. (2014) синтезировали нульвалентный (1,5-гексадиен)(1-изопропил-4-метилбензол)Ru(0) прекурсор и вырастили тонкие пленки RuO 2 на кремнии с природным оксидом при 180–350°C и использовали O 2 плазма в качестве окислителя.На рис. 5 показана корректировка графика теоретической кривой для времени импульса (1,5-гексадиен)(1-изопропил-4-метилбензол)Ru(0) и времени импульса плазмы O 2 соответственно. Насыщение длительности импульса происходило при t SAT ≥ 4,0 с для прекурсора RuO 2 с GPC SAT , равной 0,056 нм/цикл, и скоростью реакции ~ 0,92 с -1 . В случае изменения времени импульса плазмы O 2 насыщение наступало при t SAT ≥ 2,0 с с GPC SAT , равным 0.079 нм/цикл и скорость реакции ~2,0 с -1 .

Теоретическая кривая (уравнение 10) скорректировала все экспериментальные данные ГПХ в зависимости от времени импульса во всех случаях. Таким образом, эта общая модель может применяться в различных процессах роста тонких пленок методом АСО и может использоваться для прогнозирования t SAT , GPC SAT и скорости реакции для сокращения времени процесса АСО и количества прекурсоров, используемых в процессе. .

Влияние мощности РЧ и температуры на скорость реакции

На рис. 6 показана скорость реакции в зависимости от мощности плазмы O 2 (седьмой набор образцов при 250°C) и в зависимости от температуры (восьмой набор образцов).На рисунке 6А показано, что скорость реакции увеличивалась между 100 и 150 Вт и уменьшалась между 150 и 200 Вт. Поскольку R равно α. Φ( см −2 с −1 ) и Φ( см −2 с −1 ), согласно уравнению, являются функцией температуры которая была зафиксирована при 250°С. Мы предполагаем, что при мощности ВЧ 150 Вт происходит оптимизация молекул, адсорбированных (α) на подложке. Такое поведение указывает на идеальное значение мощности радиочастоты.Возможные объяснения могут быть связаны с (i) идеальной плотностью радикальных частиц, которые увеличивают длину свободного пробега и, следовательно, увеличивают долю адсорбированных молекул и скорость реакции, и (ii) увеличением электронной плотности, что приводит к O 2 , что приводит к увеличению концентрации атомов О в плазме. Это увеличение потока атомов O через сетку (рис. 2B) способствует реакциям окисления адсорбированного слоя прекурсора.

Рисунок 6 .Параметры, извлеченные из теоретической модели, примененной к экспериментальным данным: (A) скорость реакции [R(s -1 )] против мощности ВЧ, (B) скорость реакции [R(s -1 )] от температуры, (C) коэффициент диффузии [ D ( см −2 с −1 )] от температуры и (D) см молекулярного потока [Φ( см −2 с −1 )] в зависимости от температуры.

На рис. 6В показано, что скорость реакции снижается с повышением температуры осаждения, что согласуется с уравнением (5) (R(s -1 ) ∝ T -1/2 ).На рис. 6B показано поведение, отличное от рис. 6C,D, как показано в исследовании времени импульса сечения R(s −1 ) ∝ Φ( см −2 с −1 ) ∝ D . При 300 и 250°C соответственно для TiCl 4 и TTIP наблюдается увеличение α, что указывает на идеальную температуру, которая вызывает лучшую химическую реакцию на поверхности. Другое наблюдение на рисунке 6B может быть связано с типичным температурным «окном» в ALD, которое часто неправильно интерпретируется. Большую часть времени в каждом диапазоне температур GPC SAT является постоянным.Недавно Sonsteby et al. (2020) обсудили это ошибочное мнение, показав, что GPC SAT может изменяться в зависимости от температуры при продолжающемся самоограничивающемся росте. Такое поведение также наблюдали Kim et al. (2019) и Chiappim et al. (2016b) для ALD SnS с использованием двух разных прекурсоров и для ALD TiO 2 с использованием прекурсора TiCl 4 на подложках FTO и Si соответственно.

Влияние ГПХ и времени импульса на качество кристалличности

Чтобы выяснить влияние ГПХ и времени импульса на качество кристалличности, мы сосредоточили анализ на тонких пленках TiO 2 , выращенных на подложке Si.Этот выбор был необходим, чтобы избежать дифракционных пиков субстрата FTO, которые могли поставить под угрозу анализ. Поэтому мы сосредоточимся на подложке Si для оценки пиков TiO 2 с максимальной интенсивностью (на рисунке S2 показаны все пики анатаза, обнаруженные в этой работе, на основе JCPDS: 21-1272 (Gates-Rector and Blanton, 2019).

На рисунке 7 представлены дифрактограммы GIXRD для первого и второго набора образцов, согласно файлу порошковой дифракции (JCPDS:21-1272) (Gates-Rector and Blanton, 2019) все фазы пленки представляют собой анатаз с более высокой интенсивностью в пике ( 101). Согласно JCPDS:21-1272, RPP для пика (101) составляет 25,301°, который будет использоваться во всех анализах. Как видно на рисунках 7A,C, все пленки были сильно ориентированы с пиком (101), увеличивающим интенсивность при изменении времени импульса от 0,1 до 2 с. Другим наблюдением, подтверждающим высокое качество кристалличности этих пленок, является пик второго порядка (202), появляющийся на всех дифрактограммах. Фаза пленки не изменялась при изменении времени импульса, что указывает на то, что фаза пленки зависит от температуры.В таблице 3 приведены сводные данные о ПКП, FWHM, степени кристалличности и деформации (деформациях) для всех данных. Неопределенность всех параметров, извлеченных из рисунка 7, низкая, что свидетельствует о высокой точности параметров, полученных с помощью функции Гаусса. Согласно Авила и соавт. (2019), отрицательная деформация указывает на сжимающую деформацию, а положительная деформация указывает на растягивающее напряжение. Во всех случаях значение s (%) является положительным, что приводит к растягивающему напряжению. В первом наборе (рис. 7А) произошло снижение ПКП с (25,629 ± 0.002)° до (25,568 ± 0,002)° (рис. 7Б), что свидетельствовало о смещении пика (101), такое поведение имеет место при увеличении времени импульса и, как следствие, уменьшение s (%) с 1,30 до 1,06 , увеличение FWHM (°) с 0,51 до 0,67 и CD (%) с 57 ± 1 до 80 ± 1, что свидетельствует о высоком качестве кристалличности пленок. Во втором наборе образцов (рис. 7C) FWHM (°) оставалась примерно постоянной (0,55 ± 0,01), ПКП уменьшился с (25,609 ± 0,002)° до (25,595 ± 0,002)°, а CD (%) увеличился с 64 от ± 1 до 69 ± 1, что также свидетельствует о высоком качестве кристалличности, однако уступает первому набору образцов.Таким образом, для прекурсора TiCl 4 рост пленки TiO 2 в термическом режиме (первый и второй набор образцов) имеет кристалличность и деформацию, зависящие от времени импульса (как видно из таблицы 3) .

Рисунок 7 . Дифрактограмма GIXRD для роста пленки TiO 2 с использованием TiCl 4 предшественник: (A) первый набор образцов, (B) пик (101) для первого набора образцов, (C) второй набор образцов образцы и пик (D) (101) для второго набора образцов.

Таблица 3 . Пиковые значения GIXRD (101) и расчетная деформация из рис. 7–9.

На рис. 8 представлены дифрактограммы GIXRD для третьего набора (термический ALD) и шестого набора образцов (плазменный ALD) для прекурсоров TTIP, а все параметры сведены в табл. 3. Следует отметить, что четвертый набор образцов ( термический ALD) с изменяющимся временем импульса реакционного газа (пары H 2 O), не дает пиковой интенсивности в GIXRD, таким образом демонстрируя низкую кристалличность [т.е.т. е. неравномерная деформация (Avila et al., 2019), исключение составило время импульса 2,0 с, параметры которого приведены в таблице 3]. На рисунке 8А показаны дифрактограммы, относящиеся к третьему набору образцов, как видно, пленки TiO 2 имеют низкое качество кристалличности. Неопределенность параметров, извлеченных из третьего набора, низкая для 1,0 и 2,0 с, что свидетельствует о высокой точности параметров, полученных функцией Гаусса. С другой стороны, неопределенность для длительности импульса 0,25 и 0,5 с высока из-за чрезвычайно слабого пика (101).Как показано в таблице 3, неопределенность увеличивается на два порядка для EPP и на один порядок для FWHM. Это увеличение неопределенности делает невозможным исследование деформации в течение 0,25 и 0,5 с. При длительности импульса 1,0 и 2,0 с на пленках виден пик второго порядка (202) и пики (105), (211) и (204), что улучшило КД (%) до 40 ± 1, для оба импульса. В отличие от поведения пленок TiO 2 , выращенных с использованием TiCl 4 (первый и второй набор образцов), произошло увеличение ПКП от (25.2 ± 0,2)° до (25,409 ± 0,002)° (рис. 8В) и увеличение CD (%) с 15 ± 1 до 40 ± 1. Эти результаты показывают низкое качество кристалличности для третьего набора образцов и CD (%) зависит от времени импульса. На рис. 8С представлены дифрактограммы шестого набора образцов, показывающие, что все пленки были сильно ориентированы, причем пик (101) увеличивал интенсивность с увеличением времени воздействия плазмы O 2 с 0,25 до 2,0 с. Как видно из первой и второй серий образцов, на всех дифрактограммах наблюдался пик второго порядка (202), что подтверждает высокую степень кристалличности.Для всех пленок значение s (%) положительное, что приводит к растягивающему напряжению. На рис. 8Г показано снижение ПКП с (25,600±0,002)° до (25,548±0,002)°, что подтверждает смещение пика (101), такое поведение имеет место при увеличении длительности импульса, как следствие, имеем уменьшение s (%) от 1,18 до 0,97, а полуширина (°) оставалась приблизительно постоянной (0,51 ± 0,01). Эти результаты, как обсуждалось ранее, подтверждаются CD (%), который достиг лучших значений (от 80 ± 1 до 95 ± 1), что свидетельствует о высочайшем качестве кристалличности пленок.

Рисунок 8 . Дифрактограмма GIXRD для роста пленки TiO 2 с использованием предшественника TTIP: (A) третий набор образцов, (B) пик (101) для третьего набора образцов, (C) шестой набор образцов и (D) пик (101) для шестого набора образцов.

Как упоминалось ранее, эти пленки имеют сверхстехиометрию, связанную с воздействием плазмы. В недавнем исследовании Chiappim et al. (2020) продемонстрировали влияние параметров процесса PEALD, таких как мощность РЧ и режим воздействия на подложку (прямое или удаленное воздействие плазмы), а с помощью характеристики RBS наблюдался избыток кислорода в пленках TiO x для O . 2 мощность плазмы в диапазоне от 100 до 150 Вт (т.е., значения x варьируются от 2,13 ± 0,01 до 2,33 ± 0,01). Вэй и др. (2013) обнаружили, что с помощью метода XPS стехиометрия пленок TiO x варьировалась от 2,08 до 2,32 для плазмы O 2 при мощности 400 Вт и температуре от 100 до 300°C. Авила и др. (2019), используя метод XPS, показали, что рост пленки TiO 2 с использованием тетракис-(диметиламино) титана (TDMAT) и плазменного газа Ar-O 2 и O 2 при РЧ-мощности 300 Вт, представленная стехиометрия пленок TiO x ~2. 04. На основании результатов, показанных на рисунке 8C и в таблице 3, мы можем предположить, что сверхстехиометрия для прекурсора TTIP связана с увеличением времени импульса плазмы O 2 , что снижает ПКП и с и увеличивает CD до значений выше 90%.

Наблюдение, что поверхность пленок PEALD TiO 2 поглощает сверхстехиометрический кислород с увеличением времени воздействия плазмы O 2 , может быть объяснено с помощью удобной единицы, называемой монослоем, и механизма сверхстехиометрии, предложенного Schneider et al. .(2020). Этот монослой можно рассматривать как максимально полезную ГПХ [т.е. статистическую величину (Puurunen, 2003)]. Согласно (Puurunen, 2005a,b), обсуждение механизма ALD с точки зрения монослоев иллюстративно, однако, чтобы избежать путаницы в номенклатуре, мы определили монослой как хемосорбированный монослой (CM).

Шнайдер и др. (2020) показали аналогичное поведение влияния озона в сверхстехиометрическом кислороде при атомно-слоевом осаждении Fe 2 O 3 с использованием трет-бутилферроцена и O 3 . Мы адаптировали их теорию, чтобы лучше понять сверхстехиометрию, представленную в этой работе. Как видно на рисунке 4A, GPC SAT для TTIP, выращенного в термическом режиме, составляет 0,037 нм (т.е. CM Thermal составляет 0,037 нм). В случае GPC SAT для TTIP, выращенного в плазменном режиме (рис. 4C), наблюдалось значение 0,0725 нм (т.е. для CM Plasma значение 0,0725 нм). Поскольку CM Plasma выше, чем CM Thermal , это показывает, что процесс PEALD наносит более одного полного CM Thermal из TiO 2 за цикл ALD.Избыток присутствующего кислорода коррелирует с экспозицией плазмы O 2 [т. е. при увеличении времени экспозиции с 0,25 до 2,0 с значение x (TiO x ) увеличивается с 2,02 ± 0,01 до 2,30 ± 0,01, что предполагает что увеличение воздействия плазмы вводит сверхстехиометрический кислород вблизи поверхности]. Это предложение согласуется с Schneider et al. (2020). С помощью XPS с угловым разрешением они показали, что состав пленок в объеме соответствует стехиометрии, а поверхность пленки содержит избыток кислорода, не ожидаемый для тонких пленок ALD Fe 2 O 3 . Результаты коррелировали сверхстехиометрию с длительностью импульса озона и с ГПХ выше монослоя (Schneider et al., 2020). Чтобы объяснить такое поведение, они предположили, что более насыщенные ГПК связаны с поведением пленки как резервуара для кислорода. Таким образом, полуреакции ALD больше не будут ограничиваться поверхностным монослоем растущей пленки. Кроме того, они показали диффузный физический механизм поглощения и потребления кислорода пленкой Fe 2 O 3 , который увеличивает рост более чем до монослоя в каждом цикле.

Адаптация химического механизма, использованного Schneider et al. (2020), чтобы объяснить сверхстехиометрию в наших тонких пленках PEALD, мы заменили O 3 на плазму O 2 и трет-бутилферроцен на TTIP. Их механизм предполагает, что кислород периодически поглощается пленкой из плазмы O 2 , а затем частично поглощается прекурсором Ti. Этот механизм требует способности дислокации кислорода через объем пленки анатаза, и действительно, в литературе сообщается о кислородных вакансиях и диффузии через TiO 2 (Herman et al. , 2013; Париж и Тайоли, 2016 г.). Следовательно, если кислород может храниться на подповерхностной поверхности пленки TiO 2 и способен перемещаться через пленку, чтобы достичь поверхности, то и кислородная вакансия, и реакция диффузии могут продолжать развиваться даже после осаждения монослоя. Эти механизмы приводят к росту более чем одного монослоя материала в каждом цикле PEALD с избытком кислорода (как предложено Schneider et al., 2020). Следовательно, на основе предложенного механизма наблюдается соответствие с поведением роста сверхстехиометрических пленок TiO 2 , где пленка действует как резервуар для кислорода.Такое поведение изменяет реакции ALD с ограниченного поверхностного монослоя на субмонослои, что приводит к более высокому насыщению GPC. Следовательно, мы имеем лучший CD (%) с самым высоким качеством кристалличности пленок PEALD.

На рис. 9А показаны дифрактограммы пятого набора образцов для прекурсора TiCl 4 в плазменном режиме. В таблице 3 показана низкая неопределенность для всех параметров, извлеченных из рисунков 9A, B, которые показывают высокую точность всех параметров, полученных с помощью функции Гаусса.Как видно, сверхстехиометрические пленки имеют высокую ориентацию с пиком (101) и увеличивают интенсивность с увеличением времени импульса от 0,1 до 2,0 с. Мы наблюдали пик второго порядка (202), увеличение CD (%) с 50 ± 1 до 80 ± 1 и уменьшение FWHM (°) с 0,63 ± 0,01 до 0,45 ± 0,01. Для всех пленок значение s (%) было положительным, что приводило к растягивающему напряжению. Между 0,1 и 1,0 с ПКП увеличивается с (25,411 ± 0,002)° до (25,547 ± 0,002)°, а через 2,0 с снижается до (25.429 ± 0,002)° (рис. 9Б). Таким образом, для пятого набора образцов качество кристалличности представляло собой самое высокое качество пленок. Это доказывает универсальность прекурсора TiCl 4 , поскольку он не зависел от режима воздействия реакционного газа (плазма H 2 O или O 2 ).

Рисунок 9 . Дифрактограмма GIXRD для роста пленки TiO 2 с использованием TiCl 4 предшественник: (A) пятый набор образцов, (B) пик (101) для пятого набора образцов, (C) восьмой набор образцов образцы и пик (D) (101) для восьмого набора образцов.

На рис. 9С представлены дифрактограммы восьмого набора образцов для прекурсора TiCl 4 с фиксированной длительностью импульса и температурой от 150 до 350°C, все параметры приведены в табл. 3. Неопределенность для пленок возрастала при температурах 150 и 200°C, что было высоким из-за того, что пик (101) был чрезвычайно слабым при 200°C и отсутствовал при 150°C. Неопределенность пленок, выращенных при 250, 300 и 350°C, мала из-за доминирующего пика (101). При температурах выше 250°С на дифрактограммах наблюдался пик второго порядка (202) (рис. 9С), что подтверждает высокую степень кристалличности.Для этих пленок значение s (%) является положительным, что приводит к растягивающему напряжению. На рис. 9Г показано снижение ЭПП с (25,565 ± 0,002)° до (25,432 ± 0,002)°, что выявило смещение пика (101), такое поведение имеет место при повышении температуры от 250 до 350°С, и как следствие наблюдалось уменьшение s (%) с 1,04 до 0,52, а полуширина (°) изменялась от (0,50 ± 0,01) до (0,66 ± 0,01).

Это изменение поведения кристалличности с температурой связано с природой роста ALD через обменные отношения на поверхности (Puurunen et al., 2011). Matero et al., 2001 показали, что для TiCl 4 и H 2 O в качестве прекурсоров и при использовании температур ниже 250°C количество лигандов -Cl от до TiCl 4 уменьшается примерно с двух до одного ( т. е. от бифункциональной адсорбции к монофункциональной). Однако при температурах выше 250°C встречается менее одного лиганда -Cl. Это указывает на диссоциативную хемосорбцию TiCl 4 на кислородных мостиках, что свидетельствует о дегидроксилировании ОН-групп при более высоких температурах.Согласно Лиму и соавт. (2014), диссоциативная хемосорбция способствует первой половине реакции ALD TiO 2 при более высокой температуре. Таким образом, связь между увеличением ГПХ может быть связана с диссоциативной хемосорбцией TiCl 4 (Matero et al., 2001; Leem et al., 2014). (Hu and Turner, 2006) с помощью расчетов теории функционала плотности (DFT) в начальных поверхностных реакциях ALD TiO 2 на подложке SiO 2 демонстрируют, что во время первой полуреакции происходит монофункциональная хемосорбция SiOH и TiCl 4 слегка экзотермичен, а бифункциональная хемосорбция скорее эндотермична.

Таким образом, десорбция (обратные реакции) хемосорбции представляет собой проблему, связанную с низкой кристалличностью при температурах ниже 250°C на подложках Si.

Выводы

В заключение, оценка влияния времени импульса на ГПХ и структуру пленок TiO 2 , выращенных методами ALD и PEALD, дает преимущества в улучшении качества кристалличности этих пленок за счет сокращения времени осаждения. Это углубленное теоретическое и экспериментальное исследование представило теоретическую модель, основанную на распределении скоростей Максвелла-Больцмана и молекулярном потоке газов, которые сталкиваются с подложкой, чтобы лучше понять ГПХ по сравнению с ГПХ.время пульса. С помощью этой модели, которая была применена к обоим прекурсорам (металлическому и окислительному), мы проанализировали наилучшее время импульса насыщения, чтобы предсказать GPC SAT , скорость реакции и молекулярный поток, что позволяет нам оптимизировать время процесса ALD и количества прекурсоров, используемых при выращивании пленки. Мы проверили модель, подгоняя наши экспериментальные данные вместе с данными других исследований для различных тонких пленок оксидов металлов, а именно HfO 2 , Al 2 O 3 , ZnO и RuO 2 .В наших данных мы нашли t SAT ≥ 0,25 с и t SAT ≥ 1,0 с для прекурсоров TiCl4 и TTIP соответственно как на подложках Si (100), так и на подложках FTO, что указывает на то, что рост TiO 2 тонкий пленок было самоограничивающимся для термического ALD и PEALD. Также было замечено, что GPC SAT и толщина пленок, выращенных термическим ALD с использованием TTIP, в среднем составляли 40% от значения, полученного с использованием прекурсора TiCl 4 . При использовании плазмы O 2 в качестве реакционного газа и TTIP наблюдалось двукратное увеличение GPC SAT и толщины по сравнению с результатами, полученными при использовании H 2 O.Скорость реакции, молекулярный поток и коэффициент диффузии уменьшаются при изменении температуры от 150 до 350°С, что показывает следующую зависимость −1 ) ∝ D ∝ T −1/2 . Химический состав был оценен с помощью анализа RBS и показал, что образцы из трех наборов пленок PEALD TiO x имеют избыток кислорода (т. е. они демонстрируют сверхстехиометрию со значениями x от 2.02 ± 0,01 до 2,30 ± 0,01). Дифрактограммы GIXRD пленок показали кристаллическую структуру, достигающую степени кристалличности от 57 до 80%, для образцов из двух наборов термического ALD с использованием прекурсоров TiCl 4 и H 2 O, тогда как набор образцов PEALD, с использованием плазмы TiCl 4 и O 2 , имел степень кристалличности от 50 до 80%. Эти результаты свидетельствовали о высоком качестве кристаллических пленок TiO 2 для прекурсора TiCl 4 .Для набора образцов PEALD с использованием ТТИП и плазмы O 2 достигнута высокая степень кристалличности пленок от 80 до 95%. С другой стороны, низкое качество кристалличности (ниже 40 %) наблюдалось для двух наборов термических образцов ALD с использованием TTIP и H 2 O. Пленочная фаза по всем параметрам в данной работе представляла собой анатаз с положительной деформацией. , что приводит к деформации растяжения. В целом, наши результаты демонстрируют преимущества понимания ГПХ и времени импульса для контроля качества кристалличности, деформации, толщины, стехиометрии и морфологии пленки TiO 2 посредством настройки основного параметра, а именно времени импульса АСО.

Заявление о доступности данных

Необработанные данные, подтверждающие выводы этой статьи, будут предоставлены авторами без неоправданных оговорок.

Вклад авторов

WC и RP: концептуализация. WC, RP и MF: методология и формальный анализ. WC, MF, RP и HM: расследование, написание, обзор и редактирование. HM, MF и RP: ресурсы и финансирование. WC: письмо — первоначальный вариант. РП и ТМ: надзор. Все авторы внесли свой вклад в статью и одобрили представленную версию.

Финансирование

Этот проект получил финансовую поддержку в рамках программы бразильского агентства, грант № 11/50773-0 (FAPESP/MCT/CNPq-PRONEX), грант № 459688/2014-6 (MCTI/CNPq), грант № 2016/17826- 7 и 2018/01265-1. Мы также получили поддержку от Исследовательского фонда Сан-Паулу (FAPESP) и CAPES. WC признает финансирование Европейского Союза и Португалии со стороны FEDER в рамках программы COMPETE 2020/PT2020 и Fundação para a Ciência e a Tecnologia (FCT) в рамках проектов № CENTRO-01-0145-FEDER-000005 (SusPhotoSolutions-Soluções Fotovoltaicas Sustentáveis).

Конфликт интересов

Авторы заявляют, что исследование проводилось при отсутствии каких-либо коммерческих или финансовых отношений, которые могли бы быть истолкованы как потенциальный конфликт интересов.

Дополнительный материал

Дополнительный материал к этой статье можно найти в Интернете по адресу: https://www.frontiersin.org/articles/10.3389/fmech.2020.551085/full#supplementary-material

.

Сноски

Ссылки

Аарик, Дж., Аидла, А., Устаре, Т., и Саммельсельг, В. (1995). Морфология и структура тонких пленок TiO 2 , выращенных методом атомно-слоевого осаждения. Дж. Кристалл. Рост 148, 268–275. дои: 10.1016/0022-0248(94)00874-4

Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

Аарик, Дж., и Сиймон, Х. (1994). Характеристика адсорбции в реакторе атомно-слоевой эпитаксии проточного типа. Заяв. Серф. науч. 81, 281–287. дои: 10.1016/0169-4332(94)

  • -2

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Аарик, Л., Арроваль Т., Раммула Р., Мандар Х., Саммельсельг В. и Аарик Дж. (2013). Атомно-слоевое осаждение TiO 2 из TiCl 4 и O 3 . Тонкая сплошная пленка . 542, 100–107. doi: 10.1016/j.tsf.2013.06.074

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Агаи, М., и Майданник, П.С. (2015). Низкотемпературное временное и пространственное атомно-слоевое осаждение пленок TiO 2 . Дж. Вак. науч. Технол. А 33:041512. дои: 10.1116/1.48

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Аоки Т., Фукухара Н., Осада Т., Сазава Х., Хата М. и Иноуэ Т. (2015). Электрические свойства структуры металл-оксид-полупроводник GaAs, включающей оксид затвора Al 2 O 3 и пассивирующий слой AlN, изготовленный на месте с использованием гибридной системы осаждения из паровой фазы металла и атомарного слоя. AIP Adv. 5:087149. дои: 10.1063/1.41

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Атасанов С.E., Oldham, C.J., Slusarski, K.L., Taggart-Scarff, J., Sherman, S.S., Senecal, K.J., et al. (2014). Улучшенная стойкость кевлара к порезам за счет контролируемых межфазных реакций при атомно-слоевом осаждении сверхтонких (<50 А) неорганических покрытий. Дж. Матер. хим. А 2:17371. дои: 10.1039/C4TA03662J

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Авила, Дж. Р., Кадри, С. Б., Фрейтас, Дж. Р. Дж. А., Непал, Н., Борис, Д.Р., Уолтон, С.Г., и соавт. (2019). Влияние условий роста на фазовую селективность и качество эпитаксии пленок TiO 2 , выращенных методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения. Хим. Мать . 31, 3900–3908. doi: 10.1021/acs.chemmater.8b05282

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Chiappim, W., Testoni, G.E., de Lima, J.S.B., Medeiros, H.S., Pessoa, R.S., Grigorov, K.G., et al. (2016а). Влияние температуры процесса и количества реакционных циклов на атомно-слоевое осаждение тонких пленок TiO2 с использованием прекурсоров TiCl4 и H 2 O: корреляция между свойствами материала и технологической средой. Браз. Дж. Фи . 46, 56–69.doi: 10.1007/s13538-015-0383-2

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Chiappim, W., Testoni, G.E., Doria, A.C.O.C., Pessoa, R.S., Fraga, M.A., Galvão, N.K.A.M., et al. (2016с). Взаимосвязь между механизмом роста, структурой и морфологией пленок PEALD TiO2: влияние мощности плазмы O 2 , химии прекурсоров и режима воздействия плазмы. Нанотехнологии 27:305701. дои: 10.1088/0957-4484/27/30/305701

    Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

    Чиаппим, В., Testoni, G.E., Moraes, R.S., Sagás, J.C., Origo, F.D., Vieira, L., et al. (2016б). Структурные, морфологические и оптические свойства тонких пленок TiO 2 , выращенных методом атомно-слоевого осаждения на проводящем стекле из оксида олова, легированного фтором. Вакуум 123, 91–102. doi: 10.1016/j.vacuum.2015.10.019

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Chiappim, W. , Watanabe, M., Dias, V., Testoni, G., Rangel, R., Fraga, M., et al. (2020). Измерения емкости МОП для диэлектрических пленок PEALD TiO 2 , выращенных в различных условиях, и воздействие частичного монослоя Al 2 O 3 . Наноматериалы 10:338. doi: 10.3390/nano10020338

    Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

    Cunha, J.M.V., Fernandes, P.A., Hultqvist, A., Teixeira, J.P., Bose, S., Vermang, B., et al. (2018). Изоляционные материалы для пассивации границы раздела тонких пленок Cu(In, Ga)Se 2 . IEEE J. Фотовольт . 28, 1313–1319. doi: 10.1109/JPHOTOV.2018.2846674

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Диас, В., Масиэль, Х.С., Фрага, М.А., Лобо, А.О., Пессоа, Р.С., и Марчиано, Ф.Р. (2019). Атомный слой осаждения TiO 2 и Al 2 O 3 тонких пленок в качестве покрытия для упаковки пищевых продуктов из алюминия. Материалы 12:682. дои: 10.3390/ma12040682

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Элам, Дж. В., Руткевич, Д., Мардилович, П. П., и Джордж, С. М. (2003). Конформное покрытие на нанопорах анодного оксида алюминия со сверхвысоким соотношением сторон методом атомно-слоевого осаждения. Хим. Матер. 15, 3507–3517. doi: 10.1021/cm0303080

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Эллиот, С.Д., Дей, Г., Маймаити, Ю., Аблат, Х., Филатова, Е.А., Фоменджа, Г.Н., и соавт. (2016). Моделирование механизма и реакций роста для новых процессов нанопроизводства путем осаждения атомных слоев. Доп. Мать . 27, 5367–5380. doi: 10.1002/adma.201504043

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Фараз, Т., Рузебум, Ф., Кнупс, Х.CM и Kessels, WMM (2015). Травление атомного слоя: что мы можем узнать из осаждения атомного слоя. ECS J. Твердотельный SC . 4, N5023–N5032. дои: 10.1149/2.0051506jss

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Фэй, К. , Лю, Х., Ван, X., и Фань, X. (2015). Влияние параметров процесса и скважности прекурсоров на характеристики пленок La 1−x Al x O 3 , осажденных методом атомно-слойного осаждения. Наноразмерный рез.Письмо . 10, 1–9. doi: 10.1186/s11671-015-0883-6

    Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

    Гейтс-Ректор, С., и Блэнтон, Т. (2019). Файл порошковой дифракции: база данных характеристик качественных материалов. Дифф. порошок . 34, 352–360. дои: 10.1017/S088571561

    12

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Герман, Г. С., Зер, Р. Т., и Хендерсон, Массачусетс (2013). Характеристика диффузии кислорода и титана на поверхности анатаза TiO2 (001). Прибой. науч. лат. 612, Л5–Л8. doi: 10.1016/j.susc.2013.02.006

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Ху, З., и Тернер, Ч. Х. (2006). Начальные поверхностные реакции осаждения атомного слоя TiO 2 на поверхности SiO 2 : расчеты по теории функционала плотности. J. Phys. хим. Б 110, 8337–8347. дои: 10.1021/jp060367b

    Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

    Юнг, Х. Дж., Хан, Дж. Х., Jung, E.A., Park, B.K., Hwang, J.-.H., Son, S.U., et al. (2014). Атомно-слоевое осаждение тонких пленок рутения и оксида рутения из комплекса нульвалентного (1,5-гексадиен)(1-изопропил-4-метилбензол)рутения и O 2 . Хим. Мать . 26, 7083–7090. doi: 10.1021/см5035485

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Каэриайнен, Т.О., и Кэмерон, округ Колумбия (2009). Плазменное атомно-слоевое осаждение Al 2 O 3 при комнатной температуре. Плазменный процесс Polym . 6, С237–С241. doi: 10.1002/ppap.2005

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Хан, М. Р., Ким, Х. Г., Пак, Дж. С., Шин, Дж. В., Нгуен, К. Т., и Ли, Х. Б. Р. (2020). Настраиваемое цветовое покрытие E-текстиля атомно-слоевым осаждением многослойных пленок TiO 2 /Al 2 O 3 . Ленгмюр . 36, 2794–2801. doi: 10.1021/acs.langmuir.9b03988

    Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

    Ким, С.Б., Чжао X., Дэвис Л. М., Джаяраман А., Ян К. и Гордон Р. Г. (2019). Атомно-слоевое осаждение моносульфида олова с использованием паров жидкого бис(N,N-диизопропилформамидинато)олова(II) и H 2 S. ACS Appl. Матер. Интерфейс 49, 45892–45902. дои: 10.1021/acsami.9b16933

    Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

    Лим Дж., Пак И., Ли Ю., Чжоу В., Джин З., Шин С. и другие. (2014). Роль HCl в атомно-слоевом осаждении тонких пленок TiO2 из тетрахлорида титана и воды. Бык. Корейский хим. Соц . 35:411195. doi: 10.5012/bkcs.2014.35.4.1195

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Macco, B., van de Loo, BWH, и Kessels, WMM (2017). «Атомно-слоевое осаждение для высокоэффективных кристаллических кремниевых солнечных элементов», в Атомно-слоевое осаждение в приложениях преобразования энергии, 1-е изд. , изд. Дж. Бахманн. (Вайнхайм: Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA), 41–99. дои: 10.1002/9783527694822.ch3

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Матеро Р., Рахту А., и Ритала, М.. Квадрупольная масс-спектрометрия на месте исследования микробаланса кристаллов кварца при атомно-слоевом осаждении диоксида титана из воды тетрахлорида титана. Хим. Матер. (2001) 13 4506–4511. doi: 10.1021/cm011046+

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Майер, М. (1999). Конф. АИП. проц. 475 541; SIMNRA (Программа моделирования для анализа NRA, RBS и ERDA), разработанная М. Майером . Доступно в Интернете по адресу: http://home.rzg.mpg.de/~mam/ (по состоянию на 27 февраля 2020 г.).

    Академия Google

    Митчелл, Д. Р. Г., Аттард, Д. Дж., и Триани, Г. (2003). Исследования методом просвечивающей электронной микроскопии атомно-слоевого осаждения пленок TiO 2 , выращенных на кремнии. Тонкая твердая пленка 441, 85–95. doi: 10.1016/S0040-6090(03)00877-0

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Муса, М.Б.М., Олдхэм, С.Дж., и Парсонс, Г.Н. (2014). Атомно-слоевое осаждение Al 2 O 3 при атмосферном давлении с использованием триметилалюминия и озона. Ленгмюр 30, 3741–3748. дои: 10.1021/la500796r

    Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

    О, И.-.К., Пак, Б.-.Э., Сео, С., Йео, Б.С., Тансканен, Дж., Ли, Х.-.Б.-.Р., и др. (2018). Сравнительное исследование ростовых характеристик и электрических свойств атомарно-слоевых пленок HfO 2 , полученных из прекурсоров галогенидов и амидов металлов. Дж. Матер. хим. С 6, 7367–7376. дои: 10.1039/C8TC01476K

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Париж, А.и Тайоли, С. (2016). Многомасштабное исследование кислородных вакансий в анатазе TiO 2 и их роль в поведении мемристора. J. Phys. хим. C 120, 22045–22053. doi: 10.1021/acs.jpcc.6b07196

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Паусса, Л., Гусман, Л., Марин, Э., Исомаки, Н., и Федрицци, Л. (2011). Защита серебряных поверхностей от потускнения с помощью нанослоев оксида алюминия/титана. Прибой. Пальто. Тех. 206, 976–980. дои: 10.1016/j.surfcoat.2011.03.101

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Пессоа, Р.С., и Фрага, Массачусетс (2019). «Биомедицинские применения ультратонких пленок оксида металла, нанесенных атомным слоем на полимерные материалы», в Frontiers of Nanoscience, 1st edn , eds M. Benelmekki, A. Erbe (Cambridge, MA: Elsevier), 291–307. doi: 10.1016/B978-0-08-102572-7.00011-8

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Пессоа, Р.С., Фрага, М.А., Чиаппим, В., и Масиел, Х.С. (2018). «Изучение свойств и применения в топливных элементах ультратонких пленок оксида металла, осажденных атомарным слоем», в Emerging Materials for Energy Conversion and Storage, 1st edn , KY Cheong, G. Impellizzeri, MA Fraga (Cambridge, MA: Elsevier), 83 –114. дои: 10.1016/B978-0-12-813794-9.00003-X

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Pessoa, R.S., dos Santos, V.P., Cardoso, S.B., Doria, A.C.O.C., Figueira, F.R., Rodrigues, B.V.M., et al. (2017).TiO 2 покрытия посредством осаждения атомарного слоя на полиуретановой и полидиметилсилоксановой подложке: свойства и влияние на C. Albicans рост и процесс инактивации. Заяв. Серф. науч. 422, 73–84. doi: 10.1016/j.apsusc.2017.05.254

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Пессоа, Р. С., Перейра, Ф. П., Тестони, Г. Э., Чиаппим, В., Масиэль, Х. С., и Сантос, Л. В. (2015). Влияние типа подложки на структуру тонких пленок TiO 2 , осажденных методом атомно-слоевого осаждения. JICS 1, 38–42.

    Академия Google

    Pilz, J., Perrota, A., Christian, P., Tazreiter, M., Resel, R., Leising, G., et al. (2018). Настройка свойств материала тонких пленок ZnO, выращенных методом осаждения атомных слоев с плазменным усилением при комнатной температуре. Дж. Вак. науч. Технол. А 36:01А109. дои: 10.1116/1.5003334

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Пуурунен, Р.Л. (2003). Рост за цикл при осаждении атомарного слоя: теоретическая модель. Хим. Вап. Депо . 9, 249–257. doi: 10.1002/cvde.200306265

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Пуурунен, Р.Л. (2005a). Корреляция между ростом за цикл и концентрацией поверхностных гидроксильных групп при атомно-слоевом осаждении оксида алюминия из триметилалюминия и воды. Заяв. Серф. Наука . 245, 6–10. doi: 10.1016/j.apsusc.2004.10.003

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Пуурунен, Р.Л. (2005b).Химия поверхности осаждения атомарного слоя: тематическое исследование процесса триметилалюминий/вода. J. Appl. Физ . 97:121301. дои: 10. 1063/1.1

    7

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Пуурунен Р.Л., Саджавара Т., Сантала Э., Мииккулайнен В., Саукконен Т., Лайтинен М. и соавт. (2011). Контроль кристалличности и шероховатости пленок диоксида титана, осажденных атомарным слоем. Дж. Наноски. Нанотехнология . 11, 8101–8107. doi: 10.1166/jnn.2011.5060

    Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

    Рай, В. Р., и Агарвал, С. (2009). Механизм поверхностных реакций при плазменно-стимулированном атомно-слоевом осаждении диоксида титана. J. Phys. хим. C 113, 12962–12965. дои: 10.1021/jp

  • 9c

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Rauwel, E., Galeckas, A., Rauwel, P., Nilsen, O., Walmsley, J.C., Rytter, E., et al. (2011). ALD Применительно к конформному покрытию нанопористого γ-оксида алюминия: образование шпинели и люминесценция, индуцированная легированием европием. ЭКС Транс . 41, 123–130. дои: 10.1149/1.3633660

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Рейнке М., Кузьминых Ю. и Хоффманн П. (2016). Кинетика поверхностных реакций изопропоксида титана и воды при атомно-слоевом осаждении. J. Phys. хим. С. 120, 4337–4344. doi: 10.1021/acs.jpcc.5b10529

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Sammelselg, V., Rosental, A., Tarre, A., Niinist,ö, L., Heiskanen, K., Ilmonen, K., et al.(1998). Тонкие пленки TiO 2 методом атомно-слоевого осаждения: случай неравномерного роста при низкой температуре. Заяв. Серф. науч. 134, 78–86. doi: 10.1016/S0169-4332(98)00224-4

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Шнайдер, Дж. Р., Бейкер, Дж. Г., и Бент, С. Ф. (2020). Влияние озона: сверхстехиометрический кислород при атомно-слоевом осаждении Fe 2 O 3 с использованием трет-бутилферроцена и O 3 . Доп. Матер. Интерфейсы 7:2000318. doi: 10.26434/chemrxiv.10413779

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Spende, A., Sobel, N., Lukas, M., Zierold, R., Riedl, J.C., Gura, L., et al. (2015). TiO 2 , SiO 2 и Al 2 O 3 покрывают нанопоры и нанотрубки, полученные методом АСО, в протравленных ионно-трековых мембранах для транспортных измерений. Нанотехнологии 16:335301. дои: 10.1088/0957-4484/26/33/335301

    Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

    Стробель, А., Шнабель, Х.-Д., Рейнхольд, У., Рауэр, С., и Нейдхардт, А. (2016). Плазменное осаждение атомарного слоя при комнатной температуре для пленок TiO 2 и WO 3 . Дж. Вак. науч. Технол. А 34:01А118. дои: 10.1116/1.46

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Testoni, G.E., Chiappim, W., Pessoa, R.S., Fraga, M.A., Miyakawa, W., Sakane, K.K., et al. (2016). Влияние числа парциальных монослоев Al 2 O 3 на механизм кристаллизации TiO 2 в ALD наноламинатах TiO 2 /Al 2 O 3 и его влияние на свойства материала. J. Phys. Д 49:375301. дои: 10.1088/0022-3727/49/37/375301

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Ван дер Мерве, Дж. Х. (1993). Теоретические аспекты выращивания однородных эпитаксиальных слоев. Научный интерфейс. 1, 77–86. дои: 10.1007/BF00203267

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Вей Д., Хоссейн Т., Гарсес Н.Ю., Непал Н., Мейер И.И.И.Х. М. и др. (2013). Влияние температур осаждения атомных слоев на МОП-конденсатор TiO 2 /n-Si, ECS J.Твердотельный SC . 2, N110–N114. дои: 10.1149/2.010305jss

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Юань Г., Симидзу Х., Момосе Т. и Шимогаки Ю. (2014). Кинетические исследования атомно-слоевого осаждения тонких никелевых пленок с помощью горячей проволоки. Дж. Вак. науч. Технол. А 32:01А104. дои: 10.1116/1.4829361

    Полнотекстовая перекрестная ссылка | Академия Google

    Зазпе Р., Софа Х. , Прикрыл Дж., Мистрик Дж., Дворжак Ф., Громадко Л. и др. (2018). Одномерная коническая нанотрубчатая гетероструктура TiO 2 /CdS с превосходным преобразованием фотонов в электроны. Наномасштаб 10, 16601–16612. дои: 10.1039/C8NR02418A

    Реферат PubMed | Полный текст перекрестной ссылки | Академия Google

    Биоразлагаемые блок-сополимеры с памятью формы для быстрых саморасширяющихся стентов

    Название: Биоразлагаемые блок-сополимеры с памятью формы для быстрых саморасширяющихся стентов Авторы:  Сюэ, Л.
    Дай, С. 
    Ли, З. 
    Ключевые слова:  Биосовместимость
    Блок-сополимеры
    Микробный полиэстер
    Поликапролактон
    Саморасширяющийся стент
    Память формы
    Дата выпуска: ноябрь 2010 г. Ссылка:  Сюэ, Л., Дай С., Ли З. (2010–11). Биоразлагаемые блок-сополимеры с памятью формы для быстрых саморасширяющихся стентов. Биоматериалы 31 (32): 8132-8140. Репозиторий [email protected] https://doi.org/10.1016/j.bimaterials.2010.07.043 Реферат: Блок-сополимеры PCTBV (Mn 36 300–65 300 г/моль, Tm 39–40 и 142 °C), содержащие гиперразветвленный трехцепочечный поли(е{открытый}-капролактон) (PCL) в качестве переключающего сегмента и микробный полиэфир PHBV в качестве кристаллизующегося жесткого сегмента были разработаны как биоразлагаемый полимер с памятью формы (SMP) для быстрого саморасширяющегося стента и синтезированы с выходом 96% по реакции трехцепочечного PCL-триола (Mn 4200 г/моль, Tm 47 ° C) с метилендифенил-4,4′-диизоцианат-изоцинатом (MDI) с образованием гиперразветвленного MDI-связанного PCL (PTCM; Mn 25 400 г / моль и Tm 38 ° C), с последующей дальнейшей полимеризацией с PHBV -диол (Mn 2200 г/моль, Tпл 137 и 148°С).Полимеры были охарактеризованы с помощью 1H ЯМР, ГПХ, ДСК, испытания на растяжение и циклического термомеханического испытания на растяжение. PCTBV показали желаемые тепловые свойства, механические свойства и пластичность. PCTBV, содержащий 25 мас.% PHBV (PCTBV-25), продемонстрировал отличные свойства памяти формы при 40 °C с Rf 94%, Rr 98% и восстановлением формы в течение 25 с. Тесты на цитотоксичность и эксперименты по росту клеток также показали, что PCTBV-25 является безопасным материалом с хорошей биосовместимостью. Стент, изготовленный из пленки PCTBV-25, показал почти полное саморасширение при 37 °C всего за 25 с, что намного лучше и быстрее, чем у наиболее известных саморасширяющихся стентов.© 2010 ООО «Эльзевир» Название источника:  Биоматериалы URI: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/88582 ISSN: 01429612 DOI: 10.1016/j.biomaterials.2010.07.043
    Появляется в коллекциях: Публикации персонала

    Руководство GS1 по распространению и отправке биологических препаратов

    Приведенный ниже пример файла содержит все обязательные и необязательные атрибуты, которые, по мнению GS1, относятся к обязательным до фактического сбора требований.

    1.0

    53

  • 567892

    John Smith

    [email protected]

    011234546

    011234567

    Blood Sender

    2

    sh:Receiver>

    53567885

    Jane Smith

    [email protected] т.е.

    04021234554

    04021234550

    Поддержка клиентов

    GS1

    3.3

    10001a

    despatchAdvice

    false

    2019-02-18T09:18:47Z

    MESSAGE_STATUS

    LIVE

    SCHEMA_GUIDE

    ISBT 128_Идентификация и спецификация штрих-кодирования_Rel_1. 0

    :18TateTime218

    ORIGINAL

    0000000001

    это может быть любой уникальный идентификатор — состоящий из символов и цифр

    53567885

    Dublin 4

    IE

    D4

    Больница Джейн Смит

    D04KF62

    2-й этаж, Меррио N Centre

    Лейн Лейн, Доннибрук

    53567892

    <адрес >

    Greystones

    IE

    Wicklow

    John Smith & Ко.

    A63RW51

    175 Church Lane

    Киллинкарриг, графство Уиклоу

    >

    53567878

    Дельгани

    IE

    Wicklow

    John Doe PLC

    A63RW51

    HigherAddressOne , 38 The Tower

    Делгани, Киллинкарриг, графство Уиклоу

    gn8

    <адрес>

    Арклоу

    IE

    Wicklow

    Jane Doe Inc.

    <Почтовый адрес> Y14 P200

    Abercorn Hall

    Ferrybank

    2019-02-28T12:00:00Z

    2019-02-25

    09:00:00

    2019-02-28

    17:30 :00

    Номер заказа XYZ 123

    0530000000016

    5399876543212

    <адрес>

    Dublin

    IE

    Dublin 24

    Университетская больница Таллахта

    D24 NR0A

    Tallaght

    Patient

    Joseph Maria O’Patient

    1

    20

    30

    053130006

    < дополнительныйTradeItemIdentification дополнительныйTradeItemIdentificationTypeCode="ICCBBA">A999

    37T0122

    A9993456

    19-08-31

    ABC123-2019-02-

    001

    >

    Номер заказа на покупку ABC123

    16

    Эта группа повторяется

    2

    30

    < gtin>053130013

    W0000123456T0480

    A

    2019-08-31

    001

    <Купорт>

    <Предприятие>

    1

    .

    Оставить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован.